專利名稱：疊層電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及大幅度降低等效串聯(lián)電感(ESL)的疊層電容器，特別是 涉及作為去耦電容器等所使用的疊層電容器。
背景技術(shù)：
近年，在供給LSI等的集成電路用的電源中，由于越來越向低電 壓化發(fā)展，負(fù)荷電流在不斷增大。
也就是說，在現(xiàn)在的層疊陶瓷電容器100中，由于ESL高，伴隨 負(fù)荷電流i的變動，與上述一樣，電源電壓V的變動很容易增大。
作為謀求ESL降低的疊層電容器，已知的有特開2003-51423號 公報(bào)所示的疊層電容器。依據(jù)該疊層電容器，可以謀求寄生電感的 降低，從而可降低ESL。但是，人們要求ESL的進(jìn)一步降低。
作為使ESL進(jìn)一步降低的疊層電容器，已知的有多端子疊層電容 器。在該多端子疊層電容器中，由于增多外部端子電極，可以實(shí)現(xiàn) 在一個內(nèi)部導(dǎo)體層中方向不同的電流的流動。其結(jié)果，可以再降低 ESL。
但是，在多端子電容器中，必需準(zhǔn)備多個內(nèi)部導(dǎo)體層的圖形，外 部端子電極的數(shù)目增多，存在著所謂其制造成本增高的課題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的實(shí)際情況所作的發(fā)明，其目的在于，提供無需多端子電極，以低制造成本可以大幅度降低ESL的疊層電容器。
、在本發(fā)明的疊層電容器中，對第1內(nèi)部導(dǎo)體層的第1引出部形成 第1間隙圖形。因此，第1引出部就具有從第1內(nèi)部導(dǎo)體層的本體 部分向在電介質(zhì)基體中的第1縱向側(cè)面與橫向側(cè)面交叉的兩個角部 引出的一對分岔引出圖形。因而，在各第1內(nèi)部導(dǎo)體層中，從各自 的分盆引出圖形的角部向各自的對角線的角部形成電流的流動，這 些流動在第1內(nèi)部導(dǎo)體層的本體部分、同一面內(nèi)交叉。
其結(jié)果，在電流交叉的部位，產(chǎn)生將^t場^l氐消的作用，從而，可 以減小疊層電容器自身的寄生電感，產(chǎn)生降低等效串聯(lián)電感的效果。
另外，在本發(fā)明中，由于第1端子電極與笫2端子電極在橫向彼 此面對，端子間距離變短，在這點(diǎn)上也可以謀求低ESL化。另外， 由于沿第1和第2縱向側(cè)面的各自側(cè)面形成第1端子電極和第2端 子電極，即使在第1引出部上形成了第1間隙圖形，也可以充分確 保各引出部與各端子電極的連接長度。
上述第1間隙圖形最好形成在上述第1縱向側(cè)面的中央位置。通 過這樣構(gòu)成，在第1引出部中的一對分岔引出圖形成為對稱形狀， 交叉的電流也容易構(gòu)成對稱形狀，增大抵消磁場的效果?！?019]若設(shè)上述第1間隙圖形的縱向?qū)挾葹長l、上述電介質(zhì)基體的縱向 寬度為L0，則L1/L0之比最好在0.2-0.5的范圍。該比值不管過小 或過大，都有減少同一面內(nèi)電流的交叉現(xiàn)象的傾向。
若設(shè)上述電介質(zhì)基體的橫向側(cè)面上引出的第1引出部的寬度為 Wl、上述電介質(zhì)基體的橫向?qū)挾葹閃O,則W1/W0之比最好在0.15 ~ 0.45的范圍內(nèi)。如果該比值過小，則第1引出部與第1端子電極的 接觸面積變小，并且還有同一面內(nèi)電流的交又現(xiàn)象變少的傾向。另 外，如果該比值過大，則有第1引出部對第2端子電極短路的可能 性。
若設(shè)上述電介質(zhì)基體的縱向?qū)挾茸鳛長O、上述電介質(zhì)基體的橫向 寬度為WO，則LO/WO之比最好處于1 - 5的范圍，更優(yōu)選處于1.6 3的范圍。設(shè)成這樣之比值時(shí)，將第1端子電極與第2端子電極在橫 向彼此面對變得容易。再者，如果這個比值過大，則有同一面內(nèi)電 流的交叉現(xiàn)象成為難以產(chǎn)生的傾向。
