專利名稱：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器及其制造方法。
技術(shù)背景通常，圖像傳感器是用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件，并且主要分為電荷耦合器件(CCD)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳 感器。CCD圖像傳感器利用復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路，消耗大量電源，并需要多步光刻 工藝。這導(dǎo)致制造工藝復(fù)雜的缺點(diǎn)。近來(lái)期望用CMOS圖像傳感器來(lái)克服 CCD的缺點(diǎn)。通過(guò)在單元像素中形成光電二極管和MOS晶體管，CMOS圖像傳感器 以切換方式依次檢測(cè)像素的電信號(hào)。CMOS圖像傳感器利用比CCD圖像傳感器簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)電路。它也能夠 在單一芯片上實(shí)施多種掃描電路和積分信號(hào)處理，從而可以減小產(chǎn)品尺寸。 CMOS圖像傳感器采用CMOS技術(shù)，從而降低了制造成本和能源消耗。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器具有襯底，該襯底被分成用于接收光 信號(hào)并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的光電二極管區(qū)域，以及用于處理該電信號(hào)的晶體 管區(qū)域。典型的CMOS圖像傳感器具有這樣的結(jié)構(gòu)，即該光電二極管和該晶體管 水平設(shè)置在該半導(dǎo)體襯底上。雖然該水平型CMOS圖像傳感器解決了該CCD圖像傳感器的一些缺點(diǎn)， 但是在該水平型圖像傳感器中仍然存在一些問(wèn)題。根據(jù)該水平型CMOS圖像傳感器，該光電二極管和該晶體管在襯底上彼 此水平相鄰地形成。這樣，該光電二極管不會(huì)包圍該圖像傳感器的像素區(qū)域 的整個(gè)面積，導(dǎo)致填充系數(shù)的減小或有限的分辨率。另外，對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的水平型圖像傳感器，很難實(shí)現(xiàn)同時(shí)制造該光電二極管和該晶體管的工藝的優(yōu)化。尤其是，在快速晶體管工藝中，需要應(yīng)用 淺結(jié)以實(shí)現(xiàn)低薄膜電阻，但是該淺結(jié)對(duì)于該光電二極管是不合適的。而且，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的該水平型CMOS圖像傳感器，在該圖像傳感器上 增加額外的芯片上的功能之后，為了保持該圖像傳感器的靈敏度，就要增加 或減小單元像素的尺寸。當(dāng)該單元像素的尺寸增加時(shí)，該水平型CMOS圖像 傳感器的分辨率減小。另外，當(dāng)該光電二極管的面積減小時(shí)，該水平型CMOS 圖像傳感器的靈敏度會(huì)減小。這樣，在CMOS圖像傳感器及其制造方法的技 術(shù)領(lǐng)域內(nèi)存在提高填充系數(shù)的需求。發(fā)明內(nèi)容為提高圖像傳感器的填充系數(shù)，本發(fā)明的實(shí)施例提供了可以垂直集成晶 體管電路和光電二極管的圖像傳感器及其制造方法。本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器包括金屬布線層，形成在包括電路區(qū)域的 半導(dǎo)體襯底上；第一導(dǎo)電層，通過(guò)該金屬布線層上的像素隔離層彼此分開(kāi)； 本征層，形成在該第一導(dǎo)電層上；以及第二導(dǎo)電層，形成在該本征層上。同樣，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的制造方法包括在包括電路區(qū) 域的半導(dǎo)體襯底上形成金屬布線層；在該金屬布線層上形成第一半導(dǎo)體層； 通過(guò)在該第一半導(dǎo)體層中注入第一雜質(zhì)，形成第一導(dǎo)電層；在該第一導(dǎo)電層 上形成本征層；在該本征層上形成第二導(dǎo)電層；以及在該第二導(dǎo)電層上選擇 性地形成上電極。本發(fā)明的圖像傳感器的制造方法可以提供晶體管電路和光電二極管的 垂直型集成。該晶體管電路和光電二極管的垂直型集成允許填充系數(shù)接近 100%。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該垂直型集成使得在本發(fā)明中同樣像素尺寸的圖 像傳感器可以實(shí)現(xiàn)更高的靈敏度。另外，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，該垂直型集成降 低了可以實(shí)現(xiàn)同樣分辨率的工藝成本。而且，本發(fā)明實(shí)施例的該多個(gè)單元像 素可以實(shí)施復(fù)雜電路而不減小靈敏度。


