專利名稱：：微電子裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種微電子裝置和其制造方法，特別涉及一種光刻掃描器和其制造方法。
背景技術(shù)：
：光刻機臺為一種將預(yù)定圖案定義于基底的目標區(qū)的裝置，舉例來說，光刻裝置可用來制造集成電路(IC)、平面顯示裝置和其它包括微小結(jié)構(gòu)的元件。在一傳統(tǒng)的光刻機臺中，可使用一圖形化裝置(還可稱為掩模mask或光掩模reticle)制造出一對應(yīng)于一集成電路(或其它元件)的單一層的圖案，此圖案可映至一基底上的目標區(qū)(例如單一芯片的一部分或多個芯片的一部分)，其中基底例如為硅晶片或是玻璃基板，且其上形成有例如光刻膠的感光材料。一般來說，一單一基底包括多個彼此相鄰的曝光目標區(qū)。光刻機臺包括掃描機(scanner)，其通過使用一投影光束沿一方向(掃描方向)掃描一圖案光掩模，對每個目標區(qū)進行曝光，并且沿平行上述方向(或反方向)掃描一晶片基底。正確的掃描需要在曝光時，光掩模和晶片座移動間的校準極度的精準，舉例來說，掃描機的掃描速度是影響產(chǎn)量和質(zhì)量的關(guān)鍵因素。在集成電路的制造工藝中，在關(guān)鍵層上，需要光刻步驟曝出一鄰近晶片邊緣的虛設(shè)(dummy)圖案，而制作虛設(shè)影像圖案會使曝光時間增加20%或是更多。一般來說，在曝光單一層時，會選擇最大掃描速度，更甚者，在對關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層進行曝光時，均會選擇最大掃描速度。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)上述，本發(fā)明提供一種微電子裝置的制造方法。首先，使用一光刻掃描器，以一第一速度，對一基底上的一虛設(shè)區(qū)進行曝光；其后，使用上述光刻掃描器，以一第二速度，對基底上的一產(chǎn)品區(qū)進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快。上述的微電子裝置的制造方法，其中優(yōu)選地，該第一速度和第二速度均為該基底和至少部分的光刻掃描器之間的相對速度。該第一速度大體上大于該第二速度的50%~100%。本發(fā)明提供一種微電子裝置的制造方法。首先，使用一光刻掃描器，以一第一速度，對微電子裝置的一非關(guān)鍵區(qū)進行曝光。接下來，使用上述光刻掃描器，以一第二速度，對微電子裝置的一關(guān)鍵區(qū)進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快。上述的微電子裝置的制造方法，其中優(yōu)選地，該第一速度和第二速度均為該基底和至少部分的光刻掃描器之間的相對速度。該第一速度大體上大于該第二速度的50%100%。本發(fā)明提供一種微電子裝置。一用以使用光刻掃描器的裝置，以一第一速度，對一基底上的一虛設(shè)區(qū)進行曝光，且用以使用光刻掃描器，以一第二速度，對基底上的一產(chǎn)品區(qū)進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快。上述的微電子裝置，其中優(yōu)選地，該第一速度和第二速度均為該基底和至少部分的光刻掃描器之間的相對速度。該第一速度大體上大于該第二速度的50%100%。該對一基底上的一虛設(shè)區(qū)進行曝光包括對該基底上的一層進行曝光，且對該產(chǎn)品區(qū)進行曝光為曝光相同的該層。曝光該虛設(shè)區(qū)，包括于該虛設(shè)區(qū)中曝光一圖案，且曝光該產(chǎn)品區(qū)，包括于該產(chǎn)品區(qū)中曝光相同的圖案。