專利名稱：迭合標記及其制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明是有關于一種迭合標記及其制作方法，且特別是有關于一種可以 避免影響對準度量測結(jié)果以及防止缺陷產(chǎn)生的迭合標記及其制作方法。
背景技術(shù)：
在目前半導體工藝積集度逐漸提高的情形下，工藝步驟復雜程度及困難 度也愈來愈高。因此，如何在工藝中利用實時量測設備進行工藝監(jiān)控以實時 反應問題來降低因工藝錯誤所造成的損失已成為了各半導體工藝廠商所努力 的方向。
隨著集成電路工藝的線寬持續(xù)縮小，決定晶片的光刻工藝成敗的因素除
了關鍵尺寸(critical dimension, CD)的控制外，另一重要者即為對準度 (alignment accuracy)。因此，對準度的量測是半導體工藝中極為重要的一環(huán)。 迭合標記(overlay mark)就是用來量測迭合誤差的工具，其用以判斷光刻工藝
所形成的光刻膠層圖案與前一層的圖案之間是否有精確的對準。
一般來說，在一般的非易失性存儲器(non-volatile memory)工藝中，在量
測對準度時通常會存在下述問題。
非易失性存儲器工藝是先于基底中形成隔離結(jié)構(gòu)。接著，于基底上依序 形成作為穿隧介電層(tunneling dielectric layer)的材料的介電層以及作為浮置 柵極(floatinggate)的材料的導體層。繼之，進行平坦化工藝，移除部分導體層， 直到暴露出隔離結(jié)構(gòu)。然后，于基底上形成第二介電層，以作為柵間介電層 (inter-gate dielectric layer)的材料之用。之后，于第二介電層上形成光刻膠圖案， 以進行后續(xù)的圖案化工藝，以定義出。
5在形成上述光刻膠圖案之后，即會進行對準度的量測，以防止經(jīng)圖案化
的第二介電層與前層(former laya')的圖案產(chǎn)生超過預期的迭合誤差。量測迭合 誤差的方式則是在形成用以定義柵間介電層的光刻膠圖案時，同時在周邊區(qū) 域的隔離結(jié)構(gòu)上的第二介電層上形成光刻膠圖案，再將周邊區(qū)域的光刻膠圖 案與其他隔離結(jié)構(gòu)圖案來作比對。
然而，在利用化學機械研磨法形成隔離結(jié)構(gòu)時，往往由于基底的主動區(qū) (active area)圖案密度過低，因此會在隔離結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生碟狀(dishing)現(xiàn)象，進而 導致上述導體層在進行平坦化工藝時殘留于隔離結(jié)構(gòu)上。因此，在量測對準 度時，所殘留的導體層會造成量測訊號的錯誤而影響到量測結(jié)果，或造成迭 合誤差值無法測量出的問題。
此外，另一種測量迭合誤差的方式是先將作為迭合標記的光刻膠圖案形 成于周邊區(qū)域的主動區(qū)的第二介電層上，然后再進行對準度的量測。雖然此 種方式不會因為隔離結(jié)構(gòu)的碟狀現(xiàn)象而影響對準度量測，然而由于在后續(xù)以 濕式刻蝕移除導體層的步驟中通常會發(fā)生側(cè)向刻蝕的現(xiàn)象，導致光刻膠圖案 下方的導體層被移除而使得迭合標記坍塌，因而在主動區(qū)造成缺陷(defect)問 題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種迭合標記的制作方法，可以避 免因隔離結(jié)構(gòu)產(chǎn)生碟狀現(xiàn)象而影響對準度量測，且可以避免迭合標記坍塌而 于主動區(qū)產(chǎn)生缺陷。
本發(fā)明的另一目的就是在提供一種迭合標記，可以提高產(chǎn)品的良率。 本發(fā)明提出一種迭合標記的制作方法，此方法適用于非易失性存儲器工 藝中。首先，于基底中形成二個第一X方向隔離結(jié)構(gòu)、二個第一Y方向隔離 結(jié)構(gòu)、二個第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與二個第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)，其中第一X方 向隔離結(jié)構(gòu)與第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列成第一矩形，而第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列成第二矩形，且第二矩形位于第一矩形中。然后， 依序于基底上形成第一介電層與導體層。接著，進行第一平坦化工藝，移除 部分導體層，直到暴露出第一X方向隔離結(jié)構(gòu)、第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)、第二
