專利名稱：流體區(qū)域控制裝置及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種流體區(qū)域控制裝置及其操作方法，尤其涉及一種可應(yīng)
用于電鍍(plating)工藝、清洗(cleaning)工藝或拋光工藝的流體區(qū)域控制裝置 及其操作方法。
背景技術(shù)：
目前，用以形成金屬材料層的技術(shù)包括有物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉 積、無電電鍍法、及電鍍法等。其中，由于電化學(xué)電鍍(electro chemical plating, ECP)技術(shù)具有成本便宜以及產(chǎn)出率快的優(yōu)點，已被廣泛應(yīng)用在工業(yè)界中。 在電鍍過程中，鍍膜品質(zhì)會受到鍍液的成分、溫度、電流密度、以及被鍍 物表面的潔凈度等等因素的影響。
請參閱圖1至圖3,圖1至圖3為已知電化學(xué)電鍍工藝的工藝示意圖。 如圖1所示，首先提供一晶片10與一電鍍裝置20。電鍍裝置20包括有一 電鍍槽12 、 一電鍍流體22 、陽極系統(tǒng)(anode system ) 14 、 一陰極電極(cathode electrode) 16與一固定組件(fixing component"8。電鍍槽12用以盛裝電鍍 流體22，而電鍍流體22的主要成分為含有金屬離子的溶液。陽極系統(tǒng)14 包括有一陽極室(anode chamber)30、 一陽極電極24、 一過濾薄膜(filter membrane)26、 一擴散薄膜(diffuser membrane)28與一電鍍流體提供管線32。
將晶片10放置于陰極電極16與固定組件18之間，使晶片10被陰極 電極16與固定組件18夾住。接著，如圖2所示，略為傾斜晶片10,使晶 片10與電鍍流體22的液面之間具有一夾角之后，再將晶片10緩緩浸入電 鍍流體22中，使得晶片10的表面上比較不易夾雜氣泡。其后，如圖3所 示，陰極電極16電連接至欲電鍍的晶片10上，為了增進鍍膜厚度的均勻 性， 一般在電鍍時陰極電極16都會旋轉(zhuǎn)，以確保晶片10能持續(xù)接觸到新 鮮的電鍍流體。當此電鍍裝置20被施予一外在電壓或是電流時，由陽極系 統(tǒng)14、電鍍流體22、陰極電極16所組成的電路便會被導(dǎo)通，在陰極電極 16周圍進行還原反應(yīng)，而將金屬材料鍍在晶片10上。已知電化學(xué)電鍍工藝不僅會將金屬材料鍍在晶片IO的晶面上，還會同 時將金屬材料鍍在晶片IO的晶邊上。然而，附著于晶邊表面的金屬材料實 際上并非產(chǎn)品所需。后續(xù)在進行其他的半導(dǎo)體工藝時，晶邊表面的金屬材
料經(jīng)常會因為受到熱應(yīng)力(thermal stress )或其他因素而發(fā)生剝落(peeling ) 的現(xiàn)象，進而造成金屬材料碎裂而產(chǎn)生碎屑或顆粒。尤其是當整批的半導(dǎo) 體芯片放置于化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)裝置中進行 CVD工藝時，位置相對上方的晶片IO若發(fā)生這種剝落的現(xiàn)象，將會嚴重污 染其他位置相對下方的晶片IO表面，造成缺陷。此外，在因應(yīng)工藝所需而 移動晶片10時，此金屬材料的碎屑亦往往會掉落至晶片IO的表面上而污 染產(chǎn)品，進而影響產(chǎn)品的功能(performance )。
為了避免上述缺陷，已知電化學(xué)電鍍工藝之后另需進行額外的清除工 藝、清洗工藝與干燥工藝，以去除附著于晶邊表面的金屬材料。這不但會 增加工藝時間與工藝成本，還會增加工藝的復(fù)雜度，進而可能導(dǎo)致產(chǎn)品的 良率下降。針對電鍍流體22而言，由于已知的陽極系統(tǒng)14、晶片IO與陰 極電極16需整個浸置于電鍍流體22中，且晶片10必須傾斜于電鍍流體22 的液面而浸入，因此已知電化學(xué)電鍍工藝需要龐大的電鍍槽12與大量的電 鍍流體22。當電化學(xué)電鍍工藝進行一段時間后，工藝就需暫停，以倒出舊 的電鍍流體22并注入新的電鍍流體22。如此一來，電鍍流體22的更換又 會耗費冗長的時間，使得產(chǎn)量降低。
另一方面，為了進行已知電化學(xué)電鍍工藝，單一晶片IO必須先被機械 手臂安置于陰極電極16與固定組件18之間，接著傾斜地置入電鍍流體22 中，其后開啟電鍍裝置20進行電鍍反應(yīng)，再移出電鍍槽12，并進行清洗工 藝與干燥工藝等等后續(xù)工藝。由此可知，受到電鍍裝置20操作上的限制， 已知電化學(xué)電鍍工藝無法批次處理大量的晶片10,進而嚴重影響到產(chǎn)品的 產(chǎn)量。再者，已知的電鍍裝置20難以對晶片10進行即時(in-situ)量測，因 此不但使已知技術(shù)無法準確且快速地掌控電化學(xué)電鍍工藝，量測的步驟也 會必須耗費額外的時間。
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的主要目的之一在于提供一種流體區(qū)域控制裝置及其操作 方法，以解決已知技術(shù)所產(chǎn)生的問題。根據(jù)本發(fā)明的 一 實施例，本發(fā)明提供一種用于電鍍的流體區(qū)域控制裝
置，包括有至少一基底承載基座(substrate holder)、至少一陰極電極、至少 一陽極系統(tǒng)、至少 一控制流體提供管線(confining fluid supplying tube)、至少 一控制流體回補管線(confining fluid recovering tube)、至少 一 工藝流體^是供 管線(process fluid supplying tube)與至少一工藝流體回補管線(process fluid recovering tube)?；壮休d基座用以承載至少一半導(dǎo)體基底。陰極電極設(shè)置 于基底承載基座的表面上，用以電連接至半導(dǎo)體基底。陽極系統(tǒng)位于基底 承載基座上方，本質(zhì)上對應(yīng)于半導(dǎo)體基底而設(shè)置，并且與基底承載基座相 距一反應(yīng)高度(reaction height)。陽極系統(tǒng)與陰極電極之間定義有至少一待處 理區(qū)域以及至少一非處理區(qū)域。控制流體提供管線與控制流體回補管線皆 對應(yīng)于非處理區(qū)域而設(shè)置，分別用于提供與回收至少一控制流體。工藝流 體提供管線與工藝流體回補管線皆對應(yīng)于待處理區(qū)域而設(shè)置，分別用于提 供與回收至少 一 電鍍流體。
根據(jù)本發(fā)明的另 一優(yōu)選實施例，本發(fā)明另提供一種流體區(qū)域控制裝置 的操作方法。首先提供至少一流體區(qū)域控制裝置，流體區(qū)域控制裝置包括 有至少一基底承載基座、至少 一控制流體提供管線與至少一控制流體回補 管線，且基底承載基座上定義有至少一待處理區(qū)域與至少一非處理區(qū)域。 之后，提供至少一半導(dǎo)體基底，半導(dǎo)體基底固定于基底承載基座上。接著， 開啟控制流體提供管線與控制流體回補管線，使得至少 一控制流體持續(xù)從 控制流體提供管線流出，并且流入控制流體回補管線，其中控制流體流過 基底承載基座的非處理區(qū)域。然后提供至少一工藝流體，工藝流體接觸基 底承載基座的待處理區(qū)域，且工藝流體不溶于控制流體。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選 實施方式，并配合附圖，作詳細說明如下。然而如下的優(yōu)選實施方式與圖 式僅供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
圖1至圖3為已知電化學(xué)電鍍工藝的工藝示意圖。
圖4繪示的是本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的流體區(qū)域控制裝置的剖面示意圖。
圖5繪示的是圖4所示的陽極系統(tǒng)的剖面示意圖。圖6繪示的是本發(fā)明的 一優(yōu)選實施例基底承載基座的立體示意圖。 圖7繪示的是本發(fā)明的另 一優(yōu)選實施例基底承載基座的俯視示意圖。 圖8繪示的是本發(fā)明的一優(yōu)選實施例陰極電極的立體示意圖。
圖9繪示的是本發(fā)明的另 一優(yōu)選實施例陰極電極的側(cè)視示意圖。
圖10至圖12繪示的是本發(fā)明第一、第二、第三與第四管線的截面示意圖。
圖13繪示的是本發(fā)明另 一優(yōu)選實施例的流體區(qū)域控制裝置的剖面示意圖。
圖14至圖18繪示的是圖13所示的流體區(qū)域控制裝置的操作方法的示意圖。
圖19繪示的是本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例的流體區(qū)域控制裝置的剖面示意圖。
圖20繪示的是本發(fā)明又一優(yōu)選實施例的流體區(qū)域控制裝置的剖面示意圖。
圖21至圖24繪示的是圖19所示的流體區(qū)域控制裝置的操作方法的示意圖。
圖25繪示的是本發(fā)明的第三優(yōu)選實施例的流體區(qū)域控制裝置的剖面示
圖26繪示的是本發(fā)明流體區(qū)域控制裝置的 一操作示意圖。
圖27繪示的是本發(fā)明的第四優(yōu)選實施例的工藝操作設(shè)備的示意圖。