本發(fā)明還提供一種微電子裝置。一用以使用光刻掃描器的裝置，以一第一速度，對裝置的非關(guān)鍵層進行曝光，且用以使用光刻掃描器，以一第二速度，對裝置的關(guān)鍵層進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快。上述的微電子裝置，其中優(yōu)選地，該第一速度和第二速度，均為該基底和至少部分的光刻掃描器之間的相對速度。該第一速度大體上大于該第二速度的50%100%。本發(fā)明提供的微電子裝置和其制造方法可以利用不同的速度進行曝光，從而獲得更佳的產(chǎn)量和質(zhì)量。圖la-圖lc揭示本發(fā)明一或是多個實施例部分光刻機臺的示意圖；圖2揭示本發(fā)明一或是多個實施例部分光刻機臺的俯視圖；圖3揭示本發(fā)明一或是多個實施例部分光刻機臺的俯視圖；圖4揭示本發(fā)明一或是多個實施例部分光刻機臺的示意圖。其中，附圖標記說明如下32液體提供/吸收單元；110光掩模；122曝光區(qū)；122b虛設(shè)曝光區(qū)；140照射裝置；160縮圖裝置；410照光系統(tǒng)；420支承光掩模；430支撐臺單元；440可移動鏡；450臺控制單元；460液體提供/吸收單元；470晶片支托物；480~XY臺；490晶片激光干涉儀；100機臺；120~晶片/基底；122a產(chǎn)品曝光區(qū)；130光線；150曝光狹縫；400~裝置；415光掩模臺；425投射單元；435光掩模激光干涉器;445主控制器；455晶片/基底；465晶片臺；475晶片臺驅(qū)動器；485~Z臺；495可移動鏡。具體實施方式以下詳細討論本發(fā)明較佳實施例的制造和使用，然而，根據(jù)本發(fā)明的概念，其可包括或運用于更廣泛的技術(shù)范圍。須注意的是，實施例僅用以揭示本發(fā)明制造和使用的特定方法，并不用以限定本發(fā)明。為簡潔，本發(fā)明各實施例間相類似的單元采用相同的標號。更進一步，在以下的描述中，形成第一特征于第二特征上或上方的描述，可包括第一特征和第二特征直接接觸的實施例，與另一實施例，其中第一特征和第二特征插入有一額外的特征，使得第一特征和第二特征不直接接觸。請參照圖la-圖lc，揭示本發(fā)明一實施例部分光刻機臺100的示意圖。機臺IOO可包括一光刻掃描機，用以將圖案從一光掩模110轉(zhuǎn)移至一基底或是晶片120(以下統(tǒng)稱為基底120)上的曝光區(qū)122。從一光源或照射裝置140發(fā)射出的光線130，在通過光掩模110之前，穿過一曝光狹縫150，其中曝光狹縫150的寬度大體上和基底120上的曝光區(qū)122相同，或小于基底120上的曝光區(qū)122。之后，光線130穿過縮圖裝置160，以縮小光掩模影像的圖案(例如4倍、5倍或其它的倍率)。接著，光線130照射于曝光區(qū)122。在以上的曝光制造工藝中，光掩模110和基底120彼此間可相對的移動，其中光掩模110和基底120間的相對速度，在此可稱為掃描速度或光刻掃描速度，此速度可根據(jù)光掩模110和基底120間相對的移動，或光掩模110和定位(positionally-fixed)狹縫或定位縮圖裝置間相對的移動。舉例來說，光掩模110的位置相對于曝光狹縫150和縮圖裝置160為固定的，而基底120相對于曝光狹縫150和縮圖裝置160為移動的，其移動的方向可沿X軸(圖la-圖lc的橫向方向)、Y軸(圖la-圖lc的入紙或出紙方向)或Z軸(圖la-圖lc的縱向方向)。另外，基底120相對于曝光狹縫150和縮圖裝置160可為固定的，而光掩模110相對于曝光狹縫150和縮圖裝置160可為移動的(可沿X軸、Y軸或Z軸方向)。然而，如圖la-圖lc所描繪，光掩模110和基底120相對于曝光狹縫150和縮圖裝置160均可為移動的(可沿X軸、Y軸或Z軸方向)。