專利名稱：閃存器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種閃存器件及其制造方法。具體而言，本發(fā)明的實(shí)施例涉 及一種制造閃存器件以減輕在側(cè)間隔件與浮柵之間電子俘獲風(fēng)險(xiǎn)由此提高 產(chǎn)品可靠性的方法。
背景技術(shù)：
一般而言，閃存器件是可以改寫電數(shù)據(jù)的一類可編程只讀存儲(chǔ)器 (PROM)。另一類PROM是可擦除PROM (EPROM)。在EPROM器件 中，通過(guò)紫外線來(lái)擦除存儲(chǔ)器單元組，但是其存儲(chǔ)器單元具有包括一個(gè)晶體 管的小區(qū)域。電可擦除PROM (EEPROM)器件可以被電擦除，但是單元區(qū) 域包括兩個(gè)晶體管、因此更大。快速EEPROM器件組合兩類PROM的特征。 快速EEPROM器件執(zhí)行可擦除PROM (EPROM)器件的程序輸入功能、 EEPROM的擦除功能并且具有一個(gè)晶體管的存儲(chǔ)單元尺寸。閃存器件稱為非易失性存儲(chǔ)器件，因?yàn)榧词箶嚯娨膊徊脸鎯?chǔ)器中存儲(chǔ) 的信息。閃存器件可以根據(jù)單元陣列結(jié)構(gòu)來(lái)分類。例如，在NOR型結(jié)構(gòu)中， 單元并聯(lián)設(shè)置于位線與地之間，而在NAND型結(jié)構(gòu)中單元串聯(lián)設(shè)置于位線與 地之間。另外，閃存器件可以根據(jù)單位單元結(jié)構(gòu)來(lái)分類，例如包括堆疊柵型閃存 器件和拆分柵型閃存器件。閃存器件也可以根據(jù)其電荷存儲(chǔ)層的形式來(lái)分 類，例如包括浮柵器件和硅氧化氮氧化硅(SONOS)器件。 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的普通堆疊柵型閃存器件的橫截面圖。 在堆疊柵型閃存器件中，形成多層結(jié)構(gòu)的堆疊電極110，其中柵極氧化 物膜112、浮柵114、層間絕緣膜116和控制柵極118依次地堆疊于半導(dǎo)體襯底100的有源區(qū)上。然后通過(guò)在半導(dǎo)體襯底100的橫向區(qū)內(nèi)摻雜雜質(zhì)來(lái)形 成源結(jié)130和漏結(jié)140，使得橫向區(qū)之間形成位于堆疊電極110以下的溝道 區(qū)。側(cè)間隔件120可以由堆疊電極110的側(cè)壁上的絕緣膜材料形成。側(cè)間隔 件120可以在通過(guò)離子注入來(lái)形成源結(jié)130和漏結(jié)140時(shí)用作掩模。另外，為了減少接觸電阻和表面電阻，由具有低電阻率的材料制成的自 對(duì)準(zhǔn)硅化物膜150可以形成于控制柵極118、源結(jié)130和漏結(jié)140上方。自 對(duì)準(zhǔn)硅化物膜150可以由包括金屬如鈦(Ti)、鈷(Co)、鎢(W)和鎳(Ni) 的化合物以及硅制成。柵氧化物膜112可以稱為隧道氧化物膜并且可以用半導(dǎo)體襯底100的硅 層被熱氧化的氧化硅膜或者氧化硅膜被氮化的氧氮化硅膜來(lái)形成。浮柵114可以由導(dǎo)電多晶硅或者多晶硅化物制成并且執(zhí)行具有電荷的存 儲(chǔ)節(jié)的功能。層間絕緣膜116可以用具有氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結(jié)構(gòu)的介電 膜來(lái)形成并且執(zhí)行使浮柵114和控制柵極118相互絕緣的功能。控制柵極118可以由多晶硅或者多晶硅化物制成并且執(zhí)行調(diào)整源結(jié)130 與漏結(jié)140之間的電流的功能。側(cè)間隔件120可以設(shè)置于堆疊電極110的側(cè)壁上以截獲在形成源結(jié)130 和漏結(jié)140的過(guò)程中由離子注入所引入的雜質(zhì)。由此，側(cè)間隔件120通過(guò)延 伸在源結(jié)130與漏結(jié)140之間的溝道寬度來(lái)防止短溝道效應(yīng)。側(cè)間隔件120 可以由氧化硅膜和氮化硅膜制成，該氧化硅膜和該氮化硅膜為絕緣膜。具體 而言，側(cè)間隔件120可以由氧化層122、高溫氧化物(HTO)膜和/或正硅酸 乙酯(TEOS)膜124和氮化物膜126制成。參照?qǐng)D2A至圖2G來(lái)描述制造具有上述結(jié)構(gòu)的堆疊柵型閃存器件的方法。