圖28是圖27所示的輸送裝置的立體示意圖。
圖29是圖27所示的工藝操作設(shè)備于中層的剖面示意圖。
圖30繪示的是本發(fā)明的第五優(yōu)選實施例的工藝操作設(shè)備的示意圖。
圖31繪示的是本發(fā)明的第六優(yōu)選實施例的工藝操作設(shè)備的示意圖。
圖32繪示的是本發(fā)明的第七優(yōu)選實施例的工藝操作設(shè)備的示意圖。
圖33繪示的是本發(fā)明的第八優(yōu)選實施例的工藝操作設(shè)備的示意圖。
主要元件符號說明
10晶片 12 電鍍槽
14陽極系統(tǒng) 16 陰極電極
18 固定組件 20 電鍍裝置
22電鍍流體 24 陽極電極26過濾薄膜28擴散薄膜
30陽極室32電鍍流體提供管線
110半導(dǎo)體基底114陽才及系統(tǒng)
116陰極電極118陽極室
120流體區(qū)域控制系統(tǒng)124陽才及電^L
126過濾薄膜128擴散薄膜
130基底承載基座130a輸送帶
130b環(huán)狀結(jié)構(gòu)132第一管線
134第二管線136第五管線
142第三管線144第四管線
146第六管線148第七管線
152側(cè)壁154控制流體
156電鍍流體158拋光漿料
214管線系統(tǒng)216固定組件
220流體區(qū)域控制裝置256清洗流體
320流體區(qū)域控制裝置322流體區(qū)域控制裝置
324自動工藝控制系統(tǒng)350工藝操作設(shè)備
360柱狀基臺362圓柱形支架
364外殼366載入/載出裝置
368工藝系統(tǒng)372輸送裝置
420流體區(qū)域控制裝置450工藝操作設(shè)備
466載入/載出裝置472輸送裝置
478晶種沉積反應(yīng)室482阻障層沉積反應(yīng)室
484干燥反應(yīng)室486預(yù)::冗積反應(yīng)室
520流體區(qū)域控制裝置550工藝操作設(shè)備
572輸送帶620流體區(qū)域控制裝置
650工藝操作設(shè)備672輸送帶
674機械手臂720流體區(qū)域控制裝置
7144勉光系統(tǒng)722感測器
724拋光墊固定座751拋光墊
802銅電化學(xué)電鍍反應(yīng)室810晶片介面812銅晶種沉積反應(yīng)室816裝載埠
822預(yù)清洗反應(yīng)室830單晶片承載室
832緩沖室840預(yù)清洗反應(yīng)室
842緩沖室850工藝操作設(shè)備
852鉭/氮化鉭沉積反應(yīng)室860銅電化學(xué)電鍍反應(yīng)室
870銅化學(xué)機械拋光反應(yīng)室872機械手臂
880覆蓋層反應(yīng)室890銅化學(xué)機械拋光反應(yīng)室
914系統(tǒng)
具體實施例方式
請參閱圖4與圖5，圖4繪示的是本發(fā)明第一優(yōu)選實施例用于電鍍的流 體區(qū)域控制裝置220的剖面示意圖，而圖5繪示的是圖4所示的陽極系統(tǒng) 114的剖面示意圖，其中相同的元件或部位沿用相同的符號來表示。需注意 的是圖式僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。如圖4所示，本實施例 提供一種用于電鍍的流體區(qū)域控制裝置220，包括有一流體區(qū)域控制系統(tǒng) 120與一陽極系統(tǒng)114。其中，流體區(qū)域控制系統(tǒng)120包括有一基底承載基 座130、 一陰極電極116、至少一第一管線132、至少一第二管線134、至 少一第三管線142與至少一第四管線144。
陽極系統(tǒng)114位于基底承載基座130上方，本質(zhì)上對應(yīng)于待處理的半 導(dǎo)體基底110而設(shè)置。陽極系統(tǒng)114與基底承載基座130相距一反應(yīng)高度H ， 一方面可作為電鍍反應(yīng)的電壓來源，另 一 方面可以協(xié)助流體區(qū)域控制裝置 220去控制工藝流體所占據(jù)的高度。于流體區(qū)域控制裝置220中，陽極系統(tǒng) 114可為一S走轉(zhuǎn)系統(tǒng)(rotary system)或 一 固定系統(tǒng)(fixed system) 。 4灸句話i兌， 相對于基底承載基座130而言，陽極系統(tǒng)114可進行旋轉(zhuǎn)動作，也可以維 持在固定位置上。另一方面，基底承載基座130也可以選擇要進行旋轉(zhuǎn)動 作或是維持在固定位置上。如圖5所示，陽極系統(tǒng)114可包括有一陽極電 極124,并且選擇性地包括有至少一第五管線136、 一感測器(sensor)122或 偵測器(detector，未示于圖中)。另外，陽極系統(tǒng)114也可以包括有陽極室 118、過濾薄膜126或擴散薄膜128等元件。
基底承載基座130用以承載至少一半導(dǎo)體基底110。其中，本發(fā)明的基 底承載基座130可具有一帶狀(belttype)結(jié)構(gòu)或一環(huán)狀(ringtype)結(jié)構(gòu)，如圖6與圖7所示。圖6的基底承載基座130具有至少一輸送帶130a,使眾多待 處理的半導(dǎo)體基底110可利用基底承載基座130依序傳入流體區(qū)域控制裝 置220中。圖7的基底承載基座130則具有一環(huán)狀結(jié)構(gòu)130b,以容置待處 理的半導(dǎo)體基底110。需注意的是，基底承載基座130亦可同時具有環(huán)狀結(jié) 構(gòu)與輸送帶(未示于圖中)，利用環(huán)狀結(jié)構(gòu)容置半導(dǎo)體基底110,并利用輸送 帶傳送環(huán)狀結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體基底110。
陰極電極116設(shè)置于基底承載基座130的表面上，可電連接至半導(dǎo)體 基底IIO。其中，陰極電極116可同時作為一固定組件，用以將半導(dǎo)體基底 110固定于基底承載基座130的一預(yù)定位置。有筌于此，陰極電極116可具 有 一靜電吸盤(electrostatic chuck, e-chuck)、 一真空吸盤(vacuum chuck)、 一 環(huán)型(ring type)結(jié)構(gòu)或一鉗型(clamp type)結(jié)構(gòu)，如圖8與圖9所示。圖8的 陰極電極116可從半導(dǎo)體基底110的上方往下固定半導(dǎo)體基底110，而圖9 的陰極電極116可固定于基底承載基座130的表面上，從半導(dǎo)體基底110 周圍朝向半導(dǎo)體基底110的方向傾倒而箝制住半導(dǎo)體基底110?；壮休d基 座130上，陽極系統(tǒng)114與陰極電極116之間定義有一待處理區(qū)域(未示于 圖中)以及一非處理區(qū)域(未示于圖中)。部分位于待處理區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體基 底110預(yù)定要接受工藝的處理，而部分位于非處理區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體基底110 預(yù)定不接受工藝的處理。
第一管線132、第二管線134、第三管線142與第四管線144皆位于陽 極系統(tǒng)114周圍，用以提供或者回收工藝所需的化學(xué)物質(zhì)、添加物(additive)、 去離子水、氣體、控制流體等等物質(zhì)。相對于待處理的半導(dǎo)體基底110而 言，第三管線142與第四管線144位于第一管線132與第二管線134的外 側(cè)。第一管線132、第二管線134、第三管線142與第四管線144皆可以具 有任意的管線截面形狀，例如圓形、半圓形、弧形、橢圓形、長方形或是 多邊形等等形狀。舉例來說，圖IO所示的第一管線132與第二管線134皆 為圓管，而第三管線142與第四管線144具有圓弧形的截面。
此外，本發(fā)明所述的流體區(qū)域控制裝置也可以包括有多個第 一 管線 132、多個第二管線134、多個第三管線142，或者多個第四管線144，并且 讓眾多管線排列成所需的形狀，例如圓形、半圓形、弧形、橢圓形、直線 形或是長方形等等形狀。舉例來說，圖11所示的第一管線132、第二管線 134、第三管線142與第四管線144皆為圓管，且第三管線142與第四管線144分別排列成一圓形圖案。又或者圖12所示，當流體區(qū)域控制裝置220 具有側(cè)壁152作為輔助時，第三管線142與第四管線1"可以具有線形的 截面，并且互相平行排列。需特別注意的是，圖中所示的各管線皆朝著半 導(dǎo)體基底110的中心方向傾斜，如圖4所示。然而本發(fā)明不需局限于此， 本發(fā)明流體區(qū)域控制裝置220的各管線亦可垂直于半導(dǎo)體基底110的晶面 而設(shè)置、背向半導(dǎo)體基底110的中心方向傾斜，甚至是平行于半導(dǎo)體基底 110的晶面而設(shè)置。
