專利名稱：使用鋅的軟焊接結構及方法
技術領域：
本發(fā)明涉及軟焊接，更特別地，涉及包括Zn層的軟焊接結構和軟焊接 方法。
背景技術：
軟焊接(soldering),是電子元件4妾合(electronic joint)所需的接合方法 之一，通過在450。C以下的溫度熔化第三材料來將兩個部件接合在一起。第 三材料稱為焊料。傳統(tǒng)上，包括鉛(Pb)的焊料已被長期使用。然而，由于 意識到鉛是有毒的，且其使用已被管制，所以使用無鉛焊料的軟焊接方法吸 引了大量注意。在使用無鉛焊料的常規(guī)軟焊接方法中，Cu結合層用在基板 和無鉛焊料之間。作為無鉛焊料，使用Sn作為主要成分的焊料正在增多。包括Sn焊料的 焊接結構的示例示于圖1中。圖1的傳統(tǒng)無鉛軟焊接結構包括基板10、結合層或結合墊20、及焊料 30。結合層20使用Cu層。焊料30可由SnAgCu制成。圖1所示的軟焊接結構顯示了結合界面的弱結合強度和脆性，導致產(chǎn)品 可靠性的降低。即，當包括Sn的焊料30結合到結合層20時，Ag3Sn小片 (platelet)和Oi3Sn相產(chǎn)生于焊料30和結合層20的界面處。因此，該軟焊 接結構容易破裂。在傳統(tǒng)軟焊接工序中進行回流工序之后，Sn基焊料在冷卻工藝期間經(jīng) 歷過冷卻(undercooling )。 Sn焊料的過冷卻造成Ag3Sn顆粒的形成和分離， 其流入過冷卻的熔融Sn。于是，不規(guī)則地構成了無鉛焊料。Ag3Sn顆粒在熔 融Sn內(nèi)迅速生長并形成Ag3Sn小片。在上述軟焊接結構中，如果后來出現(xiàn)了裂紋，該裂紋會沿其上形成Ag3Sn電子器件將由于裂紋而是有缺陷的，該裂紋可在器件受到?jīng)_擊或應力集中于 焊接接合處時形成。由于在傳統(tǒng)軟焊接結構中裂紋迅速蔓延，所以焊接接合處的可靠性變差。同時，在傳統(tǒng)的軟焊接結構中，會形成較厚的金屬間化合物(inter-metallic compound, IMC)層，且因此導致空缺(void)的形成。圖2是在傳統(tǒng)軟焊接結構中生成的IMC和空缺的概念圖。如圖2所示， 當焊料300在結合層20上回流時，在結合層20和焊料300之間的界面區(qū)域產(chǎn)生CU6Sll5相。然后，隨著老化過程的進行，在CU6Sll5和Cu之間的界面產(chǎn)生Cu3Sn相。金屬之間的界面中產(chǎn)生的化合物例如Cu3Sn相和Cu6Sns相通常被稱為 IMC。由于傳統(tǒng)軟焊接結構的厚IMC在內(nèi)部界面中產(chǎn)生空缺(void)或孔 (pore),所以軟焊接強度變差。具體的，由于Cu3Sn相產(chǎn)生時發(fā)生固相擴 散，所以空缺或孔會產(chǎn)生在界面中。結果，軟焊接結構會容易地被破壞。 因此，傳統(tǒng)軟焊接結構和方法在使用無鉛焊料時存在困難。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的示范性實施例克服了上述缺點以及上面未描述的其他缺點。另 外，本發(fā)明不是必須克服上述缺點，本發(fā)明的示范性實施例可以不克服任何 上述問題。本發(fā)明提供一種軟焊接結構和方法，用于通過包括高度反應性的 (reactive ) Zn而增強軟焊接特性和可靠性。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種軟焊接結構，包括含有Zn的結合層 (bonding layer )、以及結合到該結合層并對其起反應的無鉛焊料。該結合層可以是Zn合金層。該Zn合金層可以是由Zn以及選自Cu、 Ag、 Au、 Pd、 Ni、 Cr和Ti構 成的組的至少一種形成的合金。該結合層可包含基于該結合層的總重量在0.1~30%的量的Zn。 該Zn合金層的厚度可在0.5 10nm的范圍。 