專利名稱：采用法蘭式結(jié)構(gòu)的高頻終端阻抗的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分的高頻終端阻抗，具 有法蘭體和設(shè)置在法蘭體上的平面的層結(jié)構(gòu)，該層結(jié)構(gòu)在基片的頂面 上具有一用于將高頻能量轉(zhuǎn)化成熱的阻抗層、 一用于輸送高頻能量的 輸入印制導(dǎo)線和一用于與法蘭體上的接地觸點(diǎn)電連接的接地印制導(dǎo) 線，其中輸入印制導(dǎo)線與阻抗層的第一端電連接，接地印制導(dǎo)線與阻 抗層的位于第一端對面的第二端電連接，基片以背離層結(jié)構(gòu)的支承面 貼靠在法蘭體上。
背景技術(shù)：
采用法蘭式結(jié)構(gòu)的寬帶的高頻終端阻抗用于引出高損耗線。已知 的是，在基片上設(shè)有阻抗結(jié)構(gòu)，該基片設(shè)置在法蘭體上，法蘭體形成 接地觸點(diǎn)。為了產(chǎn)生阻抗結(jié)構(gòu)與法蘭體的接地觸點(diǎn)的電連接，在此需 要形成圍繞基片的邊緣環(huán)繞接觸，或者設(shè)有用于接地的基片通孔敷鍍。 然而兩者都比較繁瑣且成本高昂。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，在結(jié)構(gòu)和制造方面對上述類型的高頻終端阻 抗加以改善，同時高頻終端阻抗的電特性不會惡化，而是相反得到改 善。
根據(jù)本發(fā)明，所述目的通過具有權(quán)利要求1的特征部分的特征的 上述類型的高頻終端阻抗得以實(shí)現(xiàn)。有利的發(fā)明改進(jìn)在其它權(quán)利要求 中說明。
對于上述類型的高頻終端阻抗而言，根據(jù)本發(fā)明提出，法蘭體在 基片上的接地印制導(dǎo)線所面向的第一邊緣在沿著平行于該邊緣的方向的至少一個預(yù)定的區(qū)段上以及在沿著垂直于該邊緣的方向的一個預(yù)定 的區(qū)段上彎曲，從而法蘭體的彎曲區(qū)段延伸到在由基片的支承面所規(guī) 定的第一平面和由基片頂面所規(guī)定的第二平面之間的空間中，其中基 片以一個使得基片的支承面與基片的頂面連接且在基片頂面上的接地 印制導(dǎo)線所面向的側(cè)面與法蘭體的彎曲區(qū)段接觸。
這具有如下優(yōu)點(diǎn)，即為了產(chǎn)生在接地印制導(dǎo)線和法蘭體上的接地 觸點(diǎn)之間的電接觸，無需圍繞基片側(cè)面進(jìn)行成本高昂的邊緣環(huán)繞接觸， 而是該電接觸可以在其上設(shè)有基片上的接地印制導(dǎo)線的第二平面、即 基片頂面上以簡單的方式通過接地印制導(dǎo)線與法蘭體的彎曲區(qū)段的電 連接來產(chǎn)生。
在接地印制導(dǎo)線和法蘭體彎曲區(qū)段之間特別簡單地產(chǎn)生的電接觸 通過如下措施來實(shí)現(xiàn)，即法蘭體彎曲區(qū)段從第一平面突起直至至少伸 到第二平面，或者突出于該第二平面，從而法蘭體彎曲區(qū)段的至少一 部分延伸至與接地印制導(dǎo)線相鄰的第二平面。
合乎目的的是，法蘭體彎曲區(qū)段沿著平行于第一邊緣的方向的長 度至少等于基片寬度。
由于法蘭體上的彎曲區(qū)段具有至少兩個凸起部，這些凸起部的沿 著平行于法蘭體第一邊緣的方向的間距等于基片寬度，且這些凸起部 從突出部分延伸到在第一平面和第二平面之間的空間中，所以實(shí)現(xiàn)了 對基片的兩側(cè)接觸，其在基片與法蘭體固定之前已經(jīng)將基片的在法蘭 體上的位置固定。
合乎目的的是，彎曲區(qū)段與第一平面在面向基片的側(cè)面上夾成卯。角。
為了確保彎曲區(qū)段與基片接觸，彎曲區(qū)段與第一平面在面向基片
的側(cè)面上夾成大于90°的、特別是為86°至80。的角度。


