專利名稱:電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體記憶裝置,且特別是關(guān)于一種用于半導(dǎo)體記憶裝 置的電容器及其制造方法。
背景技術(shù):
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存耳又存儲(chǔ)器(dynamic random access memory, DRAM)為一種易 失性存儲(chǔ)器,其儲(chǔ)存數(shù)字信號(hào)方式通過充/放電(charge/discharge)其內(nèi)的電容 器所達(dá)成。當(dāng)供應(yīng)至上述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電源關(guān)閉時(shí),該存儲(chǔ)器內(nèi)所 儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)將完全被消除。 一般而言,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包括至少一個(gè)場(chǎng)
儲(chǔ)存動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)單元的信號(hào)。 八 '、
近年來,隨著動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元尺寸縮減潮流,雖然存儲(chǔ) 單元尺寸逐漸地縮減,然而存儲(chǔ)單元內(nèi)的電容器仍須具備一定的儲(chǔ)存電容值 而無法隨著尺寸縮減的潮流而逐漸降低,藉以儲(chǔ)存信號(hào)之用。
因此,為了于尺寸縮減的存儲(chǔ)單元裝置內(nèi)保持電容器的電荷儲(chǔ)存量,已 知的解決方法之一為通過生長(zhǎng)珪材料的半球狀管芯(hemi-spherical grain, HSG),以增加既定空間內(nèi)的表面積并增大電容器內(nèi)所含電容層的表面面積, 并于半球狀管芯上繼續(xù)形成構(gòu)成電容器的多膜層結(jié)構(gòu)后達(dá)成增加電容層表 面積與維持電容器的電容值的目的。
然而,上述生長(zhǎng)硅材料的半球狀管芯的應(yīng)用技術(shù)通常需要極高的工藝溫 度與工藝施行時(shí)間,且所生長(zhǎng)的半球狀管芯的尺寸亦往往受限于如溝槽的電 容器制作空間的尺寸,因此不易整合于采用設(shè)置于溝槽中的電容器的動(dòng)態(tài)隨 機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的之一為提升電容器的電容值表現(xiàn),以應(yīng)用于如 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體記憶裝置的制作。
為達(dá)上述的目的,本發(fā)明提供了一種電容器及其制造方法,以解決上述 所遭遇的已知問題。
依據(jù)一實(shí)施例,本發(fā)明的電容器,包括
介電層;第一導(dǎo)電層,位于該介電層上;支撐肋,沿第一方向延伸并埋 設(shè)于該第一導(dǎo)電層中;第二導(dǎo)電層,沿垂直于該第一方向的第二方向延伸并 埋設(shè)于該第一導(dǎo)電層中,其中該第二導(dǎo)電層的一部分跨置于該支撐肋上而為 該支撐肋所支撐;以及電容層,設(shè)置于該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層間,以 電性隔離該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層。
依據(jù)另一實(shí)施例,本發(fā)明的電容器的制造方法,包括 提供第一介電層;于該第一介電層上形成第二介電層;于該第二介電層 內(nèi)形成第一溝槽,該第一溝槽沿第一方向延伸;于該第一溝槽內(nèi)形成支撐層, 填滿該第一溝槽;于該第二介電層上形成第三介電層,該第三介電層覆蓋該 支撐層;于該第三介電層與該第二介電層形成基本上W形的第二溝槽,其 中該第二溝槽的一部分沿垂直于該第一方向的第二方向跨越該支撐層,以露 出部分的該第二介電層的底面、該第二介電層與該第三介電層的側(cè)壁以及該 支撐層的頂面;順應(yīng)地形成第一導(dǎo)電層于該第二溝槽內(nèi),覆蓋為該第二溝槽 所露出的第二介電層的該底面、該第二介電層與該第三介電層的該側(cè)壁以及 該支撐層的該頂面,該第一導(dǎo)電層為基本上W形;施行蝕刻程序,移除該 第三介電層與該第二介電層,留下該第一導(dǎo)電層并露出該第一介電層的一部 分,其中該第一導(dǎo)電層的一部分為該支撐層所支撐;形成電容層于該第一導(dǎo) 電層與該第一介電層的表面上;以及坦覆地形成第二導(dǎo)電層于該電容層、該 第一導(dǎo)電層與該第一介電層之上,以埋設(shè)該第一導(dǎo)電層、該支撐層與該電容 層于該第二導(dǎo)電層中。
