專利名稱：增強(qiáng)型電子鍵合引線封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路(ic)封裝。更特別地，本發(fā)明涉及引線鍵合 IC器件管芯，其中用絕緣材料覆蓋半導(dǎo)體管芯和封裝襯底之間選定的連
接導(dǎo)線。
背景技術(shù)：
電子工業(yè)持續(xù)依賴半導(dǎo)體技術(shù)上的進(jìn)步來(lái)實(shí)現(xiàn)更緊密區(qū)域中的更 高性能器件。對(duì)很多應(yīng)用來(lái)說(shuō)，實(shí)現(xiàn)更高性能器件要求把大量電子器件 集成到單個(gè)硅晶片。因?yàn)楣杈拿拷o定面積上的電子器件數(shù)目增加， 制造過(guò)程變得更加困難。
已經(jīng)對(duì)具有數(shù)量眾多規(guī)則的不同應(yīng)用制造了多種半導(dǎo)體器件。這樣
的硅基半導(dǎo)體器件常常包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M0SFET)， 例如P溝道M0S (PM0S)、 n溝道M0S (翻S)以及互補(bǔ)M0S (CMOS)晶體 管、雙極性晶體管、BiCM0S晶體管。這樣的MOSFET器件包括在導(dǎo)電柵 極和類硅襯底之間的絕緣材料；因此，這些器件通常稱為IGFET (柵極 絕緣FET)。
這些半導(dǎo)體器件通常每個(gè)都包括半導(dǎo)體襯底，其上形成多個(gè)有源器 件。給定有源器件的特定結(jié)構(gòu)能在器件種類間變化。例如，在M0S晶體 管中，有源器件通常包括源極和漏極區(qū)域以及調(diào)制在源極/漏極區(qū)域之間 電流的柵極電極。
另夕卜，這樣的器件可以是用例如COMS、 BiCM0S、雙極性等等的很多 晶片制造工藝生產(chǎn)的數(shù)字的或模擬的器件。襯底可以是二氧化硅、砷化 鎵(GaAs)或其它適合用于在上面構(gòu)建微電子電路的襯底。
在進(jìn)行制造工藝之后，硅晶片具有預(yù)定數(shù)目的器件。測(cè)試這些器件。 收集和封裝好的器件。
復(fù)雜IC器件的封裝在它們的最終性能中扮演著越來(lái)越重要的角色。很多封裝包括襯底，在其上被焊盤著陸點(diǎn)圍繞的預(yù)定管芯附加區(qū)域上安 裝器件管芯。器件管芯自身具有把它和外界通過(guò)鍵合引線連接起來(lái)的鍵 合焊盤，所述鍵合引線從它們各自的圍繞著管芯附加區(qū)域的焊盤著陸點(diǎn) 附加到各自的鍵合焊盤上。焊盤著陸點(diǎn)通過(guò)襯底中限定的電子跡線和外 部觸點(diǎn)相連接。在一些封裝類型中，通過(guò)在合適的成型化合物中的封裝 保護(hù)裝配好的器件不受到環(huán)境破壞。
隨著器件復(fù)雜度增長(zhǎng)，鍵合引線數(shù)目接近幾百。設(shè)計(jì)想通過(guò)努力把 封裝尺寸保持在持續(xù)小型化的尺度和電子產(chǎn)品的特性增強(qiáng)來(lái)減少鍵合引
線間距。這樣的產(chǎn)品包括筆記本電腦、便攜式數(shù)字助理(PDA)、無(wú)線電
話、汽車電子控制模塊等等。
隨著技術(shù)把更多性能填到更小封裝中，在封裝過(guò)程期間存在相鄰鍵 合引線彎曲和互相接觸的風(fēng)險(xiǎn)，接觸的鍵合引線導(dǎo)致電短路。在防止鍵
合引線短路的努力中，美國(guó)專利6，046，075，其題目是"Oxide Wire Bond Insulation in Semiconductor Assemblies "，將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合在此 作為參考。

發(fā)明內(nèi)容
在例子中，提供具有絕緣鍵合引線的半導(dǎo)體集成電路封裝。鍵合引 線具有氧等離子氧化物從而形成的來(lái)從而提供幫助防止相鄰鍵合引線之 間短路的電絕緣鍵合引線。