X方向隔離結(jié)構(gòu)與第二 Y方向隔離結(jié)構(gòu)。繼之，于基底上形成第二介電層。
之后，于第二介電層上形成矩形圖案，此矩形圖案的側(cè)邊分別位于第二x方
向隔離結(jié)構(gòu)與第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)上方。
本發(fā)明另提出一種迭合標記，其適用于非易失性存儲器工藝中。此迭合
標記包括二個第一X方向隔離結(jié)構(gòu)、二個第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)、二個第二X 方向隔離結(jié)構(gòu)與二個第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)、第一介電層以及導體層。第一X 方向隔離結(jié)構(gòu)、第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)、第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與第二Y方向隔 離結(jié)構(gòu)配置于基底中，其中第一 X方向隔離結(jié)構(gòu)與第一 Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列 成第一矩形，而第二 X方向隔離結(jié)構(gòu)與第二 Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列成第二矩形， 且第二矩形位于第一矩形中。第一介電層配置于基底的表面上。導體層配置 于第一介電層上。
本發(fā)明由于在基底中形成圖案密度較大的主動區(qū)，因此可以避免在形成 隔離結(jié)構(gòu)的過程中發(fā)生碟狀現(xiàn)象，進而避免在后續(xù)工藝中作為浮置柵極材料 的導體層殘留于隔離結(jié)構(gòu)上。因此，在量測光刻工藝的對準度的過程中可以 防止隔離結(jié)構(gòu)上所殘留的導體層造成量測訊號的錯誤，以及避免無法量測出 迭合誤差值的問題。
此外，本發(fā)明將作為迭合標記的當層圖案的光刻膠圖案形成于隔離結(jié)構(gòu) 上，因此在后續(xù)工藝中以濕式刻蝕移除導體層且因側(cè)向刻蝕而使得光刻膠圖 案^e塌時，可以避免于主動區(qū)產(chǎn)生缺陷。


圖1A至圖1C為依照本發(fā)明實施例所繪示的迭合標記的制作流程上視圖。 圖2A至圖2C分別為依照圖1A至圖1C中的I-I剖面所繪示的迭合標記的制作流程剖面圖。
圖3為依照本發(fā)明另一實施例所繪示的迭合標記中的隔離結(jié)構(gòu)的配置示 意圖。
圖4為依照本發(fā)明再一實施例所繪示的迭合標記中的光刻膠圖案的配置 示意圖。
圖5為依照本發(fā)明又一實施例所繪示的迭合標記中的光刻膠圖案的配置 示意圖。
圖6為依照本發(fā)明又一實施例所繪示的迭合標記中的光刻膠圖案的配置
示意圖。
附圖標號100:基底
102:硬掩膜層
104、108: X方向溝渠
104a、108a: X方向隔離結(jié)構(gòu)
106、110: Y方向溝渠
106a、,110a: Y方向隔離結(jié)構(gòu)
112、116:介電層
114:導體層
118:x方向圖案
120:個Y方向圖案
122:光刻膠圖案
124:x方向間隙
126:Y方向間隙
128:矩形塊狀光刻膠圖案
130:X方向側(cè)邊
132:Y方向側(cè)邊
8
具體實施例方式
讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附 圖，作詳細說明如下。