首先，如圖2A中所示，在通過(guò)熱氧化工藝在半導(dǎo)體襯底100的整個(gè)表 面上薄地形成柵氧化物膜112，之后，在柵氧化物膜112，之上依次沉積浮柵膜 114'、層間絕緣膜116'和控制柵膜118'。接著，如圖2B中所示，通過(guò)光刻工藝在控制柵膜118，之上形成光刻膠 膜(PR)圖案(PR-1)以便僅靠近將要形成堆疊電極110的區(qū)域。然后使用對(duì)應(yīng)的光刻膠膜圖案(PR-1)作為用于蝕刻的掩模來(lái)去除半導(dǎo)體層112'、114'、 116'和118'的暴露部分。光刻工藝包括涂敷、曝光和顯影光刻膠膜的一連串工藝。蝕刻工藝可以 包括具有各向異性蝕刻特征的干蝕刻。在完成堆疊電極110之后，可以通過(guò) 灰化工藝等來(lái)去除所用光刻膠膜圖案(PR-1)。接著，如圖2C中所示，為了形成側(cè)間隔件120，在半導(dǎo)體襯底100的 整個(gè)表面上形成氧化層122'，在半導(dǎo)體襯底100中通過(guò)熱氧化工藝來(lái)形成堆 疊電極110。然后依次沉積HTO膜124'和氮化物膜126'。例如以約40 A至60A的厚度薄地形成氧化層122'，例如以約75 A的厚 度薄地形成HTO膜124'，以及例如以約700 A至1500 A的厚度相對(duì)厚地形 成氮化物膜126'。取代了 HTO膜124'或者除HTO膜124，之外，還可以使用TEOS膜。此 外，可以使用氮化硅膜如SiN或者Si3N4可以用作氮化物膜126，。隨后，如圖2D中所示，通過(guò)執(zhí)行具有各向異性蝕刻特征的干蝕刻以去 除氮化物膜126，、 HTO膜124，和氧化層122，的上部，來(lái)暴露堆疊電極110 的控制柵極118的表面，由此在堆疊電極110的側(cè)壁邊上形成側(cè)間隔件120。隨后，如圖2E中所示，通過(guò)使用堆疊電極110和側(cè)間隔件120作為用 于離子注入工藝的掩模以在堆疊電極110周圍注入離子來(lái)形成源結(jié)130和漏 結(jié)140。因此，在半導(dǎo)體襯底100的暴露表面上形成源結(jié)130和漏結(jié)140。在離子注入之后，執(zhí)行用于激活注入雜質(zhì)的熱處理工藝如快速熱處理 (RTP)。接著，如圖2F中所示，為了形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜150，形成用于抑制自 對(duì)準(zhǔn)硅化物的氧化物膜圖案OL，以僅暴露堆疊電極110、源結(jié)130和漏結(jié) 140。具體而言，用于抑制自對(duì)準(zhǔn)硅化物的氧化物膜可以沉積于至此形成的 結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面之上，而光刻膠膜圖案可以通過(guò)光刻工藝形成于沉積氧化物 膜之上。然后使用對(duì)應(yīng)光刻膠膜圖案作為掩模有選擇地蝕刻掉沉積氧化物膜 的暴露部分。在形成用于抑制自對(duì)準(zhǔn)硅化物的氧化物膜圖案OL以僅靠近非 自對(duì)準(zhǔn)硅化物區(qū)之后，可以去除所用的光刻膠膜圖案。隨后，如圖2G中所示，使用氧化物膜圖案OL將自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜150 形成在暴露的堆疊電極110、源結(jié)130和漏結(jié)140上，以抑制別處的自對(duì)準(zhǔn)硅化物。具體而言，在氧化物膜圖案OL所暴露的部分中沉積用于形成自對(duì) 準(zhǔn)硅化物的金屬膜。接著，通過(guò)執(zhí)行熱處理工藝，金屬膜通過(guò)與控制柵極18 的多晶硅以及源結(jié)130和漏結(jié)140的硅發(fā)生反應(yīng)而變成自對(duì)準(zhǔn)硅化物。 一旦 形成硅化物膜150，通過(guò)使用磷酸(H3P04)溶液的濕剝離工藝來(lái)去除用于抑 制自對(duì)準(zhǔn)硅化物的所用氧化物膜圖案OL。由此完成制造堆疊柵型閃存器件 的工藝。然而，制造堆疊柵型閃存器件的常規(guī)方法具有以下問(wèn)題。 側(cè)間隔件120包括具有相對(duì)小的厚度的各個(gè)氧化物膜122和124與相對(duì) 于氧化物膜122和124具有大的厚度的氮化物膜126的組合。如果與堆疊電 極110的側(cè)壁直接相鄰地形成用于截獲離子注入雜質(zhì)的厚氮化物膜126，則 由于不良粘合而出現(xiàn)變松現(xiàn)象。為了防止變松現(xiàn)象，在其間插入薄氧化物膜 122和124。