專利名稱：疊層電容器及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將電介質(zhì)和內(nèi)部電極疊層而成的疊層電容器以及電子 設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的疊層電容器，已知的有例如如特開(kāi)平5-166671號(hào)公 報(bào)記載的，將多個(gè)大容量電容器和小容量電容器并列設(shè)置而呈一體化， 在該一體化的電容器上設(shè)置輸入電極及輸出電極。發(fā)明內(nèi)容但是，如上述現(xiàn)有技術(shù)那樣，使靜電容量不同的多個(gè)電容器一體 化而得到所期望的共振頻率及阻抗并不容易。因此，難以實(shí)現(xiàn)在寬頻 帶內(nèi)的低阻抗特性。本發(fā)明的目的在于提供可以確保在寬頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)低阻抗化的疊層 電容器及電子設(shè)備。本發(fā)明的疊層電容器具有第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極夾住電 介質(zhì)層并交替疊層而成的疊層體、設(shè)置在疊層體的一端側(cè)的第1端子 電極、以及設(shè)置在疊層體的另一端側(cè)的第2端子電極；在第1內(nèi)部電 極中設(shè)置有與第1端子電極相連接的第1引出部，在第2內(nèi)部電極中設(shè)置有與第2端子電極相連接的第2引出部，第1內(nèi)部電極具有多個(gè)種類，各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的第1引出部的位置不同，各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的第1引出部與第2引出部的距離不同。在此，第1 引出部與第2引出部之間的距離是，第1引出部與第1端子電極的連 接部、和第2引出部與第2端子電極的連接部之間的最短的直線距離 在這樣的疊層電容器中，通過(guò)設(shè)置多個(gè)種類的第1內(nèi)部電極，形 成了多個(gè)由第l內(nèi)部電極、第2內(nèi)部電極和電介質(zhì)層構(gòu)成的電容器部。 然而，為了控制電容器的共振頻率， 一般有必要調(diào)整電容器的等效串 聯(lián)電感(ESL)或靜電容量。此時(shí)，第l內(nèi)部電極的第1引出部和第2
內(nèi)部電極的第2弓l出部的之間的距離越小，電容器的等效串聯(lián)電感越 低，其結(jié)果是電容器的共振頻率變高。在本發(fā)明的疊層電容器中，由 于各種類的第1內(nèi)部電極的第1引出部與第2內(nèi)部電極的第2引出部 之間的距離不同，因此與各種類的第1內(nèi)部電極對(duì)應(yīng)的各電容器部的 等效串聯(lián)電感不同，其結(jié)果是各電容器部的共振頻率變得不同。因此， 使得疊層電容器具有多個(gè)共振頻率。由此，可以得到確保在寬頻帶內(nèi) 具有低阻抗的疊層電容器。此外，由于此時(shí)第l內(nèi)部電極的種類越多， 疊層電容器所具有的共振頻率越多，可以在更寬頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)低阻抗化。優(yōu)選第2內(nèi)部電極具有多個(gè)種類，各種類的第2內(nèi)部電極的第2 引出部的位置不同，各種類的第1內(nèi)部電極的第1引出部與各種類的 第2內(nèi)部電極的第2引出部的之間的距離不同。在這種情況下，由于 第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極的種類越多，疊層電容器所具有的共振 頻率越多，因此可以確保在更寬頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)低阻抗化。此外，優(yōu)選多個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的至少一種在疊層體的同一 層內(nèi)被分割為多個(gè)內(nèi)部電極，被分割的各內(nèi)部電極具有第1引出部， 被分割的各內(nèi)部電極的面積不同。在這種情況下，由于對(duì)應(yīng)于被分割 的多個(gè)內(nèi)部電極而形成多個(gè)電容器部，因此，無(wú)需使第1內(nèi)部電極的 層數(shù)增加而可以增加疊層電容器所具有的共振頻率，可以實(shí)現(xiàn)在更寬 頻帶內(nèi)的低阻抗化。