下面對照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。圖中示出
圖1為本發(fā)明的高頻終端阻抗的一種優(yōu)選的實(shí)施方式的俯視圖；圖2為根據(jù)圖1的高頻終端阻抗的側(cè)視圖3為本發(fā)明的高頻終端阻抗的法蘭體的俯視圖4為根據(jù)圖3的法蘭體的側(cè)視圖5詳細(xì)示出圖4的Z部分；和
圖6為根據(jù)圖3的法蘭體的展開視圖。
具體實(shí)施例方式
在圖l和2中所示的本發(fā)明的采用法蘭式結(jié)構(gòu)的高頻終端阻抗的 優(yōu)選實(shí)施方式包括一法蘭體10，在法蘭體10上設(shè)置一基片12。在基 片12的頂面14上設(shè)置一層結(jié)構(gòu)，該層結(jié)構(gòu)具有用于將高頻能量轉(zhuǎn) 化成熱的阻抗層16;用于輸送高頻能量的輸入印制導(dǎo)線18;和用于與 法蘭體IO上的接地觸點(diǎn)電連接的接地印制導(dǎo)線20。輸入印制導(dǎo)線18 與阻抗層16的第一端電連接。接地印制導(dǎo)線20與阻抗層16的位于第 一端對面的第二端電連接?；?2以背離層結(jié)構(gòu)16、 18、 20的支承 面22貼靠在法蘭體10上。
法蘭體10具有一邊緣24，其中具有設(shè)置于其上的層結(jié)構(gòu)16、 18、 20的基片12以如下方式設(shè)置在法蘭體10上，即使得接地印制導(dǎo)線 20面向邊緣24。
基片12的支承面22規(guī)定為第一平面，基片12的頂面14規(guī)定為 第二平面。
如由圖3至6還可看到，邊緣24在沿著平行于邊緣24的方向的 一個預(yù)定的區(qū)段上，以及在沿著垂直于邊緣24的方向的一個預(yù)定的區(qū) 段上彎曲。在圖中所示的示例性的實(shí)施方式中，平行于邊緣24的預(yù)定 區(qū)段延伸經(jīng)過邊緣24的整個長度。然而平行于邊緣24的該預(yù)定區(qū)段 替代地也可以只延伸經(jīng)過邊緣24的長度的一部分，例如延伸經(jīng)過的長 度等于基片12的沿著平行于邊緣24的方向的寬度。
法蘭體10的彎曲區(qū)段26如下構(gòu)造和彎曲，即彎曲區(qū)段26至少 延伸到在第一平面和第二平面之間的空間中。在所示的示例性的實(shí)施 方式中，彎曲區(qū)段26完全穿過在第一平面和第二平面之間的空間延伸至第二平面，且進(jìn)一步超過第二平面。但也可以使得彎曲區(qū)段26恰好 延伸至第二平面，或者已經(jīng)終止于在第一平面和第二平面之間的空間 中。
通過使基片12的頂面14與基片12的支承面22連接的、基片12 的較短的側(cè)面28與法蘭體10的彎曲區(qū)段26接觸。較短的側(cè)面28是 基片12的在基片12的頂面14上的接地印制導(dǎo)線20所面向的側(cè)面。 為了在任何情況下都確保較短側(cè)面28與法蘭體10的彎曲區(qū)段26的接 觸，特別有利的是，法蘭體10的彎曲區(qū)段26相對于法蘭體10彎曲大 于卯。。此時，在法蘭體10的彎曲區(qū)段26和基片頂面或者由頂面規(guī) 定的在面向基片12的一側(cè)的第二平面之間的角度小于90。，例如為86° 至80°。換句話說，在法蘭體10的彎曲區(qū)段26和基片12的頂面14 的垂線32之間的角度30為4°至10°。
在法蘭體10的彎曲區(qū)段26上還設(shè)有兩個凸起部34，這些凸起部 突出于彎曲區(qū)段26的端部，并相對于彎曲區(qū)段26彎曲例如為45°的 另一角度36。由此這些凸起部34又伸回到在第一平面和第二平面之 間的空間中。這些凸起部34的沿著平行于法蘭體10的邊緣24的方向 的間距約等于基片12的沿著平行于邊緣24的方向的寬度。由此使得 基片12的在法蘭體10上的且相對于彎曲區(qū)段26的位置通過在凸起部 34之間的定位而被固定，并便于將基片12安裝在法蘭體10上。