圖1A至圖1C為依照本發(fā)明實施例所繪示的迭合標記的制作流程上視圖。
圖2A至圖2C分別為依照圖1A至圖1C中的I-I剖面所繪示的迭合標記的制 作流程剖面圖。特別一提的是，在以下對本發(fā)明的描述中，周邊區(qū)域中用來 形成迭合標記的各膜層皆是與組件區(qū)域中用來形成非易失性存儲器中的各膜 層在同一工藝步驟中形成。
首先，請同時參照圖1A與圖2A，于周邊區(qū)域的基底100上形成硬掩膜 層102?；?00例如為硅基底。硬掩膜層102的材料例如為氮化物，其形成 方法例如為化學氣相沉積法。然后，例如進行光刻工藝與刻蝕工藝，于硬掩 膜層102與基底100中形成二個X方向溝渠104、 二個Y方向溝渠106、 二 個X方向溝渠108與二個Y方向溝渠110，以作為本發(fā)明的迭合標記的前層 圖案。X方向溝渠104與Y方向溝渠106排列成第一矩形，而X方向溝渠108 與第二Y方向溝渠110排列成第二矩形，且第二矩形位于第一矩形中。X方 向溝渠104與Y方向溝渠106的寬度例如介于0.4 (am至3 (im之間。X方向 溝渠108與Y方向溝渠110的寬度例如介于3 fxm至8 pm之間。
特別一提的是，在本實施例中，X方向溝渠104與Y方向溝渠106例如 相連接，且X方向溝渠108與Y方向溝渠110例如相連接。在另一實施例中， X方向溝渠104與Y方向溝渠106可以是彼此分離，且X方向溝渠108與Y 方向溝渠110可以是彼此分離(如圖3所示)。
請繼續(xù)參照圖1A與圖2A，于基底100上形成隔離材料層(未繪示)，以填 滿X方向溝渠104、 Y方向溝渠106、 X方向溝渠108與Y方向溝渠110。繼 之，例如使用化學機械研磨法進行平坦化工藝，移除部分隔離材料層，直到 暴露出硬掩膜層102，以形成X方向隔離結(jié)構(gòu)104a、 Y方向隔離結(jié)構(gòu)106a、
9X方向隔離結(jié)構(gòu)108a與Y方向隔離結(jié)構(gòu)110a。重要的是，由于由X方向溝 渠108與第二 Y方向溝渠110排列而成的第二矩形位于由X方向溝渠104與 Y方向溝渠106排列而成第一矩形中，因此可以提高基底100的主動區(qū)的圖 案密度，進而避免在形成隔離結(jié)構(gòu)時產(chǎn)生碟狀現(xiàn)象。
然后，請同時參照圖1B與圖2B，例如進行刻蝕工藝，移除硬掩膜層102， 以暴露出基底IOO。而后，于基底100上形成介電層112，以做為非易失性存 儲器中穿隧介電層的材料。介電層112的材料例如為氧化物，其形成方法例 如為熱氧化法。繼之，于基底IOO上形成導體層114，以作為非易失性存儲器 中浮置柵極的材料。導體層114的材料例如為摻雜多晶硅其形成方法例如為 化學氣相沉積法。隨后，例如使用化學機械研磨法進行平坦化工藝，移除部 分導體層114，直到暴露出X方向隔離結(jié)構(gòu)104a、 Y方向隔離結(jié)構(gòu)106a、 X 方向隔離結(jié)構(gòu)108a與Y方向隔離結(jié)構(gòu)110a。接著，例如進行回刻蝕工藝，移 除部分X方向隔離結(jié)構(gòu)104a、 Y方向隔離結(jié)構(gòu)106a、 X方向隔離結(jié)構(gòu)108a 與Y方向隔離結(jié)構(gòu)110a，以暴露出導體層114的側(cè)壁。將導體層114的側(cè)壁 暴露出來的目的是用來增加后續(xù)所形成的控制柵極與浮置柵極之間的重迭面 積，以提高孝禹合率(coupling ratio)。
之后，請同時參照圖1C與圖2C，于基底100上共形地(conformally)形成 介電層116，以做為非易失性存儲器中柵間介電層的材料。介電層116例如是 由氧化物層/氮化物層/氧化物層所形成的復合層結(jié)構(gòu)，其形成方法例如是先以 熱氧化法形成第一層氧化物層；然后，以化學氣相沉積法于第一層氧化物層 上形成氮化物層；之后，以熱氧化法于氮化物層上形成第二層氧化物層。當 然，在其他實施例中，介電層116也可以是直接利用化學氣相沉積法形成的 氧化物層。
請繼續(xù)參照圖1C與圖2C，于介電層116上矩形圖案，此矩形圖案的側(cè) 邊則分別位于X方向隔離結(jié)構(gòu)108a與Y方向隔離結(jié)構(gòu)110a上方。詳細地說， 矩形圖案例如為光刻膠圖案，此光刻膠圖案位于組件區(qū)域時是用來作為將介電層116定義成柵間介電層的刻蝕掩膜，而位于周邊區(qū)域時是用來作為本發(fā)