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特 舉一優(yōu)選實(shí)施例,并配合所附圖示,作詳細(xì)i兌明如下
圖1、 3、 6、 9、 12、 15、 18與21為一列俯視示意圖,分別顯示了依據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施例的電容器的制作方法中的不同制造步驟;
圖2為一示意圖,顯示了沿圖1內(nèi)線段2-2的剖面情形; 圖4為一示意圖,顯示了沿圖3內(nèi)線段4-4的剖面情形;
圖5為一示意圖, 圖7為一示意圖, 圖8為一示意圖,
圖IO為一示意圖
圖11為一示意圖
圖13為一示意圖 圖14為一示意圖 圖16為一示意圖 圖17為一示意圖 圖19為一示意圖 圖20為一示意圖 圖22為一示意圖 圖23為一示意圖
顯示了沿圖3內(nèi)線段5-5的剖面情形; 顯示了沿圖6內(nèi)線段7-7的剖面情形; 顯示了沿圖6內(nèi)線段8-8的剖面情升
顯示了沿圖9內(nèi)線段10-10的剖面情形;
顯示了沿圖9內(nèi)線段11-11的剖面情形'
顯示了沿圖12內(nèi)線段13-13的剖面情開 顯示了沿圖12內(nèi)線段14-14的剖面情開 顯示了沿圖15內(nèi)線段16-16的剖面情開 顯示了沿圖15內(nèi)線^殳17-17的剖面情開 顯示了沿圖18內(nèi)線段19-19的剖面情升
顯示了沿圖18內(nèi)線段20-20的剖面情形 顯示了沿圖21內(nèi)線段22-22的剖面情形 顯示了沿圖21內(nèi)線段23-23的剖面情形
以及
圖24則為一立體示意圖,顯示了依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電容器結(jié)構(gòu),主要元件符號(hào)說明
lOO-介電層; 102 導(dǎo)電接觸物; 104 蝕刻停止層; 106、 112、 118 介電層; 108、 114 掩模層; 110~支撐層; 116、 122 導(dǎo)電層; 120 電容層 200、 300 蝕刻程序; 0P1、 Tl 溝槽; OP2 開口 ; Dl 溝槽深度; H 介電層凹陷的寬度; S 空隙; U 區(qū)域。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的電容器及其制造方法的實(shí)施例將配合下文及圖1 24的附圖而
加以解說,其中圖1、 3、 6、 9、 12、 15、 18與21等附圖為一列俯視示意圖, 而圖2、 4、 5、 7、 8、 10、 11、 13、 14、 16、 17、 19、 20、 22與23等附圖 為一列剖面示意圖,以分別顯示了沿圖l、 3、 6、 9、 12、 15、 18與21等附 圖中線段2-2、線段4-4、線段5-5、線段7-7、線段8-8、線段10-10、線段 11-11、線段13-13、線段14-14、線段16-16、線段17-17、線段19-19、線段 20-20、線段22-22與線段23-23的剖面情形,藉以分別解說于不同步驟中的 制作情形。而圖24則為一立體示意圖,顯示了依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電 容器結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1與圖2,首先提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其為于位于半導(dǎo)體記 憶裝置存儲(chǔ)單元區(qū)(未顯示)內(nèi),例如是位于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)裝 置存儲(chǔ)單元區(qū)內(nèi)的結(jié)構(gòu)。在此,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于介電層100與蝕刻停 止層104內(nèi)的一對(duì)導(dǎo)電接觸物102。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括半導(dǎo)體基底(未顯示) 以及形成于半導(dǎo)體基底上的多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET,未顯示),而此些導(dǎo)電 接觸物102則分別電連接于設(shè)置于半導(dǎo)體基底上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管之一。