專利名稱：液晶顯示裝置及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及制造方法，尤其涉及一種在薄膜晶體管 陣列基板上設(shè)置用于防止柱狀隔墊物移動(dòng)的凹孔和擋板的液晶顯示裝置及制 造方法，屬于電子設(shè)備制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置的制造過(guò)程中，需要將液晶材料灌入陣列基板和彩膜基 板之間，液晶材料的厚度、均勻性會(huì)影響液晶顯示器的顯示速度、視角及明 亮對(duì)比等特性，如果陣列基板和彩膜基板之間不能維持一定的間隙，會(huì)引發(fā) 液晶材料的厚度和均勻性不良的問(wèn)題，從而影響液晶顯示器的性能。為了解決上述不良問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)通常采用在陣列基板和彩膜基板之間 設(shè)置柱狀隔墊物的方法，將柱狀隔墊物設(shè)置在彩膜基板的黑矩陣上，利用柱 狀隔墊物來(lái)維持陣列基板和彩膜基板之間的間隙。上述現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)置隔墊物的液晶顯示裝置及制造方法，具有以下缺點(diǎn) 當(dāng)人們?cè)谂膿粢壕э@示裝置的顯示屏?xí)r，隔墊物在陣列基板和彩膜基板之間 會(huì)出現(xiàn)移動(dòng)，并且很難迅速恢復(fù)原來(lái)的位置，從而使陣列基板和彩膜基板的 相對(duì)位置發(fā)生偏移，導(dǎo)致產(chǎn)生漏光問(wèn)題，在顯示屏上表現(xiàn)為"拍擊水波紋" 現(xiàn)象。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明第一個(gè)方面的目的在于提供一種液晶顯示裝置，能防止柱狀隔墊 物在一定范圍內(nèi)移動(dòng)，控制薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板間液晶材料的厚 度與均勻性，避免因薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板的相對(duì)位置發(fā)生偏移而 引發(fā)的漏光問(wèn)題，從而避免在顯示屏上出現(xiàn)"拍擊水波紋"現(xiàn)象。本發(fā)明第二個(gè)方面的目的在于提供一種液晶顯示裝置制造方法，能防止柱狀隔墊物在一定范圍內(nèi)移動(dòng)，控制薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板間液晶 材料的厚度與均勻性，避免因薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板的相對(duì)位置發(fā) 生偏移而引發(fā)的漏光問(wèn)題，從而避免在顯示屏上出現(xiàn)"拍擊水波紋"的現(xiàn)象。本發(fā)明第一個(gè)方面通過(guò)一些實(shí)施例提供了如下的技術(shù)方案，包括薄膜晶 體管陣列基板、彩膜基板和設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板之間 的柱狀隔墊物，在所述薄膜晶體管陣列基板上設(shè)有凹孔，所述凹孔貫穿柵絕 緣層和鈍化層并露出玻璃基板，所述柱狀隔墊物的 一端設(shè)置在所述彩膜基板 上，所述柱狀隔墊物的另一端位于所述凹孔內(nèi)。本發(fā)明第一個(gè)方面提供的液晶顯示裝置，通過(guò)在薄膜晶體管陣列基板上 設(shè)置用于防止柱狀隔墊物移動(dòng)的凹孔，能控制薄膜晶體管陣列基板和彩膜基 板間液晶材料的厚度與均勻性，避免了因薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板的 相對(duì)位置發(fā)生偏移而引發(fā)的漏光問(wèn)題，從而避免了在顯示屏上出現(xiàn)"拍擊水 波紋"的現(xiàn)象。本發(fā)明第二個(gè)方面通過(guò)一些實(shí)施例提供了如下的技術(shù)方案，包括 步驟1、形成薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板，所述薄膜晶體管陣列基 板上設(shè)有凹孔；步驟2、在所述薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置柱狀隔墊物， 使所述柱狀隔墊物的一端設(shè)置在所述彩膜基板上，所述柱狀隔墊物的另 一端 4立于所述凹孔內(nèi)。本發(fā)明第二個(gè)方面提供的液晶顯示裝置制造方法，通過(guò)在薄膜晶體管陣 列基板上設(shè)置用于防止隔墊物移動(dòng)的凹孔，能控制薄膜晶體管陣列基板和彩 膜基板間液晶材料的厚度與均勻性，避免了因薄膜晶體管陣列基板和彩膜基 板的相對(duì)位置發(fā)生偏移而引發(fā)的漏光問(wèn)題，從而避免了在顯示屏上出現(xiàn)"拍 擊水波紋"的現(xiàn)象。