上述笫1引出部中，除了上述笫1間隙圖形以外，也可在沿上述 笫1縱向側(cè)面的位置形成另一間隙圖形。
最好，上述第2引出部中，在沿上述第2縱向側(cè)面的位置形成不 與上述第2端子電極連接的第2間隙圖形。通過在第2引出部上也 形成第2間隙圖形，可與第1引出部一樣，在第2引出部也形成一 對分岔的引出圖形，在笫2內(nèi)部導(dǎo)體層上也產(chǎn)生同一面內(nèi)電流的交 叉現(xiàn)象。其結(jié)果，可以進(jìn)一步降低ESL。
最好，上述第2間隙圖形與上述第1間隙圖形具有相同的形狀和 相同的尺寸。并且，上述第1內(nèi)部導(dǎo)體層和上迷第2內(nèi)部導(dǎo)體層最 好具有經(jīng)180°旋轉(zhuǎn)而相同的平面圖形。通過這樣的結(jié)構(gòu)，在第1內(nèi) 部導(dǎo)體層和第2內(nèi)部導(dǎo)體層中，各面內(nèi)的電流的交叉圖形大體上相 同，可以進(jìn)一步降低ESL。
再者，本發(fā)明中，第1內(nèi)部導(dǎo)體層和第2內(nèi)部導(dǎo)體層是相對的概 念，第1內(nèi)部導(dǎo)體層和第2內(nèi)部導(dǎo)體層也可以是相反的。另外，至 于其它的r第l…』和r第2…J也一樣。



下面，根據(jù)示于附圖的實(shí)施方式，說明本發(fā)明。
圖1是本發(fā)明一實(shí)施方式的疊層電容器的透視圖。圖2是插入有層疊陶瓷電容器的電路圖。 圖3是示于圖1的疊層電容器的分解透視圖。 圖4A和圖4B各為示于圖3的第1內(nèi)部導(dǎo)體層和第2內(nèi)部導(dǎo)體 層的平面圖。圖5A和圖5B各為本發(fā)明另一實(shí)施方式的疊層電容器中的第1 內(nèi)部導(dǎo)體層和第2內(nèi)部導(dǎo)體層的平面圖。圖6A和圖6B各為本發(fā)明再一實(shí)施方式的疊層電容器中的第1 內(nèi)部導(dǎo)體層和第2內(nèi)部導(dǎo)體層的平面圖。圖7A 圖7D各為本發(fā)明又一實(shí)施方式的疊層電容器中的第1 ~ 第4內(nèi)部導(dǎo)體層的平面圖。圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例和比較例的阻抗特性的曲線圖。
具體實(shí)施方式
第1實(shí)施方式
如圖1所示，本發(fā)明一實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器(以下僅稱為疊 層電容器)IO具有作為采用燒成多枚層疊電介質(zhì)層的陶乾生片后的疊 層體所得到的長方體狀的燒結(jié)體的電介質(zhì)基體12。
電介質(zhì)基體12具有第1縱向側(cè)面12A;與它相對的第2縱向 側(cè)面12B;連接這些縱向側(cè)面12A及12B的相對的4黃向側(cè)面12C及 12D。在電介質(zhì)基體12的外面，跨越在第1縱向側(cè)面12A與兩個橫 向側(cè)面12C及12D上而形成第1端子電極31。另外，跨越在第2縱 向側(cè)面12B和兩個橫向側(cè)面12C及12D上，形成第2端子電極32。
該疊層電容器10連接在例如圖2所示的電路中，作為去耦電容 器等使用。
亦即，在本實(shí)施方式中，以4皮夾在電介質(zhì)層12a之間的形式，在 電介質(zhì)基體12內(nèi)交互配置各4枚的第1和第2內(nèi)部導(dǎo)電層21、 22。 再者，作為這些內(nèi)部導(dǎo)電層21、 22的材質(zhì)不僅考慮采用賤金屬材料 的鎳、鎳合金、銅或銅合金，也可考慮采用以這些金屬為主要成分的材料。
