專利名稱：Ga_xIn_1-xN襯底以及Ga_xIn_1-xN襯底清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及GaxIn!.xN (O^x^l )襯底以及清洗GaxIni.xN (0 S x
SI )襯底的方法。
背景技術(shù)：
在GaJnLxN (O^x^l )襯底中，GaN (氮化鎵)襯底作為用于 諸如發(fā)射短波的光源和功率電子器件的半導(dǎo)體器件的材料，由于其3.4 eV的能帶隙和高熱導(dǎo)率，已經(jīng)受到關(guān)注。
氫化物氣相外延法(HVPE)是一種生長GaN晶體的典型技術(shù)， 并且它允許GaN襯底由GaN晶體制得。然后，通過淺薄地在GaN襯 底上生長各種外延膜，可以獲得光電子和其它半導(dǎo)體器件。作為可以 在其上生長沒有表面粗糙度的GaN外延膜的襯底，例如在專利文獻(xiàn)1 中，提出了氮化物晶體襯底，如其表面載流子密度均勻的GaN襯底。
然而，即使當(dāng)采用專利文獻(xiàn)1中所述的襯底時，也偶爾生長出低 質(zhì)量的外延膜，其中出現(xiàn)了未反映沿著襯底表面的載流子密度的均勻 性、與襯底無關(guān)的缺陷和混濁。因?yàn)椴捎昧诉@類低質(zhì)量外延膜的半導(dǎo) 體器件的器件特性受到損害，所以強(qiáng)烈感受到需要穩(wěn)定生長具有最少 缺陷和混濁的高質(zhì)量外延膜。
專利文獻(xiàn)1:日本未審專利申請公布No.2005-10147
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題
提及為了穩(wěn)定地生長具有最少缺陷和混濁的高質(zhì)量外延膜而去除
5依附在諸如GaN襯底的GaJnkN襯底表面的顆粒和有機(jī)物的程度的現(xiàn) 有技術(shù)文獻(xiàn)為零，然而，標(biāo)準(zhǔn)不清楚并且隨之出現(xiàn)的問題是GaxIni.xN 襯底表面條件的變化同樣直接導(dǎo)致外延膜質(zhì)量的變化。
本發(fā)明的目的在于使得可以得到其上能夠穩(wěn)定地生長高質(zhì)量外延 膜的GaxIni.xN襯底和用于獲得GaxIni.xN襯底的清洗方法。
解決問題的手段
本發(fā)明的一個方面為給定GaJn^N襯底直徑為2英寸的情況下存 在于GaxIn^N襯底表面上的顆粒尺寸不小于0.2 pm的顆粒數(shù)目為20 或更小的GaJn^N襯底。在這里，在本說明書中，"GaxIni.xN襯底" 是指包括鎵(Ga)和銦(In)中的至少一個的氮化物晶體襯底。
本發(fā)明還是GaJn"N襯底清洗方法，所述方法通過下列步驟清洗 GaJn^N襯底將GaxIni.xN襯底浸入清洗溶液中，所述清洗溶液是選 自下列的任何一種物質(zhì)氨水、氫氧化銨-過氧化氫-水混合物以及有機(jī) 堿水溶液，同時向溶液施加超聲波，以在給定GaxIni.xN襯底直徑為2 英寸的情況下使存在于GaJn^N襯底表面上的顆粒尺寸不小于0.2 的顆粒數(shù)目為20或更少。
在這里，在本發(fā)明的G^In^N襯底清洗方法中，作為清洗溶液， 可優(yōu)選利用其中氨濃度為0.5質(zhì)量％或更大的氨水、其中含水過氧化氫 濃度為0.1質(zhì)量％或更大且具有氨濃度為0.1質(zhì)量％或更大的氫氧化銨-過氧化氫-水混合物以及其中有機(jī)堿濃度為0.5質(zhì)量％或更大的有機(jī)堿 水溶液中的任何一種。
此外，在本發(fā)明的GaJm.xN襯底清洗方法中，有機(jī)堿水溶液可優(yōu) 選為其中作為四甲基氫氧化銨或三甲基-2_羥乙基氫氧化銨中的一種的
有機(jī)堿溶解于水的溶液。
6另外，在本發(fā)明的GaJn^N襯底清洗方法中，GaxIni.xN襯底浸漬 時間可優(yōu)選為30秒或更多。
本發(fā)明進(jìn)一步為GaJn"N襯底，其中在通過X射線光電子能譜在 l(T的接收角(take off angle)下的沿著GaxIni.xN襯底表面的光電子能 譜中，Cls電子和Nls電子的峰面積之比，即Cls電子峰面積/Nls電 子峰面積為3或更小。
