專(zhuān)利名稱：顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有每個(gè)都包括發(fā)光裝置的多個(gè)4象素的有源矩陣 顯示設(shè)備，以及涉及有源矩陣顯示i殳備的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，進(jìn)行了越來(lái)越多的努力來(lái)開(kāi)發(fā)有機(jī)電致發(fā)光(EL)裝 置被用作發(fā)光裝置的平板自發(fā)光顯示設(shè)備。有機(jī)EL裝置是使用當(dāng) 對(duì)其施加電場(chǎng)時(shí)有機(jī)薄膜發(fā)光的現(xiàn)象的裝置。通過(guò)施加10V以下的 電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)的有才幾EL裝置是低功耗裝置。同時(shí)，由于有機(jī)EL裝 置(能夠通過(guò)自身發(fā)光的自發(fā)光裝置)不需要照明單元，所以容易 制造薄且輕的有機(jī)EL裝置。此外，由于有機(jī)EL裝置的響應(yīng)速度 如幾擲:妙、(jas)那么高，所以可以防止顯示移動(dòng)圖^f象時(shí)出現(xiàn)殘4象。在具有每個(gè)都包括有機(jī)EL裝置的多個(gè)像素的平板自發(fā)光顯示 設(shè)備中，尤其積極地開(kāi)發(fā)了薄膜晶體管(TFT )在每個(gè)像素中以集 成方式形成為驅(qū)動(dòng)裝置的有源矩陣顯示i殳備。例如，在以下文獻(xiàn)中 描述了有源矩陣型平板自發(fā)光顯示設(shè)備日本未審查專(zhuān)利公開(kāi)第2003- 255856號(hào)、第2003-271095號(hào)、第2004-133240號(hào)、第2004- 029791號(hào)、第2004-093682號(hào)、以及第2005-166687號(hào)。相關(guān)技術(shù)的有源矩陣顯示設(shè)備包括基板，具有包括以列配置 的信號(hào)線、以行配置的掃描線和預(yù)定電源線的配線；以及像素的矩 陣，每個(gè)像素都^^沒(méi)置在信號(hào)線和掃描線之間的交叉點(diǎn)處。通過(guò)對(duì) 導(dǎo)體膜進(jìn)行圖樣化來(lái)形成配線。每個(gè)〗象素都包括連接至配線的有源 裝置(例如，TFT)和發(fā)光裝置(例如，有機(jī)EL裝置)。像素響應(yīng) 于由掃描線提供的控制信號(hào)進(jìn)行操作。根據(jù)由信號(hào)線提供的視頻信 號(hào)，像素使由電源線提供的驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)發(fā)光裝置。發(fā)明內(nèi)容在相關(guān)技術(shù)的有源矩陣顯示設(shè)備中，在每個(gè)像素中形成發(fā)光裝 置和用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光裝置的TFT。在以矩陣形式、集成方式形成這些 像素的基一反上，形成包括信號(hào)線、掃描線和電源線的配線，使得它 們牙黃3,各個(gè)4象素縱向或4黃向地延伸。由于許多配線形成在基板上， 所以在基板的表面上發(fā)生凹凸。凹凸是由制造配線的、諸如金屬膜 的導(dǎo)體膜的水平差所引起的。沿相鄰像素的邊界產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于配線的 凹凸。形成在每個(gè)〗象素中的發(fā)光裝置是例如具有層壓結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL 裝置，其中，有機(jī)EL發(fā)光材料膜被夾置在陽(yáng)極和陰極之間。對(duì)于 彩色顯示器，需要例如通過(guò)熱轉(zhuǎn)印處理在不同的像素上形成發(fā)射不 同顏色光(例如，RGB三原色)的有機(jī)EL發(fā)光材料膜。在熱轉(zhuǎn)印 處理中，以集成方式形成在"f象素陣列基板上的Y象素分別被隔壁 (partition wall)所包圍。然后，施主(donor)基板被置于隔壁的 頂部。在施主基板上，在對(duì)應(yīng)于像素陣列基板上各個(gè)像素的位置處 形成三原色RGB之一的發(fā)光材料膜。通過(guò)加熱與像素陣列基板相 對(duì)的施主基板(它們之間夾置有隔壁)，發(fā)光材料膜從施主基板蒸鍍并轉(zhuǎn)印到^象素陣列基4反的對(duì)應(yīng)〗象素上。通過(guò)對(duì)三原色RGB中的 每一種執(zhí)行該處理，發(fā)射不同顏色的光的有機(jī)EL發(fā)光材料膜可被 沉積到像素陣列基板的不同像素上。這里，防止分配不同顏色的像素中的蒸鍍材料的混合是很重要 的。如果不同顏色的發(fā)光材料在單個(gè)像素內(nèi)被混合在一起，則發(fā)生 了所謂的顏色混合。結(jié)果，難以產(chǎn)生具有卓越清晰度和顏色再現(xiàn)性 的彩色圖像。在上述相關(guān)技術(shù)的有源矩陣顯示設(shè)備中，配線的存在 導(dǎo)致沿像素邊界發(fā)生凹凸。因此，即〗吏在沿凹凸部分設(shè)置隔壁時(shí)， 凹凸仍然出現(xiàn)在隔壁的頂部上。因此，這使得當(dāng)施主基才反開(kāi)始4妄觸 隔壁頂部上的凹凸部分時(shí)，產(chǎn)生間隙。即使通過(guò)隔壁包圍將被轉(zhuǎn)印 到對(duì)應(yīng)像素的發(fā)光材料，蒸鍍的發(fā)光材料通過(guò)間隙泄漏至相鄰像 素，并引起顏色混合?？紤]到上述相關(guān)技術(shù)的技術(shù)缺點(diǎn)，期望提供具有用于防止顏色 混合的改進(jìn)配線圖樣的顯示設(shè)備和該顯示設(shè)備的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種顯示設(shè)備，包括基板， 具有至少包括以列配置的信號(hào)線、以行配置的掃描線以及預(yù)定電源 線的配線；以及像素的矩陣，每個(gè)像素都被設(shè)置在信號(hào)線和掃描線 之間的交叉點(diǎn)處。通過(guò)對(duì)導(dǎo)體膜進(jìn)行圖樣化來(lái)形成配線。每個(gè)像素 均包括連接至配線的有源裝置和發(fā)光裝置，響應(yīng)于由掃描線提供的 控制信號(hào)進(jìn)行操作，以及根據(jù)由信號(hào)線提供的視頻信號(hào)使由電源線 提供的驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)發(fā)光裝置。像素具有沿與相鄰像素的邊界直線 延伸的外側(cè)區(qū)域和沿外側(cè)區(qū)域的內(nèi)側(cè)延伸的內(nèi)側(cè)區(qū)域。4黃3爭(zhēng)外側(cè)區(qū) 域和內(nèi)側(cè)區(qū)域配置配線。由于配線的存在所引起的的水平差，沿外 側(cè)區(qū)域并在基才反上形成外側(cè)凹凸帶，以及由于配線的存在所引起的 水平差，沿內(nèi)側(cè)區(qū)域并在基板上形成內(nèi)側(cè)凹凸帶。適當(dāng)?shù)匦纬芍圃?配線的導(dǎo)體膜的圖樣，使得從像素的內(nèi)側(cè)看，外側(cè)凹凸帶的凹部直 4妄^立于它們所只寸應(yīng)的內(nèi)側(cè)凹凸帶的凸部之后。