然而，在鍵合引線上形成的氧化物有些脆弱。因此，在封裝期間， 來(lái)自成型化合物流的鍵合引線撓曲可能引起絕緣氧化物剝落，以及相鄰 鍵合引線和互相接觸及短路的風(fēng)險(xiǎn)。
存在解決絕緣鍵合引線的挑戰(zhàn)的需要，從而使采用的絕緣作為鍵合 引線和可替換連接導(dǎo)體的代替品充分地持久以經(jīng)受住封裝提供的嚴(yán)酷。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)本發(fā)明在提供鍵合引線絕緣方面有幫助，所述鍵合引線在 封裝期間可能導(dǎo)致鍵合引線和相鄰互相之間短路。在一些器件管芯/封裝 位置上的鍵合引線的情況下，可以使用絕緣材料圍繞的導(dǎo)電帶。在另一 些位置，可以用彈性絕緣材料涂敷一根或更多鍵合引線。特別地，當(dāng)信 號(hào)管腿是涂敷了絕緣材料的鍵合引線時(shí)，導(dǎo)電帶適用于器件的電壓基準(zhǔn)連接。
在示例性實(shí)施例中，有具有電絕緣連接的封裝中的集成電路(ic) 器件。所述IC器件包括安裝在管芯附加區(qū)域上的半導(dǎo)體器件；半導(dǎo)體器 件具有多個(gè)鍵合焊盤。具有多個(gè)鍵合指狀物的引線框圍繞著管芯附加區(qū) 域。把具有各自的第一末端的多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體附加到半導(dǎo)體器 件上各自的鍵合焊盤上，并把具有各自的第二末端的多個(gè)相互隔離的連 接導(dǎo)體附加到引線框的各自的鍵合指狀物上。多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體 的至少一部分涂敷有絕緣材料。
在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，在BGA封裝襯底中存在集成電路(IC)，
所述BGA封裝襯底具有電絕緣連接。IC包括安裝在附加區(qū)域上的半導(dǎo)體 器件，所述半導(dǎo)體器件具有鍵合焊盤。鍵合指狀物圍繞著管芯附加區(qū)域。 存在具有各自的第一末端以及具有各自的第二末端的多個(gè)相互隔離的連
接導(dǎo)體，將所述第一末端附加到半導(dǎo)體器件上各自的鍵合焊盤上，并且 將所述第二末端附加到各自的引線框鍵合指狀物上。至少多個(gè)相互隔離 的連接導(dǎo)體的一部分涂敷有絕緣材料。
在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，存在封裝襯底中的集成電路(IC)器件， 所述封裝襯底具有電絕緣連接。所述IC器件包括安裝在管芯附加區(qū)域上 的半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件具有鍵合焊盤。鍵合指狀物圍繞著管芯附加 區(qū)域。有具有各自的第一末端以及具有各自的第二末端的信號(hào)連接導(dǎo)體， 將所述第一末端附加到半導(dǎo)體器件上各自的鍵合焊盤上，并且將所述第 二末端附加到各自的鍵合指狀物上。多個(gè)信號(hào)連接導(dǎo)體是涂敷有彈性絕 緣涂敷物的鍵合引線。有具有各自的第一末端以及具有各自的第二末端 的電壓基準(zhǔn)導(dǎo)體，將所述第一末端附加到半導(dǎo)體器件上各自的鍵合焊盤 上，并且將所述第二末端附加到各自的鍵合指狀物上。多個(gè)電壓基準(zhǔn)導(dǎo) 體是由絕緣材料障礙圍繞的導(dǎo)電帶。鈍化包層把襯底上的半導(dǎo)體器件、 信號(hào)連接導(dǎo)體、電壓基準(zhǔn)導(dǎo)體以及鍵合指狀物封裝起來(lái)。