本發(fā)明此外為GaxIni.xN襯底清洗方法，所述方法為將GaxIni.xN 襯底浸入酸溶液中，以使在l(T的接收角下通過X射線光電子能譜沿著 GaJn^N襯底表面的光電子能譜中的Cls電子和Nls電子峰面積之比， 即Cls電子峰面積/Nls電子峰面積為3或更小。
在這里，在本發(fā)明的GaJn"N襯底清洗方法中，酸溶液可優(yōu)選由 選自氟酸、鹽酸和硫酸構(gòu)成組中的至少一種物質(zhì)，或者含水過氧化氫 與選自由氟酸、鹽酸和硫酸構(gòu)成組中的至少一種物質(zhì)的混合溶液組成。
此外，在本發(fā)明的GaJn"N襯底清洗方法中，可優(yōu)選在其中酸溶 液由選自氟酸、鹽酸和硫酸構(gòu)成組中的至少一種物質(zhì)組成的實(shí)施方式 中，酸溶液中的氟酸、鹽酸和硫酸的總濃度為0.5質(zhì)量％或更大；以及 在其中酸溶液由含水過氧化氫與選自氟酸、鹽酸和硫酸構(gòu)成組中的至 少一種物質(zhì)的混合溶液組成的實(shí)施方式中，酸溶液中的氟酸、鹽酸和 硫酸的總濃度為0.1質(zhì)量％或更大，含水過氧化氫濃度為0.1質(zhì)量％或 更大。
另夕卜，在本發(fā)明的GaJnkN襯底清洗方法中，GaxIni.xN襯底浸漬 時間可優(yōu)選為30秒或更多。
發(fā)明的效果
本發(fā)明提供了在其上能夠穩(wěn)定地生長高質(zhì)量外延膜的GaJm.xN襯底和用于獲得GaJn"N襯底的清洗方法。


圖1為用于解釋在本發(fā)明中在l(T的接收角下的X射線光電子能 譜的一個實(shí)例的示意圖。
圖2為實(shí)驗(yàn)實(shí)例1中采用的清洗設(shè)備的示意性截面圖。
圖3為圖示在實(shí)驗(yàn)實(shí)例1中的GaN襯底表面上生長的顆粒數(shù)目和 外延膜中缺陷數(shù)目之間關(guān)系的圖。
圖4為實(shí)驗(yàn)實(shí)例2中采用的清洗設(shè)備的示意性截面圖。
圖例
1:清洗槽 2:清洗溶液 2a:酸溶液
3:超聲波
4: GaN襯底
5: GaJnLxN襯底
6: X射線
7:光電子
8:探測器
具體實(shí)施例方式
下面，將描述實(shí)施本發(fā)明的方式。應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的附圖中， 相同的附圖標(biāo)記表示相同或相應(yīng)的元件。
本發(fā)明是在給定GaJm《N襯底的直徑為2英寸的情況下其中存在 于GaJn^N襯底表面上的顆粒尺寸不小于0.2 |im的顆粒數(shù)目為20或 更少的GaJm.xN襯底。作為集中研究努力的結(jié)果，本發(fā)明人揭示了如 果將位于GaxIni.xN襯底表面上的顆粒尺寸不小于0.2 |im的顆粒數(shù)目控 制為如上所述，則能夠生長具有較少缺陷的高質(zhì)量外延膜。在這里，通過計(jì)數(shù)整體在GaJn^N襯底表面上存在的顆粒尺寸不 小于0.2 pm的所有顆粒，以及將所計(jì)數(shù)的顆粒數(shù)目轉(zhuǎn)化成當(dāng)GaxIni.xN 襯底的直徑為2英寸時假定的值，來計(jì)算GaJn^N襯底表面上的顆粒 數(shù)目。因此，在本發(fā)明中，GaxIni.xN襯底的尺寸不受限制。例如，由 于其直徑為4英寸的GaxIni.xN襯底表面面積是直徑為2英寸的 GaxIni.xN襯底表面面積的四倍，所以在釆用直徑為4英寸的GaxIni.xN 襯底的實(shí)施方式中，存在于它們表面上的總顆粒數(shù)目的1/4將是在這里 稱為顆粒計(jì)數(shù)。應(yīng)當(dāng)指出，采用諸如迄今公知的光散射襯底表面檢查 裝置的設(shè)備計(jì)數(shù)顆粒。此外，顆粒物質(zhì)不作具體限制。