明的迭合標記的當層(current layer)圖案。光刻膠圖案例如為二個X方向圖案 118與二個Y方向圖案120，其中X方向圖案118位于X方向隔離結(jié)構(gòu)108a 上方，且Y方向圖案120位于Y方向隔離結(jié)構(gòu)110a上方。由于X方向溝渠 108與Y方向溝渠110的寬度例如介于3 pm至8 (im之間，且X方向圖案118 位于X方向隔離結(jié)構(gòu)108a上方以及Y方向圖案120位于Y方向隔離結(jié)構(gòu)110a 上方，因此可以避免在后續(xù)以濕式刻蝕移除導體層114的步驟中因側(cè)向刻蝕 使得X方向圖案118或Y方向圖案120坍塌而于主動區(qū)產(chǎn)生缺陷。
特別一提的是，在本實施例中，X方向圖案118與Y方向圖案120例如 相連接。在另一實施例中，X方向圖案118與Y方向圖案120也可以是彼此 分離(如圖4所示)。
當形成上述矩形圖案后，即完成本發(fā)明的迭合標記的制作。之后，進行 對準度的量測，經(jīng)由量測二個X方向隔離結(jié)構(gòu)104a的中線與二個X方向圖案 118的中線是否重合，或者二條中線的距離是否在可容許的誤差范圍之內(nèi)，來 檢測定義柵間介電層的光刻工藝于Y方向上的對準度。同樣地，經(jīng)由量測二 個Y方向隔離結(jié)構(gòu)106a的中線與二個Y方向圖案120的中線，可以檢測定義 柵間介電層的光刻工藝于X方向上的對準度。
此外，在本實施例中是利用別位于X方向與Y方向的條狀光刻膠圖案來 作為迭合標記的當層圖案，而在另一實施例中，則可以利用光刻膠圖案122 間的條狀間隙來作為迭合標記的當層圖案(如圖5所示)，其對準度的量測方式 與本實施例相似，可經(jīng)由量測二個X方向隔離結(jié)構(gòu)(未繪示)的中線與二個X 方向間隙124的中線來檢測定義柵間介電層的光刻工藝于Y方向上的對準度， 以及經(jīng)由量測二個Y方向隔離結(jié)構(gòu)(未繪示)的中線與二個Y方向間隙126的 中線來檢測定義柵間介電層的光刻工藝于X方向上的對準度。重要的是，光 刻膠圖案122間的條狀間隙仍然是位于X方向隔離結(jié)構(gòu)108a與Y方向隔離結(jié) 構(gòu)110a上方。
ii另外，在其他實施例中，X方向圖案118與Y方向圖案120也可以使用 矩形塊狀光刻膠圖案128來作替換(如圖6所示)。矩形塊狀光刻膠圖案128位 于由X方向溝渠108與第二 Y方向溝渠110排列而成的第二矩形的上方，且 矩形塊狀光刻膠圖案128的側(cè)邊分別位于X方向隔離結(jié)構(gòu)108a與Y方向隔離 結(jié)構(gòu)110a上方。在此實施例中，可經(jīng)由量測二個X方向隔離結(jié)構(gòu)(未繪示)的 中線與矩形塊狀光刻膠圖案128的二個X方向側(cè)邊130的中線來檢測定義柵 間介電層的光刻工藝于Y方向上的對準度，以及經(jīng)由量測二個Y方向隔離結(jié) 構(gòu)(未繪示)的中線與矩形塊狀光刻膠圖案128的二個Y方向側(cè)邊132的中線來 檢測定義柵間介電層的光刻工藝于X方向上的對準度。
綜上所述，本發(fā)明于基底中形成圖案密度較大的主動區(qū)，因此可以防止 在形成隔離結(jié)構(gòu)時發(fā)生碟狀現(xiàn)象，以避免在后續(xù)工藝中作為浮置柵極材料的 導體層殘留于隔離結(jié)構(gòu)上，進而避免在量測光刻工藝的對準度的過程中所殘 留的導體層造成量測訊號的錯誤或無法量測出迭合誤差值。
此外，本發(fā)明將作為迭合標記的當層圖案的光刻膠圖案形成于隔離結(jié)構(gòu) 上，可以避免在后續(xù)以濕式刻蝕移除導體層的步驟中因側(cè)向刻蝕使得光刻膠 圖案坍塌而于主動區(qū)產(chǎn)生缺陷。