如圖3所示， 一方的第1內(nèi)部導(dǎo)電層21具有與電介質(zhì)層12a的外 形相配的形狀，具有從電介質(zhì)層12a的周邊部用預(yù)定的絕緣間隙圖形 43隔開的內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分21a 。該內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分21a是 構(gòu)成電容器的一端的電極的部分。內(nèi)部導(dǎo)體層21還具有與該內(nèi)部導(dǎo) 體層本體部分21a—體地在同一平面內(nèi)形成的、跨越在電介質(zhì)基體12 的彼此相鄰的三個側(cè)面12A、 12C、 12D而引出的第1引出部。
如圖4A所示，在本實(shí)施方式的第1引出部中，在沿第1縱向側(cè) 面12A的中央位置，形成不與第1端子電極31連接的第1間隙圖形 41。因而，第1引出部具有從笫1內(nèi)部導(dǎo)體層21的本體部分21a向 電介質(zhì)基體12中的第1縱向側(cè)面12A和-廣向側(cè)面12C、 12D交叉的 兩個角部所引出的一對分岔引出圖形21b。
若設(shè)電介質(zhì)基體12的橫向Y的寬度為W0,則在第1引出部的分
岔引出圖形21b中的橫向Y的寬度Wl確定為使W1/W0在0.15 ~ 0.45 的范圍，優(yōu)選在0.25-0.40的范圍。
另外，若設(shè)電介質(zhì)基體12的縱向X的寬度為LO，則第1間隙圖 形41的縱向?qū)挾萀l確定為使L1/L0之比在0.2-0.5的范圍，優(yōu)選 在0.3-0.45的范圍。
在本實(shí)施方式中，第1間隙圖形41形成在電介質(zhì)基體12中的第 1縱向側(cè)面12A的縱向X的中央位置。絕緣間隙圖形43連續(xù)跨越在 電介質(zhì)基體12中的第2縱向側(cè)面12B和橫向側(cè)面12C、 12D上而形 成，該間隙圖形43的縱向的兩端部與第1引出部的分岔引出圖形21b 接觸。本實(shí)施方式中，笫1內(nèi)部導(dǎo)體層21的平面圖形是關(guān)于通過電 介質(zhì)基體12的縱向X的中間位置的中心線成線對稱的圖形。
第1端子電極31跨越在第1縱向側(cè)面12A和橫向側(cè)面12C、 12D 的三側(cè)面上而形成，第1端子電極31中的各對黃向側(cè)面12C、 12D的 兩端部延伸至比分岔引出圖形21b中的橫向Y的寬度Wl稍長的位置。
第1間隙圖形41的間隙寬度W2與絕緣間隙圖形43的間隙寬度 W3相當(dāng)，其理想值是100 20(Him的范圍。這些寬度W2、 W3如果 過小，則各端子電極31或32的絕緣性有變得不充分的可能性，如 果過大，則會縮小本體部分21a的面積，有使作為電容器的能力降低 的可能性。
如圖4B所示，在本實(shí)施方式的第2引出部中，在沿第2縱向側(cè) 面12B的中央位置，形成不與第2端子電極32連接的第2間隙圖形 42。因而，第2引出部具有從第2內(nèi)部導(dǎo)體層22的本體部分22a向 電介質(zhì)基體12中的第2縱向側(cè)面12B和橫向側(cè)面12C、 12D交叉的 兩個角部所引出的一對分岔引出圖形22b。〖0042]本實(shí)施方式中，第2內(nèi)部導(dǎo)體層22a的圖形形狀是使第1內(nèi)部導(dǎo) 體層21a旋轉(zhuǎn)180度后的圖形，具有同樣的尺寸關(guān)系(LO、 Ll、 Wl、 WO、 W2、 W3)。
從上述的尺寸關(guān)系，分別形成在2個種類的第1和第2內(nèi)部導(dǎo)體 層21及22上的分盆引出圖形21b及22b，彼此構(gòu)成投影在電介質(zhì)層 12a的層疊方向Z而相互不重疊的位置關(guān)系。各自的本體部分21a、 22a彼此投影在電介質(zhì)層12a的層疊方向Z而相互重疊，隔著電介 質(zhì)層12a而構(gòu)成電容器。