為了 簡(jiǎn)化附圖起見,在此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)僅繪示介電層100、設(shè)置于介電層100上的 蝕刻停止層104以及穿透上述膜層的多個(gè)導(dǎo)電接觸物102而并未繪示出其下 的半導(dǎo)體基底與場(chǎng)效應(yīng)晶體管等結(jié)構(gòu),此些結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知 悉。在此,介電層100包括如硅玻璃(undoped silicon glass, USG)、磷硅玻璃 (phosphorus silicon glass, PSG)、 硼確娃玻璃(boron phosphorus silicon glass, BPSG)或二氧化硅等絕緣材料,蝕刻停止層104包括如氮化硅或氮氧化硅等 材料,而導(dǎo)電接觸物102則包括如鎢(tungsten, W)、經(jīng)摻雜的多晶硅(doped polysilicon)或金屬硅化物(metal silicide)的導(dǎo)電材料。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3、 4、 5,接著于圖1圖與圖2所示的結(jié)構(gòu)上坦覆地形成 介電層106與掩模層108,以覆蓋蝕刻停止層104以及導(dǎo)電接觸物102。掩 模層108例如為氮化硅層,而介電層106則包括如旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(spin on glass, SOG)、硅玻璃(USG)、磷硅玻璃(PSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)或二氧化硅等。 接著通過光刻與蝕刻程序(未顯示)的進(jìn)行,以圖案化掩才莫層108與部分去除 未為掩模層108所覆蓋的介電層106,進(jìn)而于部分的掩模層108與介電層106 內(nèi)形成基本上沿平行于圖3上X方向的一方向延伸的溝槽OP1,溝槽OP1
基本上位于導(dǎo)電接觸物102之上方,且具有少于導(dǎo)電接觸物102特征尺寸的
一尺寸。
圖4顯示了沿圖3中線段4-4的剖面情形,即溝槽OPl內(nèi)的剖面情形。 此時(shí)于溝槽0P1內(nèi)的掩模層108部分經(jīng)過圖案化而去除,而其內(nèi)的部分介電 層106亦經(jīng)過蝕刻而部分去除故具有薄化的厚度。圖5則顯示了沿圖3中線 段5-5的剖面情形,即基本上沿圖3中Y方向的一方向跨越溝槽0P1及其 鄰近的介電層106的剖面情形。在此,溝槽OPl繪示為具有一拔錐狀(taper) 的外型但不以其為限制。此時(shí)圖4中為溝槽0P1所露出的介電層106的表面 則距其鄰近掩模層108的表面深度Dl。溝槽0P1優(yōu)選地具有大于3的深寬 比(aspect ratio)。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D6、 7與8,接著于圖3、 4與5的結(jié)構(gòu)上坦覆地形成一層 支撐層110并使之填滿溝槽OP1。支撐層110包括如氮化硅的材料,其可通 過如化學(xué)氣相沉積法的程序形成。此時(shí),由于如先前圖3、 4與5中溝槽OPl 內(nèi)的介電層106與鄰近溝槽的存在有高度差,故形成于溝槽OPl內(nèi)的支撐層 110與形成于鄰近溝槽OP1的掩模層108上的支撐層110之間存在有高度差。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D9、 lO與ll,接著針對(duì)如圖6、 7與8所示結(jié)構(gòu)上的支撐 層110施行一蝕刻程序(未顯示),以蝕刻去除高于掩模層108上的支撐層110 部分并接著移除掩模層108,進(jìn)而僅于溝槽0P1內(nèi)留下支撐層110并露出鄰 近溝槽0P1的介電層106表面。接著,在支撐層110與介電層106上坦覆地 形成介電層112與掩模層114,以覆蓋支撐層110與介電層106并同時(shí)平坦 化了溝槽0P1與其鄰近處的結(jié)構(gòu)表面。在此,掩模層114例如為氮化硅層, 而介電層112則包括如旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(spin on glass, SOG)、硅玻璃(USG)、 磷硅玻璃(PSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)或二氧化硅等的材料。接著通過一光刻 與蝕刻程序(未顯示)的進(jìn)行,以圖案化掩模層114,以形成開口 OP2。請(qǐng)參 照?qǐng)D9,開口 OP2為基本上重疊于導(dǎo)電接觸物102頂面的圓形或橢圓形開口 且其具有一較大的特征尺寸(即直徑),開口 OP2則基本上定義出作為半導(dǎo)體