圖1至圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的制造方法的剖面圖。圖7是顯示用于本發(fā)明實(shí)施例的激光退火工藝的特性示意圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的剖面圖。
具體實(shí)施方式
如果涉及多個(gè)層、多個(gè)區(qū)域、多個(gè)圖案、或多個(gè)結(jié)構(gòu)，當(dāng)在此采用詞 語(yǔ)"之上"或"上方"時(shí)，可以理解的是，該層、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)可以直 接在另一個(gè)層或結(jié)構(gòu)之上，或者也可以存在多個(gè)中間層、中間區(qū)域、中間圖 案、或中間結(jié)構(gòu)。如果涉及多個(gè)層、多個(gè)區(qū)域、多個(gè)圖案、或多個(gè)結(jié)構(gòu)，當(dāng) 在此采用詞語(yǔ)"之下"或"下方"時(shí)，可以理解的是，該層、區(qū)域、圖案或 結(jié)構(gòu)可以直接在另一個(gè)層或結(jié)構(gòu)之下，或者也可以存在多個(gè)中間層、中間區(qū) 域、中間圖案、或中間結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖6，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器包括金屬布線層130，形 成在包括電路區(qū)域的半導(dǎo)體襯底100上；多個(gè)第一導(dǎo)電層201，形成在該金 屬布線層130上；本征層401，形成在該多個(gè)第一導(dǎo)電層201上；以及第二 導(dǎo)電層501，形成在該本征層401上。在該多個(gè)第一導(dǎo)電層201之間形成像素隔離層202，以將該多個(gè)導(dǎo)電層 201隔離為多個(gè)單元像素。該像素隔離層202有助于防止色度亮度干擾 (crosstalk)。在實(shí)施例中，在該第二導(dǎo)電層501上形成上電極600。 在如圖8所示的進(jìn)一步的實(shí)施例中，在該第一導(dǎo)電層201和每個(gè)金屬布 線120之間形成下電極150。本發(fā)明的該圖像傳感器提供晶體管電路和光電二極管的垂直型集成。 該晶體管電路和光電二極管的垂直型集成允許該填充系數(shù)接近100%。同樣，與相同的像素尺寸的現(xiàn)有技術(shù)相比，該垂直型集成可以實(shí)現(xiàn)更高 的靈敏度。另外，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)該垂直型集成工藝降低了可以實(shí)現(xiàn)同樣的分辨率 的工藝成本。而且，本發(fā)明的圖像傳感器的該多個(gè)單元像素可以實(shí)施復(fù)雜的電路而不 減小靈敏度。在下文中，將結(jié)合圖1至圖6說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的制造方法。參見(jiàn)圖1,在其上形成電路區(qū)域(未示出)的半導(dǎo)體襯底ioo上形成金屬布線層130，其包括多個(gè)金屬布線120和層間介電層110。在實(shí)施例中，用以定義有源區(qū)和場(chǎng)區(qū)域的器件隔離膜(未示出)形成在 該半導(dǎo)體襯底100上。該半導(dǎo)體襯底100上的電路區(qū)域包括，例如，傳輸晶 體管、復(fù)位晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、和選擇晶體管。該多個(gè)金屬布線120由任何適合的導(dǎo)電材料，例如金屬、合金或硅化物 來(lái)形成。例如，該多個(gè)金屬布線120由鋁、銅、鈷、或鎢等形成。當(dāng)在該層間介電層110中形成該多個(gè)金屬布線120時(shí)，在每個(gè)單元像素 中形成一個(gè)金屬布線120，用于將該光電二極管連接到該電路區(qū)域。其它金 屬布線(未示出)可以用作電源和信號(hào)連線。在電連接到該金屬布線120的該金屬布線層130上形成光電二極管。在如圖8所述的實(shí)施例中，在形成該光電二極管之前，在每個(gè)金屬布線 120上形成用于該光電二極管的下電極150。根據(jù)需要選擇該下電極150的 尺寸。例如，該下電極150形成得比用于像素的該第一導(dǎo)電層201更小、更 大、或與其一樣大。圖8顯示的下電極150，其具有比該第一導(dǎo)電層201更 小的尺寸。根據(jù)多個(gè)實(shí)施例，該下電極可以由金屬形成，例如Cr、 Ti、 TiW 或Ta。可選擇地，如圖l-圖6所示，可以不形成下電極。該光電二極管形成在該金屬布線層130上并接收從外部入射的光以將其 轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)為電能形式。該光電二極管包括P-I-N結(jié)構(gòu)。在多個(gè)實(shí)施例中，將n型非晶硅、本征非晶硅、和p型非晶硅結(jié)合而形 成該P(yáng)-I-N 二極管。