如圖1所示， 一對端子電極31和32相互絕緣，在基體12的相 對的橫向側(cè)面12C及12D中，沿Y方向以寬度W4隔開。該寬度W4 的理想值是0.3 0.5mm。
下面，說明本實(shí)施方式的疊層電容器10的作用。
依據(jù)本實(shí)施方式的疊層電容器10，在層疊多個電介質(zhì)層而形成為 長方體形狀的電介質(zhì)基體12內(nèi)，以被夾在各自電介質(zhì)層間的形式， 交互地配置兩個種類的內(nèi)部導(dǎo)體層21、 22。這兩個種類的內(nèi)部導(dǎo)體 層21、 22，以在電介質(zhì)層的層疊方向投影成相互不重疊的位置關(guān)系， 構(gòu)成分別跨越在電介質(zhì)基體12的三個側(cè)面上而凈皮引出的結(jié)構(gòu)。另夕卜， 兩個端子電極31、 32各自跨越電介質(zhì)基體12的三個側(cè)面而配置在 電介質(zhì)基體12的外側(cè)上，在兩個種類的內(nèi)部導(dǎo)體層21、 22的任何 一方上，各自連接這兩個端子電極31、 32。
而且，在本實(shí)施方式的疊層電容器10中，對笫1內(nèi)部導(dǎo)體層21 的第1引出部形成第1間隙圖形41。因而，第1引出部就有從內(nèi)部 導(dǎo)體層21的本體部分21a向電介質(zhì)基體12中的第1縱向側(cè)面12A 和橫向側(cè)面12C、 12D交叉的兩個角部所引出的一對分岔引出圖形 21b。因而，在各第1內(nèi)部導(dǎo)體層21中，從各自的分盆引出圖形21b 的角部向各自的對角線的角部形成電流的流動，這些流動就在第1 內(nèi)部導(dǎo)體層21的本體部分21a的同一面內(nèi)交叉。
同樣地，在各第2內(nèi)部導(dǎo)體層22中，從各自的分岔引出圖形22b 的角部向各自的對角線的角部形成電流的流動，這些流動在第2內(nèi) 部導(dǎo)體層22的本體部分22a的同 一面內(nèi)交叉。其結(jié)果，在電流交叉的部位產(chǎn)生抵消磁場的作用，與此同時(shí)，可 以減小疊層電容器10自身具有的寄生電感，產(chǎn)生降低等效串聯(lián)電感 的效果。
另外，在本實(shí)施方式中，由于第1端子電極31和第2端子電極32
在橫向Y相互面對，端子間距離變短，就這一點(diǎn)也可以謀求低ESL 化。另外，由于沿第1和第2縱向側(cè)面12A、 12B的每個側(cè)面形成第 1端子電極31和第2端子電極32,即使在各引出部上形成間隙圖形 41、 42,也可以充分確保各引出部的分岔引出圖形21b、 22b與各端 子電極31、 32的連接長度。
亦即，依據(jù)本實(shí)施方式的疊層電容器10，可以謀求疊層電容器IO 的大幅度的低ESL化，可以抑制電源電壓的振動，可以作為圖2所 示的去耦電容器等被合適地使用。 第2實(shí)施方式
下面，根據(jù)圖5A和圖5B,說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。再者， 在第1實(shí)施方式中說明過的構(gòu)件和在相同構(gòu)件上，帶有相同標(biāo)記， 省略重復(fù)的說明。
在本實(shí)施方式中，除了將第1實(shí)施方式中的第1內(nèi)部導(dǎo)體層21 代換成圖5A所示的第1內(nèi)部導(dǎo)電層121以外，其余與第1實(shí)施方式 相同，構(gòu)成疊層電容器。在本實(shí)施方式中，僅在第2內(nèi)部導(dǎo)體層22 上形成第2間隙圖形42，在第1內(nèi)部導(dǎo)體層121上不形成第1間隙圖形。