在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，存在一種用于提供包含半導(dǎo)體器件芯片 的封裝襯底中的增強(qiáng)型導(dǎo)線的方法。所述方法包括選擇合適的封裝襯底 以及鍵合指狀物組合。在所選的鍵合指狀物上限定電壓基準(zhǔn)位置。決定 絕緣的信號(hào)管腿。在掩模上限定圖案印刷條帶溝槽。用掩模限定封裝襯底上的條帶溝槽。在條帶溝槽中，在那里沉積導(dǎo)電材料填充條帶溝槽。 把預(yù)先決定的信號(hào)管腿和絕緣或非絕緣引線相鍵合。在各自的鍵合焊盤 和鍵合指狀物處密封它們的各自的末端的絕緣信號(hào)引線。在鈍化包層中 封裝半導(dǎo)體器件芯片。
本發(fā)明上面的總結(jié)不傾向于代表本發(fā)明的每個(gè)公開(kāi)實(shí)施例或每個(gè) 方面。在下面的圖和詳細(xì)描述中將提供其它方面和示例性實(shí)施例。


根據(jù)以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明不同實(shí)施例的詳細(xì)描述，將更完全地理 解本發(fā)明，其中
圖1A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的封裝襯底頂視圖，所述封裝襯底說(shuō)明 限定電壓基準(zhǔn)條帶的溝槽，所述溝槽在封裝襯底中各自的鍵合焊盤和鍵 合指狀物之間形成；
圖1B是具有絕緣溝槽的圖1B的試圖，所述絕緣溝槽填充有把電壓 基準(zhǔn)從IC器件管芯連接到封裝襯底的導(dǎo)電材料；
圖1C是封裝在鈍化包層中的圖1B的視圖1D是圖1C所示封裝的側(cè)視圖，表示絕緣材料圍繞的電源帶； 圖1E是是圖1C所示封裝的側(cè)視圖，表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的絕緣 鍵合引線；
圖2是使用用于導(dǎo)電帶的多層的封裝以及封裝絕緣鍵合引線的導(dǎo)電 帶的側(cè)視圖；以及
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電氣上增強(qiáng)封裝的工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式
雖然本發(fā)明應(yīng)服從不同修正和替換形式，通過(guò)附圖中例子的方法已 經(jīng)表示了其特例，并將詳細(xì)描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不應(yīng)限制于 描述的特定實(shí)施例。相反，傾向于覆蓋所有屬于申請(qǐng)的權(quán)利要求定義的 本發(fā)明范疇和精神中的修正、等價(jià)物以及替代物。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)本發(fā)明在減少引線鍵合封裝中電導(dǎo)線短路可能性方面有 幫助。通過(guò)具有彈性絕緣材料的絕緣鍵合引線避免短路。另外，通過(guò)使用導(dǎo)電帶連接在它們各自的鍵合焊盤之間的電源和地以及封裝引線框的 引線指狀物，提高引線鍵合封裝的電氣性能。導(dǎo)電帶減少絕緣鍵合引線 的阻抗。在進(jìn)一步增強(qiáng)中，也可以在導(dǎo)電帶之間插入絕緣材料。在用成 型化合物封裝期間，插入的絕緣材料最小化鍵合引線和導(dǎo)電帶的任何移 動(dòng)。在用絕緣材料保護(hù)它們的情況下，任何確實(shí)導(dǎo)致導(dǎo)線接觸的移動(dòng)并 不使它們短路。
在示例性實(shí)施例中，使用本發(fā)明修改了球柵陣列(BGA)封裝。導(dǎo) 電帶連接IC器件的電源和地鍵盤以及在封裝襯底上它們各自的鍵合指 狀物。用彈性材料絕緣在相鄰導(dǎo)電帶中的鍵合引線。不絕緣其它不靠近
導(dǎo)電帶的鍵合引線，因?yàn)樵撴I合引線不和其它鍵合引線短路。
參考圖1A。在BGA襯底5中封裝了IC器件。把半導(dǎo)體器件100附加到
附加區(qū)域10上。半導(dǎo)體器件100具有多個(gè)鍵合焊盤20a、 25a、 30a以及35a。
具有多個(gè)鍵合指狀物20b、 25b、 30b以及35b的引線框圍繞著管芯附加區(qū)