本發(fā)明還是清洗GaJn^N襯底的方法，所述方法通過下列步驟實(shí) 現(xiàn)將GaJm.xN襯底浸入清洗溶液中，所述清洗溶液是選自下列的任 何一種物質(zhì)氨水、氫氧化銨-過氧化氫-水混合物和有機(jī)堿水溶液，同 時向溶液施加超聲波，以在給定GaJn^N襯底直徑為2英寸的情況下 使存在于GaxIni.xN襯底表面上的顆粒尺寸不小于0.2 pm的顆粒數(shù)目達(dá) 到20或更少。
在這里，"氫氧化銨-過氧化氫-水混合物"為含水過氧化氫與氨水 的混合溶液，因而不限于其中含水過氧化氫已經(jīng)添加到氨水中的混合 溶液。此外，"有機(jī)堿水溶液"為其中有機(jī)堿已經(jīng)溶解于水中的溶液， 其中由下列結(jié)構(gòu)式(l)表示的四甲基氫氧化銨，或者由下列結(jié)構(gòu)式(2) 表示的三甲基-2-羥乙基氫氧化銨，可優(yōu)選用作該有機(jī)堿。
化學(xué)式1
<formula>formula see original document page 9</formula><formula>formula see original document page 10</formula>(2)
此外，在其中利用了氨水作為清洗溶液的實(shí)施方式中，相對于作 為整體的清洗溶液的氨濃度可優(yōu)選為0.5質(zhì)量％或更大。而在其中利用 了氫氧化銨-過氧化氫-水混合物作為清洗溶液的實(shí)施中，相對于作為整 體的清洗溶液的含水過氧化氫濃度可優(yōu)選為0.1質(zhì)量％或更大，氨濃度 為0.1質(zhì)量％或更大。更進(jìn)一步，在其中利用了有機(jī)堿水溶液作為清洗 溶液的實(shí)施方式中，相對于作為整體的清洗溶液的有機(jī)堿濃度可優(yōu)選 為0.5質(zhì)量％或更大。因而，調(diào)整清洗溶液中的濃度趨于使GaxIni.xN 襯底表面上的顆粒計(jì)數(shù)更穩(wěn)定，使得可以上述方式控制計(jì)數(shù)。
此外，將GaJn^N襯底浸入清洗溶液中的周期可優(yōu)選為30秒或 更多。在這種情況下，將GaJn^N襯底充分地浸入清洗溶液中趨于使 得GaxIn^N襯底表面上的顆粒計(jì)數(shù)更穩(wěn)定的事實(shí)，使得可以上述方式 控制計(jì)數(shù)。在這里，GaxIni.xN襯底浸漬時間是從向清洗溶液施加超聲 波的點(diǎn)開始的時間。
本發(fā)明此外為GaJn^N襯底，其中在X射線光電子能譜(XPS) 在l(T的接收角下的沿著GaJnkN襯底表面的光電子能譜中，Cls電子 和Nls電子峰面積之比(Cls電子峰面積/Nls電子峰面積)為3或更 小。因?yàn)樽鳛榧醒芯颗Φ慕Y(jié)果，本發(fā)明人揭示了如果在X射線光 電子能譜在l(T的接收角下的沿著GaxIni.xN襯底表面的光電子能譜中 的Cls電子峰面積和Nls電子峰面積之比控制為如上所述，則能夠生 長沒有混濁的高質(zhì)量外延膜。在這里，在通過X射線光電子能譜(XPS) 在l(T的接收角下的沿著GaxInLxN襯底表面的光電子能譜中Cls和Nls 電子峰面積之比，表示GaJn^N襯底表面上的有機(jī)物相對于GaxIni.xN 襯底的近表面中的氮的量，其中以剛剛描述的方式控制比例能夠生長 沒有混濁的高質(zhì)量外延膜。在這里，CIS電子是指碳(C)中的IS軌道電子，而Nls電子是
指氮(N)中的ls軌道電子。然后，如圖1所示，利用X射線6照射 GaxIni.xN襯底5釋放出表面中的Cls和Nls電子作為光電子7。其后， 由探測器8 (在l(T的接收角下)探測到與GaJn^N襯底5的表面形 成l(T的角的所釋放的光電子7，產(chǎn)生光電子能譜。得到光電子能譜中 Cls電子峰面積和Nls電子峰面積之比。
本發(fā)明此外為清洗方法，所述清洗方法為將GaJn^N襯底浸入酸 溶液中，以使在通過X射線光電子能譜在l(T的接收角下的沿著 GaJn^N襯底表面的光電子能譜中的Cls電子和Nls電子峰面積之比 (Cls電子峰面積/Nls電子峰面積)為3或更小。