優(yōu)選地，導(dǎo)體膜包括上層和底層；所述配線包括通過(guò)對(duì)上層進(jìn) 行圖樣化所形成的上層線和通過(guò)對(duì)下層進(jìn)行圖樣化所形成的下層 線；以及適當(dāng)?shù)匦纬上聦拥膱D樣，使得從像素的內(nèi)側(cè)看，外側(cè)凹凸 帶的凹部直接位于它們所對(duì)應(yīng)的內(nèi)側(cè)凹凸帶的凸部之后。導(dǎo)體膜的 圖樣電連接至配線，并構(gòu)成配線的一部分。導(dǎo)體膜的圖樣包括與配 線電隔離并補(bǔ)償由配線的存在所引起的水平差的襯墊。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，還提供了顯示設(shè)備的制造方法，該 顯示設(shè)備包括基板，具有至少包括以列配置的信號(hào)線、以行配置 的掃描線以及預(yù)定電源線的配線；以及〗象素的矩陣，每個(gè)^象素都詳皮 設(shè)置在信號(hào)線和掃描線之間的交叉點(diǎn)處；其中，通過(guò)對(duì)導(dǎo)體膜進(jìn)行 圖樣化來(lái)形成配線；以及每個(gè)〗象素均包4舌連4妾至配線的有源裝置和 發(fā)光裝置，響應(yīng)于由掃描線提供的控制信號(hào)進(jìn)行操作，以及根據(jù)由 信號(hào)線提供的視頻信號(hào)使由電源線提供的驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)發(fā)光裝置。 該顯示設(shè)備的制造方法包括以下步驟橫跨外側(cè)區(qū)域和內(nèi)側(cè)區(qū)域配 置配線，其中，外側(cè)區(qū)i或沿與相鄰〗象素的邊界直線i也延伸，內(nèi)側(cè)區(qū) 域沿外側(cè)區(qū)域的內(nèi)側(cè)延伸；適當(dāng)?shù)匦纬芍圃炫渚€的導(dǎo)體膜的圖樣， 使得從像素的內(nèi)部看，外側(cè)凹凸帶的凹部直接位于它們所對(duì)應(yīng)的內(nèi) 側(cè)凹凸帶的凸部之后，其中，由于配線的存在所引起的水平差，沿 外側(cè)區(qū)域并在基板上形成外側(cè)凹凸帶，同樣由于配線的存在所可1起 的水平差，沿內(nèi)側(cè)區(qū)域并在基板上形成內(nèi)側(cè)凹凸帶；沿外部凹凸帶 和內(nèi)側(cè)凹凸帶形成包圍l象素的內(nèi)部區(qū)^M々隔壁；制備工作基材 (working base )，在工作基材的對(duì)應(yīng)于各個(gè)像素的位置處沉積發(fā)射 不同顏色的光的發(fā)光材料的膜；在工作基材與隔壁的頂部接觸的情 況下，將工作基材放置為與基板相對(duì)；以及在每個(gè)像素的內(nèi)部區(qū)域 被隔壁圍繞的情況下，將發(fā)射不同顏色的光的發(fā)光材料的膜蒸鍍到 對(duì)應(yīng)像素的相應(yīng)內(nèi)部區(qū)域，以在每個(gè)像素中形成發(fā)光裝置的發(fā)光 層。沖艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，沿相鄰l象素之間的邊界直線配置外側(cè)區(qū) i或和內(nèi)側(cè)區(qū)i或。換句話-說(shuō)，每個(gè)4象素都-故內(nèi)側(cè)區(qū)域和外側(cè)區(qū)域雙重 包圍。由于沿相鄰像素之間的邊界限定外側(cè)區(qū)域和內(nèi)側(cè)區(qū)域，所以 在基板上配置許多配線，使得它們橫跨這些區(qū)域延伸。通過(guò)對(duì)諸如 金屬膜的導(dǎo)體膜進(jìn)行圖樣化來(lái)形成配線。由于配線的存在所^ 1起的 水平差，在基板的表面上產(chǎn)生凹凸。具體地，由于沿相鄰像素之間 的邊界發(fā)生這種凹凸，所以沿外側(cè)區(qū)域形成外側(cè)凹凸帶，以及沿內(nèi) 側(cè)區(qū)i或形成內(nèi)側(cè)凹凸帶。在相關(guān)沖支術(shù)的結(jié)構(gòu)中，在內(nèi)側(cè)和外側(cè)區(qū);或 之間沒(méi)有區(qū)別的情況下，凹凸帶具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。因此，即使隔壁 :帔配置在凹凸帶的頂部上，也直4妄纟也表3見(jiàn)凹凸帶的圖才羊。另一方面，在本發(fā)明的實(shí)施例中，適當(dāng)?shù)匦纬芍圃炫渚€的導(dǎo)體 膜的圖樣，使得從像素的內(nèi)側(cè)看，外側(cè)凹凸帶的凹部直接位于它們 所對(duì)應(yīng)的內(nèi)側(cè)凹凸帶的凸部之后。因此，即^使以直線傳，燔的粒子穿 過(guò)外側(cè)凹凸帶的凹部，它們也纟皮相應(yīng)的內(nèi)側(cè)凹凸帶的凸部阻擋以防 止進(jìn)入像素。因此，在該熱轉(zhuǎn)印處理中，即使在發(fā)射不同顏色的光 的有機(jī)EL材料被加熱并蒸鍍到不同的像素上時(shí)，也可以防止像素 之間的顏色混合。即，可以實(shí)現(xiàn)具有卓越顏色再現(xiàn)性的顯示面板。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的總體結(jié)構(gòu)的框圖；圖2是示出圖1的顯示設(shè)備中的像素結(jié)構(gòu)的電路圖；圖3是示出用于制造圖1的顯示i殳備的方法的示意圖；圖4是示出圖2的像素中的配線布局的參考實(shí)例的平面圖；圖5是圖4的配線布局的截面圖；圖6是示出才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性配線布局的平面圖；圖7A和圖7B是圖6的配線布局的截面圖；圖8A~圖8C是示出通過(guò)修改圖6的配線布局獲得的示例性配 線布局的平面圖；圖9是示出通過(guò)^f奮改圖6的配線布局獲得的另一個(gè)示例性配線 布局的平面圖；圖IO是用于說(shuō)明圖2的像素操作的時(shí)序圖；圖11是用于說(shuō)明圖2的像素操作的示意圖；圖12是用于說(shuō)明圖2的像素操作的另一個(gè)示意圖；圖13是用于說(shuō)明圖2的像素操作的另一個(gè)示意圖；圖14是用于說(shuō)明圖2的像素操作的另一個(gè)示意圖；圖15是用于說(shuō)明圖2的像素操作的曲線圖；圖16是用于i兌明圖2的^f象素才喿作的另一個(gè)示意圖；圖17是用于iJC明圖2的^f象素才喿作的另一個(gè)曲線圖；圖18是用于說(shuō)明圖2的像素操作的另一個(gè)示意圖；圖19是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的裝置結(jié)構(gòu)的截面圖；圖20是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的模塊結(jié)構(gòu)的平面圖；圖21是包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的電視機(jī)的透視圖； 圖22是包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的數(shù)碼相機(jī)的透視圖；圖23是包括才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示"i殳備的筆記本個(gè)人計(jì)算 才幾的透一見(jiàn)圖；圖24示出了包4舌才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的移動(dòng)終端；以及圖25是包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的攝像機(jī)的透視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。