域IO。把這些各自的鍵合焊盤(20a、 25a、 30a以及35a)以及鍵合指狀
物(20b、 25b、 30b以及35b)每個(gè)都互相連接。在示例中.，鍵合指狀物
25b是電壓(VDD)連接，而鍵合指狀物30b地(GND)連接，以及鍵合指
狀物20b是一個(gè)信號(hào)(SIG)連接。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供這些三個(gè)示例
連接附加環(huán)繞絕緣。另一個(gè)信號(hào)連接(SIG2)鍵合指狀物35b和到鍵合焊
盤35a的鍵合引線相連接。
向襯底5涂敷絕緣材料15的層。導(dǎo)電帶區(qū)域25c限定在VDD鍵合 指狀物25b和鍵合焊盤25a之間。另一個(gè)導(dǎo)電帶區(qū)域30c限定在GND鍵 合指狀物30b和鍵合焊盤30a之間。開(kāi)口 20c限定在SIG鍵合指狀物20b 和鍵合指狀物20a之間。另一個(gè)開(kāi)口 35c限定在鍵合指狀物35b和鍵合 焊盤35a之間。可以用光刻限定導(dǎo)電帶區(qū)域?？梢约傻胶附友谀Ｖ?。 成型塑料區(qū)域可以限定包含導(dǎo)電帶的溝槽。在特殊工藝中，通過(guò)涂抹或 旋涂可以選擇性地施加聚對(duì)二甲苯。
參考圖1B。在限定為信號(hào)(SIG)的鍵合焊盤20a上，鍵合引線20 連接鍵合焊盤20a和鍵合指狀物20b，所述鍵合指狀物20b和信號(hào)管腿 55相連接。鍵合引線40覆蓋有彈性絕緣45。在非絕緣引線的情況下， 自動(dòng)鍵合器件分配絕緣鍵合引線。鍵合引線可以是金、銅或者鋁，取決于特定應(yīng)用。可以用聚對(duì)二甲苯、環(huán)氧材料或者聚碳酸酯來(lái)絕緣鍵合引
線。在另一個(gè)限定為地(GND)的鍵合焊盤30a上，在導(dǎo)電帶區(qū)域25c 中限定了導(dǎo)電帶25d。鍵合焊盤25a和鍵合指狀物25b相連接，所述鍵 合指狀物25b和封裝地管腿相連接。鍵合焊盤35a和具有非絕緣鍵合引 線50的鍵合指狀物35b相連接。在這個(gè)區(qū)域，在鈍化包層封裝期間，很 少有相鄰鍵合引線彎曲和互相接觸的機(jī)會(huì)。導(dǎo)電材料可以是用作固化工 藝或等離子沉積金屬等等的漿料的濺射金屬、電鍍金屬、導(dǎo)電塑料。一 些導(dǎo)電材料包括但不限于銅、金、銀、鋁、鎳、導(dǎo)電聚合物等等。附加 導(dǎo)電材料也可以包括具有鋁、銅、銀、鎳和碳納米管等等導(dǎo)電填充物的 塑料。
參考圖1C。在封裝襯底5中，把已經(jīng)與封裝電連接的半導(dǎo)體器件 IOO封裝在鈍化包層50中。
圖1D和1E以圖1C中封裝的半導(dǎo)體器件100的區(qū)域的側(cè)視圖進(jìn)行 描述。圖lD表示在15a的絕緣材料15圍繞的電源帶25d。圖1E描述絕 緣鍵合引線40和非絕緣鍵合引線50。鈍化包層50封裝這些鍵合引線40、 50。絕緣材料15防止導(dǎo)電帶25d和30d由于在封裝期間受到的力移動(dòng)。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，絕緣鍵合引線40具有施加在鍵 合指狀物和鍵合焊盤45a上的附加絕緣，以便密封絕緣45的末端。參考 圖1F。鍵合引線40完全絕緣。導(dǎo)電材料能包住完全絕緣的鍵合引線。 導(dǎo)電材料和參考電壓相連接，例如電源和地。具有更接近完全絕緣鍵合 引線的參考電壓減少鍵合引線關(guān)于該電壓基準(zhǔn)的阻抗。
迄今為止描述的實(shí)施例適用于用在襯底的絕緣材料單層，并且導(dǎo)電 帶位于一個(gè)平面(onelevle)上。然而，本發(fā)明可以用于其中使用導(dǎo)電 帶和絕緣層多平面(multiple levels)的襯底上。