此外，多個(gè)種類的第1內(nèi)部電極也可以形成于疊層體的同一層內(nèi)。 在這種情況下，不但最小限度地抑制了第1內(nèi)部電極的層數(shù)，也可以 使疊層電容器具有多個(gè)共振頻率。由此，不但可以實(shí)現(xiàn)疊層電容器的 小型化，而且可以實(shí)現(xiàn)在寬頻帶內(nèi)的低阻抗化。此時(shí)，優(yōu)選各種類的第1內(nèi)部電極的面積不同。這樣由于各種類 的第1內(nèi)部電極的面積不同，不但與各種類的第1內(nèi)部電極對(duì)應(yīng)的各 電容器部的等效串聯(lián)電感不同，各電容器部的靜電容量也不同。因此， 可以更加精密地控制各電容器部的共振頻率。此外，本發(fā)明涉及具有電路基板和安裝在電路基板上的疊層電容 器的電子設(shè)備，其疊層電容器具有，第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極夾 住電介質(zhì)層并交替疊層而成的疊層體、設(shè)置在疊層體的一端側(cè)的第1 端子電極以及設(shè)置在疊層體的另一端側(cè)的第2端子電極。在第1內(nèi)部
電極上設(shè)置有與第1端子電極相連接的第1引出部，在第2內(nèi)部電極 上設(shè)置有與第2端子電極相連接的第2引出部，第1內(nèi)部電極具有多 個(gè)種類，各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的第1引出部的位置不同，各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的第1引出部與第2引出部之間的距離不同，疊層 電容器，以使第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極相對(duì)于電路基板成為豎立放置的狀態(tài)的方式而安裝在電路基板上。在這樣的電子設(shè)備中，通過(guò)在疊層電容器中設(shè)置多個(gè)種類的第1內(nèi)部電極，使得可以形成多個(gè)由第1內(nèi)部電極、第2內(nèi)部電極以及電 介質(zhì)層形成的電容器。此吋，由于各種類的第1內(nèi)部電極的第1引出 部和第2內(nèi)部i乜極的第2引出部之間的距離不同，因此與各種類的第1 內(nèi)部電極對(duì)應(yīng)的各電容器部的等效串聯(lián)電感不同，其結(jié)果是各電容器 部的共振頻率不同。因此，疊層電容器具有多個(gè)共振頻率。由此，可 以確保得到在寬頻帶內(nèi)低阻抗的疊層電容器。此外，在疊層電容器安裝在電路基板上的狀態(tài)下，電流從電路基 板通過(guò)第1端子電極流向第1內(nèi)部電極的第1引出部，或是電流從電 路基板通過(guò)第2端子電極流向第2內(nèi)部電極的第2引出部。此吋，由 第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極相對(duì)于線路基板豎立放置，可以縮短從 電路基板向各層的第1內(nèi)部電極或第2內(nèi)部電極流動(dòng)的電流的流路， 由此可以降低疊層電容器的等效串聯(lián)電感。根據(jù)本發(fā)明，可以確保實(shí)現(xiàn)疊層電容器在寬頻帶內(nèi)的低阻抗化。由以下的詳細(xì)說(shuō)明及附圖可以更為全面地理解本發(fā)明，但這些描述 和附圖僅以示例方式給出，不能認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。本發(fā)明進(jìn)一步的應(yīng)用范圍從以下的詳細(xì)說(shuō)明中可以變得更清楚。 但應(yīng)理解的是這些詳細(xì)的說(shuō)明和具體的實(shí)施例，雖然表示本發(fā)明的優(yōu) 選方式，但只是以示例方式給出的，根據(jù)這些詳細(xì)說(shuō)明，在本發(fā)明的 精神和范圍內(nèi)的各種變化和修改對(duì)本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員是顯而易見(jiàn) 的。


圖1為表示第1實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的立體圖。 圖2為圖1所示的疊層體的分解立體圖。
