專利名稱：超快恢復(fù)二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電力電子領(lǐng)域，尤其涉及電力電子器件，具體地說(shuō)是一種超 快恢復(fù)二極管芯片。
背景技術(shù)：
電力電子技術(shù)是一門介于自動(dòng)控制技術(shù)、電子技術(shù)和電力技術(shù)之間的一門邊緣 技術(shù)，自從電力電子器件誕生起，發(fā)展十分迅速，應(yīng)用于電力的產(chǎn)生、變換和使用 的各個(gè)環(huán)節(jié)，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域大顯身手。它具有應(yīng)用廣泛、控制方便、高效 節(jié)能的特點(diǎn)，被各個(gè)國(guó)家列入重點(diǎn)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。電力電子器件是電力電子 技術(shù)基礎(chǔ)和關(guān)鍵，每一個(gè)新型電力電子器件的產(chǎn)生都帶來(lái)了電力電子技術(shù)一次革命 性的發(fā)展。目前電力電子技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是高壓大容量化、快速高頻化和模塊智能化。 超快恢復(fù)二極管及其芯片是主要的快速高頻器件之一，隨著電力電子的高頻化發(fā)展， 超快恢復(fù)二極管及其芯片的市場(chǎng)需求增長(zhǎng)很快。傳統(tǒng)的二極管與芯片是在工頻條件下進(jìn)行工作的，只能適用于工作頻率是幾十 到幾百赫茲的場(chǎng)合。超快恢復(fù)二極管芯片是近年來(lái)問(wèn)世的新型半導(dǎo)體器件，具有開(kāi) 關(guān)特性好，反向恢復(fù)時(shí)間短等優(yōu)異性能。最先德國(guó)西門康、美國(guó)摩托羅拉等著名公 司研制開(kāi)發(fā)?；趪?guó)外的生產(chǎn)工藝，這些公司提供的均是經(jīng)切割加工玻璃鈍化后的 單純硅片，厚度在0.25毫米左右，上下兩面一般鍍鎳以用來(lái)后道的焊接加工。這種 產(chǎn)品的缺點(diǎn)是產(chǎn)品強(qiáng)度差，易損壞，對(duì)后道焊接加工工藝要求高，后道加工成品率 低，不適合國(guó)內(nèi)使用。由于硅片是十分易碎的物品，所以運(yùn)輸、防護(hù)都比較難。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的是現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，旨在提供一種新型的超快 恢復(fù)二極管芯片。解決上述問(wèn)題釆用的技術(shù)方案是超快恢復(fù)二極管芯片，包括硅片，其特征在于所述的硅片上、下表面均設(shè)有與硅片熱膨脹系相似材料的襯片。 本實(shí)用新型的超快恢復(fù)二極管芯片，具有以下優(yōu)點(diǎn)-1、 增強(qiáng)芯片的機(jī)械強(qiáng)度，保護(hù)芯片，使芯片不易破碎。2、 減小芯片在后道封裝過(guò)程中的應(yīng)力，所用襯片與硅片有相似的熱膨脹系數(shù)， 能有效緩沖芯片與下面所焊的底板間的應(yīng)力。3、 增加襯片能有效均勻分布電流，使工作電流較均勻地通過(guò)整個(gè)芯片的橫截面， 提高芯片的性能。4、 提高工作電流，減小反向恢復(fù)時(shí)間。根據(jù)本實(shí)用新型，所述上、下襯片采用金屬化的陶瓷片或氧化鈹片。 根據(jù)本實(shí)用新型，所述硅片與上、下襯片采用鉛錫合金熔接。采用焊接性能良好的焊料，芯片的上下二面都搪有焊料，十分適合國(guó)內(nèi)的焊接工藝，在焊接過(guò)程中自動(dòng)填充焊接面間的空隙，使硅片與襯片接觸良好。根據(jù)本實(shí)用新型，所述硅片的周邊也采用鉛錫合金熔接封閉。


以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。 圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參照?qǐng)Dl，超快恢復(fù)二極管芯片，包括硅片3，所述的硅片3上、下表面均 設(shè)有氧化鈹片2、 4。所述上、下氧化鈹片2、 4采用鉛錫合金與硅片3熔接。所 述硅片3的周邊也采用鉛錫合金熔接封閉。應(yīng)該理解到的是上述實(shí)施例只是對(duì)本實(shí)用新型的說(shuō)明，而不是對(duì)本實(shí)用新 型的限制，任何不超出本實(shí)用新型實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本實(shí)用新 型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、超快恢復(fù)二極管芯片，包括硅片(3)，其特征在于所述的硅片(3)上、下表面均設(shè)有與硅片(3)熱膨脹系相似材料的襯片(2、4)。
2、 如權(quán)利要求l所述的超快恢復(fù)二極管芯片，其特征在于所述上、下襯片(2、 4)采用金屬化的陶瓷片或氧化鈹片。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的超快恢復(fù)二極管芯片，其特征在于所述硅片(3)與 上、下襯片(2、 4)采用鉛錫合金熔接。
4、 如權(quán)利要求1所述的超快恢復(fù)二極管芯片，其特征在于所述硅片(3)的周邊 也采用鉛錫合金熔接封閉。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種超快恢復(fù)二極管芯片，包括硅片，其特征在于所述的硅片上、下表面均設(shè)有與硅片熱膨脹系相似材料的襯片。本實(shí)用新型的超快恢復(fù)二極管芯片，具有以下優(yōu)點(diǎn)1.增強(qiáng)芯片的機(jī)械強(qiáng)度，保護(hù)芯片，使芯片不易破碎。2.減小芯片在后道封裝過(guò)程中的應(yīng)力，所用襯片與硅片有相似的熱膨脹系數(shù)，能有效緩沖芯片與下面所焊的底板間的應(yīng)力。3.增加襯片能有效均勻分布電流，使工作電流較均勻地通過(guò)整個(gè)芯片的橫截面，提高芯片的性能。4.提高工作電流，減小反向恢復(fù)時(shí)間。所述上、下襯片采用金屬化的陶瓷片或氧化鈹片。所述硅片與上、下襯片采用鉛錫合金熔接。所述硅片的周邊也采用鉛錫合金熔接封閉。
文檔編號(hào)H01L29/66GK201117662SQ20072011377
公開(kāi)日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2007年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月29日
發(fā)明者偉 徐, 項(xiàng)衛(wèi)光 申請(qǐng)人:浙江正邦電力電子有限公司