圖l是示出根據(jù) 本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的總體結(jié)構(gòu)的框圖。如圖所示，顯示設(shè)備 包括像素陣列單元(像素陣列基板)1和用于驅(qū)動(dòng)像素陣列單元1 的驅(qū)動(dòng)器(3、4和5)。像素陣列單元l包括以行配置的掃描線WS、 以列配置的信號(hào)線SL、每個(gè)都纟皮配置在掃描線WS和信號(hào)線SL之 間的交叉點(diǎn)處的多個(gè)像素的矩陣、以及每個(gè)都對(duì)應(yīng)于各行像素2的 多條電源線DS。驅(qū)動(dòng)器包括控制掃描器(寫(xiě)掃描器)4,用于順 序?qū)⒖刂菩盘?hào)4是供給掃描線WS以基于行對(duì)像素2執(zhí)行逐行 (line-sequential)掃描；電源掃描器(驅(qū)動(dòng)掃描器)5,用于與上述 逐行掃描同步地將在第 一電位和第二電位之間切換的電源電壓提 供給電源線DS;以及信號(hào)選擇器(水平選擇器)3，用于與上述逐 行掃描同步地將用作視頻信號(hào)的信號(hào)電位和基準(zhǔn)電位提供給信號(hào)線SL。寫(xiě)掃描器4響應(yīng)于外部提供給其的時(shí)鐘信號(hào)WSck進(jìn)行操作。 通過(guò)順序傳輸同樣從外部提供給其的起始脈沖WSsp,寫(xiě)掃描器4 將控制信號(hào)輸出至每條掃描線WS。驅(qū)動(dòng)掃描器5響應(yīng)于外部提供 給其的時(shí)鐘信號(hào)DSck進(jìn)行操作。通過(guò)順序傳輸同樣從外部提供給 其的起始脈沖DSsp，驅(qū)動(dòng)掃描器5逐行切換電源線DS的電位。圖2是示出包括在圖1的顯示設(shè)備中的像素2的結(jié)構(gòu)的電路圖。 如圖所示，像素2包括由有機(jī)EL裝置所代表的兩端(二極管型) 發(fā)光裝置EL、 N溝道采樣晶體管Tl (有源裝置)、N溝道驅(qū)動(dòng)晶體 管T2(有源裝置)、以及薄膜保持電容器C1。采樣晶體管T1的柵 極連接至掃描線WS,采樣晶體管Tl的源極和漏極中的任一個(gè)連接 至信號(hào)線SL,以及采樣晶體管T1的源才及和漏才及中的另一個(gè)連4妻至 驅(qū)動(dòng)晶體管T2的4冊(cè)才及G。驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源才及和漏才及中的4壬一個(gè) 連4妄至發(fā)光裝置EL,以及驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源才及和漏極中的另一個(gè) 連接至電源線DS。在本實(shí)施例中，N溝道晶體管的驅(qū)動(dòng)晶體管T2 的漏極連接至電源線DS,驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極S連接至發(fā)光裝置 EL的陽(yáng)極。發(fā)光裝置EL的陰極被保持為預(yù)定陰極電位Vcat。保持 電容器Cl置于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極S和柵極G之間。對(duì)于每個(gè) 都具有圖2結(jié)構(gòu)的〗象素2，寫(xiě)掃描器4通過(guò)在高電位和^f氐電位之間 切換掃描線WS順序輸出控制信號(hào)，以基于行對(duì)像素2執(zhí)行逐行掃 描。驅(qū)動(dòng)掃描器5與上述逐行掃描同步地將在第一電位Vcc和第二 電位Vss之間切換的電源電壓提供給每條電源線DS。同樣，與上 述逐行掃描同步，水平選擇器3將用作視頻信號(hào)的信號(hào)電位Vsig 和基準(zhǔn)電位Vofs提供給列狀的信號(hào)線SL。在上述結(jié)構(gòu)中，采樣晶體管Tl響應(yīng)于由掃描線WS提供的控 制信號(hào)開(kāi)始導(dǎo)通，對(duì)由信號(hào)線SL提供的信號(hào)電位Vsig進(jìn)行采樣， 并將所采樣的信號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)在保持電容器Cl中。驅(qū)動(dòng)晶體管 T2從處于第一電位Vcc的電源線DS接收電流，并4艮據(jù)存儲(chǔ)在保持電容器Cl中的信號(hào)電位Vsig使驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)發(fā)光裝置EL。為了 在信號(hào)線SL處于信號(hào)電位Vsig的時(shí)間段內(nèi)保持采樣晶體管Tl導(dǎo) 通，寫(xiě)掃描器4將預(yù)定持續(xù)時(shí)間的控制信號(hào)輸出至掃描線WS，由 此對(duì)信號(hào)電位Vsig執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率n的校正，同時(shí)將 信號(hào)電位Vsig存儲(chǔ)在保持電容器Cl中。圖3是示出形成圖2的發(fā)光裝置EL的處理的示意圖。在該實(shí) 例中，發(fā)光裝置EL的發(fā)光層通過(guò)熱轉(zhuǎn)印處理形成。如圖所示，首 先，制備像素陣列基板1。在該處理之前的半導(dǎo)體制造處理中，諸 如TFT的有源裝置和薄膜電容裝置以集成方式形成在〗象素陣列基 板1上的每個(gè)像素2中。用作陽(yáng)極的電極也被形成在每個(gè)像素2中。 每個(gè)像素2都被分配了用于彩色顯示的三原色RGB之一。每個(gè)像 素2都被沿相鄰像素2之間的邊界所形成的隔壁51所包圍。除上述像素陣列基板l之外，制備施主基板(工作基材)52。 在施主基板52的表面上，用于紅色(R)的發(fā)光材料53的膜被沉 積在對(duì)應(yīng)于RJ象素的位置處。因此，在隔壁51夾置在其間的情況下，設(shè)置有用于紅色的發(fā) 光材料53的膜的施主基板52被置于與設(shè)置有陽(yáng)極的像素陣列基板 l相對(duì)。因此，每個(gè)像素2都被隔壁51、像素陣列基板l的內(nèi)表面 和施主基板52的內(nèi)表面所包圍和封住。在像素2被封住之后，施 主基板52的外表面(后側(cè))-故加熱，因此，用于紅色的發(fā)光材料 53的膜被蒸鍍到像素陣列基板1的對(duì)應(yīng)陽(yáng)極上。在上述的熱轉(zhuǎn)印處 理中，施主基板52上用于紅色的發(fā)光材料53的膜可被精確地轉(zhuǎn)印 至像素陣列基板l中的R像素。如果像素2被包圍并完全封住，則 可以防止蒸鍍的發(fā)光材料53泄漏至相鄰像素，因此可以避免顏色 混合。在用于紅色的發(fā)光材料53的膜被轉(zhuǎn)印至R像素的陽(yáng)極之后， 所用的施主基板52與像素陣列基板1分離。然后，在下一步驟中， 制備沉積有用于綠色(G)的發(fā)光材料的膜的另一個(gè)施主基板，并 執(zhí)行與上述處理相同的熱轉(zhuǎn)印處理。