雖然本發(fā)明己以實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 技術(shù)領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許 的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1. 一種迭合標記的制作方法，適用于一非易失性存儲器工藝中，其特征在于，該迭合標記的制作方法包括于一基底中形成二第一X方向隔離結(jié)構(gòu)、二第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)、二第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與二第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)，其中所述的第一X方向隔離結(jié)構(gòu)與所述的第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列成一第一矩形，而所述的第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與所述的第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列成一第二矩形，且該第二矩形位于所述的第一矩形中；依序于所述的基底上形成一第一介電層與一導體層；進行一第一平坦化工藝，移除部分所述的導體層，直到暴露出所述的第一X方向隔離結(jié)構(gòu)、所述的第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)、所述的第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與所述的第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)；于所述的基底上形成一第二介電層；以及于所述的第二介電層上形成一矩形圖案，該矩形圖案的側(cè)邊分別位于所述的第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與所述的第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)上方。
2. 如權(quán)利要求1所述的迭合標記的制作方法，其特征在于，所述的第二 X方向隔離結(jié)構(gòu)與所述的第二 Y方向隔離結(jié)構(gòu)的寬度介于3 pm至8 pm之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的迭合標記的制作方法，其特征在于，所述的第一 X方向隔離結(jié)構(gòu)與所述的第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)的寬度介于0.4 pm至3 pm之 間。
4. 如權(quán)利要求1所述的迭合標記的制作方法，其特征在于，所述的矩形 圖案為一光刻膠圖案。
5. 如權(quán)利要求l所述的迭合標記的制作方法，其特征在于，所述的矩形 圖案為一光刻膠圖案中的間隙。 ，
6. 如權(quán)利要求1所述的迭合標記的制作方法，其特征在于，所述的矩形圖案包括二 X方向圖案與二 Y方向圖案，其中所述的X方向圖案分別位于所述的第二 X方向隔離結(jié)構(gòu)上方，且所述的Y方向圖案分別位于所述的第二 Y方向隔離結(jié)構(gòu)上方。
7. 如權(quán)利要求1所述的迭合標記的制作方法，其特征在于，形成所述的 第一X方向隔離結(jié)構(gòu)、所述的第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)、所述的第二X方向隔離 結(jié)構(gòu)與所述的第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)的方法包括于所述的基底上形成一硬掩膜層；于所述的硬掩膜層與所述的基底中形成二第一 X方向溝渠、二第一 Y方 向溝渠、二第二X方向溝渠與二第二Y方向溝渠； 于所述的基底上形成一隔離材料層；進行一第二平坦化工藝，移除部分所述的隔離材料層，直到暴露出所述 的硬掩膜層；以及移除所述的硬掩膜層。
8. 如權(quán)利要求1所述的迭合標記的制作方法，其特征在于，在進行所述的第一平坦化工藝之后以及在形成所述的第二介電層之前，還包括進行一回 刻蝕工藝，移除部分所述的第一X方向隔離結(jié)構(gòu)、所述的第一Y方向隔離結(jié) 構(gòu)、所述的第二 X方向隔離結(jié)構(gòu)與所述的第二 Y方向隔離結(jié)構(gòu)。