圖3為表示圖2所示的內(nèi)部電極層的截面圖。圖4為表示圖1所示的疊層電容器的頻率-阻抗特性的圖表。 圖5為表示圖1所示的疊層電容器安裝在電路基板上的狀態(tài)的立 體圖。圖6為表示第2實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截 面圖。圖7為表示第3實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截 而圖。圖8為表示圖7所示的疊層電容器的頻率-阻抗特性的圖表。 圖9為表示第4實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截 而圖。圖10為表示第5實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截 而圖。圖11為表示圖io所示的疊層電容器的頻率-阻抗特性的圖表。圖12為表示第6實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截 而圖。
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明所涉及的疊層電容器及電子設(shè)備 的最佳實(shí)施方式。圖1為表示第1實(shí)施方式所涉及的疊層電容器的立體圖。在該圖 中，本實(shí)施方式的疊層電容器1具有長(zhǎng)方體狀(也包括不是標(biāo)準(zhǔn)的長(zhǎng) 方體而大致為長(zhǎng)方體的形狀)的疊層體2、設(shè)置于該疊層體2的長(zhǎng)度方 向的一端側(cè)的端子電極3以及設(shè)置于疊層體2的長(zhǎng)度方向的另一端側(cè) 的端子電極4。端子電極3被設(shè)置為覆蓋疊層體2的一端面以及疊層體2的四個(gè) 側(cè)面中的一端面?zhèn)炔糠?，端子電極4被設(shè)置為覆蓋疊層體2的另一端 面以及疊層體2的四個(gè)側(cè)面中的另一端面?zhèn)炔糠帧６俗与姌O3、 4為， 例如在Cu或Ag等的燒結(jié)電極層上依次形成Ni鍍層及Sn鍍層而形成 的。
圖2為疊層體2的分解立體圖。在該圖中，疊層體2具有，將形狀不同的多種(在此為四種)內(nèi)部電極(內(nèi)部電極層)5 8，在上方 經(jīng)由各多個(gè)電介質(zhì)層9交替疊層而形成的結(jié)構(gòu)。在疊層體2的最上部 及最下部，疊層有電介質(zhì)層9。內(nèi)部電極5 8由，例如Ni或Ni合金 等形成。電介質(zhì)層9由，例如BaTi03系陶瓷等電介質(zhì)材料形成。如圖2及圖3所示，內(nèi)部電極5具有引出至疊層體2的一方端面 2a并與端子電極3相連接的引出部10。內(nèi)部電極6具有引出至疊層體 2的另一方端面2b并與端子電極4相連接的引出部11。內(nèi)部電極7具 有分別引出至疊層體2的相對(duì)的側(cè)面2c、 2d并與端子電極3相連接的 一對(duì)引出部12。這些引出部12，被引出至側(cè)而2c、 2d的相互對(duì)應(yīng)的 位置。內(nèi)部電極8具有引出至疊層體2的側(cè)而2c、 2d并與端子電極4 相連接的一對(duì)引出部13。這些引出部13，被引出至側(cè)而2c、 2d的相 互對(duì)應(yīng)的位置。在內(nèi)部電極5 8中通過(guò)電介質(zhì)層9相互重合的區(qū)域呈 矩形。制造這樣的疊層電容器1吋，首先通過(guò)將包含BaTi03系陶瓷等的 陶瓷粉體、有機(jī)粘結(jié)劑以及溶劑的陶瓷膏(電介質(zhì)膏)利用，例如刮 片法涂敷在PET股上，制作多片成為上述電介質(zhì)層9的長(zhǎng)方形的坯片。 接著，使坯片干燥后，利用，例如網(wǎng)板印刷，在坯片上形成成為上述 內(nèi)部電極5 8的電極圖案。接著，通過(guò)將形成有電極圖案的坯片和單 純的坯片以規(guī)定的順序多層疊層，形成坯疊層體。接著，對(duì)坯疊層體 進(jìn)行壓力加工后，通過(guò)進(jìn)行坯疊層體的脫粘結(jié)劑處理及燒結(jié)處理，得 到上述疊層體2。最后，利用例如膏體浸漬法以及電鍍法等，在疊層體 2上形成端子電極3， 4。由以上過(guò)程，完成了上述疊層電容器1的制 造。在這樣制造的疊層電容器1中，形成有電容器C,以及電容器C2。 電容器Ci是由相互呈異極性的內(nèi)部電極5， 6以及存在于兩者之間的 電介質(zhì)層9形成的。電容器C2是由相互呈異極性的內(nèi)部電極7， 8以 及存在于兩者之間的電介質(zhì)層9形成的。此外，若電容器的等效串聯(lián)電感(ESL)設(shè)為L(zhǎng)、靜電容量設(shè)為C， 則電容器的共振頻率fr用下式表示。 因此，通過(guò)改變電容器的等效串聯(lián)電感L或靜電容量C的值，則可以改變電容器的共振頻率fr。此時(shí)，由于呈異極性的兩個(gè)內(nèi)部電極 的引出部之間的距離越小，等效串聯(lián)電感L越低，因此共振頻率fr提問(wèn)。