專利名稱：導(dǎo)通墊的成型方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種導(dǎo)通墊的成型方法，不需藉由蝕刻技術(shù)即 可形成導(dǎo)通墊的成型方法。
背景技術(shù)：
銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)導(dǎo)電膜層為目前具有研究與 經(jīng)濟(jì)價(jià)值的熱門產(chǎn)物之一，其常見(jiàn)的使用范圍包括有車用液晶顯示 器、觸控面板、隔離電磁波玻璃、液晶手表、家電用品液晶面板、太 陽(yáng)電池、攜帶式液晶電玩、量測(cè)儀器用的顯示器、液晶彩色電視、筆 記型個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式個(gè)人計(jì)算機(jī)、電漿顯示器(PDP)、 EL、液晶顯 示器(LCD)，以及彩色濾鏡用的電極等等。
如圖l所示為一般應(yīng)用于觸控面板的銦錫氧化物(Indium Tin Oxide， ITO)導(dǎo)電膜層，該導(dǎo)電膜層U設(shè)置于基板12上，請(qǐng)同時(shí)參閱 圖2至圖5所示，而導(dǎo)電膜層11上并設(shè)有絕緣層13,且絕緣層上13并設(shè) 有復(fù)數(shù)穿孔131，以供導(dǎo)電膜層U露出而形成導(dǎo)通墊14，由該導(dǎo)通墊14 得以與外部控制電路連接。
至于習(xí)用的導(dǎo)通墊制造流程基本上包括如圖3至圖5所示的步驟； 首先如圖3所示，以顯影技術(shù)完成有光阻圖案15，該光阻圖案15用以將 絕緣層13上不需形成導(dǎo)通墊部位覆蓋，而將欲形成導(dǎo)通墊處A露出；之 后如圖4所示，利用蝕刻技術(shù)移除未覆蓋有光阻圖案15的絕緣層13,以 在絕緣層上13上形成復(fù)數(shù)穿孔131;最后如圖5所示，將光阻圖案15去 除，即可使導(dǎo)電膜層11部份區(qū)域的絕緣層13外露，并形成有用以構(gòu)成 與外部控制電路電性導(dǎo)通的導(dǎo)通墊14。
而上述習(xí)有的制造流程中，需藉由蝕刻技術(shù)移除未覆蓋有光阻圖 案的絕緣層，該蝕刻技術(shù)可利用濕式蝕刻(WetEtching)或干式蝕刻(Dry Etching),而習(xí)有制程利用濕式蝕刻技術(shù)，該濕式蝕刻即利用特定的化學(xué)溶液將未被光阻覆蓋的部分形成化學(xué)反應(yīng)而分解，并轉(zhuǎn)成可溶于此 溶液的化合物后加以排除，而達(dá)到蝕刻的目的。然而， 一般多利用氫
氟酸(HF)的蝕刻液；惟，該氫氟酸(HF)的蝕刻液以及分解后化合物的蝕 刻廢液卻有環(huán)保的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的即在提供一種不需藉由蝕刻技術(shù)即可形成導(dǎo)通 墊的成型方法，其依序包括有下列步驟
a)提供一具有導(dǎo)電膜層的基板；b)形成剖面為倒角形狀的光阻圖 案于導(dǎo)電膜層上預(yù)留導(dǎo)通墊的位置處；c)利用沉積技術(shù)在導(dǎo)電膜層未 覆蓋有光阻圖案處，以及光阻圖案上形成絕緣層；d)、剝離該光阻圖案， 并連同覆蓋在光阻圖案上的絕緣層去除，以形成有用以構(gòu)成與外部控 制電路電性導(dǎo)通的導(dǎo)通墊。
具體而言，本發(fā)明具有下列功效
1、 本發(fā)明相較于習(xí)有不需要蝕刻技術(shù)，即可形成導(dǎo)通墊，其加工 較為簡(jiǎn)便且省去蝕刻的成本。
2、 因不需要蝕刻技術(shù)，亦不需使用蝕刻液及不會(huì)產(chǎn)生蝕刻廢液， 進(jìn)而不會(huì)有環(huán)保問(wèn)題。
3、 不會(huì)產(chǎn)生蝕刻廢液，亦不需另外設(shè)備處理該蝕刻廢液。
說(shuō)明書附圖


圖1為一般應(yīng)用于觸控面板的導(dǎo)電膜層結(jié)構(gòu)立體圖； 圖2~圖5為習(xí)用導(dǎo)通墊的制造流程示意圖； 圖6為本發(fā)明中導(dǎo)通墊的制造流程圖； 圖7~圖9為本發(fā)明中導(dǎo)通墊的制造流程示意圖； 圖10 ~圖12為本發(fā)明中導(dǎo)通墊的另一制造流程示意圖。圖號(hào)說(shuō)明
導(dǎo)電膜層ll 基板12 絕緣層13 穿孔131導(dǎo)通墊14
導(dǎo)電膜層21 光阻圖案23 穿孔241
光阻圖案15 基板22 絕緣層24 導(dǎo)通墊2具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的特點(diǎn)，可參閱本案圖式及實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明而獲得清楚 地了解。
