專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光裝置和封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置和封裝結(jié)構(gòu)，尤其關(guān)于一種具有外接光 學(xué)元件的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，此光學(xué)元件的折射系數(shù)大于或接近于發(fā)光結(jié)構(gòu)的 透明基板的折射系數(shù)，或介于透明基板的折射系數(shù)與封裝材料的折射系數(shù)之間。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode; LED )是一種固態(tài)物理半導(dǎo)體元件， 其至少包含p-n結(jié)(p-n junction ),此p-n結(jié)形成于p型與n型半導(dǎo)體層之間。 當(dāng)于p-n結(jié)上施加一定程度的偏壓時，p型半導(dǎo)體層中的空穴與n型半導(dǎo)體 層中的電子將會結(jié)合而釋放出光。此光產(chǎn)生的區(qū)域一般又稱為發(fā)光區(qū) (light-emitting region )。
發(fā)光區(qū)所產(chǎn)生的光朝各個方向前進。然而，使用者通常僅需要特定方向 的光，而需要利用反射層或鏡面反射部分的光線。此外，LED材料與環(huán)境介 質(zhì)間的折射系數(shù)差異會造成照射在LED邊界的光線在特定入射角下產(chǎn)生全 反射。一^l殳來說，上述各種形式的被反射光難以避免地會再行經(jīng)LED內(nèi)部。
如圖1A所示，已知發(fā)光二極管100包括基板110與外延層130。外延 層130中包括發(fā)光層131。發(fā)光層131在承受一偏壓下會朝各個方向發(fā)射光 線。外延層130與基板110間形成反射層150以反射來自發(fā)光層131的光線。
射線Rl射向發(fā)光二極管100上方，當(dāng)環(huán)境介質(zhì)的折射系數(shù)小于發(fā)光二 極管100的折射系數(shù)，且入射角大于臨界角，射線R,會在外延層130的邊 界全反射而返回外延層130內(nèi)部。當(dāng)射線R,穿過發(fā)光層131時，部分的射 線&會被發(fā)光層131吸收。另 一部分未被吸收的射線R,會照射到反射層150 且凈皮反射向上而再次穿過發(fā)光層131。如此，射線R，在外延層130內(nèi)振蕩并 反復(fù)行經(jīng)發(fā)光層131而逐漸被吸收。在相同機制下，射向發(fā)光二極管100下 方的射線R2亦在外延層130內(nèi)振蕩并反復(fù)行經(jīng)發(fā)光層131而逐漸被吸收?！?br> 如圖IB所示，發(fā)光二極管100的基板110與外延層130間不形成反射
4層，且基板110相對于發(fā)光層131所發(fā)的光為透明?；?10下方可以設(shè)置 鏡面(未顯示)或僅為空氣。自基板110底面被反射的射線R3，若以大于臨 界角9c的入射角e^照射基板110的側(cè)壁，射線R3將被反射回外延層130內(nèi) 部。部分返回外延層130的射線Rg被發(fā)光層131吸收。如上所述，射線R3 在外延層130的邊界可能會被全反射而返回外延層130內(nèi)部，并在外延層130 內(nèi)振蕩并反復(fù)行經(jīng)發(fā)光層131而逐漸被吸收。被發(fā)光層131所吸收的光線在 某些程度上勢將降低發(fā)光二極管100的光摘出效率(light extraction e伍ciency)。特別在小型管芯，如8mil和lOmil,其焊墊所占面積相對于芯 片的出光面積比率升高，光會被焊墊反射而在芯片內(nèi)行進，導(dǎo)致許多光因為 經(jīng)過外延層130而被吸收；或是焊墊本身將光吸收，光摘出效率明顯降低。
如圖1C所示的發(fā)光二極管具有外延層130,其上方設(shè)有漫射罩120，位 于下方的GaAs基板140下接透明基板110;而該外延層130所發(fā)出的射線 R4則經(jīng)由側(cè)方的透明樹脂160向側(cè)邊出光。由于透明基板110通常熱阻系數(shù) 較高，導(dǎo)致發(fā)光二極管散熱不易。
在發(fā)光二極管應(yīng)用方面，以液晶顯示器(LCD)的主要元件的背光模塊 (BLU)為例，其光源以高亮度、低耗電、薄型化與輕量化的點光源為主。除 傳統(tǒng)的電致發(fā)光EL (Electro Luminescence),冷陰才及焚光燈CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp)與熱陰極熒光燈HCFL，發(fā)光二極管亦為背光模塊 最常使用的點光源。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置以及一種封裝結(jié)構(gòu)，可以減少被半導(dǎo)體 疊層吸收的光線。