在本實(shí)施方式中，第1內(nèi)部導(dǎo)體層121設(shè)有對應(yīng)于第1實(shí)施方 式中的第1內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分21a的內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分121a; 對應(yīng)于第1引出部中的一對的分岔引出圖形21b的連續(xù)引出圖形121b。第1引出部的連續(xù)引出圖形121b,連續(xù)連接在第1端子電極 31的整個內(nèi)表面上。
在本實(shí)施方式的疊層電容器中，在第1內(nèi)部導(dǎo)體層121中，使電 介質(zhì)層12a介于中間，也可以期待對應(yīng)于層疊的第2內(nèi)部導(dǎo)體層22 中的電流的流動而流過與第1實(shí)施方式同樣的交叉電流。其結(jié)果， 比第1實(shí)施方式稍差，但可以期待大致同樣的作用效果。 第3實(shí)施方式〖0058〗下面，根據(jù)圖6A和圖6B說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。再者，在 第1實(shí)施方式中說明過的構(gòu)件和相同構(gòu)件上，帶有相同的標(biāo)記，省 略重復(fù)的說明。
在本實(shí)施方式中，第1內(nèi)部導(dǎo)電層221與第1內(nèi)部導(dǎo)電層21 — 樣設(shè)有對應(yīng)于第1實(shí)施方式中的第1內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分21a的內(nèi) 部導(dǎo)體層本體部分221a;對應(yīng)于分岔引出圖形21b的分盆引出圖形 221b;以及對應(yīng)于第1間隙圖形41的笫1間隙圖形241。但是，該 第1內(nèi)部導(dǎo)體層221在以下方面與笫1實(shí)施方式的第1內(nèi)部導(dǎo)體層21 不同在第1間隙圖形241的兩側(cè)，還形成有小間隙圖形243。
另外，在本實(shí)施方式中，第2內(nèi)部導(dǎo)體層222與第2內(nèi)部導(dǎo)體層 22—樣設(shè)有對應(yīng)于笫1實(shí)施方式中的第2內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分22a 的內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分222a;對應(yīng)于分岔引出圖形22b的分盆引出
圖形222b;以及對應(yīng)于笫2間隙圖形42的第2間隙圖形242。但是， 該第2內(nèi)部導(dǎo)體層222在以下方面與第1實(shí)施方式的第2內(nèi)部導(dǎo)體 層22不同在第2間隙圖形242的兩側(cè)，還形成有小間隙圖形243。
在本實(shí)施方式的疊層電容器中，也可以期待在內(nèi)部導(dǎo)體層221 、222 中流過與第1實(shí)施方式同樣的交叉電流。其結(jié)果，比第1實(shí)施方式 稍差，但可以期待大致同樣的作用效果。 第4實(shí)施方式
下面，根據(jù)圖7A-圖7D說明本發(fā)明的第4實(shí)施方式。再者，在 第1實(shí)施方式中說明過的構(gòu)件和相同的構(gòu)件上帶有相同的標(biāo)記，省 略重復(fù)的說明。
在本實(shí)施方式中，除了將第1實(shí)施方式中的第2內(nèi)部導(dǎo)體層22 代換成圖7B所示的第2內(nèi)部導(dǎo)體層322和圖7D所示的第2內(nèi)部導(dǎo) 體層323的兩個種類以外，與第1實(shí)施方式相同地構(gòu)成疊層電容器。