在這里，酸溶液可優(yōu)選由選自氟酸、鹽酸和硫酸構(gòu)成組中的至少 一種物質(zhì)，或者含水過氧化氫與選自氟酸、鹽酸和硫酸構(gòu)成組中的至 少一種物質(zhì)的混合溶液組成。這些實(shí)施方式趨于使剛剛所述的Cls電 子峰面積和Nls電子峰面積之比更穩(wěn)定，使得可以使其達(dá)到3或更小。
此外，在其中所述酸溶液由選自氟酸、鹽酸和硫酸中的至少一種 物質(zhì)組成的實(shí)施中，酸溶液中的氟酸、鹽酸或硫酸的總濃度優(yōu)選為0.5 質(zhì)量％或更大。另一方面，在其中所述酸溶液由含水過氧化氫與選自氟 酸、鹽酸和硫酸中的至少一種物質(zhì)的混合溶液組成的實(shí)施中，酸溶液 中的氟酸、鹽酸或硫酸的總濃度優(yōu)選為0.1質(zhì)量％或更大并且含水過氧 化氫濃度為0.1質(zhì)量％或更大。這些實(shí)施方式趨于使剛剛所述的Cls電 子峰面積和Nls電子峰面積之比更穩(wěn)定，使得可以使該比例達(dá)到3或 更小。
此外，將GaJn^N襯底浸入酸溶液中的周期可優(yōu)選為30秒或更 大。在這種情況下，GaxIni.xN襯底充分地浸入酸溶液中趨于使剛剛所 述的Cls電子峰面積和Nls電子峰面積之比更穩(wěn)定的事實(shí)，使得可以
11以剛剛描述的方式控制該比例。
實(shí)施方案實(shí)驗(yàn)實(shí)例1
首先，準(zhǔn)備50個2英寸直徑的GaN襯底，GaN襯底是通過鏡面拋光由HVPE生長的GaN晶體，然后通過去除被鏡面拋光損傷的層而被制得。在這里，50個GaN襯底中的每個為400 nm厚，并且它們的表面為以相對于(0001)方位的2°定向的面。
接著，采用如圖2中的示意性截面圖所示的清洗設(shè)備，執(zhí)行清洗，同時改變50個GaN襯底中的每一個的浸漬時間。在這里，在如圖2所示的清洗槽1中，包含不同濃度的四甲基氫氧化銨水溶液作為清洗溶液2。此外，在對50個GaN襯底4中的每個都相同的條件下，向其中浸漬了 GaN襯底4的清洗溶液2施加頻率為900kHz的超聲波3。
然后，在清洗后的每個GaN襯底中，利用光散射襯底表面檢査裝置，計(jì)數(shù)存在于GaN襯底表面上的顆粒尺寸為0.2 pm或更大的顆粒數(shù)目。
之后，在相同的條件下，通過金屬有機(jī)氣相外延法(MOVPE)在50個GaN襯底中的每一個的表面上生長1 pm厚的由GaN晶體組成的外延膜。然后，釆用與上述裝置相同的光散射襯底表面檢査裝置，計(jì)數(shù)外延膜中的缺陷數(shù)目。
將實(shí)驗(yàn)的結(jié)果繪圖并示于圖3中。在圖3中，水平軸表示以上述方式計(jì)數(shù)的存在于清洗后的GaN襯底表面上顆粒尺寸為0.2 pm或更大的顆粒數(shù)目，而垂直軸表示對應(yīng)于水平軸上的顆粒數(shù)目的在GaN襯底表面上生長的外延膜中計(jì)數(shù)的缺陷數(shù)目。
由圖3清楚看出，與其中顆粒數(shù)目多于20的情形相比，在其中使存在于2英寸直徑的GaN襯底表面上的顆粒尺寸為0.2 pm或更大的顆粒數(shù)目為20或更小的情形下，在表面上生長的外延膜的缺陷數(shù)目少于50，并且可以形成具有較少缺陷的高質(zhì)量外延膜。
此外，其中存在于襯底表面上的顆粒尺寸為0.2jiim或更大的顆粒數(shù)目為20或更小的GaN襯底是這樣清洗的襯底，即四甲基氫氧化銨濃度相對于作為整體的清洗溶液達(dá)到0.5質(zhì)量％或更大，并且浸漬GaN襯底所需的時間達(dá)到30秒或更多。
應(yīng)當(dāng)理解，盡管在實(shí)驗(yàn)實(shí)例1中采用了 GaN襯底，但是相信如果采用除了 GaN襯底之外的其它GaJrikN襯底，可得到相同的結(jié)果。
另外，GaN襯底厚度和平面定向不限于上面的實(shí)例，且即使厚度和平面方位是任意的，也將得到與實(shí)驗(yàn)實(shí)例l相同的結(jié)果。
實(shí)驗(yàn)實(shí)例2