該光電二極管的性能取決于其從外部接收光并將其轉(zhuǎn)換 成電能形式的效率，以及整體電荷容量。形成在襯底中的典型的光電二極管， 在產(chǎn)生于肖特基結(jié)中的耗盡區(qū)中產(chǎn)生和存儲(chǔ)電荷，該肖特基結(jié)例如為P-N、 N-P、 N-P-N、或P-N-P。然而，本發(fā)明實(shí)施例的該P(yáng)-I-N二極管是具有本征 非晶硅層的二極管，該本征非晶硅層為位于p型硅層和n型硅層之間的純半 導(dǎo)體。由于形成在該p型硅層和n型硅層之間的整個(gè)本征非晶硅層變成耗盡 區(qū)，該P(yáng)IN二極管有利于產(chǎn)生和存儲(chǔ)電荷。在多個(gè)實(shí)施例中，該P(yáng)-I-N 二極管用作該光電二極管，并且，該P(yáng)-I-N 二極管的結(jié)構(gòu)可以形成為P-I-N或N-I-P。例如，在P-I-N 二極管具有P-I-N結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，該n型非晶硅作為該第一導(dǎo)電層201，該本征非晶硅作為 該本征層401，以及該p型非晶硅作為該第二導(dǎo)電層501。參見(jiàn)圖l，為了形成該第一導(dǎo)電層201，在多個(gè)實(shí)施例中，其是P-I-N二 極管的"N"層，在該金屬布線層130上形成第一半導(dǎo)體層200。用非晶硅 形成該第一半導(dǎo)體層200。通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)法，例如等離子體增 強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法形成該第一半導(dǎo)體層200。例如，用硅烷氣體 SiH4，通過(guò)PECVD，用非晶硅形成該第一半導(dǎo)體層。參見(jiàn)圖2，在該第一半導(dǎo)體層上應(yīng)用光致抗蝕劑膜以形成掩模圖案301。 該掩模圖案301的形成用以至少暴露該第一半導(dǎo)體層200中覆蓋在每個(gè)金屬 布線120上的部分。下一步，用該光致抗蝕劑掩模圖案301作為注入掩模，通過(guò)在該第一半 導(dǎo)體層200中注入n型雜質(zhì)，形成該第一導(dǎo)電層201。例如，該n型雜質(zhì)是 V族元素，例如，磷(P)和/或砷(As)?？梢杂秒x子注入法注入該n型雜 質(zhì)。這樣，將該第一半導(dǎo)體層200劃分為該多個(gè)第一導(dǎo)電層201，每一個(gè)均 連接到該金屬布線120，以及該像素隔離層202，形成在該第一導(dǎo)電層201 之間并且不連接到該金屬布線120。因此，每個(gè)金屬布線120和第一導(dǎo)電層201被隔離為像素。然后移除該掩模圖案301。參見(jiàn)圖3，實(shí)施退火工藝以激活該第一導(dǎo)電層201的該n型雜質(zhì)。 在多個(gè)實(shí)施例中，所實(shí)施的用于激活該n型雜質(zhì)的退火工藝是激光退火 工藝。如圖7所示，在該襯底上實(shí)施很短的時(shí)間(t)的激光退火工藝，該激光 退火工藝可以對(duì)該襯底直接提供高溫(T)。另外，在襯底上實(shí)施該退火的 區(qū)域越小，獲得的溫度越高。在本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)該像素隔離層202將該第一導(dǎo)電層201 分隔成多個(gè)單元像素。對(duì)該n摻雜第一導(dǎo)電層201的這種隔離有效地防止了 色度亮度干擾。參見(jiàn)圖4，在該第一導(dǎo)電層201和該像素隔離層202上沉積第二半導(dǎo)體 層，以形成該本征層401。在多個(gè)實(shí)施例中，該本征層401作為P-I-N 二極管的"I"層。用非晶硅形成該本征層401。通過(guò)CVD方法，例如PECVD法，形成該 本征層401。例如，用硅烷氣體SiH4，通過(guò)PECVD，用非晶硅形成該本征層 401。在多個(gè)實(shí)施例中，該本征層401比該第一導(dǎo)電層201厚10到1000倍左 右。這是因?yàn)?，該光電二極管的耗盡區(qū)的增加正比于該本征層401的厚度， 導(dǎo)致大量光電荷的存儲(chǔ)和產(chǎn)生。下一步，通過(guò)將p型雜質(zhì)注入該本征層401的表面形成該第二導(dǎo)電層 501，其中該本征層401形成很厚的厚度。在另一個(gè)實(shí)施例中，在該本征層 401上形成額外的本征層用于在其中注入p型雜質(zhì)。在實(shí)施例中，該p型雜 質(zhì)是III族元素，例如硼(B)。用離子注入法注入該p型雜質(zhì)。通過(guò)控制注 入p型雜質(zhì)離子的能量，在該本征層401的上表層形成p型雜質(zhì)。參見(jiàn)圖5a,實(shí)施退火工藝以激活該第二導(dǎo)電層501中的p型雜質(zhì)。例如， 用于激活p型雜質(zhì)的退火工藝是激光退火工藝。參見(jiàn)圖5b，可以有其它形成該第二導(dǎo)電層501的方法。在實(shí)施例中，該 第二導(dǎo)電層501作為P-I-N二極管的"P"層。在實(shí)施例中，用p摻雜非晶硅形成該第二導(dǎo)電層501。通過(guò)CVD方法，例如PECVD法，形成該第二導(dǎo)電層501。