9. 如權(quán)利要求1所述的迭合標記的制作方法，其特征在于，所述的第一 介電層的材料包括氧化物。
10. 如權(quán)利要求1所述的迭合標記的制作方法，其特征在于，所述的第二 介電層的材料包括氧化物/氮化物/氧化物。
11. 一種迭合標記，適用于一非易失性存儲器中，其特征在于，該迭合標 記包括二第一X方向隔離結(jié)構(gòu)、二第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)、二第二X方向隔離結(jié) 構(gòu)與二第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)，配置于一基底中，其中所述的第一X方向隔離 結(jié)構(gòu)與所述的第一 Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列成一第一矩形，而所述的第二 X方向隔離結(jié)構(gòu)與所述的第二 Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列成一第二矩形，且該第二矩形位 于所述的第一矩形中；一第一介電層，配置于所述的基底的表面上；以及一導體層，配置于所述的第一介電層上。
12. 如權(quán)利要求ll所述的迭合標記，其特征在于，所述的第二X方向隔 離結(jié)構(gòu)與所述的第二 Y方向隔離結(jié)構(gòu)的寬度介于3 (Lim至8 fim之間。
13. 如權(quán)利要求ll所述的迭合標記，其特征在于，所述的第一X方向隔 離結(jié)構(gòu)與所述的第一 Y方向隔離結(jié)構(gòu)的寬度介于0.4 pm至3 (am之間。
14. 如權(quán)利要求ll所述的迭合標記，其特征在于，該迭合標記還包括 一第二介電層，共形地配置于所述的基底上；以及一矩形圖案配置所述的第二介電層上，該矩形圖案的側(cè)邊分別位于所述 的第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與所述的第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)上方。
15. 如權(quán)利要求14所述的迭合標記，其特征在于，所述的矩形圖案包括 二 X方向圖案與二 Y方向圖案，其中所述的X方向圖案分別位于所述的第二 X方向隔離結(jié)構(gòu)上方，且所述的Y方向圖案分別位于所述的第二 Y方向隔離 結(jié)構(gòu)上方。
16. 如權(quán)利要求14所述的迭合標記，其特征在于，所述的矩形圖案為光 刻膠圖案。
17. 如權(quán)利要求14所述的迭合標記，其特征在于，所述的矩形圖案為光 刻膠圖案中的間隙。
全文摘要
本發(fā)明提供一種迭合標記及其制作方法。該方法包括于基底中形成二個第一X方向隔離結(jié)構(gòu)、二個第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)、二個第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與二個第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)，其中第一X方向隔離結(jié)構(gòu)與第一Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列成第一矩形，而第二X方向隔離結(jié)構(gòu)與第二Y方向隔離結(jié)構(gòu)排列成第二矩形，且第二矩形位于第一矩形中。依序于基底上形成第一介電層與導體層。進行平坦化工藝，移除部分導體層，直到暴露出上述的隔離結(jié)構(gòu)。于基底上形成第二介電層。于第二介電層上矩形圖案，此矩形圖案的側(cè)邊分別位于上述的隔離結(jié)構(gòu)上方。
文檔編號H01L21/00GK101510497SQ20081000555
公開日2009年8月19日 申請日期2008年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月15日
發(fā)明者蔡高財, 陳敏鴻 申請人:華邦電子股份有限公司