本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置包含發(fā)光結(jié)構(gòu)與外接的光學(xué)元件。發(fā)光結(jié)構(gòu)包 含半導(dǎo)體疊層與透明基板。光學(xué)元件與發(fā)光結(jié)構(gòu)的周邊相連接，且光學(xué)元件 的折射系數(shù)大于或接近于透明基板的折射系數(shù)，或介于透明基板的折射系數(shù) 與封裝材料的折射系數(shù)之間。發(fā)光結(jié)構(gòu)承受偏壓時會發(fā)出光線，部分光線會 經(jīng)由透明基板射入光學(xué)元件，光學(xué)元件可以增加發(fā)光結(jié)構(gòu)的光摘出效率。該 發(fā)光結(jié)構(gòu)下方與環(huán)境介質(zhì)或散熱材料相接觸，通過熱對流及熱傳導(dǎo)等方式提 升散熱效率。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置特別適用于p型與n型焊墊占 據(jù)表面積50%以上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)，特別適用于發(fā)光結(jié)構(gòu)，至少包含光學(xué)元件、基座。 光學(xué)元件連接于基座上，光學(xué)元件與基座間可以選擇性地設(shè)置一反射結(jié)構(gòu)。


圖1A 1C顯示已知發(fā)光二極管內(nèi)的光跡圖。
圖2A顯示依據(jù)本發(fā)明 一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的俯視圖。
圖2B顯示圖2A的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖面圖。
圖2C顯示圖2A的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的光跡圖。
圖2D顯示依據(jù)本發(fā)明另 一 實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖面圖。
圖2E顯示依據(jù)本發(fā)明另 一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖面圖。
圖3A 3F顯示依據(jù)本發(fā)明另 一 實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖面圖。
圖4A顯示依據(jù)本發(fā)明另 一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的俯視圖。
圖4B顯示圖4A的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖面圖。
圖5A顯示采用本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖5B顯示圖5A的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖6A顯示采用本發(fā)明另 一實施例的封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖6B顯示圖6A的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖6C顯示采用本發(fā)明另 一 實施例的封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖6D顯示圖6C的封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。
附圖標(biāo)記說明
100發(fā)光二極管 110基板 130外延層 140 GaAs基板 150反射層 160透明樹脂 200半導(dǎo)體發(fā)光裝置 210光學(xué)元件 211第一表面 212第二表面
6213第三表面 220發(fā)光結(jié)構(gòu) 221半導(dǎo)體疊層 222透明基板 223發(fā)光層 230p型焊墊 240n型焊墊 250第一反射層 260第二反射層 270膠 300封裝結(jié)構(gòu) 310第三反射層 311第一表面 312第二表面 320導(dǎo)線 330反射結(jié)構(gòu) 331內(nèi)壁 340基座 T-T，割面線
具體實施例方式