在本實(shí)施方式的疊層電容器1中，由于內(nèi)部電極5的引出部10被 引出至疊層體2的端面2a、與內(nèi)部電極5同極的內(nèi)部電極7的引出部 12被引出至疊層體2的側(cè)面2c， 2d，因此引出部IO， 12的形成位置 必然不同。由于內(nèi)部電極6的引出部11被引出至疊層體2的端面2b、 與內(nèi)部電極6同極的內(nèi)部屯極8的引出部13被引出至疊層體2的側(cè)面 2c， 2d，因此引出部ll， 13的形成位置必然不同。i乜容器C,屮的引出部10， 11間的距離d,比電容器CV「'引出部12， 13問(wèn)的距離d2長(zhǎng)。具體而言，引出部IO， ll間的距離d,為，引出部 10和端子電極3的連接點(diǎn)、與引出部11和端子電極4的連接點(diǎn)之間的 最短直線距離。此外，引出部12， 13間的距離d2為，引出部12和端 子電極3的連接點(diǎn)、與引出部13和端子電極4的連接點(diǎn)之間的最短直 線距離。因此，由于電容器C2的等效串聯(lián)電感(ESL)低于電容器C,的 ESL，由上式可得電容器C2的共振頻率高于電容器Q的共振頻率。具體而言，疊層電容器1的頻率-阻抗特性為如圖4所示。在圖4 中所示的圖表中，橫軸表示頻率，縱軸表示阻抗。圖中密的虛線表示 電容器d單體的特性(共振頻率fr,),疏的虛線表示電容器C2單體的 特性(共振頻率fr2)。因此，作為疊層電容器I的頻率-阻抗特性，成 為通過(guò)電容器C,單體中的阻抗的共振點(diǎn)和電容器C2單體中的阻抗的 共振點(diǎn)的線(參照?qǐng)D中實(shí)線)。也就是疊層電容器l具有兩個(gè)共振頻率 fr!， fr2。因此，本實(shí)施方式的疊層電容器l，即使不是特別地使靜電容量不同的兩個(gè)電容器一體化的結(jié)構(gòu)，在包含共振頻率fn， fr2的寬頻帶范圍
內(nèi)阻抗也降低。由此，也可以較為容易地在結(jié)構(gòu)及制造上實(shí)現(xiàn)在寬頻 帶內(nèi)具有低阻抗特性的疊層電容器1。圖5為表示包含上述疊層電容器1的電子設(shè)備的立體圖。在該圖中，電子設(shè)備14具有電路基板15以及安裝在該電路基板15上的疊層 電容器1。在電路基板15上設(shè)置有分別與疊層電容器1的端子電極3， 4電連接的電極圖案16， 17。疊層電容器1以內(nèi)部電極5 8相對(duì)于電 路基板15垂直地豎立的狀態(tài)(豎立放置狀態(tài))被安裝在電路基板15在這樣的電子設(shè)備14中，例如使疊層電容器1的端子電極3為正 極(+ )側(cè)電極，使端子電極4為負(fù)極(一)側(cè)電極，則電流通過(guò)端子 屯極3，由電路基板15的電極圖案16流向內(nèi)部電極5， 7。并且，將疊層電容器1安裝的電路基板15上，并使內(nèi)部電極5 8 相對(duì)于電路基板15成為通常的橫向放置的狀態(tài)，在此情況下，相對(duì)于 電路基板15，內(nèi)部電極5 8的高度位置越高，從電極圖案16至內(nèi)部 電極5 8的電流的流路越長(zhǎng)。因此，致使疊層電容器1的ESL增大。對(duì)此，在本實(shí)施方式中，由于內(nèi)部電極5 8相對(duì)于電路基板15 呈豎立放置狀態(tài)，從屯極圖案16向內(nèi)部電極5， 7流動(dòng)的電流的流路 的長(zhǎng)度都相同，且與內(nèi)部電極5， 7的位置無(wú)關(guān)。而且，由于內(nèi)部電極 7的引出部12引出至疊層體2的側(cè)面，因此電流從端子電極3通過(guò)電 路基板15側(cè)的引出部12而流向內(nèi)部電極7。由此，從端子電極3向內(nèi) 部電極7的電流流動(dòng)的環(huán)繞少。其結(jié)果是可以降低了疊層電容器1的 ESL。圖6為表示第2實(shí)施方式的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截面圖。 圖中，對(duì)與第1實(shí)施方式相同或相等的要素賦予相同符號(hào)，并省略其 說(shuō)明。在該圖中，本實(shí)施方式的疊層電容器的疊層體2具有與第1實(shí)施 方式同樣的、將內(nèi)部電極6 8,在上方經(jīng)由各多個(gè)電介質(zhì)層9交替疊 層而成的結(jié)構(gòu)。在這樣的疊層電容器中，形成有電容器d及電容器C2。電容器 C,由相互呈異極性的內(nèi)部電極6， 7以及存在于兩者之間的電介質(zhì)層9 而形成。電容器C2由相互呈異極性的內(nèi)部電極7， 8以及存在于兩者