參考圖2。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例裝配半導(dǎo)體器件200。襯底205具有 用于電源(PWR)、地(GND)、信號(hào)(SIG)以及第二信號(hào)(SIG2)的各自 的鍵合指狀物210b、 215b、 220b以及225b。在安裝在管芯附加區(qū)域310 上的半導(dǎo)體器件管芯300上，有分別定義為PWR、 GND、 SIG以及SIG2 的鍵合焊盤210a、 215a、 220a以及225a。這些鍵合焊盤在電氣上和對(duì) 應(yīng)的可能附加焊接球的鍵合指狀物210b、 215b、 220b以及225b相連接。
10SIG具有鍵合引線250，連接其鍵合指狀物220b和半導(dǎo)體器件200上的 鍵合焊盤220a。絕緣材料255圍繞著鍵合引線250。在鍵合指狀物220b (SIG)，可以在另一個(gè)絕緣材料260中封裝具有絕緣材料255的鍵合引 線250;在鍵合焊盤222a，可以在另一個(gè)絕緣材料265中封裝具有絕緣 材料255的鍵合引線250。這些附加封裝步驟服務(wù)于保護(hù)不和附近形成 的其它導(dǎo)線短路。在導(dǎo)電帶215上可以使用絕緣材料270。緊鄰導(dǎo)電層 210c連接鍵合指狀物210b (PWR)。絕緣材料270防止導(dǎo)電帶210c和導(dǎo) 電帶215短路。在導(dǎo)電帶210c上可以使用附加絕緣層275。在其中不需 要對(duì)短路特別預(yù)防的區(qū)域，鍵合引線230在SIG2連接鍵合焊盤225a和 鍵合指狀物225b。在如前所述安裝器件管芯300和制作電氣連接之后， 用絕緣材料280封裝這個(gè)組合。
在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以使用圖l所示封裝，然而在導(dǎo)電帶 之間限定附加絕緣障礙。這些障礙減少封裝期間導(dǎo)電帶移動(dòng)和可能地互 相短路的可能性。
在器件上可能存在多個(gè)電源供電軌跡和參考地。在復(fù)雜IC器件中， 可以存在幾個(gè)供電源。例如，可以為內(nèi)核定義分立電源總線和地總線， 并為輸入/輸出管腿的外環(huán)定義電源/地總線。常常地，這些分立電源/ 地總線通過(guò)隔離輸入/輸出開(kāi)關(guān)瞬態(tài)和IC器件核心來(lái)幫助提高器件性 能。
本發(fā)明可以用于使用引線鍵合連接IC器件管芯的不同封裝。封裝 可以包括但不限于無(wú)引線芯片載體(LCC)、球柵陣列(BGA)等等。參考 圖3。在根據(jù)本發(fā)明的封裝IC器件的示例工藝100中，用戶首先選擇合 適的封裝類型110。在圍繞半導(dǎo)體管芯的選擇的鍵合指狀物上限定電壓 基準(zhǔn)管腿(即VDD和GND)的位置120。決定信號(hào)管腿(即輸入和輸出) 的位置130?？梢园堰@些其中必須控制阻抗的管腿放置得更靠近電壓基 準(zhǔn)管腿。另外，在成型化合物中相繼封裝期間對(duì)移動(dòng)敏感的這些管腿必 然使用絕緣鍵合引線。另外，必須考慮在這些絕緣鍵合引線的鍵合引線 末端的絕緣。由特定IC器件、封裝設(shè)計(jì)約束、可制造性、成本等等指定 電壓基準(zhǔn)和信號(hào)管腿的位置。
己經(jīng)決定信號(hào)管腿130和電壓基準(zhǔn)管腿的位置之后，限定連接IC鍵合焊盤和它們各自的封裝鍵合指狀物的導(dǎo)電帶的位置140。生成條帶 掩模，以便可以把絕緣溝槽和障礙印刷到封裝襯底上。這些溝槽可以用 彈性絕緣材料形成。這些絕緣材料可以包括但不限于環(huán)氧材料、熱塑性 塑料或硅樹脂等等。在示例工藝中，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)施加條帶掩模圖 案。創(chuàng)建圍繞IC鍵合悍盤的溝槽以及其對(duì)應(yīng)的鍵合指狀物。用戶使用導(dǎo) 電材料來(lái)填充溝槽150。電壓基準(zhǔn)具有比鍵合引線提供的更魯棒的電氣 連接，電流經(jīng)過(guò)其中。在制作用于電壓基準(zhǔn)的電氣連接之后，鍵合這些 使用引線鍵合的管腿160。為了保護(hù)鍵合引線不互相短路，使用覆蓋有 彈性絕緣材料的鍵合引線。在絕緣鍵合引線的末端(在鍵合焊盤和引線 框鍵合指狀物，可以添加附加絕緣170。為了密封IC器件管芯和連接不 受到破壞，封裝經(jīng)歷在合適的成型化合物中的封裝180。