氧化層122和HTO膜(和/或TEOS膜)124的組合用作插入式 氧化物膜，因?yàn)樗鼈冊(cè)谧罱K結(jié)構(gòu)中提供優(yōu)良的電性特征。然而，厚氮化物膜126的形成在厚氮化物膜126與薄氧化物膜122和124 之間的界面處造成結(jié)構(gòu)應(yīng)力。側(cè)間隔件膜122、 124和126的晶格結(jié)構(gòu)在氧 化物膜122和124與厚氮化物膜126的界面周圍變得不穩(wěn)定。結(jié)果出現(xiàn)對(duì)于 浮柵114的電荷增益或者電荷損失的電子俘獲現(xiàn)象，由此降低閃存器件的可 靠性。發(fā)明內(nèi)容一般而言，本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種閃存器件及其制造方法使得減輕離 子俘獲現(xiàn)象。示例方法包括將光刻膠膜圖案而不是厚的氮化物膜用于間隔件 來(lái)形成源/漏結(jié)，由此提高產(chǎn)品可靠性。一種用于制造閃存器件的方法的第一實(shí)施例包括在半導(dǎo)體襯底上形成 具有堆疊結(jié)構(gòu)的堆疊電極，該堆疊結(jié)構(gòu)包括柵氧化物膜、浮柵、層間絕緣膜 和控制柵極；在堆疊電極的側(cè)壁上形成側(cè)間隔件；在側(cè)間隔件的側(cè)壁上以預(yù) 定厚度形成光刻膠膜圖案；以及使用光刻膠膜作為用于離子注入的掩模，通 過(guò)離子注入在半導(dǎo)體襯底上形成源/漏結(jié)。根據(jù)第二實(shí)施例，提供一種閃存器件，該閃存器件包括具有堆疊結(jié)構(gòu) 的堆疊電極，該堆疊結(jié)構(gòu)包括形成在半導(dǎo)體襯底上的柵氧化物膜、浮柵、層間絕緣膜和控制柵極；在堆疊電極的側(cè)壁上形成的側(cè)間隔件；以及在半導(dǎo)體 襯底上形成的源/漏結(jié)。本發(fā)明通過(guò)防止或者減輕電子俘獲現(xiàn)象，可以提高產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性。提供這一發(fā)明內(nèi)容是為了以簡(jiǎn)化形式介紹對(duì)下文在具體實(shí)施方式
中進(jìn) 一步描述的概念的選擇。這一發(fā)明內(nèi)容并非旨在于標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)的主題的 關(guān)鍵特征或者實(shí)質(zhì)特性，也并非旨在于用作輔助確定要求保護(hù)的主題的范 圍。附加特征將在以下描述中加以闡明并且部分地將從描述中變得清楚或 者可以通過(guò)實(shí)踐這里的教導(dǎo)來(lái)加以掌握?？梢越柚谒綑?quán)利要求中特別之 處的手段和組合來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的特征。


本發(fā)明的示例實(shí)施例的諸多方面將從結(jié)合附圖給出的示例實(shí)施例的以 下描述中變得清楚，在附圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)的閃存器件的橫截面圖；圖2A至圖2G是依次圖示制造現(xiàn)有技術(shù)的閃存器件的方法的過(guò)程的橫 截面圖；以及圖3A至圖3H是依次圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例制造閃存器件的方法 過(guò)程的橫截面圖。
具體實(shí)施方式
在實(shí)施例的以下具體描述中，參照對(duì)通過(guò)舉例來(lái)示出本發(fā)明具體實(shí)施例 的附圖。在附圖中，相似標(biāo)號(hào)在數(shù)幅圖中通篇地描述基本上相似的部件。以 充分的細(xì)節(jié)描述這些實(shí)施例以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明。在不脫離 本發(fā)明的范圍情況下可以利用其它實(shí)施例并且可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)、邏輯和電性的 改變。另外，將理解本發(fā)明的各種實(shí)施例雖然有所不同但是并非必然相互排 斥。例如，在一個(gè)實(shí)施例中描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或者特性可以包含于其它 實(shí)施例中。因此，以下具體描述不應(yīng)取作限制意義，而本發(fā)明的范圍僅由所 附權(quán)利要求以及對(duì)這樣的權(quán)利要求有權(quán)賦予的完全等效范圍來(lái)限定。