首先，如在實(shí)驗(yàn)實(shí)例1中一樣，準(zhǔn)備50個2英寸直徑的GaN襯底，GaN襯底是通過鏡面拋光GaN晶體，然后去除被鏡面拋光損傷的層而被制得。在這里，50個GaN襯底中的每個為400 pm厚，并且GaN襯底表面為以相對于(0001)方位的2'定向的面。
接著，采用如所示的圖4中的示意性截面圖一樣的清洗設(shè)備，執(zhí)行清洗，同時對于50個GaN襯底的每一個改變浸漬時間。在這里，在如圖4所示的清洗槽1中，包含不同濃度的鹽酸作為酸溶液2a,并將每個GaN襯底4浸入酸溶液2a中。
然后，在清洗后的GaN襯底的每一個中，由X射線光電子能譜儀測量在l(T的光電子接收角下的GaN襯底表面的光電子能譜，其中利用Mg和Al的Kot射線作為X射線源，并且基于01s電子(氧中的ls軌道電子)峰面積，計(jì)算Cls電子峰面積與Nls電子峰面積之比(Cls電子峰面積/Nls電子峰面積)。
計(jì)算之后，在相同的條件下，通過MOVPE在50個GaN襯底的每一個的表面上生長由GaN晶體組成的1 pm厚的外延膜。然后，通過下列標(biāo)準(zhǔn)目視評估在所生長的外延膜的每一個中是否出現(xiàn)混濁，并且在表中所示的(Cls電子峰面積/Nls電子峰面積)表示的每個部分中計(jì)數(shù)其中出現(xiàn)混濁的外延膜。結(jié)果列于下表中。
表
(Cls電子峰面積/Nls 電子峰面積)3或更小大于3; 5或更小大于5
出現(xiàn)混濁的GaN襯底數(shù) /GaN襯底的總數(shù)0/157/2310/11
存在混濁出現(xiàn)的評估標(biāo)準(zhǔn)
混濁出現(xiàn)有其中外延膜不是鏡面表面的部分。
混濁未出現(xiàn)外延膜整個表面都是鏡面表面。由上表清楚看出，在沿著GaN襯底表面的Cls電子和Nls電子峰面積之比(Cls電子峰面積/Nls電子峰面積)較小的情況下，外延膜中混濁出現(xiàn)趨于減少。具體地，在其中該比例為3或更小的情形下，在外延膜中未出現(xiàn)混濁，并且能夠生長高質(zhì)量外延膜。
此外，其中沿著GaN襯底表面的Cls電子和Nls電子峰面積之比(Cls電子峰面積/Nls電子峰面積)為3或更小的GaN襯底是利用鹽酸清洗的襯底，該鹽酸的濃度相對于作為整體的清洗溶液已經(jīng)達(dá)到0.5質(zhì)量％或更大，并且其GaN襯底浸漬時間為30秒或更多。
應(yīng)當(dāng)理解，盡管在實(shí)驗(yàn)實(shí)例2中采用GaN襯底，但是相信如果采用除了 GaN襯底之外的其它GaJm.xN襯底，那么可得到相同的結(jié)果。
14此外，GaN襯底厚度和平面方位不限于上述例子，即使厚度和平面方位是任意的，也將得到與實(shí)驗(yàn)實(shí)例2相同的結(jié)果。
目前公開的實(shí)施方案和實(shí)施例應(yīng)當(dāng)在所有方面都被認(rèn)為是示例性的和非限制性的。本發(fā)明的范圍不是由前面的說明書闡明，而是由專
利權(quán)利要求書的范圍闡明，并且旨在包括等價于專利權(quán)利要求書的范圍和在該范圍內(nèi)的所有修改的含意。
產(chǎn)業(yè)實(shí)用性
本發(fā)明能夠有利地用于采用GaxIni.xN襯底的半導(dǎo)體器件的制備中。
權(quán)利要求
1. 一種GaxIn1-xN(0≤x≤1)襯底，其特征在于，在所述GaxIn1-xN(0≤x≤1)襯底直徑為2英寸這一給定條件下，存在于所述GaxIn1-xN(0≤x≤1)襯底表面上的顆粒尺寸在0.2μm以上的顆粒的數(shù)目為20或更小。