除了可以于陽極系統(tǒng)114內(nèi)部裝設(shè)管線之外，流體區(qū)域控制裝置220 的各部分實際上都可以裝設(shè)管線。如圖13所示，流體區(qū)域控制系統(tǒng)120可 以還包括有至少一第六管線146與至少一第七管線148,設(shè)置于基底承載基 座130內(nèi)，并對應(yīng)于半導(dǎo)體基底110的外圍。第六管線146與第七管線148 同樣可以具有上述各式截面，也可以由多個第六管線146或第七管線148 排列成任意形狀。流體區(qū)域控制裝置220可以利用管線的閥門或是各流體 壓力來調(diào)控第一管線132、第二管線134、第三管線142、第四管線144、 第五管線136、第六管線146或第七管線148的開啟與關(guān)閉，且流體區(qū)域控 制裝置220也可以調(diào)控各管線內(nèi)的流動流體種類、流動方向、流速，甚至 是各管線的設(shè)置角度與位置。
另一方面，除了可以于陽極系統(tǒng)114內(nèi)部裝設(shè)感測器122或偵測器之 外，流體區(qū)域控制裝置220的各部分實際上皆可以裝設(shè)各種感測器122或 偵測器，例如裝設(shè)一溫度感測器、 一流速感測器，或是一可量測晶片表面 狀況(例如:厚度、平坦度…等)的感測器。舉例來說，第一管線132內(nèi)可以包 括有一感測器122，第二管線134內(nèi)也可以包括有一感測器122。這些感測 器可以于工藝進行的過程中對工藝狀況或是工藝流體進行即時量測，因此 可以準確且快速地掌控工藝狀況，進而能即時自動回饋并調(diào)整各項工藝參 數(shù)或是工藝流體的品質(zhì)。
為了更清楚地說明本發(fā)明的特征所在，以下通過本發(fā)明應(yīng)用于一電化 學(xué)電鍍工藝的實例來說明流體區(qū)域控制裝置220的一操作方法。請參閱圖 14，其繪示的是圖13所示用于電鍍的流體區(qū)域控制裝置220的一操作方法 示意圖，其中相同的元件或部位沿用相同的符號來表示。如圖14所示，首 先提供圖13所示的流體區(qū)域控制裝置220。之后，提供至少一半導(dǎo)體基底 110，利用陰極電極116或是其他固定組件將半導(dǎo)體基底110固定于基底承載基座130上。半導(dǎo)體基底110可以為一晶片、 一硅基底或者是硅覆絕緣
(silicon-on-insulator, SOI)基底。于本實施例中，半導(dǎo)體基底110即為一晶 片。由于本實施例晶片的晶面需接受電鍍而形成金屬材料層，且晶片的晶 邊不需要形成金屬材料層，因此流體區(qū)域控制裝置220的待處理區(qū)域102 是對應(yīng)至晶片的晶面，而非處理區(qū)域104是對應(yīng)至晶片的晶邊，其中晶片 的晶面可向上放置而面對陽^l系統(tǒng)114。
接著，開啟第三管線142與第四管線144，使得一控制流體154持續(xù)從 第四管線144流出，并通過第三管線142回收，而第六管線146與第七管 線148則關(guān)閉。其中，控制流體154是用以維持待處理區(qū)域內(nèi)的化學(xué)物質(zhì) 或清洗流體等工藝流體的形狀與位置，使得化學(xué)物質(zhì)不會接觸到半導(dǎo)體基 底110的不需接受工藝處理的部分，例如控制流體154可以為氮氣等惰性 氣體(inert gas)。第四管線144與第三管線142皆設(shè)置于半導(dǎo)體基底110的 周圍，分別用于提供與回收控制流體154。此時，控制流體154從第四管線 144流向第三管線142的路徑可形成一流動動線P。通過第三管線142與第 四管線144的配置，流體區(qū)域控制裝置220會使域控制流體154流過流體 區(qū)域控制裝置220的非處理區(qū)域。
然后開啟第一管線132與第二管線134,使得一電鍍流體156持續(xù)從第 一管線132流出，并通過第二管線134回收。此處的電鍍流體156即為電 化學(xué)電鍍工藝的工藝流體。第一管線132與第二管線134分別用于提供與 回收電鍍流體156，設(shè)置于半導(dǎo)體基底110與控制流體154的流動動線P之 間。為了促使電鍍流體156與控制流體154持續(xù)流動，流體區(qū)域控制裝置 220內(nèi)部或外部可以裝設(shè)一泵浦作為動力來源，但無須局限于此。于本發(fā)明 的其他實施例中，工藝流體甚至可以不用持續(xù)地提供與持續(xù)地回收，而是 先提供一定量的工藝流體來進行反應(yīng)后，再視情況斟酌是否要回收工藝流 體或是提供新的工藝流體。
由于電鍍流體156與控制流體154彼此不易互溶，因此控制流體154 可以控制電鍍流體156的流動范圍，使得電鍍流體156不會接觸到半導(dǎo)體 基底110上不需接受工藝處理的部分，而只會接觸到半導(dǎo)體基底110上需要 接受工藝處理的部分。如此一來，流體區(qū)域控制裝置220可以通過控制流 體154的流速、電鍍流體156的流速、各管線的位置與各管線的角度等等 因素來控制電鍍流體156所占據(jù)的空間。陽極電極124與陰極電極116可于電鍍流體156流出之前或流出之后 電連接至不同電位，如此一來，由陽極電極l24、電鍍流體156、陰極電極 116所組成的電路便會被導(dǎo)通，在陰極電極116周圍進行還原反應(yīng)，而將金 屬材料鍍在半導(dǎo)體基底110的晶面上。
在前述的狀況下，控制流體154與電鍍流體156〗皮此不會進行反應(yīng)， 控制流體154是利用其本身與電鍍流體156不互溶的特性來局限電鍍流體 156的位置與形狀。于本發(fā)明中，工藝流體與控制流體皆可以為液體狀態(tài)、 氣體狀態(tài)、蒸汽狀態(tài)(vapor state)或是膠體狀態(tài)(gel state)。例如，電鍍流體 156是以液體狀態(tài)流動，而控制流體154則是以氣體狀態(tài)流動。又或者，電 鍍流體156與控制流體154可以同時為液體狀態(tài)。甚至，控制流體154可 以包括有一超臨界流體，例如二氧化碳。在本發(fā)明的其他實施例中，控制 流體154還可以包括有其他各式物質(zhì)來輔助工藝的操作或是輔助控制電鍍 流體156的流動。舉例來說，控制流體154可包括有一離子化氣體(ionized gas)、 一熱氣體或是一冷氣體，以改變工藝溫度或是電鍍流體156的溫度與 特性。如此一來，控制流體154 —方面可以維持工藝流體的形狀與位置， 另一方面可以強化工藝，甚至還可以移除半導(dǎo)體基底110上殘留的殘留物。
本發(fā)明的主要特征之一在于利用 一控制流體取代已知的容器，以控制 工藝所需流體的位置及工藝流體占據(jù)的空間。為了達到上述目的，控制流 體與工藝流體彼此互不相溶，則控制流體可通過本身流動的流動動線P來 局限工藝流體占據(jù)的空間、利用控制流體與工藝流體彼此之間的磁力作用 來控制工藝流體占據(jù)的空間，或是利用控制流體與工藝流體彼此之間的電 力作用來控制工藝流體占據(jù)的空間。有鑒于此，控制流體154可包括有具 有》茲性的物質(zhì)、具有電性的物質(zhì)、磁流變液(magneto-rheological fluid, MRF)、 電流變液(electro-rheological fluid, ERF)，甚至是固體微粒。由此，流體區(qū)域 控制裝置220可以利用磁力(magnetic force)或是電力(electric force)來控制控 制流體154或電鍍流體156的特性，進而控制電鍍流體156的流動。
前述操作方法4又為本發(fā)明其中一種實施方式，控制流體154與電鍍流 體156的實際流動方式可依據(jù)實際工藝需求而調(diào)整。換句話說，針對不同 的工藝需求，本發(fā)明的控制流體154或電鍍流體156可以由任何管線流出， 并且于適當?shù)墓芫€進行回收。請參閱圖15至圖18，其繪示的是圖13所示 用于電鍍的流體區(qū)域控制裝置220的其他操作方法的示意圖，其中相同的元件或部位仍沿用相同的符號來表示。圖15至圖18所示的操作方法同樣 可應(yīng)用于一電化學(xué)電鍍工藝，這些操作方法與前述操作方法的主要不同之
處在于，控制流體154與電鍍流體156的流動管線有所變動。
如圖15所示，控制流體154同樣是從第四管線144流出，并通過第三 管線142回收。但是電鍍流體156改由第二管線134流出，并通過第一管 線132回收。如圖16所示，控制流體154的流動動線P同樣不變，但電鍍 流體156優(yōu)選是由第五管線136流出，并通過第一管線132與第二管線134 一起回收。如圖17所示，電鍍流體156由第一管線132流出，并通過第二 管線134回收。而控制流體154由第六管線146流出，并通過第三管線142 回收。又或者圖18所示，電鍍流體156由第一管線132流出，并通過第二 管線134回收。而控制流體154由第六管線146與第七管線148 —起流出， 并通過第三管線142與第四管線144回收。
特別注意的是，前述的流體區(qū)域控制裝置220、流體流動動線P與工藝 流體流動動線皆可應(yīng)用于一溶劑清洗(solvent cleaning)工藝中，且本發(fā)明的 流體區(qū)域控制裝置220可應(yīng)用于任何需要控制操作流體的工藝中，例如一 干燥工藝、 一濕式蝕刻工藝、 一無電電鍍(electrolessplating)工藝、 一化學(xué)機 械拋光(chemical mechanical polishing, CMP)工藝，或是一電化學(xué)機械拋光工 藝等等。當流體區(qū)域控制裝置220應(yīng)用于清洗工藝時，陽極電極124與陰 極電極116無須電連接至不同電位，且電鍍流體156可更換為清洗流體， 例如一去離子水(deionized water, DIwater)或一超臨界流體。因此， 一半導(dǎo)體 基底110于流體區(qū)域控制裝置220中接受電化學(xué)電鍍工藝之后，可以關(guān)閉 施加于陽極電極與陰極電極的電壓，并且更換工藝流體，旋即于同一裝置 中接受一清洗工藝或是一干燥工藝。