如上文參照?qǐng)Dl所述，堆疊柵型閃存器件可以包括以多層結(jié)構(gòu)形成在半 導(dǎo)體襯底100的有源區(qū)上的堆疊電極110，該多層結(jié)構(gòu)包括柵氧化物膜112、浮柵114、層間絕緣膜116和控制柵極118。該結(jié)構(gòu)也可以包括側(cè)間隔件 120，形成在堆疊電極110的側(cè)壁上以延伸溝道長(zhǎng)度；以及源結(jié)130和漏結(jié) 140，在源結(jié)130和漏結(jié)140之間插入有堆疊電極110的情況下，形成于半 導(dǎo)體襯底100上。側(cè)間隔件120截獲在堆疊電極IIO周圍的寬闊區(qū)域之上的雜質(zhì)，這些雜 質(zhì)原本會(huì)在形成源結(jié)130和漏結(jié)140時(shí)通過(guò)離子注入而注入到半導(dǎo)體襯底 100中。側(cè)間隔件120可以用包括氧化物膜和氮化物膜的組合的實(shí)心絕緣膜 來(lái)形成。具體而言，可以在堆疊電極110的側(cè)壁上用氧化層122、 HTO膜和 /或TEOS膜124以及氮化物膜126依次形成側(cè)間隔件120?？梢杂肐OOA或 者更小的厚度形成氧化層122和HTO膜124?？梢砸?00A至1500A的厚度 形成氮化物膜126。然而，在間隔件中使用厚氮化物膜126使得在與更薄的膜122和124的 界面處生成應(yīng)力。結(jié)果由于內(nèi)部晶格的不穩(wěn)定而出現(xiàn)電子俘獲現(xiàn)象，由此降 低產(chǎn)品可靠性。因此，為了防止或者減輕這樣的電子俘獲現(xiàn)象，可以使用光刻膠膜圖案 來(lái)取代厚氮化物膜126，以阻止在形成源結(jié)130和漏結(jié)140的過(guò)程中在堆疊 電極110周圍的雜質(zhì)注入。圖3A至圖3H是依次圖示使用光刻膠膜圖案作為間隔件來(lái)制造閃存器 件的示例方法過(guò)程的橫截面視圖。首先，如圖3A中所示，柵氧化物膜112'可以通過(guò)熱氧化工藝薄地形成 于半導(dǎo)體襯底100的整個(gè)表面上，而浮柵層114'、層間絕緣膜116'和控制柵 極膜118，可以依次沉積于柵極氧化物膜112，之上。柵氧化物膜112，可以用氧化硅膜或者氮氧化硅膜形成，浮柵層114，和控 制柵極層118'可以由多晶硅或者多晶硅化物制成，而層間絕緣膜116'可以用 ONO結(jié)構(gòu)的介電膜形成。接著，如圖3B中所示，為了僅靠近將要形成堆疊電極110的區(qū)域，通 過(guò)光刻工藝在控制柵極膜118，之上形成光刻膠膜圖案(PR-1)。然后可以使 用光刻膠膜圖案(PR-1)作為用于蝕刻的掩模，通過(guò)干蝕刻來(lái)去除半導(dǎo)體層112'、 114'、 116'和118'的暴露部分。然后去除所用的光刻膠膜圖案(PR-1)。 接著，如圖3C中所示，為了形成側(cè)間隔件120a，可以通過(guò)熱氧化工藝， 在其上形成堆疊電極110的半導(dǎo)體襯底100的整個(gè)表面上形成薄氧化層122'(厚度例如為80A至100A)。然后可以依次沉積厚度為150A至200A的 HTO膜124，和厚度為100A至200A、優(yōu)選為150A至200A的氮化物膜126a'。 對(duì)照而言，常規(guī)例如以約700A至1500A的厚度更厚地形成氮化物膜126a'(見圖2C)。取代HTO膜124，或者除HTO膜124，之外，還可以使用厚度為150A至 200A的TEOS膜。此外，可以使用氮化硅膜如SiN或者Si3N4作為氮化物膜 126a，。隨后，如圖3D中所示，通過(guò)完全地去除氮化物膜126a'、 HTO膜124' 和氧化層122'的上部直至暴露控制柵極118的表面，在堆疊電極110的側(cè)壁 側(cè)上形成側(cè)間隔件120a?？梢酝ㄟ^(guò)執(zhí)行例如具有各向異性蝕刻特征的干蝕刻 來(lái)去除氮化物和氧化物膜122，、 124，和126a，的上部。隨后，如圖3E中所示，為了補(bǔ)償用于間隔件的氮化物膜126'與常規(guī)氮 化物膜厚度相比而言有所減少的厚度，可以在氮化物膜126a，的側(cè)壁上形成 厚度為500A至1400A的第二光刻膠膜圖案(PR-2)?？梢酝ㄟ^(guò)光刻工藝來(lái) 形成第二光刻膠膜圖案(PR-2)，使得第二光刻膠膜圖案(PR-2)和氮化物 膜126a'的組合厚度基本上等于常規(guī)形成的氮化物膜126a'的厚度。