專利名稱：側邊式的發(fā)光二極管結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種發(fā)光二極管封裝結構，特別涉及一種側邊式的發(fā)光二 極管結構。
背景技術：
一般現(xiàn)有的側邊式發(fā)光二極管(side-viewLED)的封裝結構中，請參閱圖1 所示，為一種現(xiàn)有側邊式發(fā)光二極管的剖面圖，側邊式發(fā)光二極管用來放置發(fā) 光二極管芯片的底座100上，通常于其中三個具極性的錫墊101上，分別放置 一個發(fā)光二極管芯片103，使得各發(fā)光二極管芯片103可于發(fā)光二極管底座100 的封裝結構中進行發(fā)光。然而，各錫墊由于沖壓程序下中會產生不可避免的一定間隙距離105，使 得各發(fā)光二極管芯片間的間隙距離105無法有效改善，導致各發(fā)光二極管芯片 103于發(fā)光時，所產生的混光效果不佳，加上各錫墊101于底座IOO上的面積 有限，因此，無法提供發(fā)光二極管芯片更佳的散熱效果，如此，側邊式發(fā)光二 極管產品上述的缺點，使得許多業(yè)者仍須尋求更合適的方法以解決上述的問 題。發(fā)明內容齒此，本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種側邊式的發(fā)光二極管 結構，用以提供發(fā)光二極管芯片更佳的混光效果，也增加用以降低發(fā)光二極管 芯片溫度的承載墊片表面積。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的側邊式的發(fā)光二極管結構，至少包含一承 載部，此承載部由硅膠材質所制成，其一側配置設有一承載墊片及多個導電墊 片，承載墊片不具極性，用以放置多個發(fā)光二極管芯片，再使各發(fā)光二極管芯 片分別布線至對應的導電錫墊，此些導電錫墊具極性，其一端分別延伸至此承 載部背對發(fā)光二極管芯片的一側，用以與一電路板電氣連接，而承載部設有各發(fā)光二極管芯片的部份再以一封裝部所包覆，如此，由于承載墊片上的各發(fā)光 二極管芯片已縮短彼此的距離，有助增加混光效果，而且承載墊片所具有的表 面積較以往散熱錫墊的表面積來的大，因此，更有效增加散去發(fā)光二極管芯片 所產生的熱量。
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實 用新型的限定。
圖1為現(xiàn)有側邊式發(fā)光二極管的剖面圖2為本實用新型的前視外觀立體圖3為圖2的A-A'剖面圖4為本實用新型的后視外觀立體圖。
其中，附圖標記
1:承載部
2:承載墊片
21:墊體
23:延展部
25:散熱片
3:發(fā)光二極管芯片
4:導電墊片
41:導電接腳
43:導線
5:封裝部
51:外框蓋
53:包覆層
具體實施方式
以下將以附圖及詳細說明清楚說明本實用新型的精神，如熟悉此技術的人 員在了解本實用新型的較佳實施例后，當可由本實用新型所教示的技術，加以 改變及修飾，其并不脫離本實用新型的精神與范圍。本實用新型為一種側邊式的發(fā)光二極管結構，其中的一較佳實施例中，請
參閱圖2、圖3所示，圖2為本實用新型的前視外觀立體圖，圖3為圖2的 A-A，剖面圖。發(fā)光二極管結構至少包含一承載部l、承載墊片2及多個發(fā)光二 極管芯片3 (LED chip)，承載部l由膠材(如硅膠)所制成，此承載墊片2 不具極性，設置于承載部l上，可由一墊體21為主，此墊體21配置于承載部 1的一側上，用以放置全部的發(fā)光二極管芯片3，墊體21的一端于承載部1 鄰近發(fā)光二極管芯片3的一側延伸有一延展部23，而延展部23貼靠于承載部 l的側面，用以幫助分散發(fā)光二極管芯片3所產生的熱量，進而降低整體的溫 度，而請參閱圖4所示，圖4為本實用新型的后視外觀立體圖。墊體21的另 端繞過此承載部1，而朝此承載部1背對發(fā)光二極管芯片3的一側，延伸有一 散熱片25，散熱片25用以增加散熱的面積。