在本實(shí)施方式中，在與示于圖7A的第1實(shí)施方式相同的第1內(nèi) 部導(dǎo)體層21之下，隔著電介質(zhì)層12a層疊圖7B所示的第2內(nèi)部導(dǎo) 體層322，在第2內(nèi)部導(dǎo)體層322之下，隔著電介質(zhì)層12a層疊與圖 7C所示的第1實(shí)施方式相同的第1內(nèi)部導(dǎo)體層21。而且，在該第1 內(nèi)部導(dǎo)體層21之下，隔著電介質(zhì)層12a層疊圖7D所示的內(nèi)部導(dǎo)體 層323。在其下方重復(fù)上述的圖7A~圖7D所示的導(dǎo)體層21、 322、 21、 323的層疊。由于僅形成單個引出圖形323b，在內(nèi)部導(dǎo)體層本體部分323a的 周圍，在引出圖形323b以外的部分形成連續(xù)的絕緣間隙圖形345。
本實(shí)施方式的疊層電容器中，在第1內(nèi)部導(dǎo)體層321中，可以期 待與第1實(shí)施方式一樣地流過交叉電流。另外，在兩個種類的第2 內(nèi)部導(dǎo)體層322和323中，可以實(shí)現(xiàn)分別通過每個單個引出圖形322b 或323b的對角線上的電流的流動。在兩個種類的第2內(nèi)部導(dǎo)體層322 和323相互之間，電流的流動交叉。
因而，與第1實(shí)施方式比較，在第2內(nèi)部導(dǎo)體層322或323的各 同一面內(nèi)，不形成交叉的電流，但在第1內(nèi)部導(dǎo)體層321中，可以 期待流過與第1實(shí)施方式同樣的交叉電流。其結(jié)果，比第1實(shí)施方 式稍差，但可以期待大致同樣的作用效果。
再者，本發(fā)明不受上述實(shí)施方式限定，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以有種種改變。
例如，在本發(fā)明的疊層電容器中，內(nèi)部導(dǎo)體層的層疊數(shù)無特別限 定，也可以是數(shù)十或數(shù)百層。另外，在本發(fā)明中，第1間隙圖形和 第2間隙圖形不一定要沿縱向連續(xù)形成，也可以斷續(xù)地形成。 實(shí)施例
下面，根據(jù)再一個具體的實(shí)施例說明本發(fā)明，而本發(fā)明不受限于 該實(shí)施例。在該實(shí)施例中，使用網(wǎng)絡(luò)分析器，從S參數(shù)換算成阻抗， 分別求出以下的各電容器樣品的ESL。
首先，說明各電容器樣品的內(nèi)容。將有關(guān)圖1~圖4所示的實(shí)施 例的2端子型疊層電容器作為樣品Exl，除了沒有第1間隙圖形41 和第2間隙圖形42以外，將與樣品Exl同樣制造的電容器作為樣品 Cexl，分別求ESL。
然后，測量了各樣品的阻抗作為結(jié)果。該結(jié)果示于圖8。如圖8 的曲線所示，在高頻側(cè)，確認(rèn)了阻抗值是樣品Exl比樣品Cexl更低。 另外，在求ESL時(shí)，在樣品Exl中，ESL是119pH，在樣品Cexl 中，ESL是140pH。也就是，在由本發(fā)明的實(shí)施例制成的樣品Exl 中，確認(rèn)了ESL被大幅降低。
再者，該ESL是由2 7Tffl/《(ESL ..C)的公式所求得的值，f。是自身的諧振頻率，C是靜電電容。
這里，作為使用的各樣品的尺寸，在圖4所示的尺寸中， L0=1.6mm, Ll是0.8mm, W0是0.8mm, Wl是0.25mm, W2=W3 是0.15mm。內(nèi)部導(dǎo)體層的層疊數(shù)合計(jì)為25層，靜電電容是O,lnF。
權(quán)利要求