因此，用于綠色的發(fā)光材料的 膜可以被轉(zhuǎn)印至像素陣列基板1中的G像素的陽(yáng)極。類(lèi)似地，通過(guò) 執(zhí)行與上述處理相同的熱轉(zhuǎn)印處理，用于藍(lán)色的發(fā)光材料的膜可被 轉(zhuǎn)印至像素陣列基板1的B像素的陽(yáng)極。圖4是示出形成在^象素2中的配線的示例性結(jié)構(gòu)的示意性平面 圖。圖4的布局只是參考的目的，并且不同于本發(fā)明的實(shí)施例。參 考圖4，橫跨像素2橫向地延伸柵極線、陰極線和電源線。例如， 斥冊(cè)極線對(duì)應(yīng)于圖2的掃描線WS,因此在圖4中用WS表示。電源 線乂于應(yīng)于圖2的電源線DS，因jt匕在圖4中用DS表示。在圖4中用 KL表示將預(yù)定陰極電壓提供給圖2的發(fā)光裝置EL的陰極的陰極 線。由于電源線DS通常將足量的電流提供給每個(gè)像素2，所以需 要降^f氐所得到的電阻，因此電源線DS通常具有多層配線結(jié)構(gòu)。相 應(yīng)地，陰極線KL和柵極線WS可具有多層配線結(jié)構(gòu)。同時(shí)，信號(hào) 線SL橫跨每個(gè)像素2縱向延伸。信號(hào)線SL沿與相鄰像素的邊界設(shè) 置，并位于橫^爭(zhēng)每個(gè)像素2橫向延伸的柵極線WS、陰極線KL和 電源線DS之下。如果柵極線WS、陰極線KL和電源線DS具有包 括上層和下層導(dǎo)體層的雙層配線結(jié)構(gòu)，則下層導(dǎo)體層和信號(hào)線SL 可i殳置在相同層上。當(dāng)使用圖3所示出的熱轉(zhuǎn)印處理時(shí)，包圍每個(gè)像素的隔壁沿信 號(hào)線SL形成。如圖4所示，由于4冊(cè)才及線WS、陰4及線KL和電源線 DS橫跨信號(hào)線SL延伸，所以由具有給定材料厚度的這些配線的存 而產(chǎn)生水平差，因此，沿信號(hào)線SL產(chǎn)生凹凸帶。圖5是沿圖4中的線V截取的截面圖。如圖5所示，信號(hào)線 SL形成在像素陣列基板1上(其間夾置有絕緣體55 )。柵極線WS、陰極線KL和電源線DS形成在信號(hào)線SL上所設(shè)置的層間絕緣體 56上，并進(jìn)行布局使得它們^黃^爭(zhēng)信號(hào)線SL延伸。這些線WS、 KL 和DS被平面化膜57所覆蓋。由于難于確保平面化膜57的足夠厚 度，所以由線WS、 KL和DS的存在所引起的水平差不能通過(guò)配置 平面化膜57來(lái)充分補(bǔ)償。因此，沿信號(hào)線SL在平面化膜57的表 面上形成凸部58和凹部59。 一系列的凸部58和凹部59沿4言號(hào)線 SL形成凹凸帶。乂人圖5可以看出，凸部58出i見(jiàn)在乂于應(yīng)的線WS、 KL和DS之上，而凹部59出現(xiàn)在線WS、 KL和DS的相鄰線之間 的對(duì)應(yīng)間隔之上。從而，盡管像素陣列基板1被平面化膜57所覆 蓋，但沿像素的邊界觀察到由一系列的部58和凹進(jìn)部59所形成的 凹凸帶。在熱轉(zhuǎn)印處理中，沿凹凸帶形成隔壁，然后，施主基一反開(kāi)始和 隔壁的頂部接觸。然而，凸部58和凹部59的水平差不必要通過(guò)i殳 置隔壁來(lái)完全補(bǔ)償。因》匕，在隔壁的頂部上也產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于凸部58 和凹部59的凹凸帶。結(jié)果，當(dāng)施主基一反凈皮置于隔壁頂部上時(shí)，在 7寸應(yīng)于凹部59的^f立置處產(chǎn)生小的間隙。這導(dǎo)f丈用于不同顏色的發(fā) 光材沖+泄漏通過(guò)間隙，因此導(dǎo)致顏色混合。圖6是示出#4居本發(fā)明實(shí)施例的配線布局的示意性平面圖。為 了容易理解，與圖4的參考實(shí)例中的部件對(duì)應(yīng)的部件給出與圖4中 的部件相同的參考數(shù)字和字符。如在圖4的參考實(shí)例的情況下，柵 極線WS、陰極線KL和電源線DS以條狀配置，使得它們橫跨每個(gè) <象素2 4黃向延伸。另一方面，信號(hào)線SL 4皮形成為橫跨每個(gè)像素2 縱向延伸。像素2具有外側(cè)區(qū)域和內(nèi)側(cè)區(qū)域。外側(cè)區(qū)域沿與相鄰像素的邊 界直線延伸，而內(nèi)側(cè)區(qū)域沿外側(cè)區(qū)域的內(nèi)側(cè)延伸。在圖6中，由線 VIIA限定外側(cè)區(qū)域，由線VIIB限定內(nèi)側(cè)區(qū)域。線VIIA沿著信號(hào) 線SL。因此，外側(cè)區(qū)域是沿信號(hào)線的區(qū)域，其原本沿相鄰像素之間的邊界形成。內(nèi)側(cè)區(qū)域(B)和外側(cè)區(qū)域(A)卩波此平行，并雙重 包圍4象素2。由柵極線WS、沿外側(cè)區(qū)域(A)出現(xiàn)陰極線KL和電源線DS 的存在所引起的水平差，因此，產(chǎn)生凹凸帶。類(lèi)似地，沿內(nèi)側(cè)區(qū)域 (B)出現(xiàn)由柵極線WS、陰極線KL和電源線DS的存在所引起的 水平差，因此，形成凹凸帶。在本實(shí)施例中，對(duì)圖4的配線圖樣進(jìn) 4亍了改進(jìn)，沿內(nèi)側(cè)區(qū)i或(B) i殳置一于墊(pad) 60。盡管4十墊60形 成在與信號(hào)線SL相同的導(dǎo)體層上，但襯墊60與信號(hào)線SL電隔離。 如圖所示，4冊(cè)才及線WS和陰才及線KL部分地在相應(yīng)的襯墊60上延伸。圖7A和圖7B是分別沿圖6中的線VIIA和VIIB截取的截面 圖。圖7A示出了沿外側(cè)區(qū)域(A)的外側(cè)凹凸帶的沖黃截面，以及 圖7B示出了沿內(nèi)側(cè)區(qū)i或(B)的內(nèi)側(cè)凹凸帶的4黃截面。在外側(cè)區(qū)域(A)中，通過(guò)對(duì)應(yīng)于4冊(cè)4及線WS、陰才及線KL和電 源線DS的存在和不存在的一系列凸部58和凹部59形成平面化膜 57表面上的凹凸帶。另一方面，在內(nèi)側(cè)區(qū)域(B)中，4冊(cè)才及線WS部分地在形成于 與信號(hào)線SL相同的層上的對(duì)應(yīng)襯墊60上延伸，因此， 一個(gè)凸部 58形成在對(duì)應(yīng)于該襯墊60的位置處。類(lèi)似地，由于陰極線KL部 分地在對(duì)應(yīng)襯墊60上延伸，所以另一個(gè)凸部58形成在對(duì)應(yīng)于該襯 墊60的^f立置處。在這些突部58之間產(chǎn)生凹部59。乂人外側(cè)區(qū)i或(A)和內(nèi)側(cè)區(qū)i或(B)中的凹凸帶可以看出，適 當(dāng)?shù)匦纬芍圃斐鈨?cè)極線WS、陰極線KL和電源線DS的導(dǎo)體膜的圖樣 (包括襯墊60以及片冊(cè)才及線WS和陰才及線KL的延伸部分)，Y吏得乂人 像素的內(nèi)側(cè)看，外側(cè)區(qū)域(A)中的凹凸帶的凹部59直接位于內(nèi)側(cè) 區(qū)域(B)中的凹凸帶的對(duì)應(yīng)凸部之后。通過(guò)該結(jié)構(gòu)，乂人l象素的內(nèi)側(cè)看，位于外側(cè)的凹部59 #1隱藏在位于內(nèi)側(cè)的對(duì)應(yīng)凸部58之后。如果所示出的凹凸圖樣直接出現(xiàn)在隔壁的頂部上，則在熱轉(zhuǎn)印處理中，錯(cuò)誤顏色的發(fā)光材料可通過(guò)外側(cè)凹部59進(jìn)入像素。