由此可知，當應(yīng)用于清洗工藝時，流體區(qū)域控制裝置甚至可以不需要 陽極電極與陰極電極二個組件。請參閱圖19，其繪示的是本發(fā)明的第二優(yōu) 選實施例用于清洗的流體區(qū)域控制裝置320的剖面示意圖，其中相同的元 件或部位沿用相同的符號來表示。如圖19所示，本實施例提供一種用于清 洗的流體區(qū)域控制裝置320。流體區(qū)域控制裝置320與流體區(qū)域控制裝置 220主要的不同之處在于，用于清洗的流體區(qū)域控制裝置320可以不需要陰 極電極116與陽極系統(tǒng)114。因此，流體區(qū)域控制裝置220可利用一固定組 件216來固定半導(dǎo)體基底110,并利用一管線系統(tǒng)(tube system)214來協(xié)助控制工藝的反應(yīng)高度H,其中固定組件216可為靜電吸盤、真空吸盤或鉗型
結(jié)構(gòu)。管線系統(tǒng)214位于基底承載基座130上方，本質(zhì)上對應(yīng)于半導(dǎo)體基 底110而設(shè)置，并且與基底承載基座130相距一反應(yīng)高度H?；壮休d基座 130上定義有一待處理區(qū)域(未示于圖中)以及一非處理區(qū)域(未示于圖中)。 部分位于待處理區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體基底110預(yù)定要接受工藝的處理，而部分 位于非處理區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體基底IIO預(yù)定不接受工藝的處理。
另外，于本發(fā)明的另一實施例中，流體區(qū)域控制系統(tǒng)120本身就可以 用于清洗工藝、蝕刻工藝或干燥工藝，而利用工藝流體本身的重力與控制 流體來維持工藝流體的位置，如圖20所示。
當流體區(qū)域控制裝置320應(yīng)用于蝕刻工藝或清洗工藝時，控制流體與 工藝流體還可以具有其他的流動方式。請參閱圖21至圖24,其繪示的是圖 19所示用于清洗的流體區(qū)域控制裝置320的其他操作方法的示意圖，其中 相同的元件或部位仍沿用相同的符號來表示，且此處的半導(dǎo)體基底110同 樣可為一晶片。如圖21所示，當要清洗半導(dǎo)體基底IIO的晶面時，第一管 線132與第二管線134 —起提供工藝所需的清洗流體256,并且由第五管線 136回收清洗流體256。而控制流體154由第六管線146與第七管線148 — 起流出，并由下往上藉著第三管線142與第四管線144回收?；蛘咭部梢?如同圖22所示，控制流體154由第三管線142與第四管線144一起流出， 并由上往下藉著第六管線146與第七管線148回收。
當要清洗半導(dǎo)體基底110的晶邊時，流體區(qū)域控制裝置320的待處理 區(qū)域可對應(yīng)至半導(dǎo)體基底110的晶邊，而非處理區(qū)域可對應(yīng)至半導(dǎo)體基底 IIO的晶面。如圖23所示，第一管線132與第二管線134—起提供工藝所 需的控制流體154，并且由第五管線136回收控制流體154,以保護位于非 處理區(qū)域的晶片的晶面不與清洗流體256接觸。而清洗流體256由第六管 線146流出，并藉著第三管線142回收。再者，如圖24所示，當要清洗半 導(dǎo)體基底110的晶背時，固定組件216可先將半導(dǎo)體基底IIO略為舉起，由 第六管線146提供清洗流體256，第三管線142回收清洗流體256。而控制 流體154由第一管線132與第二管線134流出，并藉著第五管線136回收。
本發(fā)明的用于電鍍的流體區(qū)域控制裝置220或用于清洗的流體區(qū)域控 制裝置320亦可應(yīng)用于化學(xué)機械拋光工藝，其中該工藝可分為傳統(tǒng)化學(xué)機 械拋光工藝與電化學(xué)拋光工藝。請參照圖25，其繪示的是本發(fā)明的第三優(yōu)選實施例用于拋光的流體區(qū)域控制裝置720的剖面示意圖。如圖25所示， 流體區(qū)域控制裝置720可以包括有一拋光系統(tǒng)(polishing system)714與一流 體區(qū)域控制系統(tǒng)120,其中拋光系統(tǒng)714還包括有一拋光墊(polishing pad) 751、 一拋光墊固定座(padholder)724，以及拋光漿料(slurry)158。
當應(yīng)用于電化學(xué)拋光工藝時，固定組件216可以作為陽極電極，而拋 光墊固定座724可以作為陰才及電才及，用以通電加速拋光效率。此外，當應(yīng) 用于傳統(tǒng)化學(xué)機械拋光工藝時，流體區(qū)域控制裝置720可以關(guān)閉施加于陽 極電極與陰極電極的電壓，即可于同一裝置中進行傳統(tǒng)化學(xué)機械拋光工藝。 換句話說，通過部分元件的更換、開關(guān)，以及工藝流體的更換，半導(dǎo)體基 底110可以于單一流體區(qū)域控制裝置720中迅速地進行各種不同的工藝， 例如于 一化學(xué)機械拋光工藝之后旋即接受 一 清洗工藝。
基底承載基座130上定義有一待處理區(qū)域(未示于圖中)以及一非處理 區(qū)域(未示于圖中)。部分位于待處理區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體基底110預(yù)定要接受化 學(xué)機械拋光工藝的處理，而部分位于非處理區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體基底110預(yù)定 不接受化學(xué)機械拋光工藝的處理。尤其注意的是，前述的流體流動動線P 與工藝流體流動動線皆可應(yīng)用于化學(xué)機械拋光工藝中，且拋光墊751的高 度與位置皆可以根據(jù)工藝所需而進行調(diào)整。要進行化學(xué)機械拋光工藝時， 拋光墊751可以向下施壓于半導(dǎo)體基底110表面上，或者基底承載基座130 或固定組件216也可以將半導(dǎo)體基底110上舉至拋光墊751表面。
拋光系統(tǒng)714可以還包括有一可量測晶片平坦度或材料層厚度的感測 器722，以對半導(dǎo)體基底IIO各部位進行一即時的平坦度量測，并可以將量 測結(jié)果即時回饋至工藝中。此外，拋光系統(tǒng)714可以包括有各種類型的拋 光裝置，例如一旋轉(zhuǎn)式(rotarytype)拋光裝置、 一線性(lineartype)拋光裝置、 一軌道式(orbital type)拋光裝置，或是一 固定拋光孩么粒(fixed abrasive web)系 統(tǒng)。舉例來說，當拋光系統(tǒng)714為一固定拋光微粒系統(tǒng)時，拋光墊751本 身可以具有各種類型的拋光微粒，而流體區(qū)域控制裝置720所供應(yīng)的工藝 流體可以為一去離子水，具有拋光微粒的拋光墊751配合著去離子水即可 滾動拋光整個半導(dǎo)體基底IIO或是半導(dǎo)體基底110的特定區(qū)域，例如半導(dǎo)體 基底110表面的材料層的凸起結(jié)構(gòu)。實際操作上，拋光墊751的尺寸可以 比半導(dǎo)體基底110大、比半導(dǎo)體基底110小，或是和半導(dǎo)體基底IIO—樣大。
由此也可推知，當用于清洗的流體區(qū)域控制裝置320裝設(shè)有至少一拋光墊時，流體區(qū)域控制裝置320即可進行傳統(tǒng)化學(xué)機械拋光工藝。
因為流體區(qū)域控制裝置720可以利用控制流體來控制拋光漿料158或 去離子水的位置，并且控制拋光墊751的高度與位置來拋光整個半導(dǎo)體基 底110或是半導(dǎo)體基底110的特定區(qū)域，因此流體區(qū)域控制裝置720具有以 下幾個優(yōu)點。首先，流體區(qū)域控制裝置720可以輕易地調(diào)整待處理區(qū)域與 非處理區(qū)域的位置，也可以輕易地調(diào)整半導(dǎo)體基底110的相對位置，所以 可以針對半導(dǎo)體基底110的特定區(qū)域進行拋光，而不必擔(dān)心位于其他區(qū)域
的半導(dǎo)體基底iio或材料層受到拋光而損耗或破壞。
其次，于傳統(tǒng)的蝕刻工藝、傳統(tǒng)的沉積工藝，或是傳統(tǒng)的拋光工藝之 后，單一半導(dǎo)體基底U0或是其上某一材料層的表面往往會出現(xiàn)均勻度
(uniformity)不佳的問題，例如于傳統(tǒng)的拋光工藝之后，半導(dǎo)體基底110的邊 緣會較薄而中心會較厚。由于流體區(qū)域控制裝置720可以輕易地調(diào)整待處 理區(qū)域與非處理區(qū)域的位置，也可以即時量測半導(dǎo)體基底110的平坦度或 材料層的厚度，所以能自動拋光出具有良好均勻度的半導(dǎo)體基底110或材料層。
再者，由于流體區(qū)域控制裝置720是利用控制流體來控制所需接受拋 光的位置，因此流體區(qū)域控制裝置720可以具有任意尺寸的拋光墊751，不 像傳統(tǒng)拋光機臺的拋光墊尺寸通常必須大于半導(dǎo)體基底110的尺寸。另外， 因為流體區(qū)域控制裝置720可針對待處理區(qū)域施加拋光漿料158或去離子 水，因此可以避免拋光漿料158接觸到半導(dǎo)體基底110上其他易受污染的 區(qū)域，也可以節(jié)省拋光漿料158或去離子水的使用量，避免不必要的成本 損耗。