例如，請參照圖la，光掩模110的左側(cè)尾端和曝光區(qū)122的右側(cè)尾端導入光線130。之后，如圖lb所示，光掩模110的中間部分和曝光區(qū)122的中間部分為光線130照射，因此，光掩模110朝附圖的左側(cè)移動(負X軸方向)，基底120朝附圖的右側(cè)移動(正X軸方向)。接下來，如圖lc所示，光掩模110的右側(cè)尾端和曝光區(qū)122的左側(cè)尾端為光線130照射，因此，光掩模110還進一步朝附圖的左側(cè)移動，基底120還進一步朝附圖的右側(cè)移動。請注意，曝光區(qū)122和用來對曝光區(qū)122進行曝光的光掩模110的照射部分，在移動的方向(X軸方向、附圖由左至右的方向)上不必須移動相同的距離。因此，在對曝光區(qū)122進行曝光時，光掩模110的移動速度不必須和基底120的移動速度相同，其中兩者的移動速度相對于曝光狹縫150和縮圖裝置160，然而，光掩模110和基底120的相對速度更重要，此部分將會在以下描述。請注意，在對曝光區(qū)122進行曝光時，光掩模IIO和基底120不必須如圖la-圖lc所示，沿著反方向移動，例如，在對曝光區(qū)122進行曝光時，光掩模110和基底120可沿平行的同方向移動。在以上描述中，"左"和"右"以印制有圖la-圖lc的紙張為基準，并且使用"左"和"右"僅為方便描述本發(fā)明實施范例，其不用以限制本發(fā)明。有許多因素可影響掃描速度，例如，以下表1揭示一假設(shè)的微電子元件所需的光刻掃描工作。<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>表l(假設(shè)的掃描工作)<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>表2(XY-速度范圍)如表1所示，掃描工作因不同的準確度而有不同的規(guī)格，因規(guī)格不同而有不同的掃描速度，例如，在以上的表l中，掃描工作6包含在層A12上曝光制作影像B4，其對應(yīng)于所有的XY5項目、Z5項目和E5項目。如以下表2-表4所揭示的假設(shè)的范例，每個項目均具有對應(yīng)的最大、最小或較佳的掃描速度。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>表3(Z-速度范圍)<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>表4(能量-速度范圍)若是需要一盡可能快的掃描工作，例如增加產(chǎn)量，可能需要一具有最快掃描速度的掃描工作。接續(xù)討論前述的掃描工作6，其必須從S15(XY5項目的速度范圍)選擇掃描工作的速度范圍，從S25(Z5項目的速度范圍)選擇掃描工作的速度范圍，從S35(E5項目的速度范圍)選擇掃描工作的速度范圍。在此范例中，S35的速度范圍比S25的速度范圍大(在速率方面)，而S25的速度范圍比S15的速度范圍大。因此，對于掃描工作6，可滿足XY5、Z5和E5項目的較大(最快)掃描速度是S15速度范圍。然而，在對單一晶片的所有圖案進行曝光時，僅可采用一單一掃描速度，例如，在以上的表l中，掃描工作3-掃描工作6需要采用相同的掃描速度。舉例來說，若掃描工作3和掃描工作4的最慢的掃描速度是Sll速度范圍，掃描工作5和掃描工作6的最慢的掃描速度是S15速度范圍，其中S15速度范圍比S11速度范圍快，由于每個掃描工作均包括對相同的制造層進行曝光，掃描工作3-掃描工作6均需采用Sll速度范圍。以下更進一步討論此實施例，圖2顯示圖la-圖lc中基底120的俯視圖，其將基底120分隔成多個曝光區(qū)(在此統(tǒng)稱為曝光區(qū)122)。