之間的電介質(zhì)層9而形成。因此，與第1實(shí)施方式相比，可以使內(nèi)部 電極的種類變少而形成兩個(gè)電容器Cp C2。電容器C,中引出部11， 12間的距離d,比電容器C2中引出部12， 13間的距離d2長(zhǎng)。因此，與第1實(shí)施方式相同，由于電容器C2的ESL 比電容器C,的ESL低，因此電容器C2的共振頻率fi'2比電容器Q的 共振頻率fr,高(參照上述圖4)。從而，由于疊層電容器2具有兩個(gè)共 振頻率fr,， fr2，可以在寬頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)低阻抗化。圖7為表示第3實(shí)施方式的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截面圖。 圖中，對(duì)與第1實(shí)施方式相同或相等的要素賦予相同符號(hào)，并省略其 說(shuō)明。在該圖屮，本實(shí)施方式的疊層電容器的疊層體2具有，將內(nèi)部電 極(內(nèi)部屯極層)21 28，在下方經(jīng)由各多個(gè)電介質(zhì)層9交替疊層而 成的結(jié)構(gòu)。內(nèi)部屯極21具有引出至疊層體2的端面2a并與端子電極3相連 接的引出部29。內(nèi)部電極22具有引出至疊層體2的端面2b并與端子 ili極4相連接的引出部30。內(nèi)部電極23具有引出至疊層體2的側(cè)面 2c， 2d并與端子電極3相連接的一對(duì)引出部31。內(nèi)部電極24具有引 出至疊層體2的側(cè)而2c， 2d并與端子電極4相連接的一對(duì)引出部32。 內(nèi)部電極25具有引出至疊層體2的側(cè)面2c， 2d并與端子電極3相連 接的一對(duì)引出部33。內(nèi)部電極26具有引出至疊層體2的側(cè)面2c， 2d 并與端子電極4相連接的一對(duì)引出部34。內(nèi)部電極27具有引出至疊層 體2的側(cè)面2c， 2d并與端子電極3相連接的一對(duì)引出部35。內(nèi)部電極 28具有引出至疊層體2的側(cè)面2c， 2d并與端子電極4相連接的一對(duì)引 出部36。內(nèi)部電極21 28中通過(guò)電介質(zhì)層9而相互重合的區(qū)域呈矩形。在這樣的疊層電容器中，形成有電容器C,以及電容器C2，電容器 Q以及電容器C4。電容器d由相互呈異極性的內(nèi)部電極21， 22和存 在于兩者之間的電介質(zhì)層9形成。電容器C2由相互呈異極性的內(nèi)部電 極23， 24和存在于兩者之間的電介質(zhì)層9形成。電容器C3由相互呈 異極性的內(nèi)部電極25， 26和存在于兩者之間的電介質(zhì)層9形成。電容 器C4由相互呈異極性的內(nèi)部電極27， 28和存在于兩者之間的電介質(zhì) 層9形成。
在此，與端子電極3相連接的引出部31， 33， 35的形成位置，沿 疊層體2的長(zhǎng)度方向上而錯(cuò)開(kāi)。與端子電極4相連接的引出部32， 34， 36的形成位置，沿疊層體2的長(zhǎng)度方向上而錯(cuò)開(kāi)。因此，電容器C, 中引出部29， 30間的距離d,、電容器C2中引出部31， 32間的距離d2、 電容器C3中引出部33， 34間的距離d3、以及電容器C4中引出部35， 36間的距離山之間的關(guān)系如下式d,〉d2〉 d3〉d4因此，l:tl容器C， C4的等效串聯(lián)電感(ESL) L, L4具有如下關(guān)系L,〉 L2> L3> L4從而，由于電容器C, C4的共振頻率fr, fr4具有如下關(guān)系 fr,〈fi'2〈 fr3〈 fr4可以得到如圖8所示的頻率-電感特性。這樣，由于疊層電容器具有四個(gè)共振頻率fr| fr4，因此可以容易 地得到在比第1實(shí)施方式更寬的頻帶內(nèi)低阻抗的疊層電容器。此外，在上述實(shí)施方式中，作為與端子電極3， 4相連接的內(nèi)部電 極，分別使用了4利、而作為與端子電極3， 4相連接的內(nèi)部電極的種 類也可以分別為3利'，或分別為5種以上也可以。圖9為表示第4實(shí)施方式的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截面圖。 圖中，對(duì)與第1及第3實(shí)施方式相同或相等的要素賦予相同符號(hào)，并 省略其說(shuō)明。在該圖中，本實(shí)施方式的疊層電容器的疊層體2具有，將內(nèi)部電 極層41 47，在下方經(jīng)由各多個(gè)電介質(zhì)層9交替疊層而成的結(jié)構(gòu)。內(nèi)部電極層41由與第3實(shí)施方式相同的內(nèi)部電極22構(gòu)成，內(nèi)部 電極層43由與第3實(shí)施方式相同的內(nèi)部電極24構(gòu)成，內(nèi)部電極層45 由與第3實(shí)施方式相同的內(nèi)部電極26構(gòu)成，內(nèi)部電極層47由與第3 實(shí)施方式相同的內(nèi)部電極28構(gòu)成。內(nèi)部電極層42， 44， 46由內(nèi)部電 極48構(gòu)成。內(nèi)部電極48具有引出至疊層體2的端面2a以及側(cè)面2c， 2d并與端子電極3相連接的引出部49。在這些內(nèi)部電極中，通過(guò)電介 質(zhì)層9相互重合的區(qū)域呈矩形。