另外需注意的是，本發(fā)明用于電鍍的流體區(qū)域控制裝置220、用于清洗 的流體區(qū)域控制裝置320與用于拋光的流體區(qū)域控制裝置720都可以對晶 片的特定區(qū)域進行工藝處理。請參閱圖26，圖26繪示的是本發(fā)明流體區(qū)域 控制裝置的一操作示意圖。如圖26所示，流體區(qū)域控制裝置可以包括有一 流體區(qū)域控制系統(tǒng)120與一系統(tǒng)914,其中系統(tǒng)914可以是陽極系統(tǒng)114、 管線系統(tǒng)214或拋光系統(tǒng)714。流體區(qū)域控制裝置可對半導(dǎo)體基底110進行 區(qū)域性的電鍍工藝、清洗工藝或是拋光工藝。這里的待處理區(qū)域不需限定 在晶面與晶邊，可以對應(yīng)至半導(dǎo)體基底110上的任意位置，例如對應(yīng)至晶 片上的某個有源區(qū)域，而半導(dǎo)體基底110上的其余部分則可對應(yīng)至非處理區(qū)域，例如非處理區(qū)域可以對應(yīng)至晶片上的某個周邊區(qū)域。在其他實施例 中，待處理區(qū)域可以對應(yīng)至晶片的晶面、晶背、晶邊，或是任何需要處理 的局部區(qū)域，而晶片的其余部分則可以對應(yīng)至非處理區(qū)域。
綜上所述，由于本發(fā)明是利用控制流體來控制工藝流體的位置，因此 不像已知電化學(xué)電鍍工藝需要龐大的電鍍槽與大量的電鍍流體。此外，本 發(fā)明的控制流體與工藝流體都可以循環(huán)再利用?？刂屏黧w或工藝流體經(jīng)過 管線回收后，可以直接經(jīng)另 一個管線回流至流體區(qū)域控制裝置中繼續(xù)利用。 或者，回收的工藝流體與控制流體也可以經(jīng)過即時的處理或非即時的處理 之后，再供應(yīng)至流體區(qū)域控制裝置中繼續(xù)利用。換句話說，本發(fā)明可以根 據(jù)回收流體或回收工藝流體的狀態(tài)與成分比例而添加新的流體或工藝流體 進行調(diào)配，也可以對回收流體或回收工藝流體進行適當?shù)姆蛛x步驟，接著 再將處理過的流體或工藝流體供應(yīng)至流體區(qū)域控制裝置中。如此一來，本 發(fā)明可以輕易且即時地調(diào)整工藝流體的成分比例與狀態(tài)，使工藝維持在良 好的狀況，無須耗費冗長的時間與龐大的成本去更換工藝流體，還可以減 少工藝流體的使用量。此外，本發(fā)明亦可視工藝需求提供一加熱裝置設(shè)置 于流體控制裝置中，用以加熱半導(dǎo)體基底或工藝流體，進而提升工藝所需 的反應(yīng)溫度或加快其反應(yīng)速度。
另 一 方面，本發(fā)明流體區(qū)域控制裝置可以通過流速與管線的控制而使 工藝僅作用于半導(dǎo)體基底上需接受工藝處理的部分，并且同時確保工藝不 會作用于半導(dǎo)體基底上不需接受工藝處理的部分，因此可以避免電化學(xué)電
鍍工藝于晶片邊緣鍍上金屬層，省略邊緣金屬的移除步驟(edge bevel removal step, EBR step)，進而節(jié)省工藝時間與工藝成本，并且降低工藝的復(fù)雜度。
由于本發(fā)明可利用控制流體取代已知的容器來控制工藝流體的位置， 因此可以打破出傳統(tǒng)裝置的局限而發(fā)展出各式各樣的工藝操作設(shè)備。請參 閱圖27至圖29，圖27繪示的是本發(fā)明的第四優(yōu)選實施例的工藝操作設(shè)備 350的示意圖，圖28是圖27所示的輸送裝置372的立體示意圖，而圖29 是圖27所示的工藝操作設(shè)備350于中層的剖面示意圖，其中相同的元件或 部位沿用相同的符號來表示。如圖27至圖29所示，工藝操作設(shè)備350包 括有一4主狀基臺360、 一自動工藝控制系統(tǒng)(automatic process control system, APC system)324、多個流體區(qū)域控制裝置322、至少一載入/載出裝置(loading/unloading device) 366與至少一輸送裝置372。柱狀基臺360可為一 直立式基臺，其中，工藝操作設(shè)備350包括有上層、中層與下層，且每一 層皆可連接至六個工藝裝置。在本實施例中，中層的其中一個工藝裝置可 以為前述的載入/載出裝置366，而其余工藝裝置可以包括有流體區(qū)域控制 裝置322或是其他所需的反應(yīng)艙室。自動工藝控制系統(tǒng)324能即時偵測工 藝操作設(shè)備350的工藝效果，以即時調(diào)校各工藝的參數(shù)設(shè)定。
流體區(qū)域控制裝置322可具有前述流體區(qū)域控制裝置220、流體區(qū)域控 制裝置320或流體區(qū)域控制裝置720的結(jié)構(gòu)，并位于柱狀基臺360的至少 一側(cè)面，用以對半導(dǎo)體基底110進行一電化學(xué)電鍍工藝、 一清洗工藝或一 化學(xué)機械拋光工藝等等各式具有流體的半導(dǎo)體工藝。換句話說，各流體區(qū) 域控制裝置322分別具有一基底承載基座130與一工藝系統(tǒng)368。當流體區(qū) 域控制裝置322應(yīng)用于電化學(xué)電鍍工藝時，工藝系統(tǒng)368可以為陽極系統(tǒng) 114;當流體區(qū)域控制裝置322應(yīng)用于清洗工藝時，工藝系統(tǒng)368可以為管 線系統(tǒng)214;當流體區(qū)域控制裝置322應(yīng)用于化學(xué)機械拋光工藝時，工藝系 統(tǒng)368則可以為拋光系統(tǒng)714。
如圖29所示，柱狀基臺360包括有一圓柱形支架362與一具有角柱形 結(jié)構(gòu)的外殼364。于本實施例中，外殼364為一個六角柱結(jié)構(gòu)，具有六個側(cè) 面。圓柱形支架362于中層上可連接至五個工藝系統(tǒng)368與一個載入/載出 裝置366，且各工藝系統(tǒng)368與載入/載出裝置366可對應(yīng)至外殼364的一 側(cè)面。于本發(fā)明的其他實施例中，柱狀基臺360可以包括有任何形狀的支 架與外殼，例如各種角柱形的支架、螺旋形的支架，或是圓柱形的外殼等
輸送裝置372位于柱狀基臺360周圍，用以將多個半導(dǎo)體基底110分 別傳送至載入/載出裝置366。當要進行工藝操作時，輸送裝置372的機械 手臂374可先滑動至待處理的半導(dǎo)體基底110所在之處，以擷取一個半導(dǎo) 體基底110。之后，利用輸送裝置372移動并且旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基底110，使半 導(dǎo)體基底110平行放置于載入/載出裝置366的平臺上。載入/載出裝置366 是平行于柱狀基臺360的側(cè)面而設(shè)置，用以將半導(dǎo)體基底110載入及/或載 出(loadand/orunload)柱狀基臺360，其上亦可具有一真空吸盤，用以固定半 導(dǎo)體基底110。機械手臂374優(yōu)選是一多片式(multipleblades)機械手臂，其 關(guān)節(jié)處皆可自由轉(zhuǎn)動，以使機械手臂374可以進行三維方向的攫取與移動。單一半導(dǎo)體基底110放置于載入/載出裝置366上后，柱狀基臺360可 以進行水平旋轉(zhuǎn)及/或上下移動，而把半導(dǎo)體基底IIO放置于一個流體區(qū)域 控制裝置322的基底承載基座130上，接著載入/載出裝置366再旋轉(zhuǎn)回到 原來對應(yīng)至輸送裝置372的位置。此時，輸送裝置372可以重復(fù)前述傳送 的步驟來傳送下一個半導(dǎo)體基底110，直到工藝操作設(shè)備350各層的各基底 承載基座130上皆裝填有一半導(dǎo)體基底110。
隨后，可采用前述任一種操作方式同時對各半導(dǎo)體基底110進行一電 化學(xué)電鍍工藝、 一晶面/晶背/晶邊清洗工藝、 一化學(xué)機械拋光工藝及/或一電 化學(xué)機械拋光工藝。工藝處理完畢之后，圓柱形支架362可以再水平旋轉(zhuǎn) 及/或上下移動，以將各半導(dǎo)體基底110皆載出柱狀基臺360。其后，圓柱 形支架362可以再繼續(xù)裝載待處理的半導(dǎo)體基底110。
于本發(fā)明的其他實施例中，流體區(qū)域控制裝置322與載入/載出裝置366 的位置，以及流體區(qū)域控制裝置322所進行的工藝皆可調(diào)換或調(diào)整，且工 藝操作設(shè)備350也可以包括有其他種類的工藝設(shè)備，例如一干燥裝置。
由于本發(fā)明是利用控制流體來控制工藝流體的位置，而不像傳統(tǒng)工藝 要將半導(dǎo)體基底IIO浸置于溶液槽中，故在此實施例中，流體區(qū)域控制裝 置322無須局限于水平放置方式，而可以使半導(dǎo)體基底110與流體區(qū)域控 制裝置322皆直立操作。因此，工藝操作設(shè)備350可以設(shè)計成直立式的設(shè) 備，并將載入/載出裝置366垂直整合于工藝操作設(shè)備350中，進而有效節(jié) 省工藝操作設(shè)備350的占地面積。此外，工藝操作設(shè)備350還可以對半導(dǎo) 體基底110進行批次(batch)處理，因此可以大幅地提升工藝的產(chǎn)量。