本發(fā)明導(dǎo)通墊的成型方法，如圖6至圖9所示，依序包含有下列步 驟。
步驟201、提供一具有導(dǎo)電膜層21的基板22，如圖7所示，其中該 導(dǎo)電膜層21可以為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO )，而該基板22 可以為一透明基板，該透明基板可選自玻璃基板或塑料基板，而該玻 璃基板以鈉義威玻璃(Soda Lime Glass )或石英玻璃為佳，該塑料基板的 材質(zhì)選自聚碳酸酯樹脂類(PC, Polycarbonate)、聚曱基丙烯酸曱酯 (PMMA)、聚對(duì)苯二曱酸乙二醇酯(PET)。
步驟202、將剝離式(lift-off)光阻劑涂布在導(dǎo)電膜層21的所有表面 上，并且利用曝光、顯影技術(shù)，保留或移除導(dǎo)電膜層21特定位置的剝 離式光阻(如圖7所示，剝離式光阻位于導(dǎo)電膜層21上預(yù)留導(dǎo)通墊處B的 位置)；其中，剝離式光阻劑可視需要選擇使用"正光阻"或"負(fù)光阻"， 亦即利用類似雕刻中的陰刻或陽(yáng)刻技巧，配合光罩圖形的阻擋，移除 或保留與光罩圖形相對(duì)應(yīng)或互補(bǔ)的圖形，主要目的在于保留導(dǎo)電膜層 特定位置的剝離式光阻，使導(dǎo)電膜層上形成用以將各導(dǎo)通墊(于圖7中尚 未形成)區(qū)隔的光阻圖案23,而該光阻圖案23是經(jīng)過(guò)涂布、曝光及顯影 制程參數(shù)的調(diào)整后，剖面為一倒角形狀，該倒角形狀可以如圖所示為 一倒梯型，亦可以為T型或香菇頭型；再者，光阻劑亦可用印刷方式， 例如網(wǎng)版印刷，直接涂布在導(dǎo)電膜層21的特定位置上。
步驟203、利用沉積技術(shù)在導(dǎo)電膜層21未覆蓋有光阻圖案23處，以 及光阻圖案23上形成絕緣層24,如圖8所示，而沉積該絕緣層24的方法包括物理氣相沉積(PVD)、蒸鍍法、'踐鍍法、低壓化學(xué)氣相沉積、與電 漿輔助化學(xué)氣相沉積，且該絕緣層可以為氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx) 的化合物。
步驟204、剝離該光阻圖案23，并連同覆蓋在光阻圖案23上的絕緣 層24去除，如圖9所示，以形成有用以構(gòu)成與外部控制電路電性導(dǎo)通的 導(dǎo)通墊25。
據(jù)以，整體絕緣層24上即形成復(fù)數(shù)個(gè)穿孔241,得以使導(dǎo)電膜層21 露出而形成導(dǎo)通墊25,透過(guò)導(dǎo)通墊25可與外部控制電路接合，進(jìn)而構(gòu) 成導(dǎo)電膜層21與外部控制電路的電性導(dǎo)通。而本發(fā)明所形成的結(jié)構(gòu)體3 可進(jìn)一步應(yīng)用于一觸控面板中。
當(dāng)然，于步驟201時(shí)，該導(dǎo)電膜層可事先利用^[敖影:技術(shù)予以圖案化， 即為 一 已圖案化導(dǎo)電膜層21',而光阻劑即涂布在該已圖案化導(dǎo)電膜層 21，上，如圖10所示，光阻圖案23形成在該已圖案化導(dǎo)電膜層21上，即 該特定位置位在該已圖案化導(dǎo)電膜層21，，而該光阻圖案23同樣可形成 倒角形狀，再利用沉積技術(shù)在基板22以及光阻圖案23上形成絕緣層24, 如圖H所示，最后再剝離該光阻圖案23,并連同覆蓋在光阻圖案23上 的絕緣層24去除，如圖12所示，以使已圖案化導(dǎo)電膜層21，的頂面露出， 以形成有用以構(gòu)成與外部控制電路電性導(dǎo)通的導(dǎo)通墊25 。
本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)巳揭示如上，然而熟悉本項(xiàng)技術(shù)的 人士仍可能基于本發(fā)明的揭示而作各種不背離本案發(fā)明精神的替換及 修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示者，.而應(yīng)包括 各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為以下的申請(qǐng)專利范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1、一種導(dǎo)通墊的成型方法，依序包含有下列步驟a、提供具有一導(dǎo)電膜層的一基板；b、將一光阻劑于該導(dǎo)電膜層的一特定位置形成一光阻圖案；c、利用一沉積技術(shù)在該導(dǎo)電膜層未覆蓋有該光阻圖案處，以及該光阻圖案上形成一絕緣層；d、剝離該光阻圖案，并連同覆蓋在該光阻圖案上的該絕緣層去除，以形成一導(dǎo)通墊。