法蘭體10的彎曲區(qū)段26形成用于接地印制導(dǎo)線20的接地觸點(diǎn)。 由于彎曲區(qū)段26延伸至在第一平面和第二平面之間的空間中，可簡單 地產(chǎn)生在接地印制導(dǎo)線20和彎曲區(qū)段26之間的電接觸，而無需圍繞 基片12的較短側(cè)面28的完全的邊緣環(huán)繞接觸。在所示的示例性的實(shí) 施方式中，彎曲區(qū)段26突出于第二平面或基片12的頂面14，從而可 以直接在一個平面上，即在第二平面也就是基片12的頂面14上產(chǎn)生 在接地印制導(dǎo)線20和法蘭體10的彎曲區(qū)段26之間的電接觸。這一方 面簡化了該電接觸的產(chǎn)生，另一方面改善了高頻終端阻抗的電特性， 因?yàn)殡娊佑|的路徑盡可能短，且不再完全圍繞基片12的邊緣導(dǎo)引。
蓋件38部分地遮蓋層結(jié)構(gòu)16、 18、 20。該蓋件例如由與基片12相同的材料制成。由此蓋件38具有與基片12的材料相同的介電常數(shù)。 這對高頻終端阻抗的電特性附加地產(chǎn)生了積極的影響，因?yàn)殡妶龃┻^ 在兩側(cè)的相同的電介質(zhì)(12、 38)、即基片12和蓋件38，緊貼著層結(jié) 構(gòu)16、 18、 20導(dǎo)引。
通過本發(fā)明的高頻終端阻抗的改善的結(jié)構(gòu)，可以使用成本低廉的 基片12，即無需邊緣環(huán)繞接觸的基片。法蘭負(fù)載的整個結(jié)構(gòu)確保對高 的損耗線的傳遞，同時保持盡可能好的寬帶的高頻特性。
帶有彎曲區(qū)段26的法蘭體或法蘭板10完全由一件制成，且例如 是沖壓-彎曲件。彎曲區(qū)段26用于阻抗結(jié)構(gòu)14與法蘭板10的接地連 接。包括基片結(jié)構(gòu)12、 16、 18、 20的整個結(jié)構(gòu)基于具有很好的高頻特 性的寬帶應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
為了產(chǎn)生在基片12上的接地印制導(dǎo)線20和法蘭體10的彎曲區(qū)段 26之間的電連接，從而產(chǎn)生用于高頻終端阻抗的接地觸點(diǎn)，例如產(chǎn)生 從接地印制導(dǎo)線20到彎曲區(qū)段26的焊接。由于彎曲區(qū)段26以特別有 利的方式延伸至或延伸超過基片12的頂面14 (第二平面)，這種焊接 可以簡單地快速地且成本低廉地在第二平面即基片12的頂面14上產(chǎn) 生。
權(quán)利要求
1. 一種高頻終端阻抗，具有一法蘭體(10)和一設(shè)置在所述法蘭體上的平面的層結(jié)構(gòu)(16、18、20)，所述層結(jié)構(gòu)在基片(12)的頂面(14)上具有一用于將高頻能量轉(zhuǎn)化成熱的阻抗層(16)、一用于輸送高頻能量的輸入印制導(dǎo)線(18)和一用于與所述法蘭體(12)上的接地觸點(diǎn)電連接的接地印制導(dǎo)線(20)，其中所述輸入印制導(dǎo)線(18)與所述阻抗層(16)的第一端電連接，所述接地印制導(dǎo)線(20)與所述阻抗層(16)的位于所述第一端對面的第二端電連接，所述基片(12)以一背離所述層結(jié)構(gòu)(16、18、20)的支承面(22)貼靠在所述法蘭體(10)上，其特征在于，所述法蘭體(10)在所述基片(12)上的接地印制導(dǎo)線(20)所面向的第一邊緣(24)在沿著平行于所述邊緣(24)的方向的至少一個預(yù)定的區(qū)段上以及在沿著垂直于所述邊緣(24)的方向的一個預(yù)定的區(qū)段上彎曲，從而所述法蘭體(10)的彎曲區(qū)段(26)延伸到在由所述基片(12)的支承面(22)所規(guī)定的第一平面和由所述基片(12)的頂面(14)所規(guī)定的第二平面之間的空間中，其中所述基片(12)以一側(cè)面(28)與所述法蘭體(10)的彎曲區(qū)段(26)接觸，所述側(cè)面(28)使得所述基片(12)的支承面(22)與所述基片(12)的頂面(14)連接且面向在所述基片(12)的頂面(14)上的接地印制導(dǎo)線(20)。