記憶裝置存儲(chǔ)單元中電容器的位置。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D12、 13與14,接著針對(duì)如圖9、 10與11的結(jié)構(gòu)施行一蝕 刻程序200并采用掩模層114作為蝕刻掩模,以于為開口 OP2露出的介電層 112與106內(nèi)形成溝槽T1。在此,蝕刻程序200為復(fù)合蝕刻程序,其包括了 干蝕刻步驟與濕蝕刻步驟,首先通過干蝕刻步驟的施行以基本上蝕刻去除等
同于開口 OP2大小的介電層112與106部分,并接著通過濕蝕刻步驟的施行
以部分去除為鄰近開口 OP2的介電層112與106的內(nèi)壁部分且同時(shí)部分蝕刻 去除了位于支撐層110下方且為支撐層所遮蔽的介電層106。因此,溝槽T1 的實(shí)際區(qū)域較如圖12所示開口 OP2為大。
如圖13與圖14所示,溝槽T1于圖12的X方向與Y方向上具有不同 的深寬比(aspectratio)。請(qǐng)參照?qǐng)D13,溝槽Tl僅形成于部分的介電層112內(nèi) 并露出了支撐層110。而如圖14所示,溝槽T1則穿透了部分的介電層112 與106并露出了部分位于下方的蝕刻停止層104與導(dǎo)電接觸物102,其具有 基本上W形的剖面情形以及較大的深寬比。如圖14所示,溝槽T1亦露出 了其內(nèi)支撐層110的頂面,此支撐層110基本上位居溝槽T1的中央處。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D15、 16與17, ^接著于如圖12、 13與14所示的結(jié)構(gòu)上順 應(yīng)地形成層導(dǎo)電層116(未顯示)。導(dǎo)電層116順應(yīng)地形成于掩模層114與為 溝槽Tl所露出的介電層112與116以及支撐層110的表面上。接著坦覆地 形成一層介電層118于導(dǎo)電層116上并覆蓋了導(dǎo)電層116與填滿了溝槽T1。 接著通過如化學(xué)機(jī)械拋光程序或干蝕刻程序(未顯示)的施行,以移除高于4備 模層114的介電層118與導(dǎo)電層116的部分,因而于移除掩模層114后得到 了如圖15、 16與17所示的結(jié)構(gòu)。此時(shí),在溝槽T1內(nèi)的介電層112、 106與 支撐層110上順應(yīng)地形成有導(dǎo)電層116,而導(dǎo)電層116上方則為介電層118 所填滿。導(dǎo)電層116與介電層118此時(shí)基本上與介電層112共平面。導(dǎo)電層 116的材料例如為鎢、氮化鎢、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鉑及釕等導(dǎo)電材 料。介電層118則包括如旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(SOG)、硅玻璃(USG)、磷硅玻璃(PSG)、 硼磷硅玻璃(BPSG)或二氧化硅等的介電材料。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D18、 19與20,接著施行一蝕刻程序300,例如濕蝕刻程 序,以去除如圖15、 16與17中的介電層112與106,進(jìn)而露出了蝕刻停止 層104與導(dǎo)電接觸物102,以及于導(dǎo)電層116的周圍形成了多個(gè)空隙S。在 此,介電層112與106優(yōu)選地由同類的介電材料所形成,以利上述蝕刻程序 300的施行。如圖18的俯視情形所示以及圖19與圖20的剖面情形所示,在 蝕刻程序300施行完畢后,所露出的導(dǎo)電層116跨置于支撐層110—部分上 并通過支撐層供給了導(dǎo)電層116結(jié)構(gòu)支撐的作用,因此導(dǎo)電層116可于去除 介電層112與110后不至于產(chǎn)生倒塌情形且仍可保有基本上W形的剖面情 形(請(qǐng)見圖20)。請(qǐng)參照?qǐng)D18,此時(shí)導(dǎo)電層116則基本上具有呈現(xiàn)圓形的俯視情形。請(qǐng)參照?qǐng)D24的立體示意圖,其基本上繪示了對(duì)應(yīng)于圖18、 19與20 的結(jié)構(gòu)。如圖24所示,導(dǎo)電層116基本上呈現(xiàn)為中空?qǐng)A杯型態(tài),支撐層110 則采用凸肋(rib)型態(tài)穿透并埋設(shè)于導(dǎo)電層116的一部分中,藉以提供結(jié)構(gòu)上 支撐作用。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D21、 22與23,接著順應(yīng)地形成一層電容層120于如圖18、 19與20所示的結(jié)構(gòu)上。電容層120順應(yīng)地形成于支撐層110與導(dǎo)電層116 的所有露出的表面上,其形成方法例如為原子層沉積法(atomic layer deposition)等。接著則坦覆地形成一層導(dǎo)電層122,以完全覆蓋電容層20 并形成基本上平坦的表面。