然而，恰 好穿過(guò)外側(cè)凹部59的這種發(fā)光材津+的粒子祐:對(duì)應(yīng)的內(nèi)側(cè)凸部58所 阻擋，粒子不會(huì)進(jìn)一步滲入到像素中。因此，可以防止將被蒸鍍到 相鄰像素上的發(fā)光材料錯(cuò)誤地更深地滲入到像素中的情況。因此， 可有效地防止顏色混合。從上述內(nèi)容可以看出，根據(jù)本實(shí)施例，襯墊60 4皮設(shè)置在與信 號(hào)線SL相同的層上、并在電源線DS層的凹部旁邊。此外，柵極 線WS等被布置在襯墊60之上。因此，凸部58形成在平面化膜57 的表面之上。然后，通過(guò)將隔壁添加到平面化膜57的表面，可以 防止發(fā)射不同顏色的光的發(fā)光材料的混合，由此實(shí)現(xiàn)具有卓越顏色 再現(xiàn)性的顯示面板。此夕卜，根據(jù)本實(shí)施例，如果陰極線KL和柵極 線WS以及電源線DS具有多層配線結(jié)構(gòu)，則可以增加開(kāi)口率 (aperture ratio )，并降低流過(guò)用于發(fā)光的發(fā)光裝置(例如，有機(jī)EL 裝置)的電流密度。結(jié)果，可以l是供長(zhǎng)壽命的顯示面才反。此外，如 果陰極線KL和多層電源線DS設(shè)置在相同層中，則可以降低配線 成本。根據(jù)本實(shí)施例，如果陰極配線是多層的，則可以抑制與陰極 輸入端最遠(yuǎn)的陰極的電壓的增加，由此實(shí)現(xiàn)均勻的圖像質(zhì)量。圖8A至圖8C是示出通過(guò)〗奮改圖6的圖樣布局得到的示例性 圖樣布局的示意性平面圖。圖8A示出了》務(wù)改的圖樣布局，其中，襯墊和信號(hào)線SL被組 合在一起，即，4十墊構(gòu)成4言號(hào)線SL的一部分。同時(shí)，在4于墊之上 設(shè)置柵極線WS和陰極線KL的延伸部分。因此，從像素2的內(nèi)側(cè) 看，外側(cè)凹部59和內(nèi)側(cè)凸部58 4皮此重疊。200810084541.1說(shuō)明書(shū)第14/20頁(yè)圖8B示出了修改的圖樣布局，其中，代替襯墊設(shè)置了額外的 信號(hào)線SL。因此，通過(guò)在外側(cè)和內(nèi)側(cè)區(qū)域中形成信號(hào)線SL,可以 降低信號(hào)線的電阻。在圖8B的〗'務(wù)改圖樣布局中，外側(cè)信號(hào)線SL 對(duì)應(yīng)于外側(cè)區(qū)域，以及內(nèi)側(cè)信號(hào)線SL對(duì)應(yīng)于內(nèi)側(cè)區(qū)域。4冊(cè)才及線WS 和陰極線KL的延伸部分^皮設(shè)置在內(nèi)側(cè)區(qū)域中的信號(hào)線SL上。因 此，AU象素2的內(nèi)側(cè)看，夕卜側(cè)區(qū)i成中的凹部59和內(nèi)側(cè)區(qū)i或中的凸 4卩58 4皮it匕重疊。圖8C示出了修改的圖樣布局，其中，襯墊被配置在信號(hào)線SL 的兩側(cè)上。這意p未著像素2^皮三層所包圍。與兩層結(jié)構(gòu)的情況相比， 該三層結(jié)構(gòu)佳:得可以更可靠地防止顏色混合。通過(guò)四層結(jié)構(gòu)或五層 結(jié)構(gòu)，可以更可靠i也防止顏色混合。圖9是示出通過(guò)修改圖6的圖樣布局得到的另一個(gè)示例性圖樣 布局的平面圖。在圖9的圖樣布局中，縱向方向上的信號(hào)線SL以 及片黃向方向上的4冊(cè)才及線WS、陰極線KL和電源線DS由相同層上的 金屬膜形成，因此不具有多層配線結(jié)構(gòu)。再次，通過(guò)配線的適當(dāng)布 局，乂人l象素2的內(nèi)側(cè)看，可以4吏外側(cè)區(qū)域中的凹部59和內(nèi)側(cè)區(qū)域 中的相應(yīng)的凸部58彼此重疊。在圖9的示例性圖樣布局中，信號(hào) 線SL具有包括上層金屬膜(例如，鋁膜)和上層金屬膜之下的下 層多晶硅膜的層壓結(jié)構(gòu)。下層多晶硅膜例如在與TFT的裝置區(qū)域相 同的層上，并且下層多晶硅膜的厚度比上層金屬(鋁)膜的厚度小 可忽略的程度。如上所述，當(dāng)一黃向方向上的電源線層和縱向方向上 的信號(hào)線層在相同層上時(shí)，進(jìn)行圖樣布局，使得可補(bǔ)償水平差。因 此，可以防止發(fā)射不同顏色的光的發(fā)光材料的混合。圖lO是用于i兌明圖2的^f象素才喿作的時(shí)序圖。該時(shí)序圖^f又是示 例性的目的。圖2的像素電路的控制序列不限于圖10的時(shí)序圖所 示的控制序列。時(shí)序圖沿相同時(shí)間軸示出掃描線WS、電源線DS 和信號(hào)線SL的電位變化。掃描線WS的電位變化表示采樣晶體管Tl的導(dǎo)通/截止控制的控制信號(hào)的電平變化。電源線DS的電位變 化表示電源電壓Vcc和Vss之間的切換。信號(hào)線SL的電位變化表 示輸入信號(hào)的信號(hào)電位Vsig和基準(zhǔn)電位Vofs之間的切換。與這些 電位變化并行，時(shí)序圖示出了驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極G和源極S的 電位變化。柵極G和源極S之間的電位差由Vgs表示。在圖IO的時(shí)序圖中，為了示例性的目的，根據(jù)像素中操作的 轉(zhuǎn)變，將整個(gè)時(shí)間段劃分為(1)至(7)。在用于逐行掃描的新場(chǎng) 開(kāi)始緊前的周期(1)中，發(fā)光裝置EL處于發(fā)光狀態(tài)。然后，新場(chǎng) 開(kāi)始。在第一周期(2)的開(kāi)始處，電源線DS的電位/人第一電位 Vcc變?yōu)榈诙娢籚ss。在下一個(gè)周期(3)的開(kāi)始處，輸入信號(hào)的 電位從Vsig變?yōu)閂ofs。在下一個(gè)周期(4)的開(kāi)始處，采樣晶體管 Tl導(dǎo)通。在周期(2) ~ (4)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電壓和源 極電壓被復(fù)位。周期(2) ~ (4)是進(jìn)行閾值電壓校正所必須的準(zhǔn) 備的準(zhǔn)備周期。在該準(zhǔn)備時(shí)間段內(nèi)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極G被復(fù) 位到Vofs，而驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極S被復(fù)位到Vss。接下來(lái)，在 閾值校正周期(5)中，實(shí)際執(zhí)行閾值電壓校正，并且將等于闊值 電壓Vth的電壓保持在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極G和源極S之間。實(shí) 際上，等于閾值電壓Vth的電壓被寫(xiě)入置于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極 G和源極S之間的保持電容器C1。然后，在寫(xiě)周期/遷移率才交正周 期(6)中，視頻信號(hào)的信號(hào)電位Vsig與閾值電壓Vth相加，將所 得到的電壓寫(xiě)入保持電容Cl,同時(shí)，從保持在保持電容器Cl中的 電壓中減去用于遷移率校正的電壓AV。