曝光區(qū)122包括產(chǎn)品曝光區(qū)122a和虛設(shè)曝光區(qū)122b，其中在圖2中，虛設(shè)曝光區(qū)122b重疊基底120的邊界。為使附圖簡潔，僅將圖2少數(shù)的曝光區(qū)122a和122b標示符號。產(chǎn)品曝光區(qū)122a為基底120上的可用作產(chǎn)品的單位區(qū)域，然而，虛設(shè)曝光區(qū)122b為可報廢，且不可用作產(chǎn)品的單位，其僅用來增加產(chǎn)品單位的成品率。如上所述，在對基底120上的單一層的所有曝光區(qū)122進行曝光時，僅可采用單一掃描速度，然而，當對虛設(shè)曝光區(qū)122b進行曝光的掃描速度增加時，對層進行曝光所需總曝光時間會減少，因此，可增加掃描制造工藝的產(chǎn)量。易而言之，若虛設(shè)曝光區(qū)122b的掃描速度大體上大于產(chǎn)品曝光區(qū)122a的掃描速度，對曝光區(qū)122的層進行曝光所需的總曝光時間會減少。舉例來說，虛設(shè)曝光區(qū)122b的掃描速度可至少比產(chǎn)品曝光區(qū)122a的掃描速度大體上快50%。請參考以下范例，如圖2所示，曝光區(qū)122包括虛設(shè)曝光區(qū)122b和產(chǎn)品曝光區(qū)122a，若產(chǎn)品曝光區(qū)122a曝光的掃描速度比虛設(shè)曝光區(qū)122b曝光的掃描速度快100%,則對曝光區(qū)122的層的曝光時間至少可減少9.5%(相對于所有曝光區(qū)122使用與產(chǎn)品曝光區(qū)122a曝光的相同掃描速度)。舉例來說，產(chǎn)品曝光區(qū)122a的掃描速度可約為360mm/s，虛設(shè)曝光區(qū)122b的掃描速度可約為720mm/s。若在單一層的曝光區(qū)122中，虛設(shè)曝光區(qū)122b的數(shù)量占較大部分，則采用虛設(shè)曝光區(qū)122b的掃描速度比產(chǎn)品曝光區(qū)122a曝光的掃描速度快的模式，可省下更多的時間。請參照圖3，其揭示圖2中的基底120在不同制造歩驟中，對不同的層進行光刻曝光的俯視圖。相對于圖2所曝光的層，圖3所曝光的層為一非關(guān)鍵(non-critical)層，例如，對圖3的層進行曝光的對準和曝光量的精確度可大于10%,對圖2的層進行曝光的對準和曝光量的的精確度需小于3%。如上所述，對基底120上的所有曝光區(qū)122可采用單一掃描速度進行曝光，然而，當非關(guān)鍵層的曝光區(qū)122的掃描速度增加(相對于關(guān)鍵層的曝光區(qū)122的掃描速度)，則可減少非關(guān)鍵層的曝光時間，且可減少所有層的曝光時間，因此，可增加掃描制造工藝的產(chǎn)量。換句話說，若非關(guān)鍵層的曝光區(qū)122的掃描速度，大體上比關(guān)鍵層的曝光區(qū)122的平均掃描速度快，則可縮減所有層的總掃描時間。例如，非關(guān)鍵層的曝光區(qū)122的掃描速度可大體上比關(guān)鍵層的曝光區(qū)122的平均掃描速度快50%，或非關(guān)鍵層的曝光區(qū)122的掃描速度，大體上比關(guān)鍵層的曝光區(qū)122(如圖2中的一曝光區(qū)122a)的最慢掃描速度可大體上快50%。請參考以下圖3的范例，其包括非關(guān)鍵層的曝光區(qū)122，若非關(guān)鍵層的曝光區(qū)122的掃描速度大體上比關(guān)鍵層的任何曝光區(qū)122的最慢掃描速度約大100%，則非關(guān)鍵層的曝光區(qū)122進行曝光，所需的總時間約可減少50%(相對于關(guān)鍵層的所有曝光區(qū)122，采用關(guān)鍵層的任一曝光區(qū)122的最慢掃描速度所需總曝光時間)。