該結合層可以是包括Zn層的多層。當該結合層是包括Zn層的多層時，該Zn層可位于該多層的朝向無鉛焊 料的頂部，且該Zn層的厚度可為lium或更小。 該軟焊接結構還可包括支承該結合層的基板。該軟焊接結構還可包括使該基板與無鉛焊料絕緣的絕緣層。該無鉛焊料可以是SnAg、 SnAgCu、 SnCu、 SnBi、 Snln、 SnZn、 SnZnBi 和SnZnln之一。根據(jù)本發(fā)明的以上方面， 一種軟焊接方法包括形成含Zn的結合層于基 板上，且形成無鉛焊料于該結合層上。該結合層可通過沉積Zn合金層于該基板上而形成。該Zn合金層可使用賊射法、蒸鍍法、電鍍法和無電鍍法之一沉積于該 基板上。該Zn合金層可以是由Zn以及選自Cu、 Ag、 Au、 Pd、 Ni、 Cr和Ti構 成的組的至少 一種形成的合金。該結合層可包含基于該Zn合金層的總重量在0.1 30%的量的Zn。 該結合層可包含0.5 10ium厚度的Zn合金層。該結合層可通過形成至少一材料層到該基板上且形成Zn層到該材料層 上而是多層的，該材料層由某種材料形成，該Zn層由Zn形成。在該情況下， 該Zn層可具有l(wèi)iLim或更小的厚度。該無鉛焊料的形成可使用SnAg、 SnAgCu、 SnCu、 SnBi、 Snln、 SnZn、 SnZnBi和SnZnln之一作為無鉛焊料。該結合層的形成可包括應用并構圖絕緣層于該基板上；以及形成結合 層于該絕緣層上和該基板上。該結合層可使用濺射法、蒸鍍法、電鍍法、以 及無電鍍法之一形成。該無鉛焊料的形成可包括應用光致抗蝕劑于該結合層的除了用于軟焊 接結構的位置以外的區(qū)域上；形成無鉛焊料于所述用于軟焊接結構的位置 處；以及除去該光致抗蝕劑和該絕緣層，進行回流工藝，且將無鉛焊料結合 至該結合層。該無鉛焊料的形成可包括應用光致抗蝕劑于該結合層的除了用于軟焊 接結構的位置以外的區(qū)域上；應用無鉛焊料于所述用于軟焊接結構的位置 處；以及除去該光致抗蝕劑，進行回流工藝，且將無鉛焊料結合至該結合層。


通過參照附圖描述本發(fā)明的示范性實施例，本發(fā)明的以上和/或其他方面 將更明顯，附圖中圖1是傳統(tǒng)軟焊接結構的概念圖；圖2是傳統(tǒng)軟焊接結構的概念圖，示出其缺點；圖3是根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例的軟焊接結構的概念圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實施例的軟焊接結構的概念圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明又一示范性實施例的軟焊接結構的概念圖；圖6A至圖6E是制造圖5的軟焊接結構的方法的概念圖；圖7A至圖7D是制造圖3和圖4的軟焊接結構的方法的概念圖；圖8A、 8B、 9A、 9B、 IOA、 IOB、 11A和11B電子顯微鏡取得的照片，用于比較常規(guī)軟焊接結構與本發(fā)明的軟焊接結構的特性；以及圖12是顯示基于老化時間的IMC厚度變化的曲線圖，用于比較常規(guī)軟焊接結構與本發(fā)明的軟焊接結構的特性。
具體實施方式
現(xiàn)在將參照附圖更詳細地說明本發(fā)明的某些示范性實施例。在下面的描述中，即使在不同的附圖上，相同的附圖標記用于表示相同 的元件。在以下描述中定義的對象，例如詳細構造和元件說明，是作為示例 提供以有助于對本發(fā)明的充分理解。另外，熟知的功能或構造不作詳細描述， 以免不必要的細節(jié)使本發(fā)明變得晦澀。圖3是根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例的軟焊接結構的概念圖。圖3的軟焊 接結構包括基板100、結合層110、及無鉛焊料120。