圖1為本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例1中薄膜晶體管陣列基板的示意圖； 圖2為圖1中A-A切面的示意圖；圖3為本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例2中薄膜晶體管陣列基板的示意圖； 圖4為圖3中B-B切面的示意圖； 圖5為本發(fā)明液晶顯示裝置制造方法實(shí)施例1的流程圖； 圖6為本發(fā)明液晶顯示裝置制造方法實(shí)施例1中薄膜晶體管陣列基板制 造方法的流程圖；圖7為本發(fā)明液晶顯示裝置制造方法實(shí)施例2中薄膜晶體管陣列基板制 造方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。 本發(fā)明液晶顯示裝置的實(shí)施例1:本實(shí)施例包括薄膜晶體管陣列基板、彩膜基板和設(shè)置在薄膜晶體管陣列 基板和彩膜基板之間的柱狀隔墊物；如圖1所示，為本實(shí)施例中薄膜晶體管 陣列基板的示意圖，其中凹孔11設(shè)置在柵極12和公共電極層13之間。如圖2所示，為本實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板嵌合的示意 圖，圖2為圖1中A-A切面的示意圖。本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板包括 玻璃基板IO、柵極12、公共電極層13、柵絕緣層15、非晶硅擋板層16、金 屬擋板層17、鈍化層18、像素電極19以及凹孔11，其中凹孔11貫穿柵絕 緣層15和鈍化層18并露出玻璃基板10，非晶硅擋板層16和金屬擋板層17
環(huán)繞凹孔11，非晶硅擋板層16、金屬擋板層17以及像素電極19可以共同起 到擋板的作用。
本實(shí)施例中，凹孔ll的深度為1~2樣￡米。如圖2所示，彩膜基板包括彩膜基板的玻璃基板21、黑矩陣22、彩色樹(shù) 脂23以及柱狀隔墊物20，柱狀隔墊物20的一端設(shè)置在彩膜基板的彩色樹(shù)脂 23上，另一端位于凹孔11內(nèi)，柱狀隔墊物20的底部可以與玻璃基板10接 觸。
本實(shí)施例中，通過(guò)在薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置用于防止柱狀隔墊物20 移動(dòng)的擋板和凹孔11,能控制薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板間液晶材料的 厚度與均勻性，避免了因薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板的相對(duì)位置發(fā)生偏 移而引發(fā)的漏光問(wèn)題，從而避免了在顯示屏上出現(xiàn)"拍擊水波紋"的現(xiàn)象。
本發(fā)明液晶顯示裝置的實(shí)施例2:圖3為本實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的示意圖，圖4為本實(shí)施例中薄 膜晶體管陣列基板與彩膜基板嵌合的切面圖，圖4為圖3中B-B切面的示意 圖。如圖3和圖4所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于凹孔31設(shè)置在 柵線32處，凹孔31貫穿鈍化層38、柵絕緣層35和柵線32露出玻璃基板。本實(shí)施例中，通過(guò)在薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置用于防止隔墊物20移動(dòng) 的擋板和凹孔31，能控制薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板間液晶材料的厚度 與均勻性，避免了因薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板的相對(duì)位置發(fā)生偏移而 引發(fā)的漏光問(wèn)題，從而避免了在顯示屏上出現(xiàn)"拍擊水波紋"的現(xiàn)象。
本發(fā)明液晶顯示裝置制造方法的實(shí)施例1:如圖5所示，為本發(fā)明液晶顯示裝置的制造方法實(shí)施例1流程圖，其中 執(zhí)行以下步驟步驟51、形成薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板，薄膜晶體管陣列基板上 設(shè)有凹孔；步驟52、在薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置柱狀隔墊物，使柱 狀隔墊物的 一端設(shè)置在彩膜基板上，柱狀隔墊物的另 一端位于凹孔內(nèi)。