另外，本發(fā)明也可以將流體區(qū)域控制裝置與各種不同的反應(yīng)裝置整合 于同一工藝操作設(shè)備。請參閱圖30，圖30繪示的是本發(fā)明的第五優(yōu)選實施 例的工藝操作設(shè)備450的示意圖，其中相同的元件或部位仍沿用相同的符 號來表示。如圖30所示，工藝操作設(shè)備450包括有一 自動工藝控制系統(tǒng)324、 一載入/載出裝置466、至少一流體區(qū)域控制裝置420、至少一輸送裝置472、 至少一晶種沉積反應(yīng)室478、至少一阻障層沉積反應(yīng)室482、至少一干燥反 應(yīng)室484與至少一預(yù)沉積(pre-deposition)的反應(yīng)室486(例如:溶劑清洗或等離 子體清洗室)。
于此實施例中，輸送裝置472可為一機械手臂。當半導(dǎo)體基底110置 入工藝操作設(shè)備450的載入/載出裝置466后，輸送裝置472可以將半導(dǎo)體基底110往返傳送于載入/載出裝置466、流體區(qū)域控制裝置420、晶種沉積 反應(yīng)室478、阻障層沉積反應(yīng)室482、干燥反應(yīng)室484與預(yù)沉積反應(yīng)室486 之間。載入/載出裝置466在此可同時作為一載出裝置，而于其他實施例中， 工藝操作設(shè)備450亦可還包括有一載出裝置。
流體區(qū)域控制裝置420可具有前述流體區(qū)域控制裝置220、流體區(qū)域控 制裝置320或流體區(qū)域控制裝置720的結(jié)構(gòu)，用以對半導(dǎo)體基底110進行 一電化學(xué)電鍍工藝、 一清洗工藝或一化學(xué)機械拋光工藝等等各式具有流體 的半導(dǎo)體工藝。晶種沉積反應(yīng)室478可用以對半導(dǎo)體基底110進行一晶種 沉積工藝，阻障層沉積反應(yīng)室482可用以對半導(dǎo)體基底110進行一阻障層 沉積工藝，干燥反應(yīng)室484可用以對半導(dǎo)體基底110進行一干燥工藝及/或 一退火工藝，而預(yù)沉積反應(yīng)室486用以對半導(dǎo)體基底110進行一預(yù)沉積工
藝
特別注意的是，晶種沉積反應(yīng)室478、阻障層沉積反應(yīng)室482、干燥反 應(yīng)室484與預(yù)沉積反應(yīng)室486等等反應(yīng)室實際上并非本實施例的必要元件。 本實施例主要的特征在于，本發(fā)明的流體區(qū)域控制裝置420不需要具有龐 大的電鍍?nèi)芤翰?，不需要事先將半?dǎo)體基底110安裝于陰極電極與固定組 件之間，也不需局限于真空環(huán)境之中，因此可以輕易地與其他各式各樣的 反應(yīng)裝置一起整合于同一個工藝操作設(shè)備450之中。因此，其所屬技術(shù)領(lǐng) 域具有通常知識者應(yīng)可理解，本實施例的晶種沉積反應(yīng)室478、阻障層沉積 反應(yīng)室482、干燥反應(yīng)室484與預(yù)沉積反應(yīng)室486實際上也可以被其他工藝 反應(yīng)室所取代，例如后沉積(post-deposition)反應(yīng)室、拋光工藝反應(yīng)室、濺鍍 工藝反應(yīng)室、任何化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室或任何物理氣相沉積反應(yīng)室等等。
請參閱圖31，圖31繪示的是本發(fā)明的第六優(yōu)選實施例的工藝搡作設(shè)備 850的示意圖，其中相同的元件或部位仍沿用相同的符號來表示。如圖31 所示，工藝操作設(shè)備850為一全功能式系統(tǒng)(all-in-one system)或一集群系統(tǒng) (cluster system)，包括有 一 自動工藝控制系統(tǒng)324 、至少 一 裝載埠(load part)816、至少 一單晶片承載室(single wafer load lock chamber, SWLL chamber)830、 二個預(yù)清洗反應(yīng)室(pre-cleaning chamber)840、 822、至少一鉭 /氮化鉭沉積反應(yīng)室(Ta/TaN deposition chamber)852、至少一銅晶種沉積反應(yīng) 室812、 二個緩沖室(buffer chamber)832、 842、 二個銅電化學(xué)電鍍(Cu ECP) 反應(yīng)室860、 802、 二個銅化學(xué)機械拋光(CuCMP)反應(yīng)室870、 8卯、至少一覆蓋層(caplayer)反應(yīng)室880，以及三個機械手臂872,利用此系統(tǒng)芯片可在 不需破真空的情況下進行所有的工藝步驟。
裝載埠816，用來裝載晶片盒，是晶片盒進出工藝操作設(shè)備850的出入 口，以提供晶片加工。為使適用于迷你環(huán)境的技術(shù)，裝載埠816可具有至 少一晶片介面810。其中，晶片介面810可以是一個標準機械介面(standard mechanical interface, SMIF)，以裝載至少一標準化的SMIF型晶片盒?；蛘?， 裝載埠816的晶片介面810亦可為適用前開式整合搶(front opening unified pod， FOUP)形式的晶片盒。需注意的是，工藝操作設(shè)備850可包括有多個 裝載埠816，且裝載埠816可具有多個晶片介面810,這些裝載埠816或晶 片介面810實際上可以裝設(shè)于工藝操作設(shè)備850的任何位置。
單晶片承載室830可具有一定向平面對準器(orientor)，用以把晶片的定 向平面(orientation),或?qū)⑷笨?notch)對準至所定位的位置?；蛘?，單晶片承 載室830可用以對晶片進行除氣(degas)、冷卻、吹氣(pump)、潔凈(purge) 等等步驟。預(yù)清洗反應(yīng)室840與預(yù)清洗反應(yīng)室822可于晶片進行沉積工藝 之前對晶片進行一預(yù)清洗工藝。鈦/氮化鈦沉積反應(yīng)室852是用以于晶片表 面沉積一鈦金屬層及/或一氮化鈦層，鈦金屬層或氮化鈦層可作為介電層與 銅層之間的阻障層。銅晶種沉積反應(yīng)室812可以于晶片表面沉積一銅晶種 層。緩沖室832與緩沖室842可作為定向平面對準器，也可以對晶片進行 除氣、冷卻、吹氣、潔凈、退火(anneal)或測量(metrology)等等步驟。
銅電化學(xué)電鍍反應(yīng)室860與銅電化學(xué)電鍍反應(yīng)室802可具有前述流體 區(qū)域控制裝置220的結(jié)構(gòu)，用以對半導(dǎo)體基底110進行一電化學(xué)電鍍工藝， 以于前述銅晶種層表面鍍上一層所需的銅層。銅化學(xué)機械拋光反應(yīng)室870 與銅化學(xué)機械拋光反應(yīng)室890可具有前述流體區(qū)域控制裝置720的結(jié)構(gòu)， 用以對半導(dǎo)體基底110進行一化學(xué)機械拋光工藝。此外，銅電化學(xué)電鍍反 應(yīng)室860、銅電化學(xué)電鍍反應(yīng)室802、銅化學(xué)機械拋光反應(yīng)室870與銅化學(xué) 機械拋光反應(yīng)室890皆可用以對半導(dǎo)體基底110進行一預(yù)清洗工藝、 一后 清洗(post cleaning)工藝或一干燥工藝。覆蓋層反應(yīng)室880是用以于晶片表 面沉積一覆蓋層來保護晶片表面，可用以避免晶片的銅層離開工藝操作設(shè) 備850之后氧化而形成氧化物，也可以避免外界的污染物接觸覆蓋層下方 的材料層或裝置。
于此實施例中，機械手臂872可為一單片式(single blade)機械手臂或一多片式(multipleblades)機械手臂。當晶片置入工藝操作設(shè)備850后，機械手 臂872可以將晶片往返傳送于裝載埠816、單晶片承載室830、緩沖室832、 842與各反應(yīng)室802、 812、 822、 840、 852、 860、 870、 880、 890之間。
其所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者應(yīng)可理解，根據(jù)所需的產(chǎn)品產(chǎn)量 (throughput)與產(chǎn)品品質(zhì)(quality),本實施例的各反應(yīng)室802、 812、 822、 840、 852、 860、 870、 880、 890實際上也可以被其他工藝反應(yīng)室所取代，例如后 沉積反應(yīng)室、賊鍍工藝反應(yīng)室、任何化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室或任何物理氣相 沉積反應(yīng)室等等。本實施例是以一銅工藝來說明本發(fā)明應(yīng)用于一后段工藝 (back-end-of-the-line process, BEOL process)的全功能式系統(tǒng)的工藝i殳備，其 所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者亦應(yīng)理解，本發(fā)明不需局限于銅工藝，而可 以用于形成任何所需的材料層或半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