例如，用硅 垸氣體SiH4，通過(guò)PECVD，用非晶硅形成該第二導(dǎo)電層501。本發(fā)明的實(shí)施例的方法允許以該晶體管電路和該光電二極管垂直集成 的方式，將PIN二極管形成在該半導(dǎo)體襯底IOO上。這使得接近100。^的填 充系數(shù)成為可能。參見(jiàn)圖6，在進(jìn)一步的實(shí)施例中，在該第二導(dǎo)電層501上形成上電極600。該上電極600由具有良好光傳輸性質(zhì)和高導(dǎo)電性的透明材料形成。例如， 該上電極600由銦錫氧化物(ITO)或鎘錫氧化物(CTO)形成。然后，在 該上電極600上實(shí)施圖案化工序。盡管在圖中未示出，在某些實(shí)施例中，可以實(shí)施甩于在該上電極600或 該第二導(dǎo)電層501上形成彩色濾光器和微透鏡的工藝。本發(fā)明的圖像傳感器的制造方法可以提供晶體管電路和光電二極管的 垂直型集成。該晶體管電路和光電二極管的垂直型集成允許填充系數(shù)接近100%。同樣，與現(xiàn)有技術(shù)相比，該垂直型集成使得在本發(fā)明中同樣像素尺寸的 圖像傳感器可以實(shí)現(xiàn)更高的靈敏度。另外，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，該垂直型集成降低了可以實(shí)現(xiàn)同樣分辨率的工 藝成本。而且，本發(fā)明實(shí)施例的該多個(gè)單元像素可以實(shí)施復(fù)雜電路而不減小靈敏度。而且，本發(fā)明的方法提供了具有在多個(gè)單元像素之間絕緣的圖像傳感 器，有效的防止色度亮度干擾并提高了該圖像傳感器的分辨率。每個(gè)單元像素中的該n層、i層、和p層可以與鄰近像素中的相關(guān)層絕緣。說(shuō)明書(shū)中所涉及的任何"一個(gè)實(shí)施例"、"實(shí)施例"、"示例性實(shí)施例"等， 其含義是結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性包括在本發(fā)明的至少一 個(gè)實(shí)施例中。本說(shuō)明書(shū)中出現(xiàn)于各個(gè)位置的這些短語(yǔ)的特征不一定都涉及同 一個(gè)實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例說(shuō)明特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為 其落在本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合其它實(shí)施例就可以實(shí)現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)、或特性 的范圍內(nèi)。盡管對(duì)實(shí)施例的描述中結(jié)合了其中多個(gè)示例性實(shí)施例，但可以理解的是 本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以推導(dǎo)出多個(gè)其他變化和實(shí)施例，而落入本公開(kāi)內(nèi)容 的原理的精神和范圍之內(nèi)。尤其是，可以在本公開(kāi)、附圖和所附權(quán)利要求的 范圍內(nèi)對(duì)組件和/或附件組合配置中的排列進(jìn)行各種變化和改進(jìn)。除組件和/ 或排列的變化和改進(jìn)之外，其他可選擇的應(yīng)用對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是 顯而易見(jiàn)的。
權(quán)利要求
1、一種圖像傳感器，包括金屬布線層，包括多個(gè)金屬布線和層間介電層，形成在包括電路區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上；多個(gè)第一導(dǎo)電層，形成在所述金屬布線層上并且彼此分開(kāi)；像素隔離層，設(shè)置在所述多個(gè)第一導(dǎo)電層之間；本征層，形成在所述多個(gè)第一導(dǎo)電層和所述像素隔離層上；以及第二導(dǎo)電層，形成在所述本征層上；其中，每個(gè)第一導(dǎo)電層電連接到所述多個(gè)金屬布線中的一個(gè)金屬布線。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，進(jìn)一步包括，形成在所述第二 導(dǎo)電層上的上電極。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，在每個(gè)第一導(dǎo)電層和所 述金屬布線層的多個(gè)金屬布線之間形成有下電極。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個(gè)第一導(dǎo)電層包 括通過(guò)激光退火工藝激活的n型雜質(zhì)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述第二導(dǎo)電層包括通 過(guò)激光退火工藝激活的p型雜質(zhì)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述本征層比所述第一 導(dǎo)電層厚10到1000倍左右。