在寫(xiě)周期/遷移率校正周期 (6)中，需要在信號(hào)線SL處于信號(hào)電位Vsig的時(shí)間段內(nèi)保持采 樣晶體管T1導(dǎo)通。然后，在發(fā)光周期(7)中，發(fā)光裝置EL以根 據(jù)信號(hào)電位Vsig的強(qiáng)度發(fā)光。由于通過(guò)等于閾值電壓Vth的電壓和 用于遷移率4交正的電壓AV來(lái)調(diào)整信號(hào)電位Vsig，所以乂人發(fā)光裝置 EL發(fā)射的光的強(qiáng)度不被驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓Vth和遷移率p 的變化所影響。在發(fā)光周期(7)的開(kāi)始處，執(zhí)行自舉(bootstrap)操作。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位和源極電位增加，而驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的柵極G和源極S之間的電壓Vgs保持恒定。將參考圖11 ~圖18詳細(xì)描述圖2的l象素電i 各的才乘作。圖11示出了在發(fā)光周期(1 )內(nèi)的像素電路的狀態(tài)。如圖所示， 在該周期中，電源電位處于Vcc,采樣晶體管Tl截止。由于驅(qū)動(dòng) 晶體管T2被設(shè)置為在飽和區(qū)中操作，所以流過(guò)發(fā)光裝置EL的驅(qū)動(dòng) 電流Ids依賴于在驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極G和源極S兩端施加的電 壓Vgs，并可由如下的晶體管特性式所表示其中，p表示驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率，W表示驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道寬度， L表示驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道長(zhǎng)度，Cox表示驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極絕緣電 容，以及Vth表示驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。從上述特性式可以看出， 當(dāng)在飽和區(qū)操作時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2用作提供根據(jù)柵極電壓Vgs的 漏才及電;充Ids的恒定電法u源。圖12示出了在準(zhǔn)備周期(2)和(3)內(nèi)像素電路的狀態(tài)。在 周期(2)的開(kāi)始處，3o圖12所示，電源線的電4立變?yōu)閂ss。 Vss 的值凈皮配置得小于發(fā)光裝置EL的闞值電壓Vthel與陰才及電壓Vcat 的和，即，Vss<Vthel+Vrat。因此，發(fā)光裝置EL截止，電源側(cè)用作驅(qū) 動(dòng)晶體管T2的源極。在該點(diǎn)處，發(fā)光裝置EL的陽(yáng)極被充電至Vss。圖13示出了在準(zhǔn)備周期(4)內(nèi)像素電路的狀態(tài)。在該周期內(nèi)， 信號(hào)線SL的電位^皮保持為Vofs，采樣晶體管Tl導(dǎo)通，并且驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的柵極電位降至Vofs。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極S和柵 極G被復(fù)位。在該點(diǎn)處，使柵極電壓Vgs等于值Vofs-Vss (即， Vgs = Vofs - Vss )，其^皮i殳置為大于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的闞值電壓Vth。因此，通過(guò)復(fù)位驅(qū)動(dòng)晶體管T2，使得滿足條件Vgs>Vth，完成了對(duì) 隨后的閾 <直電壓才交正處理的準(zhǔn)備。圖14示出了在閾值電壓校正周期(5)內(nèi)像素電路的狀態(tài)。在 該周期的開(kāi)始處，電源線DS的電4立回到Vcc。當(dāng)電源電壓纟皮i殳置 為Vcc時(shí)，發(fā)光裝置EL的陽(yáng)極變?yōu)轵?qū)動(dòng)晶體管T2的源極S,并且 電流如圖14所示i也流動(dòng)。可通過(guò)二才及管Tel和電容器Cel的并耳關(guān)連 接表示發(fā)光裝置EL的等效電路。由于陽(yáng)極電位(即，源極電位Vss) 4氐于Vcat + Vth,所以二才及管Tel處于截止?fàn)顟B(tài)，并且流過(guò)二極管 Tel的泄漏電流量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的電流量。因此，流 過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的電流大部分被用于對(duì)保持電容器Cl和等效電容 器Cel充電。圖15是示出了在閾值電壓校正周期(5)內(nèi)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的 源極電壓隨時(shí)間變化的曲線。如圖所示，/人Vss開(kāi)始，驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的源極電壓(即，發(fā)光裝置EL的陽(yáng)極電壓)隨時(shí)間增加。 一旦 完成閾值電壓校正周期(5)，驅(qū)動(dòng)晶體管T2就截止，并且驅(qū)動(dòng)晶 體管T2的棚-才及G和源4及S之間的電壓Vgs變?yōu)閂th。由Vofs - Vth 給出源才及電位。由于值Vofs-Vth仍然小于Vcat +Vthel，所以發(fā)光 裝置EL還處于截止?fàn)顟B(tài)。圖16示出了在寫(xiě)周期/遷移率校正周期(6)內(nèi)像素電路的狀態(tài)。 在寫(xiě)周期/遷移率校正周期(6)的開(kāi)始處，信號(hào)線SL的電位從Vofs 變?yōu)閂sig,而采樣晶體管Tl保持導(dǎo)通。在該點(diǎn)處，信號(hào)電位Vsig 處于對(duì)應(yīng)于灰階等級(jí)的電壓。由于采樣晶體管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)， 所以驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極電位升至Vsig。同時(shí)，由于電流從電源 Vcc流出，所以驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源4及電位隨時(shí)間增加。在該點(diǎn)處， 驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源一及電位仍然沒(méi)有超過(guò)發(fā)光裝置EL的閾值電壓 Vthel與陰極電位Vcat的和。因此，從驅(qū)動(dòng)晶體管T2流出的電流 大部分一皮用于對(duì)保持電容器Cl和等效電容器Cel充電。