其中步驟51中形成薄膜晶體管陣列基板，具體地說(shuō)，在制造薄膜晶體管 陣列基板之前，預(yù)先設(shè)計(jì)形成凹孔的位置及規(guī)格，然后如圖6所示，執(zhí)行以 下步驟步驟61、在玻璃基板上沉積金屬層，通過(guò)第一次掩膜工藝，形成柵極、 柵線和公共電極；步驟62、在完成步驟61的玻璃基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、非晶硅、摻 雜非晶硅以及金屬層；步驟63、在完成步驟62的玻璃基板上，通過(guò)第二次掩膜工藝的光刻和 刻蝕工藝，在4冊(cè)極上形成有源層和源漏電極層，與此同時(shí)，在^f冊(cè)線和^^共電 極之間形成非晶硅擋板層和金屬擋板層，非晶硅擋板層和金屬擋板層上開(kāi)設(shè) 有穿孔；步驟64、在完成步驟63的玻璃基板上，通過(guò)第三次掩膜工藝，形成鈍 化層和過(guò)孔，同時(shí)在穿孔位置形成凹孔，凹孔貫穿鈍化層和柵絕緣層并露出 玻璃基板，使非晶硅擋板層和金屬擋板層形成擋板；步驟65、在完成步驟64的玻璃基板上，通過(guò)第四次掩膜工藝，形成像 素電極，使像素電極通過(guò)過(guò)孔連接源漏電極層，并且像素電極也可以作為擋 板。本實(shí)施例中，柵極、柵絕緣層、有源層、源漏電極層、鈍化層和像素電 極與現(xiàn)有的液晶顯示裝置中所使用的材料、厚度和制造方法可以是相同的； 為了使凹孔和擋板能更有效的固定柱狀隔墊物，也可以增大上述各層的厚度。本實(shí)施例的液晶顯示裝置制造方法并不僅限于四層掩膜工藝，在五層掩 膜工藝中同樣適用。本實(shí)施例中，通過(guò)形成用于防止柱狀隔墊物移動(dòng)的凹孔，能控制陣列基 板和彩膜基板間液晶材料的厚度與均勻性，避免了因薄膜晶體管陣列基板和 彩膜基板的相對(duì)位置發(fā)生偏移而引發(fā)的漏光問(wèn)題，從而避免了在顯示屏上出
現(xiàn)"拍擊水波紋，，的現(xiàn)象；通過(guò)在環(huán)繞凹孔處設(shè)置由非晶硅擋板層、金屬電 極層以及像素電極形成的擋板，更進(jìn)一步地防止柱狀隔墊物移動(dòng)；與此同時(shí)， 設(shè)置凹孔和擋板的過(guò)程均在陣列基板制造過(guò)程的四層掩膜或五層掩膜工藝中 同時(shí)實(shí)現(xiàn)，不需要另外增加工藝，使得工藝更加筒單。 本發(fā)明液晶顯示裝置制造方法的實(shí)施例2:本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于薄膜晶體管陣列基板的制造方法不同， 如圖7所示，為本實(shí)施例形成薄膜晶體管陣列基板的流程圖，其中執(zhí)行如下 步驟步驟71、在玻璃基板上沉積金屬層，通過(guò)第一次掩膜工藝，形成具有柵 線凹孔的柵極和柵線，該柵線凹孔與柱狀隔墊物的另 一端相對(duì)應(yīng)；步驟72、在完成步驟71的玻璃基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、非晶硅、摻 雜非晶硅以及金屬層；步驟73、在完成步驟72的玻璃基板上，通過(guò)第二次掩膜工藝的光刻和 刻蝕工藝，在柵極上形成有源層和源漏電極層，與此同時(shí)，在對(duì)應(yīng)柵線凹孔 的周?chē)纬煞蔷Ч钃醢鍖雍徒饘贀醢鍖?，非晶硅擋板層和金屬擋板層上開(kāi)設(shè) 有穿孔，該穿孔的位置與柵線凹孔的位置對(duì)應(yīng)；步驟74、在完成步驟73的玻璃基板上，通過(guò)第三次掩膜工藝，形成鈍 化層和過(guò)孔，同時(shí)在柵線凹孔和穿孔位置形成凹孔，凹孔貫穿鈍化層、柵絕 緣層并露出玻璃基板，使非晶硅擋板層和金屬擋板層形成擋板；步驟75、在完成步驟74的玻璃基板上，通過(guò)第四次掩膜工藝，形成像 素電極，使像素電極通過(guò)過(guò)孔連接源漏電極層，并且像素電極也可以作為擋 板。本實(shí)施例中，通過(guò)形成用于防止柱狀隔墊物移動(dòng)的凹孔，能控制陣列基 板和彩膜基板間液晶材料的厚度與均勻性，避免了因薄膜晶體管陣列基板和 彩膜基板的相對(duì)位置發(fā)生偏移而引發(fā)的漏光問(wèn)題，從而避免了在顯示屏上出 現(xiàn)"拍擊水波紋"的現(xiàn)象；通過(guò)在環(huán)繞凹孔處設(shè)置由非晶硅擋板層、金屬 極層以及像素電極形成的擋板，更進(jìn)一步地防止柱狀隔墊物移動(dòng)；與此同時(shí)， 設(shè)置凹孔和擋板的過(guò)程均在陣列基板制造過(guò)程的四層掩膜或五層掩膜工藝中 同時(shí)實(shí)現(xiàn)，不需要另外增加工藝，使得工藝更加簡(jiǎn)單。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其 限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或 者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示裝置，包括薄膜晶體管陣列基板、彩膜基板和設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板之間的柱狀隔墊物，其特征在于，在所述薄膜晶體管陣列基板上設(shè)有凹孔，所述凹孔貫穿柵絕緣層和鈍化層并露出玻璃基板，所述柱狀隔墊物的一端設(shè)置在所述彩膜基板上，所述柱狀隔墊物的另一端位于所述凹孔內(nèi)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述凹孔處的 薄膜晶體管陣列基板上還設(shè)有非晶硅檔板層和金屬檔板層，所述非晶硅檔板層和金屬檔板層環(huán)繞所述凹孔。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述凹孔 的深度為1~2微米。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述凹孔 設(shè)置在柵極和7>共電極之間。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述凹孔 設(shè)置在柵線上。