如圖2A-2B所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置200包含光學(xué)元件210與發(fā) 光結(jié)構(gòu)220。發(fā)光結(jié)構(gòu)220，例如發(fā)光二極管管芯，包含半導(dǎo)體疊層221與 透明基板222,其中半導(dǎo)體疊層221還包括發(fā)光層223。當(dāng)發(fā)光結(jié)構(gòu)220承 受偏壓時，發(fā)光層223會產(chǎn)生光線。光學(xué)元件210環(huán)繞發(fā)光結(jié)構(gòu)220,以其 內(nèi)壁與發(fā)光結(jié)構(gòu)220相連接，并曝露發(fā)光結(jié)構(gòu)220至少部分的上或下表面。 發(fā)光結(jié)構(gòu)下方與環(huán)境介質(zhì)或散熱材料相接觸，通過熱對流及熱傳導(dǎo)等方式達 到散熱效果。光學(xué)元件210可在結(jié)構(gòu)工藝中一并形成，或獨立于發(fā)光結(jié)構(gòu)形 成，例如獨立形成光學(xué)元件210后，再將光學(xué)元件210與發(fā)光結(jié)構(gòu)22;0接合。
本發(fā)明中，發(fā)光層223的材料包含但不限于III-V族、II-VI族、IV族的 元素或其組合。光學(xué)元件210的折射系數(shù)n。大于或近于透明基板222的折射
7系數(shù)"，或介于透明基板222的折射系數(shù)ns與封裝材料的折射系數(shù)ne之間。 因此，光線有較大的機率可以經(jīng)由透明基板222自光學(xué)元件210射出，而相 對地減少反射回半導(dǎo)體疊層221的光線，亦即，降低了被半導(dǎo)體疊層221吸
收的光量。
如圖2C所示，射線115自發(fā)光層223射向透明基板222的底面并朝光學(xué) 元件210反射。由于光學(xué)元件210的折射系數(shù)n。大于或近于透明基板222 的折射系數(shù)iV因此，射線R5不易如已知技術(shù)一般向半導(dǎo)體疊層221反射， 而有較大機率進入光學(xué)元件210，因此降低射線Rs被半導(dǎo)體疊層221吸收的機率。
本實施例中，光學(xué)元件210的第一表面211與第二表面212為平滑表面。 但光線在照射光學(xué)元件210與環(huán)境空氣的界面時，由于折射系數(shù)的差異，可 能會遭遇全反射的問題。若此界面為粗糙或不平整，光線在此界面上會被散 射。所以，遭遇全反射的光線減少，光摘出效率因而提高。因此優(yōu)選地如圖 2D所示，在第一表面211與第二表面212形成粗糙面或非平整面，由此提 升光摘出效率。粗糙面或非平整面可為規(guī)則或不規(guī)則的圖形，如菲涅耳 (Fresnel)表面，端視所需而設(shè)計。上述實施例的電極或焊墊位于發(fā)光結(jié)構(gòu)的 同側(cè)，然而如圖2E所示，電極或焊墊位置并不限于發(fā)光結(jié)構(gòu)的同側(cè)。
在另一實施例中，透明基板222具有不同面積的上下表面，形成如倒梯 形(inverted-trapezoid )、 梯形(trapezoid)或平截頭體(frustum)等特殊形 狀。為增加光摘出效率，光學(xué)元件210亦可以形成為以上列舉的各種外型或 其組合。
如圖3A所示，在本實施例中，第一表面311相對于第二表面312傾斜 0a角度，射線R6因此較容易進入臨界角0c的范圍內(nèi)，而得以脫離光學(xué)元件 210。此外，如圖3B 3F所示，第二表面312為一斜面，或第一表面311和 第二表面312同時為斜面。為提升光摘出效率，第一表面311與第二表面312 亦可形成粗糙面或非平整面。除此之外，光學(xué)元件210亦可配合實際應(yīng)用所 需，環(huán)繞于發(fā)光結(jié)構(gòu)220四周或與其至少一側(cè)相接。
一種制造上述實施例的方法，若光學(xué)元件210為藍寶石，則以激光在該 光學(xué)元件的中心位置形成略大于該透明基板222的通孔，以膠結(jié)合方式將發(fā) 光結(jié)構(gòu)220與光學(xué)元件210相連接。惟膠270相對于透明基板222所發(fā)的光 為透明，而且膠270的折射系數(shù)nb近于透明基板222的折射系數(shù)rv或介于Ils與n。之間。
本發(fā)明的透明基板222的材料可以為導(dǎo)體或絕緣體，如碳化硅(SiC)、 磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、藍寶石(sapphire )、或硒化鋅(ZnSe)。上 述膠結(jié)合所使用的膠270包含但不限于旋涂玻璃(SOG)、硅膠(silicone)、苯 并環(huán)丁烯(BCB)、環(huán)氧樹脂(epoxy)、聚亞酰胺(polyimide)、過氟環(huán)丁烯 (PFCB)、 Su8膠、樹脂或上述材料的組合。上述的光學(xué)元件210的材料包含 但不限于碳化硅(SiC)、磷化鎵(GaP)、 CVD鉆石、鉆石、樹脂、氧化鋯(Zr02)、 尖晶石、氮氧化鋁(AION)或藍寶石(sapphire);其中，樹脂優(yōu)選地為Su8膠。