1.一種疊層電容器，其特征在于，設(shè)有層疊多個電介質(zhì)層而形成的大致長方體形狀的電介質(zhì)基體；夾在所述電介質(zhì)層間地配置在所述電介質(zhì)基體內(nèi)的、具有跨越在所述電介質(zhì)基體的第1縱向側(cè)面和兩個橫向側(cè)面上而引出的第1引出部的第1內(nèi)部導(dǎo)體層；相對于所述第1內(nèi)部導(dǎo)體層，隔著所述電介質(zhì)層而層疊在所述電介質(zhì)基體內(nèi)的、具有跨越在所述電介質(zhì)基體的第2縱向側(cè)面和兩個橫向側(cè)面上而引出的第2引出部的第2內(nèi)部導(dǎo)體層；跨越在所述第1縱向側(cè)面和兩個橫向側(cè)面上而形成在所述電介質(zhì)基體外面，連接在所述第1引出部上的第1端子電極；以及跨越在所述第2縱向側(cè)面和兩個橫向側(cè)面上而形成在所述電介質(zhì)基體的外面，連接在所述第2引出部上的第2端子電極，在所述第1引出部上，在沿所述第1縱向側(cè)面的位置上形成不與所述第1端子電極連接的第1間隙圖形。
2. 如權(quán)利要求1所述的疊層電容器，其中，所述第1間隙圖形在 所述第1縱向側(cè)面的中夬位置上形成。
3. 如權(quán)利要求1所述的疊層電容器，其中，若設(shè)所述第1間隙圖 形的縱向?qū)挾葹長l，所述電介質(zhì)基體的縱向?qū)挾葹長0，則L1/L0之比 在0.2~0.5的范圍。
4. 如權(quán)利要求1所述的疊層電容器，其中，若設(shè)在所述電介質(zhì)基 體的橫向側(cè)面上引出的第1引出部的寬度為Wl，所述電介質(zhì)基體的 橫向?qū)挾葹閃O,則W1/W0之比在0.15-0.45的范圍。
5. 如權(quán)利要求1所述的疊層電容器，其中，若設(shè)所述電介質(zhì)基體 的縱向?qū)挾葹長O,所述電介質(zhì)基體的橫向?qū)挾葹閃O,則LO/WO之比 在1 ~5的范圍。
6. 如權(quán)利要求1所述的疊層電容器，其中，除了所述第1間隙圖 形以外，在所述第1引出部上沿所述笫1縱向側(cè)面的位置上形成另一 間隙圖形。
7. 如權(quán)利要求1所述的疊層電容器，其中，具有所述第1間隙圖 形的所述第1內(nèi)部導(dǎo)體層的平面圖形，是對于通過所迷電介質(zhì)基體的 縱向中間位置的中心線成線對稱的圖形。
8. 如權(quán)利要求1所述的疊層電容器，其中，在所述第2引出部上， 在沿所述第2縱向側(cè)面的位置上形成不與所述笫2端子電極連接的第2 間隙圖形。
9. 如權(quán)利要求8所述的疊層電容器，其中，所述第2間隙圖形和 所述第1間隙圖形具有相同的形狀和相同的尺寸。
10. 如權(quán)利要求9所述的疊層電容器，其中，所迷第1內(nèi)部導(dǎo)體 層和所述第2內(nèi)部導(dǎo)體層之間具有旋轉(zhuǎn)180度而相同的平面圖形。
全文摘要
一種疊層電容器，包括由多個電介質(zhì)層(12a)層疊而形成的大致長方體形狀的電介質(zhì)基體(12)；跨越在電介質(zhì)基體(12)的第1縱向側(cè)面12A和兩個橫向側(cè)面(12C、12D)上而引出的第1內(nèi)部導(dǎo)體層(21)；隔著電介質(zhì)層(12a)相對于第1內(nèi)部導(dǎo)體層(21)層疊在電介質(zhì)基體(12)內(nèi)，跨越在第2縱向側(cè)面(12B)和兩個橫向側(cè)面(12C、12D)上而引出的第2內(nèi)部導(dǎo)體層(22)；在電介質(zhì)基體(12)的外面，跨越在第1縱向側(cè)面(12A)和兩個橫向側(cè)面(12C、12D)上而形成的笫1端子電極(31)；在電介質(zhì)基體(12)的外面，跨越在第2縱向側(cè)面(12B)和兩個橫向側(cè)面(12C、12D)上而形成的第2端子電極(32)。在第1引出部上沿笫1縱向側(cè)面(12A)的位置，形成不與第1端子電極(31)連接的第1間隙圖形(41)。
文檔編號H01G4/30GK101154504SQ200710180650
公開日2008年4月2日 申請日期2007年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月25日
發(fā)明者富樫正明 申請人:Tdk株式會社