再者，本發(fā)明亦可利用輸送帶作為半導(dǎo)體基底110于工藝操作設(shè)備內(nèi) 部的輸送媒介。請參閱圖32，圖32繪示的是本發(fā)明的第七優(yōu)選實施例的工 藝操作設(shè)備550的示意圖，其中相同的元件或部位仍沿用相同的符號來表 示。如圖32所示，工藝操作設(shè)備550包括有一自動工藝控制系統(tǒng)324、 一 載入/載出裝置466、至少一流體區(qū)域控制裝置520、至少一輸送帶572、至 少一晶種沉積反應(yīng)室478、至少一阻障層沉積反應(yīng)室482、至少一干燥反應(yīng) 室484與至少一預(yù)沉積反應(yīng)室486。其中，流體區(qū)域控制裝置520可具有前 述流體區(qū)域控制裝置220、流體區(qū)域控制裝置320或流體區(qū)域控制裝置720 的結(jié)構(gòu)，用以對半導(dǎo)體基底110進行一電化學(xué)電鍍工藝、 一清洗工藝或一 化學(xué)機械拋光工藝等等工藝。
與第五實施例主要的不同處在于，本實施例的輸送裝置包括有一輸送 帶572。當半導(dǎo)體基底110置入工藝操作設(shè)備550的載入/載出裝置466后， 輸送帶572可以承載半導(dǎo)體基底110往返傳送于流體區(qū)域控制裝置420、晶 種沉積反應(yīng)室478、阻障層沉積反應(yīng)室482、干燥反應(yīng)室484與預(yù)沉積反應(yīng) 室486之間。由于本發(fā)明的流體區(qū)域控制裝置520不需要事先將半導(dǎo)體基 底110安裝于陰極電極與固定組件之間，因此工藝操作設(shè)備550只需利用 一個簡單的輸送帶572就可以將半導(dǎo)體基底110置入各反應(yīng)室接受工藝處 理。
傳統(tǒng)電化學(xué)電鍍裝置、傳統(tǒng)清洗工藝，或是傳統(tǒng)化學(xué)機械拋光裝置通 常為開放式系統(tǒng)，工藝流體或其中的化學(xué)物質(zhì)容易逸散于周圍環(huán)境中，使得裝置周圍的濕度大增，并且可能讓周圍環(huán)境中存在具污染性的化學(xué)物質(zhì)， 因此這些傳統(tǒng)裝置難以與其他工藝裝置互相整合。由于本發(fā)明流體區(qū)域控 制裝置的工藝流體的使用量減少，且工藝流體能被流體區(qū)域控制裝置迅速 回收，所以流體區(qū)域控制裝置本身與流體區(qū)域控制裝置的周圍可以具有較 小的濕度。因此，本發(fā)明的流體區(qū)域控制裝置可以克服已知裝置的限制， 與各種不同的反應(yīng)裝置整合于同一工藝操作設(shè)備。 一方面可以節(jié)省半導(dǎo)體 基底于各機臺設(shè)備間往返的運送時間，另一方面可以避免半導(dǎo)體基底的材 料層于運送的過程中遭到外界氧化，進而節(jié)省了去除氧化物所需的龐大工 藝時間與工藝成本。
此外，本發(fā)明亦可同時利用輸送帶與機械手臂作為工藝操作設(shè)備的輸 送設(shè)備。請參閱圖33，圖33繪示的是本發(fā)明的第八優(yōu)選實施例的工藝操作
設(shè)備650的示意圖，其中相同的元件或部位仍沿用相同的符號來表示。如 圖33所示，工藝操作設(shè)備650包括有一自動工藝控制系統(tǒng)324、至少一流 體區(qū)域控制裝置620、 一輸送帶672與一機械手臂674。其中，流體區(qū)域控 制裝置620可具有前述流體區(qū)域控制裝置220、流體區(qū)域控制裝置320或流 體區(qū)域控制裝置720的結(jié)構(gòu)，用以對半導(dǎo)體基底110進行一電化學(xué)電鍍工 藝、 一清洗工藝或一化學(xué)機械拋光工藝等等工藝。機械手臂674用以傳送 半導(dǎo)體基底110往返于輸送帶672與流體區(qū)域控制裝置620之間，而輸送 帶672用以將半導(dǎo)體基底IIO傳進并且傳出工藝操作設(shè)備650。
當要接受流體區(qū)域控制裝置620的處理時，待處理的半導(dǎo)體基底110 先通過輸送帶672傳送至流體區(qū)域控制裝置620周圍。接著，機械手臂674 夾取前述半導(dǎo)體基底110，并將半導(dǎo)體基底110置入流體區(qū)域控制裝置620 的基底承載基座130上。其后，流體區(qū)域控制裝置620可先對半導(dǎo)體基底 110進行一電化學(xué)電鍍工藝或一清洗工藝等等工藝。待流體區(qū)域控制裝置 620處理完成之后，機械手臂674再將半導(dǎo)體基底IIO放回輸送帶672上， 并且由輸送帶672將半導(dǎo)體基底110送往后續(xù)的工藝設(shè)備。此時，工藝操 作設(shè)備650則可以繼續(xù)處理下一個半導(dǎo)體基底110。
由此可知，由于半導(dǎo)體基底無須先安置于陰極電極與固定組件之間， 也不需要傾斜地置入電鍍流體中，所以本發(fā)明的工藝操作設(shè)備可以批次處 理大量的半導(dǎo)體基底，有效地提升產(chǎn)品的產(chǎn)量?；壮休d基座可以利用其 輸送帶或環(huán)狀結(jié)構(gòu)直接將半導(dǎo)體基底傳送至預(yù)定位置接受工藝流體的處理，因此工藝操作設(shè)備甚至可以省略半導(dǎo)體基底的載入/載出裝置，且半導(dǎo) 體基底的浸潤過程也比已知技術(shù)更為簡單。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等 變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1. 一種用于電鍍的流體區(qū)域控制裝置，包括有至少一基底承載基座，用以承載至少一半導(dǎo)體基底；至少一陰極電極，設(shè)置于該基底承載基座上，用以電連接該半導(dǎo)體基底；至少一陽極系統(tǒng)，位于該基底承載基座上方，本質(zhì)上對應(yīng)于該半導(dǎo)體基底而設(shè)置，并且與該基底承載基座相距一反應(yīng)高度，該陽極系統(tǒng)與該陰極電極之間定義有至少一待處理區(qū)域以及至少一非處理區(qū)域；至少一控制流體提供管線，對應(yīng)于該非處理區(qū)域而設(shè)置，用于提供至少一控制流體；至少一控制流體回補管線，對應(yīng)于該非處理區(qū)域而設(shè)置，用于回收該控制流體；至少一工藝流體提供管線，對應(yīng)于該待處理區(qū)域而設(shè)置，用于提供至少一電鍍流體；以及至少一工藝流體回補管線，對應(yīng)于該待處理區(qū)域而設(shè)置，用于回收該電鍍流體。
2. 如權(quán)利要求1所述的流體區(qū)域控制裝置，其中該流體區(qū)域控制裝置 是應(yīng)用于至少一電化學(xué)電鍍工藝。
3. 如權(quán)利要求1所述的流體區(qū)域控制裝置，其中該控制流體是液體狀 態(tài)、氣體狀態(tài)、蒸汽狀態(tài)或是膠體狀態(tài)。
4. 如權(quán)利要求1所述的流體區(qū)域控制裝置，其中該半導(dǎo)體基底是晶片， 該待處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶片的晶面，而該非處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶片的 晶邊。
5. —種流體區(qū)域控制裝置，包括有至少一基底承載基座，用以承載至少一半導(dǎo)體基底，該基底承載基座上定義有至少一待處理區(qū)域以及至少一非處理區(qū)域；至少一固定組件，設(shè)置于該基底承載基座上，用以固定該半導(dǎo)體基底； 至少一控制流體提供管線，對應(yīng)于該非處理區(qū)域而設(shè)置，用于提供至少一控制流體；至少一控制流體回補管線，對應(yīng)于該非處理區(qū)域而設(shè)置，用于回收該控制流體；至少一工藝流體提供管線，對應(yīng)于該待處理區(qū)域而設(shè)置，用于提供至 少一工藝流體；以及至少一工藝流體回補管線，對應(yīng)于該待處理區(qū)域而設(shè)置，用于回收該 工藝流體。
6. 如權(quán)利要求5所述的流體區(qū)域控制裝置，其中該流體區(qū)域控制裝置 是應(yīng)用于至少一溶劑清洗工藝、至少一無電電鍍工藝或至少一晶背/晶邊清洗工藝。
7. 如權(quán)利要求5所述的流體區(qū)域控制裝置，還包括有至少一管線系統(tǒng)， 位于該基底承載基座上方，本質(zhì)上對應(yīng)于該半導(dǎo)體基底而設(shè)置，并且與該 基底承載基座相距一反應(yīng)高度。
8. 如權(quán)利要求5所述的流體區(qū)域控制裝置，還包括有至少一拋光系統(tǒng)， 位于該基底承載基座上方，本質(zhì)上對應(yīng)于該半導(dǎo)體基底而設(shè)置。
9. 如權(quán)利要求8所述的流體區(qū)域控制裝置，其中該拋光系統(tǒng)包括有至 少一拋光墊。
10. —種工藝操作設(shè)備，包括有 至少一柱狀基臺；以及至少一流體區(qū)域控制裝置，位于該柱狀基臺的至少一側(cè)面，該流體區(qū)域控制裝置包括有至少一基底承載基座，平行于該柱狀基臺的該側(cè)面而設(shè)置，用以承載至少一半導(dǎo)體基底；至少一固定組件，用以固定該半導(dǎo)體基底； 至少一工藝流體提供管線，用于提供至少一工藝流體； 至少一工藝流體回補管線，用于回收該工藝流體； 至少一控制流體提供管線，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的周圍，用于提供至少一控制流體；以及至少一控制流體回補管線，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的周圍，用于回收該控制流體。