結合層110可用作凸塊下冶金(under bump metallurgy, UBM )或表面 拋光金屬(surface finish metallization)以將芯片(未顯示)結合到基板100 上。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，結合層lOO可包括Zn或Zn合金層。具體地，Zn合金層可由包括選自Cu、 Ag、 Au、 Pd、 Ni、 Cr和Ti構成 的組的至少 一種以及Zn的合金制成。即，Zn合金層可以是諸如CuZn 、 AgZn 、 ZnCuNi和ZnCuAg的合金。Zn的比率可根據(jù)潤濕性(wetting )、要焊接的 芯片類型、以及使用環(huán)境來確定。在一實施例中，Zn的比率可以基于Zn合 金層的總重量在0.1-30%的范圍。.Zn合金層的厚度可由設計者確定。大致地，厚度可在0.5-10)im的范圍。結合層110形成于芯片(未顯示)將結合到基板100的位置。形成于結無鉛焊料120指的是不含鉛的焊料。即，無鉛焊料120可以是SnAg、 SnAgCu、 SnCu、 SnBi、 Snln、 SnZn、 SnZnBi和SnZnln。除了這些特定材 料之外，傳統(tǒng)無鉛焊料可被使用。當Zn合金層用作結合層110時，由于無鉛焊料120回流并冷卻在結合 層110上，所以Zn可以抑制界面中Ag3Sn小片的生長和Oi3Sn相的形成。即，Zn減緩了無鉛焊料120內(nèi)熔融Sn的過冷卻。因此，Ag^n小片的 生長也減緩。另外，由于含有Zn減緩了 Cu6Sn5相的生長，所以Cii3Sn相的 形成被抑制和/或延遲。結果，空缺或孔的形成也能被限制。這樣，由結合層110和無鉛焊料120構成的軟焊接結構可用于將芯片(未 顯示)結合到基板IOO上。此外，軟焊接結構可用于倒裝芯片封裝、球柵陣 列封裝、晶片鍵合、刮軟(staking)等。圖4是根據(jù)本發(fā)明另一示范性實施例的軟焊接結構的概念圖。圖4的軟 焊接結構具有與圖3的軟焊接結構基本類似的結構。區(qū)別在于結合層130是 多層。結合層130可通過依次沉積材料層131和Zn層132而是多層的。材 料層131的數(shù)量可以是一或更多。當形成兩個或更多材料層131時，各層131 的每個可由相同或不同材料形成。例如，材料層131可以使用傳統(tǒng)軟焊接結 構的Cu層或其他材料實施。Zn層132優(yōu)選地沉積在結合層130的最高層。因此，當無鉛焊料120 形成于結合層130上時，Zn層132與無鉛焊料120直接反應且因此改變界 面中的反應機制。更詳細地，在回流工藝期間當無鉛焊料120的Sn朝向結 合層130蔓延且材料層131和Zn層132的Cu和Zn朝向無鉛焊料120蔓延 時，偶聯(lián)反應(coupling reaction )形成熔融的Cu6Snda。在該過程中，含有 Zn阻止了 Ag3Sn小片的生長和Cii3Sn相的形成。優(yōu)選形成約lpm或更小厚 度的Zn層132。圖4中除了結合層130之外的其他結構與圖3的結構基本 類似，因此省略進一步的描述。圖5是根據(jù)本發(fā)明又一示范性實施例的軟焊接結構的概念圖。圖5的軟 焊接結構包括基板200、絕緣層210、結合層220、及無鉛焊料230。結合層220可使用圖3所示的Zn合金層或者使用圖4所示例的包括Zn 層的多層形成。如圖5所示，部分結合層220可形成于絕緣層210的表面， 其他部分可直接形成于基板200上。基板200用于支持包括結合層220和無鉛焊料230的軟焊接結構以及通過該軟焊接結構安裝到基板200上的芯片(未示出)。絕緣層210用來使無鉛焊料230與基板200絕緣。因此，可以避免通過 軟焊接結構接合的芯片與基板200之間的信號泄露。圖5中除了絕緣層210和結合層220之外的部件具有與圖3和圖4的部 件基本相似的結構，因此將省略進一步的說明。