雖然參考幾個(gè)特殊示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng) 該了解在不脫離所附權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明精神和范疇下可以進(jìn)行多 種修改。
權(quán)利要求
1.一種在具有電絕緣連接的封裝中的集成電路(IC)器件，包括安裝在附加區(qū)域上的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有多個(gè)鍵合焊盤；圍繞著所述管芯附加區(qū)域的引線框，所述引線框具有多個(gè)鍵合指狀物；多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體，具有各自的第一末端以及各自的第二末端，將所述第一末端附加到所述半導(dǎo)體器件上的各自的鍵合焊盤上，并且將所述第二末端附加到所述引線框的各自的鍵合指狀物上；以及絕緣材料，涂敷在所述多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體的至少一部分上。
2. 如權(quán)利要求1的IC器件，還包括鈍化包層，把所述半導(dǎo)體器件、 相互隔離的連接導(dǎo)體以及所述引線框的鍵合指狀物封裝起來(lái)。
3. 如權(quán)利要求2的IC器件，其中所述多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體是 兩種類型信號(hào)連接以及電壓基準(zhǔn)連接。
4. 如權(quán)利要求2的IC器件，其中所述信號(hào)連接是涂敷有絕緣涂敷 物的鍵合引線。
5. 如權(quán)利要求2的IC器件，其中所述電壓基準(zhǔn)連接是由絕緣材料 障礙物圍繞的導(dǎo)電帶。
6. 如權(quán)利要求5的IC器件，其中所述導(dǎo)電帶是下列的至少之一 銅、鋁、金、銀、鎳、焊料、具有導(dǎo)電填充物的塑料。
7. —種BGA封裝襯底中的集成電路(IC)器件，所述BGA封裝襯 底具有電絕緣連接，包括安裝在附加區(qū)域上的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有鍵合焊盤； 圍繞著所述管芯附加區(qū)域的鍵合指狀物；多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體，具有各自的第一末端以及各自的第二末 端，將所述第一末端附加到半導(dǎo)體器件上的各自的鍵合焊盤上，并且將 所述第二末端附加到各自的鍵合指狀物上；以及絕緣材料，涂敷在所述多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體的至少一部分上。
8. 如權(quán)利要求7的IC器件，其中所述多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體是兩種類型信號(hào)連接以及電壓基準(zhǔn)連接。
9. 如權(quán)利要求8的IC器件，其中所述電壓基準(zhǔn)連接是在封裝襯底中限定的導(dǎo)電帶，所述導(dǎo)電帶由絕緣材料圍繞；以及其中所述信號(hào)連接是涂敷有絕緣材料的鍵合引線。