6、 一種液晶顯示裝置制造方法，其特征在于，包括步驟1、形成薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板，所述薄膜晶體管陣列基 板上i殳有凹孔；步驟2、在所述薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置柱狀隔墊物， 使所述柱狀隔墊物的一端設(shè)置在所述彩膜基板上，所述柱狀隔墊物的另一端 位于所述凹孔內(nèi)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置制造方法，其特征在于，所述 形成薄膜晶體管陣列基板具體為步驟ll、在玻璃基板上形成柵極、柵線和公共電極； 步驟12、在完成步驟11的玻璃基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、非晶硅、摻 雜非晶硅以及金屬層；步驟13、在完成步驟12的玻璃基板上，通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝在所 述柵極上形成有源層和源漏電極層，同時(shí)在所述柵線和公共電極之間形成非 晶硅檔板層和金屬檔板層，所述非晶硅擋板層和金屬檔板層上開(kāi)設(shè)有穿孔；步驟14、在完成步驟13的玻璃基板上形成鈍化層和過(guò)孔，并在所述穿 孔位置形成凹孔，所述凹孔貫穿鈍化層和柵絕緣層并露出玻璃基板，使所述 非晶硅檔板層和金屬檔板層形成檔板；步驟15、在完成步驟14的玻璃基板上形成像素電極，使像素電極通過(guò) 所述過(guò)孔連接源漏電極層。
8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置制造方法，其特征在于，所述 形成薄膜晶體管陣列基板具體為步驟21、在玻璃基板上形成有柵線凹孔的柵極和柵線，所述柵線凹孔與 所述柱狀隔墊物的另 一端相對(duì)應(yīng)；步驟22、在完成步驟21的玻璃基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、非晶硅、摻 雜非晶硅以及金屬層；步驟23、在完成步驟22的玻璃基板上，通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝在所 述柵極上形成有源層和源漏電極層，同時(shí)在對(duì)應(yīng)所述柵線凹孔周?chē)纬煞蔷?硅檔板層和金屬檔板層，所述非晶硅擋板層和金屬檔板層上開(kāi)設(shè)有穿孔，所 述穿孔的位置與所述柵線凹孔對(duì)應(yīng)；步驟24、在完成步驟23的玻璃基板上形成鈍化層和過(guò)孔，并在所述柵 線凹孔和所述穿孔對(duì)應(yīng)的位置形成凹孔，所述凹孔貫穿鈍化層、柵絕緣層并 露出玻璃基板，使所述非晶硅檔板層和金屬檔板層形成檔板；步驟25、在完成步驟24的玻璃基板上形成像素電極，使像素電極通過(guò) 所述過(guò)孔連接源漏電極層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及制造方法，其中裝置包括陣列基板、彩膜基板和設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的柱狀隔墊物，在陣列基板上設(shè)有凹孔，凹孔貫穿柵絕緣層和鈍化層并露出玻璃基板，柱狀隔墊物的一端設(shè)置在彩膜基板上，柱狀隔墊物的另一端位于凹孔內(nèi)；其中方法包括形成陣列基板和彩膜基板，陣列基板上設(shè)有凹孔；在陣列基板和彩膜基板之間設(shè)置柱狀隔墊物，使柱狀隔墊物的一端設(shè)置在彩膜基板上，柱狀隔墊物的另一端位于凹孔內(nèi)。本發(fā)明液晶顯示裝置及制造方法能防止柱狀隔墊物在一定范圍內(nèi)移動(dòng)，避免漏光問(wèn)題，從而避免在顯示屏上出現(xiàn)“拍擊水波紋”現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101398580SQ200710122508
公開(kāi)日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2007年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月26日
發(fā)明者林允植 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司