由于內(nèi)部電極48的引出部49被以U字形引出至疊層體2的端面 2a及側(cè)面2c、 2d，因此具有比其他的引出部大的寬度尺寸。因此，在 例如內(nèi)部電極48作為正極(+ )側(cè)電極而使用的情況下，由于電流從 端子電極3的較寬的區(qū)域有效地流入內(nèi)部電極48，從而能夠降低疊層 電容器的ESL。在這樣的疊層電容器中，形成有電容器d、電容器C2、電容器 C3以及電容器C4。電容器C,由相互呈異極性的內(nèi)部電極48， 22 (內(nèi) 部l乜極層42， 41)及存在于兩者之間的電介質(zhì)層9形成。電容器C2 由相互呈異極性的內(nèi)部電極48， 24 (內(nèi)部電極層42， 43)及存在于兩 者之間的電介質(zhì)層9形成。i乜容器C3由相互呈異極性的內(nèi)部電極48， 26 (內(nèi)部i乜極層44， 45)及存在于兩者之間的電介質(zhì)層9形成。電容 器C4由相互呈異極性的內(nèi)部電極48， 28 (內(nèi)部電極層46， 47)及存 在于兩者之間的lll介質(zhì)層9形成。此時(shí)，屯容器Q中引出部49， 30問(wèn)的距離d,、電容器Q中引出 部49， 32問(wèn)的距離d2、電容器C3中引出部49， 34間的距離d3、以及 屯容器C4中引出部49， 36間的距離山之間的關(guān)系如下式d,〉d2〉d3〉山也就是，與第3實(shí)施方式相同，由于疊層電容器4具有四個(gè)共振 頻率fr, fi、，因此可以實(shí)現(xiàn)在足夠?qū)挼念l帶內(nèi)的低阻抗化。此外，在上述實(shí)施方式中，作為與端子電極4相連接的內(nèi)部電極 使用了西種，然而與端子電極4相連接的內(nèi)部電極的種類當(dāng)然也可以 是3種、5種以上也沒(méi)關(guān)系。 —圖10為表示第5實(shí)施方式的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截面圖。 圖中，對(duì)與第1實(shí)施方式相同或相等的要素賦予相同符號(hào)，并省略其 說(shuō)明。在該圖中，本實(shí)施方式的疊層電容器的疊層體2具有，將內(nèi)部電 極層51 53，在下方經(jīng)由各多個(gè)電介質(zhì)層9交替疊層而成的結(jié)構(gòu)。內(nèi)部電極層51是由與第1實(shí)施方式相同的內(nèi)部電極6構(gòu)成的，內(nèi) 部電極層52是由與第1實(shí)施方式相同的內(nèi)部電極7構(gòu)成的，內(nèi)部電極 層53由內(nèi)部電極54、 55構(gòu)成。
內(nèi)部電極54具有引出至疊層體2的側(cè)面2d并與端子電極4相連 接的引出部56。內(nèi)部電極55具有引出至疊層體2的側(cè)面2c并與端子 電極4相連接的引出部57。引出部57形成于與引出部56相對(duì)應(yīng)的位 置上。內(nèi)部電極54、 55實(shí)質(zhì)上是，將與第1實(shí)施方式相同的內(nèi)部電極 8分割為2個(gè)的結(jié)構(gòu)。此外，內(nèi)部電極54具有比內(nèi)部電極55大的面積。在這樣的疊層電容器中，形成有電容器C,、電容器C2、以及電容 器C3。電容器C,由相互呈異極性的內(nèi)部電極7， 6及存在于兩者之間 的屯介質(zhì)層9形成。電容器C2由相互呈異極性的內(nèi)部電極7， 54 (及 存在于兩者之間的電介質(zhì)層9形成。電容器C3由相互呈異極性的內(nèi)部 電極7， 55及存在于兩者之間的電介質(zhì)層9形成。電容器C2的引出部12， 56間的距離d2與電容器C3的引出部12， 57間的距離cb的相等。此外，電容器C,的引出部ll， 12間的距離d, 比該距離d2， d3大。因此，屯容器C2的ESL與電容器C3的ESL相等， ili容器C,的ESL比屯容器C2， C3的ESL大。