圖6A至6E是使用圖5的軟焊接結構的軟焊接方法的概念圖。首先參照圖6A,用于軟焊接結構的位置通過沉積和構圖絕緣層210于 基板200上而被暴露。絕緣層210可由絕緣材料諸如Si02或A1203形成。如圖6B所示，含Zn的結合層220沉積在絕緣層210和基板200整個之 上。結合層220可由Zn合金層形成。供選地，結合層220可以通過在絕緣 層210和基板200整個之上依次沉積多個層且最后沉積Zn層而是多層的。結合層220可使用賊射法、蒸鍍法、電鍍法和無電鍍法沉積。此外，相 關技術中已知的沉積技術可被使用。濺射法可分為DC、 RF(射頻)、DC磁控管法、以及RF磁控管濺射法。 對于DC濺射法，單獨制造將用于結合層220的Zn合金靶。為了制作Zn合 金靶，通過將Zn和其他金屬性材料以期望的比率放入充有氬氣的真空爐中 并將其弧熔(arc-melting)來制造合金樣品。接著，通過以預設尺寸切割所 制造的合金樣品而獲得Zn合金靶。當準備了 Zn合金靶時，具有絕緣層210的基板200和Zn合金靶一起放 入賊射腔中且然后進行濺射。不活潑氣體例如氬被放入賊射腔中，且氬利用 DC、 RF、 DC磁控管、或RF磁控管被離子化。生成的氬離子由于勢差加速 并撞擊靶，使中性靶原子被發(fā)射。發(fā)射的靶原子沉積到具有絕緣層210的基 板200上且因此形成結合層220。 DC濺射法的原理可用于形成包括Zn層的 多層結合層。既然濺射法在本領域中已為人熟知，所以不再詳細描述其他濺射法。 蒸鍍法可分為使用電阻加熱的熱蒸鍍法，及使用電子束的電子束蒸鍍法。關于其的詳細描述將被省略。盡管圖6B中未特別示出，但是在沉積結合層220之后，通過沉積光致抗蝕劑(未示出)在結合層220上且以特定形狀構圖結合層220，結合層220可僅位于將被焊接的位置。當完成了結合層220的構圖時，光致抗蝕劑(未示出)被去除且繼續(xù)后面的工藝。如圖6C和6D所示，在除去部分結合層220和形成光致抗蝕劑240之 后，沉積無鉛焊料230。無鉛焊料230可使用電鍍法、無電鍍法、真空蒸鍍 法、焊球轉移法(solder ball transfer method )、柱焊法(stud bumping method )、 焊料噴射法(solder jet method)等沉積在結合層220上。接著，如圖6E所示，在除去光致抗蝕劑240后，通過利用回流工藝融 化并老化無鉛焊料230來制成軟焊接結構。在回流工藝之后，無鉛焊料230 在老化工藝(agingprocess)中根據(jù)表面張力而可以是球形的，如圖6E所示。 因此，當制造了軟焊接結構時，通過使芯片(未顯示)緊密接觸和結合到基 板200而能實現(xiàn)軟焊接。圖7A至7D是使用圖3和4的軟焊接結構的軟焊接方法的概念圖。在圖7A中，含Zn結合層110或130以特定形狀沉積在基板100上。 結合層可以使用Zn合金層110或含Zn多層130形成。在多層130的情況下， 至少 一材沖十層131首先凈皮沉積，然后Zn層132凈皮沉積。接著，如圖7B和7C所示，在沉積光致抗蝕劑160之后，無鉛焊料120 被沉積。如圖7D所示，在除去光致抗蝕劑160之后，通過回流制作圖3或4的 軟焊接結構。然后，通過使芯片(未顯示)緊密接觸軟焊接結構，軟焊接能 將芯片結合到基板100上。圖7B、 7C和7D的詳細說明基本類似于圖6C、 6D和6E的說明，因此將被省略。注意，圖6A至6E和圖7A至7D的工藝順序和方法可基于本領域已知 的4支術而改變?，F(xiàn)在，通過參照圖8A至IIB特別示出軟焊接結構的特性。 圖8A是對于使用Cu層作為結合層的傳統(tǒng)軟焊接結構在完成回流工藝 之后通過電子顯微鏡取得的照片。在圖8A中，在箭頭所指的點觀察到相當 大的Ag3Sn小片結構。