11. 如權(quán)利要求10所述的工藝操作設(shè)備，還包括至少一自動工藝控制系統(tǒng)。
12. 如權(quán)利要求IO所述的工藝操作設(shè)備，其中該柱狀基臺是直立式基
13. 如權(quán)利要求10所述的工藝操作設(shè)備，其中該柱狀基臺具有多個側(cè)面。
14. 如權(quán)利要求IO所述的工藝操作設(shè)備，還包括有至少一載入/載出裝 置，位于該柱狀基臺的至少一側(cè)面，用以將該半導(dǎo)體基底載入/載出該柱狀基臺。
15. 如權(quán)利要求14所述的工藝操作設(shè)備，其中該載入/載出裝置是平行 于該柱狀基臺的該側(cè)面而設(shè)置。
16. 如權(quán)利要求14所述的工藝操作設(shè)備，還包括有至少一輸送裝置， 位于該柱狀基臺周圍，用以將該半導(dǎo)體基底傳送至該載入/載出裝置。
17. 如權(quán)利要求16所述的工藝操作設(shè)備，其中該輸送裝置先旋轉(zhuǎn)該半 導(dǎo)體基底，使該半導(dǎo)體基底平行于該載入/載出裝置后，再將該半導(dǎo)體基底 放入該載入/載出裝置。
18. 如權(quán)利要求IO所述的工藝操作設(shè)備，其中該柱狀基臺具有水平旋 轉(zhuǎn)與上下移動的功能。
19. 如權(quán)利要求IO所述的工藝操作設(shè)備，其中該固定組件是陰極電極， 且電連接至該半導(dǎo)體基底。
20. 如權(quán)利要求19所述的工藝操作設(shè)備，還包括有至少一陽極系統(tǒng)， 其中該陽極系統(tǒng)包括有至少 一 陽極電極與至少 一感測器。
21. 如權(quán)利要求IO所述的工藝操作設(shè)備，其中該流體區(qū)域控制裝置是 應(yīng)用于至少一電化學(xué)電鍍工藝、至少一拋光工藝或至少一晶面/晶背/晶邊清 洗工藝。
22. —種工藝操作設(shè)備，包括有至少一載入/載出裝置，用以載入/載出至少一半導(dǎo)體基底； 至少一輸送裝置，用以傳送該半導(dǎo)體基底；至少 一 晶種沉積反應(yīng)室，用以對該半導(dǎo)體基底進行至少 一晶種沉積工 藝；以及至少一流體區(qū)域控制裝置，包括有至少一基底承載基座，用以承載該半導(dǎo)體基底； 至少一固定組件，用以固定該半導(dǎo)體基底； 至少一工藝流體提供管線，用于提供至少一工藝流體；至少一工藝流體回補管線，用于回收該工藝流體；至少一控制流體提供管線，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的周圍，用于提供至少一控制流體；以及至少一控制流體回補管線，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的周圍，用于回收該控制流體。
23. 如權(quán)利要求22所述的工藝操作設(shè)備，還包括有至少一阻障層沉積 反應(yīng)室，用以對該半導(dǎo)體基底進行至少一阻障層沉積工藝。
24. 如權(quán)利要求22所述的工藝操作設(shè)備，還包括至少一自動工藝控制系統(tǒng)。
25. 如權(quán)利要求22所述的工藝操作設(shè)備，還包括有至少一干燥反應(yīng)室， 用以對該半導(dǎo)體基底進行至少一干燥工藝及/或一退火工藝。
26. 如權(quán)利要求22所述的工藝操作設(shè)備，還包括有至少一預(yù)沉積反應(yīng) 室，用以對該半導(dǎo)體基底進行至少一預(yù)沉積工藝。
27. 如權(quán)利要求22所述的工藝操作設(shè)備，其中該固定組件是陰極電極， 且電連接至該半導(dǎo)體基底。
28. 如權(quán)利要求27所述的工藝操作設(shè)備，還包括有至少一陽極系統(tǒng)， 其中該陽極系統(tǒng)包括有至少 一 陽極電極與至少 一感測器。
29. 如權(quán)利要求22所述的工藝操作設(shè)備，其中該流體區(qū)域控制裝置是 用以對該半導(dǎo)體基底進行至少一電化學(xué)電鍍工藝、至少一晶面/晶背/晶邊清 洗工藝、至少一化學(xué)機械拋光工藝及/或至少一電化學(xué)機械拋光工藝。
30. 如權(quán)利要求22所述的工藝操作設(shè)備，其中該工藝操作設(shè)備是全功 能式系統(tǒng)或集群系統(tǒng)。
31. 如權(quán)利要求22所述的工藝操作設(shè)備，其中該工藝操作設(shè)備應(yīng)用于 至少一銅工藝。
32. 如權(quán)利要求22所述的工藝操作設(shè)備，其中該輸送裝置包括有至少 一機械手臂或至少 一輸送帶。
33. —種流體區(qū)域控制裝置的操作方法，包括有提供至少 一流體區(qū)域控制裝置，該流體區(qū)域控制裝置包括有至少 一基 底承載基座、至少一控制流體提供管線與至少一控制流體回補管線，且該 流體區(qū)域控制裝置中定義有至少 一待處理區(qū)域與至少 一 非處理區(qū)域；提供至少一半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底固定于該基底承載基座上；開啟該控制流體提供管線與該控制流體回補管線，使得至少 一控制流 體持續(xù)從該控制流體提供管線流出，并且流入該控制流體回補管線，其中該控制流體流過該流體區(qū)域控制裝置的該非處理區(qū)域；以及提供至少 一工藝流體，該工藝流體接觸該流體區(qū)域控制裝置的該待處 理區(qū)域，且該工藝流體不溶于該控制流體。
34. 如權(quán)利要求33所述的操作方法，其中該操作方法是應(yīng)用于至少一 電化學(xué)電鍍工藝、至少一晶面/晶背/晶邊清洗工藝、至少一化學(xué)機械拋光工 藝或至少 一 電化學(xué)機械拋光工藝。
35. 如權(quán)利要求33所述的操作方法，其中該工藝流體是電鍍流體、清 洗流體、超臨界流體或拋光漿料。
36. 如權(quán)利要求33所述的操作方法，其中該控制流體是液體狀態(tài)、氣 體狀態(tài)、蒸汽狀態(tài)、超臨界流體或是膠體狀態(tài)。
37. 如權(quán)利要求33所述的操作方法，其中該半導(dǎo)體基底是晶片。
38. 如權(quán)利要求37所述的操作方法，其中該待處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶 片的晶面，而該非處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶片的晶邊。
39. 如權(quán)利要求37所述的操作方法，其中該待處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶 片的晶邊，而該非處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶片的晶面。
40. 如權(quán)利要求37所述的操作方法，其中該待處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶 片的晶面，而該非處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶片的晶背。
41. 如權(quán)利要求37所述的操作方法，其中該待處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶 片的晶背，而該非處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶片的晶面。
42. 如權(quán)利要求37所述的操作方法，其中該晶片具有至少一有源區(qū)域 與至少一周邊區(qū)域。
43. 如權(quán)利要求42所述的操作方法，其中該待處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶 片的該有源區(qū)域，而該非處理區(qū)域是對應(yīng)至該晶片的該周邊區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明是提供一種流體區(qū)域控制裝置及其操作方法。流體區(qū)域控制裝置包括有至少一基底承載基座、至少一工藝流體提供管線、至少一工藝流體回補管線、至少一控制流體提供管線與至少一控制流體回補管線。工藝流體提供管線提供至少一工藝流體，使工藝流體接觸晶片的晶面。控制流體提供管線則持續(xù)提供至少一控制流體。控制流體不溶于工藝流體，其會流過晶片的晶邊，使得工藝流體被局限于特定的空間之內(nèi)。
文檔編號H01L21/445GK101435100SQ200710186748
公開日2009年5月20日 申請日期2007年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月16日
發(fā)明者施惠紳, 簡佑芳 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司