在此,電容層120可包括如氮化硅、氮氧化硅等 含氮材料,或者如氧化鋁(Al20s)、氧化鋯(ZrCb)、鈦酸鍶鋇(BST)、鈦酸鍶 (STO)、氧化鉭(Ta205)或二氧化鉿(Hf()2)的高介電常數(shù)介電材料(具有高于氮 化硅的介電常數(shù)的介電材料)。導(dǎo)電層122則可包括如鴒、鈦、氮化鈦、鉭、 氮化鉭、鉑(Pt)、釕(Ru)或經(jīng)摻雜的多晶硅等導(dǎo)電材料,其形成方法例如為 原子層沉積法及化學(xué)氣相沉積法。由于電容層120可形成于導(dǎo)電層116的所 有露出表面上,至少是形成于導(dǎo)電層116的露出表面(如圖19與圖20中所示 位于支撐層110、導(dǎo)電接觸物102以及蝕刻停止層104上的導(dǎo)電層116部分) 甚至形成于部分導(dǎo)電層116的兩對(duì)應(yīng)表面上(如圖19與圖20中所示的導(dǎo)電層 116的突出部分),因此可提升所制備得到的電容器的電容值。此外,如圖22 與圖23所示,電容層120與導(dǎo)電層122亦可形成于位于支撐層110下方的 區(qū)域中,進(jìn)而提供了額外的電容值。
工藝至此,本發(fā)明的電容器的制作已大體完成。如圖21、 22與23所示, 區(qū)域U實(shí)質(zhì)俯視為如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中設(shè) 置儲(chǔ)存電荷用電容器的區(qū)域。在此,在區(qū)域U內(nèi)所設(shè)置的電容器基本上包括
介電層(介電層100);第一導(dǎo)電層(導(dǎo)電層122),位于該介電層上;支撐 肋(支撐層110),沿第一方向(圖21內(nèi)的X方向)延伸并埋設(shè)于該第一導(dǎo)電層 中;第二導(dǎo)電層(導(dǎo)電層116),沿垂直于該第一方向的第二方向(圖21內(nèi)的Y 方向)延伸并埋設(shè)于該第一導(dǎo)電層中,其中該第二導(dǎo)電層的一部分跨置于該 支撐肋上且為該支撐肋所支撐;以及電容層(即電容層120),設(shè)置于該第二 導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層之間,以電性隔離該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層。
由于支撐層110的設(shè)置,本發(fā)明的電容器的下電極(即導(dǎo)電層U6)于制 造過程可為之支撐而不至于倒塌,并于形成后得到了相似中空?qǐng)A柱物(見第
18、 19與20等圖)的結(jié)構(gòu)型態(tài)。在部分的下電極中,電容層120僅設(shè)置于其 單一表面(例如為導(dǎo)電層116中接觸其他下方膜層的底部)上,而于大部分的 下電極中電容層則可設(shè)置于兩對(duì)應(yīng)表面上(導(dǎo)電層116中未接觸其他下方膜 層的突出部),因而提供了更多用于設(shè)置電容層的表面,因此所形成的電容 器的電容值將因而提升,有助于當(dāng)所設(shè)置的電容器所搭配的晶體管(未顯示) 尺寸縮減時(shí)進(jìn)一步提供具有適當(dāng)電容值水準(zhǔn)的電容器。此外,本實(shí)施例所解 說的電容器的制造方法亦避免了采用硅材料的已知半球狀管芯(HSG)時(shí)所遭 遇的高溫工藝的缺點(diǎn),因而極適合整合于目前半導(dǎo)體記憶裝置工藝中而不會(huì) 影響所形成的半導(dǎo)體記憶裝置的可靠度。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何 本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種的更 動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電容器,包括介電層;第一導(dǎo)電層,位于該介電層上;支撐肋,沿第一方向延伸并埋設(shè)于該第一導(dǎo)電層中;第二導(dǎo)電層,沿垂直于該第一方向的第二方向延伸并埋設(shè)于該第一導(dǎo)電層中,其中該第二導(dǎo)電層的一部分跨置于該支撐肋上且為該支撐肋所支撐;以及電容層,設(shè)置于該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層之間,以電性隔離該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層。
2. 如權(quán)利要求1所述的電容器,其中該第二導(dǎo)電層具有基本上W形的剖面。
3. 如權(quán)利要求2所述的電容器,其中該第 一導(dǎo)電層具有多個(gè)底部與多個(gè) 突出部,這些底部相互分隔且分別接觸該介電層,而這些突出部未接觸該介 電層。