此外，山于構(gòu)成i乜容器C2的一部分的內(nèi)部電極54的面積比構(gòu)成 i乜容器C3的一部分的內(nèi)部電極55的面積大，因此電容器C2的靜電容 量比l乜容器C3的靜電容量大。其結(jié)果是，因?yàn)殡娙萜鰿, C3的共振頻率fn fh具有如下關(guān)系， 因此可以得到如圖11所示的頻率-阻抗特性。fn〈fh〈 fr3這樣，由于疊層電容器具有3個(gè)共振頻率fr, fr3，因此可以實(shí)現(xiàn)在寬帶域內(nèi)低阻抗化。此外，由于內(nèi)部電極層53由面積不同的內(nèi)部電 極54， 55構(gòu)成，因此不必增加不必要的內(nèi)部電極層的層數(shù)而可以得到 具有共振頻率fr, fh的疊層電容器。此外，在上述的實(shí)施方式中，是內(nèi)部電極層53由兩個(gè)內(nèi)部電極形 成的結(jié)構(gòu)，然而也可以是三個(gè)以上電極形成的結(jié)構(gòu)。此外，對(duì)于內(nèi)部 電極層51，也可以是多個(gè)內(nèi)部電極形成的結(jié)構(gòu)。圖12為表示第6實(shí)施方式的疊層電容器的內(nèi)部電極層的截面圖。 圖中，對(duì)與第1及第4實(shí)施方式相同或相等的要素賦予相同符號(hào)，并 省略其說(shuō)明。 在該圖中，本實(shí)施方式的疊層電容器的疊層體2具有，將內(nèi)部電極層61， 62，在上方經(jīng)由各多個(gè)電介質(zhì)層9交替疊層而成的結(jié)構(gòu)。內(nèi)部電極層61由與第4實(shí)施方式相同的內(nèi)部電極48構(gòu)成。內(nèi)部 電極層62由在疊層體2的長(zhǎng)度方向上并列而形成的內(nèi)部電極63， 64 構(gòu)成。內(nèi)部電極63具有引出至疊層體2的側(cè)面2c， 2d并與端子電極4 相連接的一對(duì)引出部65。內(nèi)部電極64具有引出至疊層體2的側(cè)面2c， 2d并與端子電極4相連接的一對(duì)引出部66。此外，內(nèi)部電極63具有 大于內(nèi)部電極64的面積。在這樣的疊層電容器中，形成有電容器C,及電容器C2。電容器 C,由相互呈異極性的內(nèi)部電極48， 63以及存在于兩者之間的電介質(zhì)層 9形成。電容器C2由相互呈異極性的內(nèi)部電極48， 64以及存在于兩者 之間的屯介質(zhì)層9形成。i乜容器C2中弓I出部49， 66之間的距離d2比電容器C,中弓I出部49， 65之間的距離d,長(zhǎng)。因此，電容器C2的ESL比電容器C，的ESL大。 但是，山于構(gòu)成屯容器C,的一部分的內(nèi)部電極63的面積比構(gòu)成電容 器C2的一部分的內(nèi)部電極64的面積大，因此電容器C,的靜電容量比屯容器C2的靜電容量大。此吋，引出部49， 65之間的距離d,以及引出部49， 66之間的距 離d2對(duì)ESL的影響相比，在內(nèi)部電極63， 64的面積對(duì)靜電容量的影 響大的情況下，電容器C,的共振頻率fr,比電容器C2的共振頻率fh低， 其結(jié)果是可以得到如上述圖4所示的頻率-阻抗特性。這樣，在本實(shí)施方式中，不僅對(duì)電容器C,， C2的ESL進(jìn)行調(diào)整，也適當(dāng)調(diào)整電容器Cp C2的靜電容量，由此，能夠確保得到具有兩個(gè)適宜的共振頻率的疊層電容器。由此，可以得到實(shí)現(xiàn)了在寬頻帶內(nèi)低 阻抗化的疊層電容器。此外，只使用兩種內(nèi)部電極層61， 62，可以得 到具有兩個(gè)共振頻率的疊層電容器，因此可以實(shí)現(xiàn)疊層電容器的簡(jiǎn)單 化及小型化。此外，在上述的實(shí)施方式中，內(nèi)部電極層62是由兩個(gè)內(nèi)部電極63， 64形成的結(jié)構(gòu)，但是，當(dāng)然也可以是由三個(gè)以上的內(nèi)部電極形成的結(jié) 構(gòu)。
以上，就本發(fā)明的疊層電容器的最佳實(shí)施方式進(jìn)行了一些說(shuō)明， 但本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式。例如，內(nèi)部電極的形狀、或內(nèi)部電極 的引出部的形成位置、形狀、數(shù)量等不限于上述實(shí)施方式中所述。從上面已經(jīng)描述的發(fā)明可知，很顯然本發(fā)明可以進(jìn)行各種方式的 改變。