2. —種GaxIn^N (OSxSl )襯底清洗方法，其特征在于， 將GaJn"N (0 2x^1 )襯底浸入清洗溶液中，同時向所述溶液施加超聲波，使得GaJn^N襯底表面上所存在的顆粒尺寸在0.2 )tim以 上的顆粒的數(shù)目在所述GaxIni.xN襯底的直徑為2英寸這一給定條件下 為20或更少，其中所述清洗溶液是選自由下列物質(zhì)所組成的組中的任 何一種物質(zhì)氨水，氫氧化銨-過氧化氫-水的混合物，以及有機(jī)堿水溶 液。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaJnkN (0 2x^1 )襯底清洗方法， 其特征在于，利用以下任何一種物質(zhì)來作為所述清洗溶液氨濃度為0.5質(zhì)量％或更大的氨水，含水過氧化氫濃度為0.1質(zhì)量％或更大、并且氨濃度為0.1質(zhì)量％ 或更大的氫氧化銨-過氧化氫-水的混合物，以及，有機(jī)堿濃度為0.5質(zhì)量％或更大的有機(jī)堿水溶液。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的GaxIm.xN (0 1 )襯 底清洗方法，其特征在于，所述有機(jī)堿水溶液是一種在水中溶解有作為四甲基氫氧化銨或三 甲基-2-羥乙基氫氧化銨之一的有機(jī)堿的溶液。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的GaxIni.xN (0 1 )襯 底清洗方法，其特征在于，所述GaJn^N襯底浸漬時間為30秒或更長。
6. —種GaxIriLxN (0SxSl )襯底，其特征在于，在l(T的接收角的X射線光電子能譜下的沿著GaxIm.xN襯底表面 的光電子能譜中，Cls電子的峰面積和Nls電子的峰面積之間的比率， 即Cls電子峰面積/Nls電子峰面積為3或更小。
7. —種GaJn^N (O^x^l )襯底清洗方法，其特征在于， 將GaJn^N襯底浸入酸溶液中，以使得在l(T的接收角的X射線光電子能譜下的沿著G^In^N襯底表面的光電子能譜中Cls電子的峰 面積和Nls電子的峰面積之間的比率，即Cls電子峰面積/Nls電子峰 面積為3或更小。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaJn^N (O^x^l )襯底清洗方法， 其特征在于，所述酸溶液由選自氟酸、鹽酸和硫酸所組成的組中的至少一種物 質(zhì)組成，或者由選自氟酸、鹽酸和硫酸所組成的組中的至少一種物質(zhì) 和含水過氧化氫的混合溶液組成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的GaxIni.xN (0^x21 )襯底清洗方法， 其特征在于，其中，所述酸溶液由選自氟酸、鹽酸和硫酸所組成的組中的至少 一種物質(zhì)組成，在所述酸溶液中的氟酸、鹽酸和硫酸的總濃度為0.5質(zhì) 量％或更大，以及，其中，所述酸溶液由選自氟酸、鹽酸和硫酸所組成的組中的至少 一種物質(zhì)與含水過氧化氫的混合溶液組成，所述酸溶液中的氟酸、鹽 酸和硫酸的總濃度為0.1質(zhì)量％或更大，而含水過氧化氫濃度為0.1質(zhì) 量％或更大。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的GaxIni.xN (0 1 )襯底清洗方法，其特征在于，所述GaJn^N襯底浸漬時間為30秒或更長。
全文摘要
提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量外延膜的穩(wěn)定生長的Ga_xIn_1-xN襯底和用于獲得Ga_xIn_1-xN襯底的清洗方法。當(dāng)Ga_xIn_1-xN襯底具有2英寸直徑時，存在于Ga_xIn_1-xN襯底上且顆粒尺寸不小于0.2μm的顆粒數(shù)目不大于20。而且，在通過X射線光電子能譜法以10度的檢測角獲得的Ga_xIn_1-xN襯底表面上的光電子能譜中，C_1s電子和N_1s電子峰面積之比(C_1s電子的峰面積/N_1s電子的峰面積)不大于3。
文檔編號H01L21/304GK101501822SQ20078002941
公開日2009年8月5日 申請日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月7日
發(fā)明者上村智喜, 中幡英章 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社