由于驅(qū)動(dòng)晶體管T2的閾值電壓校正纟喿作在該點(diǎn)處已經(jīng)完成，所以流過(guò)驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的電流量反映遷移率n。更具體地，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2 具有高遷移率|^，則通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的電流量和源極電位增量 AV較大。相反，如果驅(qū)動(dòng)晶體管T2具有低遷移率iu ，則通過(guò)驅(qū)動(dòng) 晶體管T2的電流量和源極電位增量AV較小。通過(guò)上述操作，馬區(qū) 動(dòng)晶體管T2的柵極電壓Vgs反映其遷移率|a，并降低AV。因此， 一旦完成寫(xiě)周期/遷移率校正周期(6),則可以獲得反映完全校正的 遷移率p的柵-才及電壓Vgs。圖17是示出在寫(xiě)周期/遷移率校正周期(6)內(nèi)，驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的源極電壓隨時(shí)間變化的曲線。如圖所示，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的 遷移率la4支高時(shí)，其源才及電壓快速增加，并且電壓Vgs相應(yīng)地降低。 才灸句詔-i兌，當(dāng)遷移率^4交高時(shí)，電壓Vgs下降以耳又消遷移率p的影 響，由此可以抑制驅(qū)動(dòng)電流。相反，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管T2的遷移率ja 較低時(shí)，由于其源極電壓沒(méi)有快速增加，所以電壓Vgs沒(méi)有非常顯 著地下降。換句話i兌，當(dāng)遷移率ji4交^氐時(shí)，電壓Vgs沒(méi)有顯著下降， 使得可以補(bǔ)償較低的驅(qū)動(dòng)能力。圖18示出了在發(fā)光周期(7)內(nèi)的像素電路的狀態(tài)，其中，采 樣晶體管Tl截止，并且發(fā)光裝置EL發(fā)光。驅(qū)動(dòng)晶體管T2的柵極 電壓Vgs保持恒定，同時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管T2使電流Ids'才艮據(jù)上述晶體 管特性式，以恒定速率流過(guò)發(fā)光裝置EL。由于電流Ids，流過(guò)發(fā)光裝 置EL,所以發(fā)光裝置EL的陽(yáng)極電壓(即，驅(qū)動(dòng)晶體管T2的源極 電壓)增加至Vx。當(dāng)Vx超過(guò)Vcat + Vthel時(shí)，發(fā)光裝置EL開(kāi)始 發(fā)光。隨著發(fā)光周期的增加，發(fā)光裝置EL的電流/電壓特性改變。 因此，圖18中所示出的源極S電位改變。然而，由于驅(qū)動(dòng)晶體管 T2的柵極電壓Vgs通過(guò)自舉操作保持恒定，所以流過(guò)發(fā)光裝置EL 的電流Ids，保持不變。即，即使發(fā)光裝置EL的電流/電壓特性劣化，發(fā)光裝置EL的發(fā)光強(qiáng)度也不變，因?yàn)殡娏鱅ds，以恒定速率保持流 動(dòng)。圖19是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的薄膜裝置結(jié)構(gòu)的 截面圖。圖19示意性示出了形成在絕緣基板上的像素的橫截面。 如圖所示，像素包括含有多個(gè)TFT (在圖19中僅示出了一個(gè)TFT) 的晶體管單元、諸如保持電容器的電容器單元以及諸如有機(jī)EL裝 置的發(fā)光單元。在基板上通過(guò)TFT處理形成晶體管單元和電容器單 元。發(fā)光單元^^皮形成在晶體管單元和電容器單元上。然后，通過(guò)其 間的粘合劑將透明相對(duì)基板結(jié)合至發(fā)光單元。由此制造平板。如圖20所示，4艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備可以是平玲反顯示 模塊。例如，顯示模塊包括設(shè)置有像素陣列(像素矩陣)的絕緣基 板。^象素陣列包括以集成方式配置的像素矩陣。每個(gè)^f象素均包括有 機(jī)EL裝置、TFT、薄膜電容器等。通過(guò)將諸如玻璃基板的透明相 對(duì)基板粘合到包圍像素陣列(像素矩陣)的粘合劑來(lái)制造顯示模塊。 如果需要，透明相對(duì)基板可配置有濾色器、保護(hù)膜、遮光膜等。同 時(shí)，顯示^^莫塊可配置有用于像素陣列和外側(cè)裝置之間的信號(hào)傳輸?shù)?的諸如柔性印制電路(FPC)的連接器。輸入或內(nèi)部生成的視頻信號(hào)作為圖像或視頻的各種電子設(shè)備(例 如，數(shù)碼相機(jī)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和攝像機(jī))中的平板 顯示器。在下文中，將描述這些電子設(shè)備的實(shí)例。圖21示出了應(yīng)用本發(fā)明的電視機(jī)。該電視機(jī)包括由前面板12、 濾光玻璃13等組成的圖^f象顯示屏11。通過(guò)將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的 顯示i殳備用作圖《象顯示屏11來(lái)實(shí)現(xiàn)圖21的電一見(jiàn)才幾。圖22示出了應(yīng)用本發(fā)明的數(shù)碼相機(jī)。該數(shù)碼相機(jī)的前面和后 面分別表示在圖22的上部和下部中。數(shù)碼相機(jī)包括圖像拍攝鏡頭)、 用作閃光的發(fā)光單元15、顯示單元16、控制開(kāi)關(guān)、菜單開(kāi)關(guān)和快 門(mén)19。通過(guò)將才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示i殳備用作顯示單元16來(lái)實(shí) 現(xiàn)圖22的凝:碼相才幾。圖23示出了應(yīng)用本發(fā)明的筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)。筆記本個(gè)人計(jì) 算機(jī)的主體20包括用于鍵入字符等的鍵盤(pán)21。主體20的蓋子包括 用于顯示圖4象的顯示單元22。通過(guò)將才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備 用作顯示單元22來(lái)實(shí)現(xiàn)圖23的筆記本個(gè)人計(jì)算才幾。圖24示出了應(yīng)用本發(fā)明的移動(dòng)終端。移動(dòng)終端的打開(kāi)狀態(tài)和 折疊狀態(tài)分別示出在圖24的左部和右部。移動(dòng)終端包4舌上外殼23、 下外殼24、連接部(鉸接)25、顯示器26、副顯示器27、鏡前燈 28和相機(jī)29。通過(guò)將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備用作顯示器26 和/或副顯示器27來(lái)實(shí)現(xiàn)圖24的移動(dòng)終端。圖25示出了應(yīng)用本發(fā)明的攝像機(jī)。攝像機(jī)包括主體30、設(shè)置 在主體30前側(cè)用于拍攝對(duì)象的鏡頭34、用于開(kāi)始或結(jié)束拍攝操作 的開(kāi)始/結(jié)束開(kāi)關(guān)35以及監(jiān)控器36。