若該光學(xué)元件210為樹脂，可直接環(huán)繞于該發(fā)光結(jié)構(gòu)220的側(cè)壁，或?qū)?該發(fā)光結(jié)構(gòu)220嵌入一樹脂層，再將發(fā)光結(jié)構(gòu)220下方的多余樹脂層移除。 除此之外，可在成長基板上的半導(dǎo)體疊層中形成多個孔，并形成樹脂層于孔 中，自孔處切割半導(dǎo)體疊層與成長基板，再移除成長基板而形成發(fā)光二極管 管芯，如此可以形成具有環(huán)繞發(fā)光結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件210，詳細說明可參考本 申請的申請人的中國臺灣專利申請案第94101800號與第94101801號。然而， 在本申請中，若成長基板為透明，則可以選擇保留不移除，再搭配環(huán)繞發(fā)光 結(jié)構(gòu)周圍與位于成長基板上側(cè)的光學(xué)元件210，可以提高光線離開管芯的機 會。再者，光學(xué)元件亦可以環(huán)繞于半導(dǎo)體疊層與成長基板周圍。甚或，通過 上述方法，可以于孔中形成具有不同折射系數(shù)的樹脂層，以降低全反射提高 光線離開機率。惟優(yōu)選者，樹脂的折射系數(shù)大于或近于透明基板222的折射 系數(shù)，或介于透明基板222的折射系數(shù)與封裝材料的折射系數(shù)之間。在理想 狀況下，當(dāng)n^n^n?；騨^n。，全反射將不會于上述結(jié)構(gòu)內(nèi)部發(fā)生，特別是當(dāng) ns = n。 = nb。另一方面，當(dāng)n。略小于或等于rv但n。略大于rie，光摘出效率 可獲得提升。當(dāng)n。略小于或等于rv而且nb略小于或等于rv但n。略大于 ne,可增加光經(jīng)由光學(xué)元件210出光的機率。同樣地，當(dāng)nb略小于或等于n。， 而且n。略小于或等于ns，但 略大于rie且膠的厚度夠薄，光摘出效率亦可 提升。
另一方面，在市場需求與成本考量之下，半導(dǎo)體發(fā)光管芯的尺寸逐趨縮 小。然而，焊墊的尺寸仍有一定的限制。 一般而言，焊墊是不透光的，因此， 被焊墊所遮蔽的發(fā)光結(jié)構(gòu)220的表面積比例相對增加；換言之，管芯出光的 面積將減少。如圖4A所示，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特別適用于被p型焊墊230與n 型焊墊240所遮蔽的發(fā)光結(jié)構(gòu)220的表面積50%以上的半導(dǎo)體發(fā)光管芯。如
9圖4B所示，在焊墊下方設(shè)有第一反射層250與第二反射層260,將射向p 型焊墊230與n型焊墊240的射線R7反射至透明基板222或光學(xué)元件210 出光，降低焊墊吸光的機率，提升光摘出效率。在相同構(gòu)思下，焊墊可為不 透光電極或其他具有相同功效的替代結(jié)構(gòu)，本實施例依然適用。
如上所述的光學(xué)元件210亦可以適用于一封裝結(jié)構(gòu)中。如圖5A-5B所示， 封裝結(jié)構(gòu)300,特別適用于發(fā)光結(jié)構(gòu)200，至少包含基座340與光學(xué)元件210。 其中，光學(xué)元件210位于基座340之上，基座340可選擇性地包含至少一導(dǎo) 線320。光學(xué)元件210的下可以選擇性地形成第三反射層310或朗伯表面 (Lambertian Surface)以反射光線，再以封裝材料覆蓋上述結(jié)構(gòu)。波長轉(zhuǎn)換材 料可選擇性地包含于光學(xué)元件210或封裝材料(未顯示)中，或覆蓋于發(fā)光二 極管管芯上以轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管管芯的原始色光。該波長轉(zhuǎn)換材料包含熒光 粉、有機半導(dǎo)體、II-VI族或III-V族半導(dǎo)體、納米晶體、染料和聚合物。封 裝過程中，光學(xué)元件210可以先設(shè)置于基座340后再與發(fā)光結(jié)構(gòu)220結(jié)合， 因此，使用 一般市面上取得的發(fā)光二極管管芯便可以完成本發(fā)明的發(fā)光裝 置。
第一反射層250、第二反射層260與第三反射層310的材料為金屬、氧 化物、上述材料的合成或其他可反射光的材料。更佳地，第一反射層250、 第二反射層260與第三反射層310的材料選自銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)、金(Au)、 柏(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈥(Ti)、錫(Pb)、鍺(Ge)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈹化金 (AuBe)、鍺化金(AuGe)、鋅化金(AuZn)、錫化鉛(PbSn)、氮化硅(SiNx)、氧 化硅(Si02)、三氧化二鋁(八1203)、氧化鈦(Ti02)與氧化鎂(MgO)所構(gòu)成的組。