2、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該光阻 圖案的剖面為倒角形狀。
3、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該特定 位置即為該導(dǎo)通墊的位置。
4、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該步驟a 中該導(dǎo)電膜層為一已圖案化導(dǎo)電膜層。
5、 如權(quán)利要求4所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該步驟b 中該特定位置位在該已圖案化導(dǎo)電膜層。
6、 如權(quán)利要求2所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該倒角 形狀為一倒梯型、T型或香菇頭型。
7、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該光阻 劑為一剝離式光阻劑。
8、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該步驟b 包含涂布光阻、烘烤、曝光、與顯影以形成該光阻圖案。
9、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該步驟b 的該光阻圖案用 一印刷方式涂布在該特定位置上。
10、 如權(quán)利要求9所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該印刷 方式為 一 網(wǎng)片反印刷。
11、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該步驟 c中該沉積技術(shù)選自物理氣相沉積、蒸鍍法、濺鍍法、低壓化學(xué)氣相沉積、與電漿輔助化學(xué)氣相沉積。
12、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該光阻 劑為一負(fù)型或一正型光阻。
13、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該基板 可以為一透明基板。
14、 如權(quán)利要求13所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該透明基板可選自 一玻璃基板或一塑料基板。
15、 如權(quán)利要求14所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該玻 璃基板以鈉堿玻璃或石英玻璃為佳。
16、 如權(quán)利要求14所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該塑 料基板的材質(zhì)選自聚碳酸酯樹脂類、聚甲基丙烯酸甲酯、聚 對(duì)苯二甲酸乙二醇酯。
17、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該導(dǎo)電 膜層可以為銦錫氧化物。
18、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該絕纟彖 層可以為氧化硅或氮化硅的化合物。
19、 如權(quán)利要求4所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該已圖 案化導(dǎo)電膜層利用 一微影技術(shù)形成。
20、 如權(quán)利要求1所述導(dǎo)通墊的成型方法，其中該成型 方法形成一結(jié)構(gòu)體，該結(jié)構(gòu)體應(yīng)用于一觸控面板中。
全文摘要
本發(fā)明導(dǎo)通墊成型方法先提供一具有導(dǎo)電膜層的基板，再于該導(dǎo)電膜層上預(yù)留導(dǎo)通墊的位置處，形成剖面為倒角形狀的光阻圖案后，利用沉積技術(shù)在導(dǎo)電膜層未覆蓋有光阻圖案處，以及光阻圖案上形成絕緣層，最后剝離該光阻圖案，并連同覆蓋在光阻圖案上的絕緣層去除，以形成有用以構(gòu)成與外部控制電路電性導(dǎo)通的導(dǎo)通墊。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101419925SQ20071018155
公開日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2007年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月23日
發(fā)明者張?jiān)? 楊智勝, 郭光埌 申請(qǐng)人:新應(yīng)材股份有限公司