通過(guò)將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯 示設(shè)備用作監(jiān)控器36來(lái)實(shí)現(xiàn)圖25的攝像機(jī)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素，可以 有多種修改、組合、再組合和改進(jìn)，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求 或等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示設(shè)備，包括基板，具有至少包括以列配置的信號(hào)線、以行配置的掃描線以及預(yù)定電源線的配線；以及像素的矩陣，每個(gè)像素都被設(shè)置在信號(hào)線和掃描線之間的交叉點(diǎn)處，其中，通過(guò)對(duì)導(dǎo)體膜進(jìn)行圖樣化來(lái)形成所述配線；每個(gè)像素均包括連接至所述配線的有源裝置和發(fā)光裝置，響應(yīng)于由所述掃描線提供的控制信號(hào)進(jìn)行操作，以及根據(jù)由所述信號(hào)線提供的視頻信號(hào)使由所述電源線提供的驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)所述發(fā)光裝置；所述像素具有沿與相鄰像素的邊界直線延伸的外側(cè)區(qū)域和沿所述外側(cè)區(qū)域的內(nèi)側(cè)延伸的內(nèi)側(cè)區(qū)域；橫跨所述外側(cè)區(qū)域和所述內(nèi)側(cè)區(qū)域配置所述配線；由于所述配線的存在所引起的水平差，沿所述外側(cè)區(qū)域并在所述基板上形成外側(cè)凹凸帶；同樣由于所述配線的存在所引起的水平差，沿所述內(nèi)側(cè)區(qū)域并在所述基板上形成內(nèi)側(cè)凹凸帶；以及適當(dāng)?shù)匦纬芍圃焖雠渚€的所述導(dǎo)體膜的圖樣，使得從所述像素的內(nèi)側(cè)看，所述外側(cè)凹凸帶的凹部直接位于它們所對(duì)應(yīng)的所述內(nèi)側(cè)凹凸帶的凸部之后。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述導(dǎo)體膜包括上層 和下層；所述配線包括通過(guò)對(duì)所述上層進(jìn)行圖樣化所形成的上層線和通過(guò)對(duì)所述下層進(jìn)行圖樣化所形成的下層線；以及適當(dāng)?shù)匦纬伤鱿聦拥膱D樣，4吏得從所述像素的內(nèi)側(cè)看， 所述外側(cè)凹凸帶的凹部直接J立于它們所乂于應(yīng)的所述內(nèi)側(cè)凹凸帶的凸部之后。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述導(dǎo)體膜的圖樣電連才妄至所述配線，并構(gòu)成所述配線的一部分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述導(dǎo)體膜的圖樣包括與所述配線電隔離并補(bǔ)償由所述配線的存在所引起的水平差的^H"塾。
5. —種顯示i殳備的制造方法，所述顯示設(shè)備包括基板，具有至 少包纟舌以列配置的信號(hào)線、以4于配置的掃描線以及預(yù)定電源線 的配線；以及像素的矩陣，每個(gè)像素都被設(shè)置在信號(hào)線和掃描 線之間的交叉點(diǎn)處；其中，通過(guò)對(duì)導(dǎo)體膜進(jìn)行圖樣化來(lái)形成所 述配線；以及每個(gè)4象素均包括連4妄至所述配線的有源裝置和發(fā) 光裝置，響應(yīng)于由所述掃描線提供的控制信號(hào)進(jìn)行操作，以及 根據(jù)由所述信號(hào)線提供的視頻信號(hào)使由所述電源線提供的驅(qū) 動(dòng)電流流過(guò)所述發(fā)光裝置；所述顯示設(shè)備的所述制造方法包括以下步驟橫跨所述象素的外側(cè)區(qū)i或和內(nèi)側(cè)區(qū)i或配置所述配線，所 述外側(cè)區(qū)域沿與相鄰像素的邊界直線地延伸，所述內(nèi)側(cè)區(qū)域沿 所述外側(cè)區(qū)i或的內(nèi)側(cè)延伸；適當(dāng)?shù)匦纬芍圃焖雠渚€的所述導(dǎo)體膜的圖樣，使得乂人 所述4象素的內(nèi)部看，外側(cè)凹凸帶的凹部直4妄位于它們所對(duì)應(yīng)的 內(nèi)側(cè)凹凸帶的凸部之后，其中，由于所述配線的存在所引起的 水平差，沿所述外側(cè)區(qū)i或并在所述基斧反上形成所述外側(cè)凹凸 帶，同4f由于所述配線的存在所引起的水平差，沿所述內(nèi)側(cè)區(qū)域并在所述基才反上形成所述內(nèi)側(cè)凹凸帶；沿所述外部凹凸帶和所述內(nèi)側(cè)凹凸帶形成包圍所述像素 的內(nèi)部區(qū)i或的隔壁；制備工作基材，在所述工作基材的對(duì)應(yīng)于各個(gè)像素的位 置處沉積發(fā)射不同顏色的光的發(fā)光材料的膜；在所述工作基材與所述隔壁的頂部接觸的情況下，將所 述工作基材;改置為與所述基板相對(duì)；以及在每個(gè)像素的內(nèi)部區(qū)域被所述隔壁圍繞的情況下，將發(fā) 射不同顏色的光的發(fā)光材料的膜蒸鍍到對(duì)應(yīng)像素的相應(yīng)內(nèi)部 區(qū)域，以在每個(gè)像素中形成所述發(fā)光裝置的發(fā)光層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了顯示設(shè)備和該顯示設(shè)備的制造方法，其中，像素具有沿與相鄰像素的邊界直線延伸的外側(cè)區(qū)域和沿該外側(cè)區(qū)域的內(nèi)側(cè)延伸的內(nèi)側(cè)區(qū)域。橫跨外側(cè)區(qū)域和內(nèi)側(cè)區(qū)域配置配線。由于配線的存在所引起的的水平差，沿外側(cè)區(qū)域并在所述基板上形成外側(cè)凹凸帶。類(lèi)似地，由于配線的存在所引起的水平差，沿內(nèi)側(cè)區(qū)域并在所述基板上形成內(nèi)側(cè)凹凸帶。適當(dāng)?shù)匦纬芍圃炫渚€的導(dǎo)體膜的圖樣，使得從像素的內(nèi)側(cè)看，外側(cè)凹凸帶的凹部直接位于它們所對(duì)應(yīng)的內(nèi)側(cè)凹凸帶的凸部之后。通過(guò)本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)卓越顏色再現(xiàn)性的顯示面板。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101276834SQ20081008454
公開(kāi)日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2008年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月26日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山本哲郎 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社