如圖6A-6B所示，在上述的封裝結(jié)構(gòu)300中的光學(xué)元件210另配置一反 射結(jié)構(gòu)330,反射結(jié)構(gòu)330包含內(nèi)壁331。射向反射結(jié)構(gòu)330的光，被內(nèi)壁 331反射；向上射出的光被焊墊230、 240下方的第一反射層250與第二反射 層260反射；向下發(fā)射的光亦因與反射層310相遇而被反射。最終，光線回 到第三表面213集中出光。如圖6C-6D所示，將基板222與半導(dǎo)體疊層221 和反射結(jié)構(gòu)330的內(nèi)壁331相接的側(cè)面以膠270 4妄合，基板222與半導(dǎo)體疊 層221未與反射結(jié)構(gòu)330相接的側(cè)面則與光學(xué)元件210接合。當(dāng)nb ns,在 基板222與膠270的界面會產(chǎn)生全反射，導(dǎo)致發(fā)光結(jié)構(gòu)220所發(fā)的光全經(jīng)由 光學(xué)元件210向外出光；而且n?！祅e,光摘出效率獲得提升。換言之，此結(jié) 構(gòu)可限定發(fā)光結(jié)構(gòu)220所發(fā)的光的出光方向。本發(fā)明可在其發(fā)明精神下，依
10據(jù)所需進行修改及變化。
上述反射結(jié)構(gòu)330的內(nèi)壁331包含具有布拉格反射層(DBR)或朗伯表面 等反射特性的反射層，用以反射射向反射結(jié)構(gòu)330的光。反射結(jié)構(gòu)330的材 料為金屬、氧化物、上述材料的合成或其他可反射的材料。更佳地，反射結(jié) 構(gòu)330的材料選自銦(In)、錫(Sn)、鋁(A1)、金(Au)、柏(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、 鈦(Ti)、錫(Pb)、鍺(Ge)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈹化金(AuBe)、鍺化金(AuGe)、 鋅化金(AuZn)、錫化鉛(PbSn)、氮化硅(SiNJ、氧化硅(SiO。、三氧化二鋁 (A1203)、氧化鈦(Ti02)與氧化鎂(MgO)所構(gòu)成的組。
本發(fā)明正符合高亮度、低耗電、薄型化與輕量化的點光源的特性，可應(yīng)
用于背光模塊。除此之外，本發(fā)明亦可廣泛地運用于各種顯示器與發(fā)光裝置， 為其主要零件。
發(fā)明。任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情況 下，對上述實施例進行修改及變化。因此本發(fā)明的權(quán)利保護范圍如所附的權(quán) 利要求所列。
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權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包含發(fā)光結(jié)構(gòu)，包含半導(dǎo)體疊層，包含發(fā)光層；及透明基板，位于該半導(dǎo)體疊層的下方；及光學(xué)元件，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)周邊，并曝露該發(fā)光結(jié)構(gòu)至少部分的上或下表面，其中該光學(xué)元件具有相對的第一表面與第二表面。
2、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該光學(xué)元件的折射系數(shù)選自不小于該透明基板的折射系數(shù)、接近于該透明基板的折射系數(shù)與介于該透明基板與封裝材料間的折射系數(shù)所組成的組。
3、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該第一表面與第二表面包含一非平整表面。
4、 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中至少該第一表面與第二表面其中之一包含一斜面。
5、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該光學(xué)元件環(huán)繞該發(fā)光結(jié)構(gòu)。
6、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該透明基板還包含反射層，位于該光學(xué)元件的下方。
7、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該透明基板還包含散熱層，位于該光學(xué)元件的下方。
8、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包含波長轉(zhuǎn)換材料，覆蓋于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上。