7、 一種圖像傳感器的制造方法，包括在包括電路區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成金屬布線層，所述金屬布線層包括 層間介電層和多個(gè)金屬布線；在所述金屬布線層上形成第一半導(dǎo)體層；通過(guò)在所述第一半導(dǎo)體層中注入第一雜質(zhì)，形成彼此分開(kāi)的多個(gè)第一導(dǎo) 電層；在所述第一導(dǎo)電層上形成本征層；以及 在所述本征層上形成第二導(dǎo)電層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第二導(dǎo)電層上形成 上電極。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述多個(gè)第一導(dǎo)電層包括: 在所述第一半導(dǎo)體層上形成光致抗蝕劑圖案，所述光致抗蝕劑圖案至少暴露所述第一半導(dǎo)體層的覆蓋在所述多個(gè)金屬布線中的所述金屬布線上的部分；用所述光致抗蝕劑圖案作為掩模，注入所述第一雜質(zhì)；以及 通過(guò)移除所述光致抗蝕劑圖案，在所述多個(gè)第一導(dǎo)電層之間設(shè)置像素隔離層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括在所述多個(gè)第一導(dǎo)電層上 實(shí)施退火工藝，以激活所述第一雜質(zhì)。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一雜質(zhì)是n型雜質(zhì)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括，在所述多個(gè)第一導(dǎo)電層 上實(shí)施退火工藝，以激活所述第一雜質(zhì)。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述退火工藝是激光退火工藝。
14、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述第二導(dǎo)電層包括在所 述本征層上注入第二雜質(zhì)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括，在所述第二導(dǎo)電層上 實(shí)施退火工藝，以激活所述第二雜質(zhì)。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述退火工藝是激光退火工藝。
17、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述第二導(dǎo)電層包括在所述本征層上沉積第二本征層；以及 在所述第二本征層上注入第二雜質(zhì)。
18、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述第二導(dǎo)電層包括在所 述本征層上沉積p摻雜非晶硅。
19、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述本征層比所述多個(gè)第一導(dǎo) 電層厚10至1000倍左右。
20、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括，在所述多個(gè)金屬布線的 每個(gè)金屬布線上形成下電極。
全文摘要
本發(fā)明提供了圖像傳感器及其制造方法。該方法為在包括電路區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成金屬布線層，以及在所述金屬布線層上形成由像素隔離層分隔的多個(gè)第一導(dǎo)電層。在所述多個(gè)第一導(dǎo)電層上形成本征層，以及在所述本征層上形成第二導(dǎo)電層。本發(fā)明的圖像傳感器的制造方法可以提供晶體管電路和光電二極管的垂直型集成。該晶體管電路和光電二極管的垂直型集成允許填充系數(shù)接近100％。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該垂直型集成使得在本發(fā)明中同樣像素尺寸的圖像傳感器可以實(shí)現(xiàn)更高的靈敏度。另外，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，該垂直型集成降低了可以實(shí)現(xiàn)同樣分辨率的工藝成本。而且，本發(fā)明實(shí)施例的該多個(gè)單元像素可以實(shí)施復(fù)雜電路而不減小靈敏度。
文檔編號(hào)H01L21/768GK101266987SQ20071015279
公開(kāi)日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2007年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月14日
發(fā)明者樸真河 申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司