4. 如權(quán)利要求3所述的電容器,其中該電容層設(shè)置于該第一導(dǎo)電層的這 些底部上,以電性隔離該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層。
5. 如權(quán)利要求3所述的電容器,其中該電容層設(shè)置于該第 一導(dǎo)電層的這 些突出部的兩對(duì)應(yīng)表面上,以電性隔離該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層。
6. 如權(quán)利要求1所述的電容器,其中該電容層包括含氮介電材料或高介 電常數(shù)介電材料。
7. 如權(quán)利要求1所述的電容器,其中該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層包括 鴒、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鈾、釕或經(jīng)摻雜的多晶硅。
8. —種電容器的制造方法,包括 提供第一介電層;于該第一介電層上形成第二介電層;于該第二介電層內(nèi)形成第一溝槽,該第一溝槽沿第一方向延伸; 于該第一溝槽內(nèi)形成支撐層,填滿該第一溝槽; 于該第二介電層上形成第三介電層,該第三介電層覆蓋該支撐層; 于該第三介電層與該第二介電層形成基本上W形的第二溝槽,其中該 第二溝槽的一部分沿垂直于該第一方向的第二方向跨越該支撐層,以露出部 分的該第二介電層的底面、該第二介電層與該第三介電層的側(cè)壁以及該支撐層的頂面;順應(yīng)地形成第一導(dǎo)電層于該第二溝槽內(nèi),覆蓋為該第二溝槽所露出的第 二介電層的該底面、該第二介電層與該第三介電層的該側(cè)壁以及該支撐層的該頂面,該第一導(dǎo)電層為基本上W形;施行蝕刻程序,移除該第三介電層與該第二介電層,留下該第一導(dǎo)電層 并露出該第一介電層的一部分,其中該第一導(dǎo)電層的一部分為該支撐層所支撐;形成電容層于該第一導(dǎo)電層與該第一介電層的表面上;以及 坦覆地形成第二導(dǎo)電層于該電容層、該第一導(dǎo)電層與該第一介電層之 上,以埋設(shè)該第一導(dǎo)電層、該支撐層與該電容層于該第二導(dǎo)電層中。
9. 如權(quán)利要求8所述的電容器的制造方法,其中該第 一導(dǎo)電層具有多個(gè) 底部與多個(gè)突出部,這些底部相互分隔且分別接觸該第一介電層,而這些突出部未接觸該第 一 介電層。
10. 如權(quán)利要求9所述的電容器的制造方法,其中該電容層設(shè)置于該第 一導(dǎo)電層的這些底部上,以電性隔離該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層。
11. 如權(quán)利要求9所述的電容器的制造方法,其中該電容層設(shè)置于該第 二導(dǎo)電層的這些突出部的兩對(duì)應(yīng)表面上,以電性隔離該第二導(dǎo)電層與該第一 導(dǎo)電層。
12. 如權(quán)利要求8所述的電容器的制造方法,其中該電容層包括含氮介 電材料或高介電常數(shù)介電材料。
13. 如權(quán)利要求8所述的電容器的制造方法,其中該第一導(dǎo)電層與該第 二導(dǎo)電層包括鎢、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鉑、釕或經(jīng)摻雜的多晶硅等導(dǎo) 電材料。
14. 如權(quán)利要求8所述的電容器的制造方法,其中該第二介電層與該第 三介電層具有同類的介電材料。
15. 如權(quán)利要求S所述的電容器的制造方法,其中該蝕刻程序?yàn)闈裎g刻 程序。
16. 如權(quán)利要求8所述的電容器的制造方法,其中該第二溝槽具有基本 上中空?qǐng)A形或橢圓形的頂面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電容器及其制備方法。該電容器包括介電層;第一導(dǎo)電層,位于該介電層上;支撐肋,沿第一方向延伸并埋設(shè)于該第一導(dǎo)電層中;第二導(dǎo)電層,沿垂直于該第一方向的第二方向延伸并埋設(shè)于該第一導(dǎo)電層中,其中該第二導(dǎo)電層的一部分跨置于該支撐肋上且為該支撐肋所支撐;以及電容層設(shè)置于該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層間,以電性隔離該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)H01L27/108GK101350347SQ20071013666
公開日2009年1月21日 申請(qǐng)日期2007年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月18日
發(fā)明者吳孝哲, 李名言, 蔡文立 申請(qǐng)人:茂德科技股份有限公司