2. 如權(quán)利要求1所述的高頻終端阻抗，其特征在于，所述法蘭體 (10 )的彎曲區(qū)段(26 )從所述第一平面突起直至至少伸到所述第二平 面，或者突出于所述第二平面，從而所述法蘭體(10)的彎曲區(qū)段(26) 的至少一部分在與所述接地印制導(dǎo)線(20)相鄰的第二平面延伸。
3. 如前述權(quán)利要求中至少一項(xiàng)所述的高頻終端阻抗，其特征在 于，所述法蘭體(10 )的彎曲區(qū)段(26 )沿著平行于所述第 一邊緣(24 ) 的方向的長度至少等于所述基片(12)的寬度。
4. 如前述權(quán)利要求中至少一項(xiàng)所述的高頻終端阻抗，其特征在 于，所述法蘭體(10)上的彎曲區(qū)段(26)具有至少兩個凸起部(34)， 這些凸起部的沿著平行于所述法蘭體(10)的第一邊緣(24)的方向 的間距等于所述基片(12)的寬度，且這些凸起部延伸到在所述第一 平面和所述第二平面之間的空間中。
5. 如前述權(quán)利要求中至少一項(xiàng)所述的高頻終端阻抗，其特征在 于，所述彎曲區(qū)段(26)與第一平面在面向所述基片(12)的側(cè)面上 夾成90°角。
6. 如權(quán)利要求1至4中至少一項(xiàng)所述的高頻終端阻抗，其特征在 于，所述彎曲區(qū)段(26)與第一平面在面向所述基片(12)的側(cè)面上 夾成小于90。的、特別是為86°至80。的角度。
全文摘要
一種高頻終端阻抗，具有法蘭體(10)和設(shè)置在所述法蘭體上的平面的層結(jié)構(gòu)(16、18、20)，所述層結(jié)構(gòu)在基片(12)的頂面(14)上具有一用于將高頻能量轉(zhuǎn)化成熱的阻抗層(16)、一用于輸送高頻能量的輸入印制導(dǎo)線(18)和一用于與所述法蘭體(12)上的接地觸點(diǎn)電連接的接地印制導(dǎo)線(20)，其中所述輸入印制導(dǎo)線(18)與所述阻抗層(16)的第一端電連接，所述接地印制導(dǎo)線(20)與所述阻抗層(16)的位于所述第一端對面的第二端電連接，所述基片(12)以背離所述層結(jié)構(gòu)(16、18、20)的支承面(22)貼靠在所述法蘭體(10)上，進(jìn)行如下設(shè)置，所述法蘭體(10)在所述基片(12)上的接地印制導(dǎo)線(20)所面向的第一邊緣(24)在沿著平行于所述邊緣(24)的方向的至少一個預(yù)定的區(qū)段上以及在沿著垂直于所述邊緣(24)的方向的一個預(yù)定的區(qū)段上彎曲，從而所述法蘭體(10)的彎曲區(qū)段(26)延伸到在由所述基片(12)的支承面(22)所規(guī)定的第一平面和由所述基片(12)的頂面(14)所規(guī)定的第二平面之間的空間中，其中所述基片(12)以一側(cè)面(28)與所述法蘭體(10)的彎曲區(qū)段(26)接觸，所述側(cè)面(28)使得所述基片(12)的支承面(22)與所述基片(12)的頂面(14)連接并且面向在所述基片(12)的頂面(14)上的接地印制導(dǎo)線(20)。
文檔編號H01C7/00GK101523520SQ200780036447
公開日2009年9月2日 申請日期2007年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月12日
發(fā)明者F·魏斯 申請人:羅森伯格高頻技術(shù)有限及兩合公司