隨后，如圖3F中所示，可以使用第二光刻膠膜圖案(PR-2)作為用于 離子注入工藝的掩模，以在堆疊電極110周圍注入雜質(zhì)來(lái)形成源結(jié)130和漏 結(jié)140。因此，源結(jié)130和漏結(jié)140形成于半導(dǎo)體襯底100的暴露表面上。隨后，可以去除所用第二光刻膠膜圖案(PR-2)并且可以執(zhí)行用于激活 注入雜質(zhì)的熱處理工藝。隨后，如圖3G中所示，為了形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜150，可以形成用于 抑制自對(duì)準(zhǔn)硅化物的氧化物膜圖案OL以僅暴露堆疊電極110、源結(jié)130和 漏結(jié)140。具體而言，在至此形成的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面之上沉積用于抑制自對(duì) 準(zhǔn)硅化物的氧化物膜之后，可以通過(guò)光刻工藝在沉積的氧化物膜之上形成光 刻膠膜圖案。然后使用光刻膠膜圖案OL作為掩膜有選擇地蝕刻掉沉積氧化 物膜的暴露部分。在形成用于抑制自對(duì)準(zhǔn)硅化物的氧化物膜圖案OL以僅靠近非自對(duì)準(zhǔn)硅化物區(qū)之后，可以去除所用光刻膠膜圖案。隨后，如圖3H中所示，可以在用于抑制自對(duì)準(zhǔn)硅化物的氧化物膜圖案OL所暴露的堆疊電極110、源結(jié)130和漏結(jié)140上形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物150。 具體而言，在沉積金屬膜于暴露部分上之后執(zhí)行的熱處理過(guò)程中，用于形成 自對(duì)準(zhǔn)硅化物的金屬膜通過(guò)與控制柵極118的多晶硅以及源結(jié)130和漏結(jié) 140的硅反應(yīng)變成自對(duì)準(zhǔn)硅化物。 一旦形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜150，可以使用 磷酸溶液通過(guò)濕性剝離來(lái)去除用于抑制自對(duì)準(zhǔn)硅化物的所用氧化物膜圖案 OL由此完成制造堆疊柵型閃存器件的工藝。通過(guò)在形成源結(jié)130和漏結(jié)140時(shí)使用光刻膠膜圖案(PR-2)來(lái)取代厚 氮化物膜用于間隔件，可以防止或者減輕電子俘獲現(xiàn)象。因此，在形成氧化層122'和HTO膜124，之后，可以立即形成第二光刻 膠膜圖案(PR-2)。然而，根據(jù)上述工藝，由于HTO膜124，和氧化層122， 是氧化物膜，所以它們濕剝離工藝所施加的磷酸去除，所述濕性剝離工藝被 用來(lái)去除用于抑制氧化物膜圖案OL的自對(duì)準(zhǔn)硅化物。沒有HTO膜124，和 氧化層122'，堆疊電極110就可能受損。為了防止破壞HTO膜124'和氧化 層122，并且因此破壞堆疊電極110，可以在HTO膜124，的外表面上形成相 對(duì)薄的氮化物膜126a'。如上所述，可以通過(guò)形成薄的氮化物膜126a來(lái)防止或者減輕在側(cè)間隔 件與浮柵之間的電子俘獲現(xiàn)象。通過(guò)防止或者減輕電子俘獲現(xiàn)象，可以提高 產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性。盡管已經(jīng)參照優(yōu)選實(shí)施例示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將 理解在不脫離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍情況下可以做出 各種改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種制造閃存器件的方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成具有堆疊結(jié)構(gòu)的堆疊電極，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括柵氧化物膜、浮柵、層間絕緣膜和控制柵極；在所述堆疊電極的側(cè)壁上形成側(cè)間隔件；在所述側(cè)間隔件的側(cè)壁上以預(yù)定厚度形成光刻膠膜圖案；以及使用所述光刻膠膜作為用于離子注入的掩模，通過(guò)離子注入在所述半導(dǎo)體襯底上形成源/漏結(jié)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述側(cè)間隔件包括 