9、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包含波長轉(zhuǎn)換材料，覆蓋于該光學(xué)元件上。
10、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該光學(xué)元件還包含波長轉(zhuǎn)換材料。
11、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包含基座，位于該光學(xué)元件的下方；及 、反射層，位于該基座與該光學(xué)元件之間。
12、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包含膠，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)與該光學(xué)元件之間。
13、 如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該膠的材料選自旋涂玻璃、硅膠、苯并環(huán)丁烯、環(huán)氧樹脂、聚亞酰胺、過氟環(huán)丁烯、Su8膠與樹脂所構(gòu)成的組。
14、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該光學(xué)元件的材料選自碳化硅、磷化鎵、CVD鉆石、鉆石、樹脂、氧化鋯、尖晶石、氮氧化鋁與藍寶石所構(gòu)成的組。
15、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該透明基板的材料選自碳化硅、磷化鎵、磷砷化鎵、藍寶石與硒化鋅所構(gòu)成的組。
16、 一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包含發(fā)光結(jié)構(gòu)，包含半導(dǎo)體疊層，包含發(fā)光層；及透明基板，位于該半導(dǎo)體疊層的下方；至少一不透光電極，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上，其中該不透光電極遮蔽該發(fā)光結(jié)構(gòu)50%以上的表面積；及光學(xué)元件，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)周邊，并曝露該發(fā)光結(jié)構(gòu)至少部分的上或下表面，其中該光學(xué)元件具有相對的第一表面與第二表面。
17、 如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，該光學(xué)元件的折射系數(shù)選自不小于該透明基板的折射系數(shù)、接近于該透明基板的折射系數(shù)與介于該透明基板與封裝材料間的折射系數(shù)所組成的組
18、 如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中該不透光電極下方設(shè)置有反射層。
19、 一種封裝結(jié)構(gòu)，包含基座；及光學(xué)元件，位于該基座之上方，具有一通孔；其中，該基座與該光學(xué)元件中間可選擇性地設(shè)置一反射層。
20、 如權(quán)利要求19所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包含如權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，位于該通孔之中。
21、 如權(quán)利要求20所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包含反射結(jié)構(gòu)，位于該基座之上方，包含有一內(nèi)壁，其中該內(nèi)壁包含一反射層。
全文摘要
本發(fā)明披露一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置和封裝結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有發(fā)光結(jié)構(gòu)以及光學(xué)元件。光學(xué)元件環(huán)繞連接發(fā)光結(jié)構(gòu)，且光學(xué)元件的折射系數(shù)大于或接近于該發(fā)光結(jié)構(gòu)的透明基板，或介于透明基板的折射系數(shù)與封裝材料的折射系數(shù)之間。本發(fā)明可以減少被半導(dǎo)體疊層吸收的光線。
文檔編號H01L33/00GK101488542SQ20081000264
公開日2009年7月22日 申請日期2008年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月14日
發(fā)明者謝明勛 申請人:晶元光電股份有限公司