10. —種封裝襯底中的集成電路(IC)器件，所述封裝襯底具有電 絕緣連接，包括安裝在附加區(qū)域上的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有鍵合焊盤； 圍繞著所述管芯附加區(qū)域的鍵合指狀物；信號(hào)連接導(dǎo)體，具有各自的第一末端以及各自的第二末端，將所述 第一末端附加到半導(dǎo)體器件上的各自的鍵合焊盤上，并且將所述第二末 端附加到各自的鍵合指狀物上，其中多個(gè)所述信號(hào)連接導(dǎo)體是涂敷有彈性絕緣涂敷物的鍵合引線； 電壓基準(zhǔn)導(dǎo)體，具有各自的第一末端以及各自的第二末端，將所述 第一末端附加到所述半導(dǎo)體器件上的各自的鍵合焊盤上，并且將所述第 二末端附加到各自的鍵合指狀物上，其中多個(gè)所述電壓基準(zhǔn)導(dǎo)體是由絕緣材料障礙物圍繞的導(dǎo)電帶；以及鈍化包層把襯底上的半導(dǎo)體器件、信號(hào)連接導(dǎo)體、電壓基準(zhǔn)導(dǎo)體以 及鍵合指狀物封裝起來(lái)。
11. 如權(quán)利要求10的IC器件，其中所述涂敷有彈性絕緣涂敷物的 鍵合引線，在它們各自的第一末端和第二末端處所附加的位置由額外的 彈性絕緣涂敷物密封。
12. 如權(quán)利要求11的IC器件，其中所述封裝襯底是球柵陣列(BGA)。
13. 如權(quán)利要求11的IC器件，其中所述鍵合引線的彈性涂敷物從 至少下列之一中選出聚對(duì)二甲苯、環(huán)氧材料或者聚碳酸酯。
14. 如權(quán)利要求11的IC器件，其中所述障礙物的絕緣材料從至少 下列之一中選出襯底材料、焊接掩模。
15. 如權(quán)利要求11的IC器件，其中導(dǎo)電帶是從至少下列之一中選 出的導(dǎo)電材料銅、金、銀、鋁、鎳、導(dǎo)電聚合物、具有鋁、銅、銀、鎳和碳納米管導(dǎo)電填充物的塑料。
16. —種用于在包含半導(dǎo)體器件芯片的封裝中提供增強(qiáng)型導(dǎo)體的方法，所述方法包括選擇合適的封裝襯底以及鍵合指狀物組合； 在選定的鍵合指狀物上限定電壓基準(zhǔn)位置； 確定哪個(gè)信號(hào)管腿具有絕緣；在掩模上限定用于印刷條帶溝槽的圖案，并且在所述封裝襯底上限 定所述條帶溝槽；沉積導(dǎo)電材料以填充所述條帶溝槽；如同預(yù)先確定的那樣，把信號(hào)管腿和絕緣/非絕緣引線相鍵合； 在各自的鍵合焊盤和鍵合指狀物處，采用絕緣材料在所述絕緣信號(hào) 引線的各自末端密封所述絕緣信號(hào)引線；以及 在鈍化包層中封裝所述半導(dǎo)體器件芯片。
全文摘要
根據(jù)示例實(shí)施例，有具有電絕緣連接的封裝中的集成電路(IC)器件。IC器件包括安裝在管芯附加區(qū)域(10)上的半導(dǎo)體器件(100)；半導(dǎo)體器件具有多個(gè)鍵合焊盤(20a、25a、30a、35a)。具有多個(gè)鍵合指狀物(20b、25b、30b、35b)的引線框圍繞著管芯附加區(qū)域。把具有各自的第一末端的多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體(25d、30d、40、50)附加到半導(dǎo)體器件上各自的鍵合焊盤上，并把具有各自的第二末端的多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體附加到各自的引線框鍵合指狀物上。至少多個(gè)相互隔離的連接導(dǎo)體的一部分涂敷有絕緣材料(45)。相互隔離的連接導(dǎo)體可以包括用于信號(hào)連接的鍵合導(dǎo)線(40、50)以及用于電壓基準(zhǔn)連接的導(dǎo)電帶(25d、30d)。涂敷鍵合導(dǎo)線的絕緣材料(45)減少封裝期間短路的可能性。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101410974SQ200780010424
公開(kāi)日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2007年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月23日
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