這些改變并不能被看作脫離了本發(fā)明的精神和范圍，并且所有 這種對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的修改都應(yīng)被認(rèn)為包括在本發(fā)明 的權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種疊層電容器，其特征在于，具有第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極夾住電介質(zhì)層并交替疊層而 成的疊層體、設(shè)置在所述疊層體的一端側(cè)的第1端子電極、以及 設(shè)置在所述疊層體的另一端側(cè)的第2端子電極；在所述第1內(nèi)部電極中設(shè)置有與所述第1端子電極相連接的第1 引出部，在所述第2內(nèi)部電極中設(shè)置有與所述第2端子電極相連接的第2引出部，所述第1內(nèi)部電極具有多個(gè)種類，所述各個(gè)種類的第1內(nèi)部l乜極 的所述第1引出部的位置不同，所述各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的所述第1引出部與所述第2引出部的距離不同。
2. 如權(quán)利要求l所述的疊層電容器，其特征在于所述第2內(nèi)部電極具有多個(gè)種類，所述各個(gè)種類的第2內(nèi)部電極的所述第2引出部的位置不同；所述各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的所述第1引出部與所述各個(gè)種類的第2內(nèi)部電極的所述第2引出部的距離不同。
3. 如權(quán)利要求l所述的疊層電容器，其特征在于所述多個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的至少一種，在所述疊層體的同一層內(nèi)被分割為多個(gè)內(nèi)部電極；所述被分割的各個(gè)內(nèi)部電極具有所述第1引出部； 所述被分割的各個(gè)內(nèi)部電極的面積不同。
4. 如權(quán)利要求l所述的疊層電容器，其特征在于所述多個(gè)種類的第1內(nèi)部電極形成在所述疊層體的同一層內(nèi)。
5. 如權(quán)利要求4所述的疊層電容器，其特征在于所述各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的面積不同。
6. —種具有電路基板和安裝在所述電路基板上的疊層電容器的電 子設(shè)備，其特征在于所述疊層電容器具有第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極夾住電介質(zhì) 層并交替疊層而成的疊層體、設(shè)置在所述疊層體的一端側(cè)的第1端子 電極以及設(shè)置在所述疊層體的另一端側(cè)的第2端子電極；在所述第1內(nèi)部電極中設(shè)置有與所述第1端子電極相連接的第1 引出部，在所述第2內(nèi)部電極中設(shè)置有與所述第2端子電極相連接的第2 引出部，所述第1內(nèi)部電極具有多個(gè)種類，所述各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極 的所述第1引出部的位置不同，所述各個(gè)種類的第1內(nèi)部屯極的所述第1引出部與所述第2引出 部的距離不同；所述疊層電容器，以使所述第1內(nèi)部電極及所述第2內(nèi)部電極相 對(duì)于所述i乜路基板成為豎立放置狀態(tài)的方式而安裝在所述電路基板
全文摘要
本發(fā)明涉及疊層電容器及電子設(shè)備，該疊層電容器具有第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極夾住電介質(zhì)層并交替疊層而成的疊層體、設(shè)置在疊層體的一端側(cè)的第1端子電極、以及設(shè)置在疊層體的另一端側(cè)的第2端子電極。在第1內(nèi)部電極中設(shè)置有與第1端子電極相連接的第1引出部。在第2內(nèi)部電極中設(shè)置有與第2端子電極相連接的第2引出部。第1內(nèi)部電極具有多個(gè)種類，各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的第1引出部的位置不同。各個(gè)種類的第1內(nèi)部電極的第1引出部與第2引出部的距離不同。
文檔編號(hào)H01G4/30GK101145448SQ20071015444
公開(kāi)日2008年3月19日 申請(qǐng)日期2007年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月12日
發(fā)明者富樫正明 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社