另外，回到圖3所示，承載部1的一側上除了放置有墊體21外，尚于墊 體21兩側配置有多個導電墊片4，其中各導電墊片4的面積均小于墊體21的 面積，再分別以一導線43布線至對應的發(fā)光二極管芯片3，使兩者間形成電 氣連接，該些導電墊片4的一端分別朝該承載部1背對發(fā)光二極管芯片3 —側 的方向延伸有一導電接腳41，各導電接腳41用以與一電路板電氣連接。如此， 由于墊體21上的各發(fā)光二極管芯片3已不再被現(xiàn)有技術所提及的間隙距離所 隔離，相反地各發(fā)光二極管芯片3間已縮短彼此的距離，有助增加混光效果， 而且承載墊片2所具有的表面積較以往散熱錫墊的表面積來的大，因此，更有 效增加散去發(fā)光二極管芯片3所產生的熱量。
而承載部1設置有各發(fā)光二極管芯片3的部份再以一封裝部5所包覆，封 裝部5包括一外框蓋51及一包覆層53，外框蓋51呈中空狀，放置于承載部1 設置有各發(fā)光二極管芯片3、墊體21及導電墊片4的一側，并于外框蓋51中 空處顯露出各發(fā)光二極管芯片3、承載墊片2及導電墊片4，以供反射各發(fā)光 二極管芯片3的光線，再以一膠材(可為抗紫外光的硅膠，silicon;或非紫外 光的環(huán)氧樹脂，Epoxy resins)注入外框蓋51的中空處以形成具透明狀的包覆 層53，此時的包覆層53可供各發(fā)光二極管芯片3經混光后所發(fā)出的光線后， 放射出包覆層53。
至于發(fā)光二極管芯片3內的各層結構，如P極層(P-electrode) 、 N極 層(N-electrode) 、 P型氮化鎵層(P-Gan)、多量子井結構(Multiple Quantum Well,MQW)、 N型氮化鎵層(N-Gan)及基材層(substrate)的各層次順序及作用， 由于已為現(xiàn)有技術中眾所皆知的知識，并非本實用新型的重點，因此，便不在 本實用新型中詳加贅述。
當然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其 實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本實用新型作出各種相應的改 變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本實用新型所附的權利要求的保 護范圍。
權利要求1.一種側邊式的發(fā)光二極管結構，其特征在于，至少包含一承載部；一承載墊片，不具極性，設置于該承載部上；數(shù)個發(fā)光二極管芯片，共同電氣設置于該承載墊片上；以及一封裝部，覆蓋于該承載部裝設有該些發(fā)光二極管芯片的一側上。
2. 根據權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該承載墊片包括: 一用以承載該些發(fā)光二極管芯片的墊體，設置于該承載部的一側上； 一用以分散該些發(fā)光二極管芯片熱量的延展部，于該墊體的一端延伸至該承載部鄰近該些發(fā)光二極管芯片的一側；以及一用以增加散熱面積的散熱片，于該墊體的另端朝該承載部背對該些發(fā)光 二極管芯片的一側延伸。
3. 根據權利要求2所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該承載部設置有 墊體的一側，尚分布有數(shù)個導電墊片，此些導電墊片具極性，且其面積小于該 墊體，并分別以一導線與對應的發(fā)光二極管芯片電氣連接，該些導電墊片的一 端分別于該承載部背對發(fā)光二極管芯片的一側延伸有--用以與一電路板電氣 連接的導電接腳。
4. 根據權利要求2所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該封裝部包括 一外框蓋，呈中空狀，放置于該承載部具有該些發(fā)光二極管芯片、墊體及導電墊片的一側上；以及一包覆層，具透明狀，容納于該外框蓋中。
專利摘要一種側邊式的發(fā)光二極管結構，至少包含一承載部、承載墊片、封裝部及多個發(fā)光二極管芯片，承載墊片具非極性，設置于承載部上，用以共同放置這些發(fā)光二極管芯片，用以幫助分散發(fā)光二極管芯片的溫度，而封裝部包覆于承載部裝設有各發(fā)光二極管芯片的部分，如此，各發(fā)光二極管芯片間已縮短的距離，有助增加混光效果。
文檔編號H01L23/34GK201146188SQ20072030652
公開日2008年11月5日 申請日期2007年12月19日 優(yōu)先權日2007年12月19日
發(fā)明者謝忠全 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司