作為對照，圖8B是對于根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例的使用Cii7Zn構成 的Zn合金層作為結合層的軟焊接結構在完成回流工藝之后通過電子顯微鏡 取得的照片。Qi7Zn表示在Zn合金層的總重量中Cu占93%, Zn占7%。如 圖8B所示，與圖8A相比，Ag3Sn小片的生長受到限制，因此形成了相對較 小的Ag3Sn小片。.圖9A和9B是圖8A的傳統(tǒng)軟焊接結構和圖8B的本發(fā)明的軟焊接結構 在150°C老化約50小時后通過電子顯微鏡取得的照片。如圖9A所示，Ag3Sn小片的尺寸和數(shù)量增大，特別地，形成了約3.91pm 的IMC層。如前所述，IMC是在結合層和焊料之間的界面中形成的化合物。 圖9A中的IMC是Cu3Sn和Cu6Sn5相。在圖9B中，Ag3Sn小片的尺寸有小的改變，且形成約3.21pm的IMC 層。如前所述，由于在根據(jù)本發(fā)明的實施例的軟焊接結構中Cu3Sn相的生長 被限制，所以IMC的厚度小于傳統(tǒng)軟焊接結構。圖IOA和IOB是使用Cu層作為結合層的傳統(tǒng)軟焊接結構和使用Cul0Zn 作為結合層的本發(fā)明的軟焊接結構在150。C老化約500小時后界面狀態(tài)的照 片，該照片通過電子顯微鏡取得。從圖IOA可以看出，Cu3Sn相和Cu6Sns相順序位于Cu層上。在回流工 藝中形成Cu6Sri5相之后，在老化過程中Cu3Sn相形成于Cu6Sns相與Cu層之 間的界面中。結果，如圖IOA所示地產(chǎn)生了 3層結構。參照圖10B, Cu6Sn5相形成于Cu,oZn結合層上。即，通過使用Zn合金 層作為結合層，Cu3Sn相很難形成。于是，如圖IIB所示空缺幾乎不形成。圖11A和11B是圖IOA和10B的軟焊接結構進一步老化約500小時后 界面狀態(tài)的電子顯微鏡照片。換句話說，圖11A和11B顯示了回流工藝后 在150°C老化總共約1000小時后的狀態(tài)。在圖IIA中，Cii3Sn層的厚度大大增大。推測Cu3Sn相形成時發(fā)生了固 態(tài)擴散。由于Cu層中的Cu原子移動到無鉛焊料，產(chǎn)生了空缺。圖11中Cu 層表面中的黑斑是空缺。對照地，在圖11B中，沒有觀察到Cii3Sn層和空缺。如圖8A至IIB所示，相比于使用Cu層作為結合層的傳統(tǒng)軟焊接結構， 本發(fā)明的軟焊接結構的可靠性得到大大提高。圖12是顯示常規(guī)軟焊接結構與本發(fā)明的軟焊接結構的相對于老化時間 的IMC厚度變化的曲線圖。特別地，圖12的IMC厚度通過在260。C回流 30秒且然后在150。C老化而測量的。在圖12中，當使用SnAgCu無鉛焊料和Cu結合層制作的軟焊接結構(■) 老化500小時時，形成厚約6.31(am的IMC。當老化約1000小時后，形成厚 約7.97pm的IMC。對照地，當使用SnAgCu無鉛焊料和Cu,。Zn結合層制作的軟焊接結構(爭)老化500小時時，形成厚約3.51pm的IMC。老化約1000小時后，形 成厚約4.57jam的IMC。在兩張圖中，與傳統(tǒng)軟焊接結構相比，根據(jù)本發(fā)明一實施例的軟焊接結 構顯示出顯著更慢的IMC生長速度。因此，瑕疵諸如空缺的形成能被限制。 結果，能防止脆性特征。如上所述，通過使用無鉛焊料且采用Zn結合層(或結合墊)，AfoSn小 片的生長能被限制且IMC的生長能被減慢。因此，裂紋的快速蔓延能得以 避免且瑕瘋諸如空缺或孔的形成能被最小化。因此，能夠實現(xiàn)焊接接合點高 度可靠的牢固軟焊接結構。盡管已經(jīng)顯示和描述了基本發(fā)明概念的一些實施例，但是本領域技術人 員將意識到，可以在這些實施例中進行改變而不偏離該基本發(fā)明概念的原理 和思想，該基本發(fā)明概念的范圍由所附權利要求及其等價物定義。
權利要求