在所述堆疊電極的所述側(cè)壁上依次形成氧化層、高溫氧化物膜和氮化物膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述側(cè)間隔件包括 在所述堆疊電極的所述側(cè)壁上依次形成氧化層、正硅酸乙脂膜和氮化物膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成所述源/漏結(jié)之后，在所述堆疊電極和所述源/漏結(jié)上形成自對(duì)準(zhǔn) 硅化物膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中以約500A至1400A的厚度形成 所述光刻膠膜圖案。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中以100A至200A的厚度形成所述 氮化物膜。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中以100A至200A的厚度形成所述 氮化物膜。
8. —種閃存器件，包括堆疊電極，具有堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括在半導(dǎo)體襯底上形成的柵 氧化物膜、浮柵、層間絕緣膜和控制柵極；側(cè)間隔件，形成在所述堆疊電極的側(cè)壁上；以及 源/漏結(jié)，形成在所述半導(dǎo)體襯底上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，還包括 自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜，形成在所述堆疊電極和所述源/漏結(jié)上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中所述側(cè)間隔件包括氧化層、高溫氧化物膜和氮化物膜，依次形成在所述堆疊電極的所述側(cè) 壁上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中所述側(cè)間隔件包括氧化層、正硅酸乙脂膜和氮化物膜，依次形成在所述堆疊電極的所述側(cè) 壁上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中所述氧化層以80A至100A的厚度形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中所述高溫氧化物膜以150A至 200A的厚度形成。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中所述氮化物膜以100A至200A 的厚度形成。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述氧化層以80A至IOOA的厚度形成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述正硅酸乙脂膜以150A至 200A的厚度形成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述氮化物膜以100A至200A的厚度形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種閃存器件及其制造方法。該閃存器件的制造方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成堆疊電極；在堆疊電極的側(cè)壁上形成側(cè)間隔件；在側(cè)間隔件的側(cè)壁上以預(yù)定厚度形成光刻膠膜圖案；以及使用光刻膠膜作為用于離子注入的掩模，通過(guò)離子注入在半導(dǎo)體襯底上形成源/漏結(jié)。本發(fā)明通過(guò)防止或者減輕電子俘獲現(xiàn)象，可以提高產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性。
文檔編號(hào)H01L21/28GK101335209SQ20081012730
公開日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2008年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日
發(fā)明者金成珍 申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司