1.一種軟焊接結構，包括結合層，其含有Zn；以及無鉛焊料，其形成于該結合層上并結合到該結合層的表面。
2. 如權利要求1所述的軟焊接結構，其中該結合層是Zn合金層。
3. 如權利要求2所述的軟焊接結構，其中該Zn合金層是由Zn和選自 Cu、 Ag、 Au、 Pd、 Ni、 Cr和Ti構成的組的至少一種形成的合金。
4. 如權利要求2所述的軟焊接結構，其中該結合層包含基于Zn合金層 的總重量在0.1~30%的量的Zn。
5. 如權利要求2所述的軟焊接結構，其中該Zn合金層的厚度在 0.5~10pm的范圍。
6. 如權利要求1所述的軟焊接結構，其中該結合層是包括Zn層的多層。
7. 如權利要求6所述的軟焊接結構，其中該Zn層位于該多層的朝向該 無鉛焊料的頂部。
8. 如權利要求6所述的軟焊接結構，其中該Zn層的厚度為lpm或更小。
9. 如權利要求1所述的軟焊接結構，還包括支持該結合層的基板。
10. 如權利要求9所述的軟焊接結構，還包括使該基板與該無鉛焊料 絕緣的絕緣層。
11. 如權利要求1所述的軟焊接結構，其中該無鉛焊料是SnAg、 SnAgCu、 SnCu、 SnBi、 Snln、 SnZn、 SnZnBi和SnZnln之一 。
12. —軟焊接方法，包括 形成含Zn的結合層于基板上；以及 形成無鉛焊料于該結合層上。
13. 如權利要求12所述的軟焊接方法，其中該結合層通過沉積Zn合金 層于該基板上而形成。
14. 如權利要求13所述的軟焊接方法，其中該Zn合金層使用濺射法、 蒸鍍法、電鍍法和無電鍍法之一形成于該基板上。
15. 如權利要求13所述的軟焊接方法，其中該Zn合金層是由Zn和選 自Cu、 Ag、 Au、 Pd、 Ni、 Cr和Ti構成的組的至少一種形成的合金。
16. 如權利要求13所述的軟焊接方法，其中該結合層包含基于Zn合金層的總重量在0.1 30%的量的Zn。
17. 如權利要求13所述的軟焊接方法，其中該結合層包含0.5 10nm厚 的Zn合金層。
18. 如權利要求12所述的軟焊接方法，其中該結合層通過形成至少一材 料層于該基板上且形成由Zn形成的Zn層于該材料層上而是多層的。
19. 如權利要求18所述的軟焊接方法，其中該Zn層具有l(wèi)iim或更小的厚度。
20. 如權利要求12所述的軟焊接方法，其中該無鉛焊料的形成使用 SnAg、 SnAgCu、 SnCu、 SnBi、 Snln、 SnZn、 SnZnBi和SnZnln之一作為該 無鉛焊料。
21. 如權利要求12所述的軟焊接方法，其中該結合層的形成包括 應用并構圖絕緣層于該基板上；以及 形成該結合層于該絕緣層上且在該基板上。
22. 如權利要求21所述的軟焊接方法，其中該無鉛焊料的形成包括應用光致抗蝕劑于該結合層的除了用于軟焊接結構的位置以外的區(qū)域上；形成所述無鉛焊料于所述用于軟焊接結構的位置處；以及 除去該光致抗蝕劑和該絕緣層，進行回流工藝，且將所述無鉛焊料結合 至該結合層。
23. 如權利要求12所述的軟焊接方法，其中該無鉛焊料的形成包括應用光致抗蝕劑于該結合層的除了用于軟焊接結構的位置以外的區(qū)域上；應用所述無鉛焊料于所述用于軟焊接結構的位置處；以及 除去該光致抗蝕劑，進行回流工藝，且將所述無鉛焊料結合至該結合層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種使用Zn的軟焊接結構，包括含有Zn的結合層；以及結合到該結合層并對其起反應的無鉛焊料。該結合層可以是Zn合金層或含有Zn層的多層。因此，通過加入高反應性Zn至軟焊接的界面反應而可提高軟焊接結構的特性。
文檔編號H01L23/488GK101266960SQ20081008378
公開日2008年9月17日 申請日期2008年3月12日 優(yōu)先權日2007年3月12日
發(fā)明者盧熙摞, 吳昌烈, 孫崙喆, 崔源璟, 文彰烈, 金映鎬 申請人:三星電子株式會社