例如，關(guān)鍵層的任一曝光區(qū)122的最慢掃描速度約可為360mm/sec，而非關(guān)鍵層的曝光區(qū)122的掃描速度約可為720mm/sec。請參照圖4，其顯示裝置400至少一部分的示意圖，揭示本發(fā)明的一實施范例。在本發(fā)明的一實施例中，裝置400可包括一光刻系統(tǒng)或并入一光刻系統(tǒng)。裝置400包括一照光系統(tǒng)410、一用以支承光掩模420的光掩模臺415、一投射單元425和一支撐臺單元430。另外，照光系統(tǒng)410還可包括其它部分，例如光源、光學系統(tǒng)的照光協(xié)調(diào)系統(tǒng)(illuminanceuniformitysystem)(例如集光器或類似的系統(tǒng))、分光鏡(beamsplitter)、傳送鏡(relaylen)、濾光器和/或標線片遮簾(reticleblind)，為簡潔，附圖中未繪示以上構(gòu)件。在照光系統(tǒng)410中，一照光或一曝光光線穿過一例如標線片遮簾所設(shè)定的曝光狹縫，到達一制作有電路圖案或類似單元的光掩模420，且均勻照射。照光或曝光光線可包括ArF分子激光束(波長為193nm)、KrF分子激光束的深紫外光(波長為248nm)、超高壓水銀燈所產(chǎn)生的深紫外區(qū)光線(例如g光線或i光線)。照光系統(tǒng)410還可包括蠅眼(flyeye)鏡、集光柱(rodintegrator)(內(nèi)反射型態(tài)的集光器)和/或光學衍射單元(例如集光器的部分)。光掩模420可通過例如真空吸附固定于光掩模臺415上，光掩模臺415可通過光掩模臺驅(qū)動器(例如線性移動器或是其它移動構(gòu)件)于垂直照光系統(tǒng)410的光軸的XY平面驅(qū)動。此外，光掩模臺415可沿著預(yù)定掃描方向驅(qū)動(例如圖4所示的Y軸方向)，其掃描可依照對應(yīng)于圖la-圖lc、圖2和圖3的敘述進行掃描?？赏ㄟ^光掩模激光干涉器435通過可移動鏡440以周期性或全時間檢測光掩模臺415在其移動平面的位置，其檢測分辨率約介于0.5nm1.0nm之間。光照臺415可包括一具有垂直Y軸方向的反射表面的可移動鏡片、一具有垂直X軸方向的反射表面的另一可移動鏡片和對應(yīng)于上述鏡片的Y光掩模集光器與X光掩模集光器。為簡潔，在圖4中，以可移動鏡440和光掩模激光干涉器435表示上述的元件?？赏ㄟ^光掩模干涉器435(interferometer)至主控制器445間的距離描述光掩模臺415的位置信息(例如可通過臺控制單元450)。臺控制單元450可通過光掩模臺驅(qū)動器，依照光掩模臺415和回應(yīng)主控制器445提供的位置信息，驅(qū)動或控制光掩模臺。投射單元425的光軸可和照光系統(tǒng)410的光軸重疊，投射單元425可包括一遮蓋投射光學系統(tǒng)的筒狀結(jié)構(gòu)，其中投射光學系統(tǒng)包括多個鏡片、鏡片單元和/或其它在Z軸方向共享相同光軸，和在筒狀結(jié)構(gòu)中與筒狀結(jié)構(gòu)有特定位置關(guān)系的光學單元。舉例來說，可使用具有預(yù)定投射倍率(例如1/4倍或1/5倍)的兩邊遠心屈光系統(tǒng)(both-sidetelecentricdioptricsystem)。因此，當從照光系統(tǒng)410的曝光光線照射光掩模420上的照射區(qū)時，穿過光掩模420的照射光線可穿過投射單元425，且于晶片或基底上形成小于光掩模420上照射區(qū)內(nèi)的電路圖案的影像(電路圖案的部分縮小影像)，其中晶片/基底455可涂布光刻膠或其它感光材料。裝置400還可包括液體提供/吸收單元460，如此，裝置400可用于浸潤式(immersion)光刻制造工藝，液體提供/吸收單元32可附加于投射單元425,如此，液體提供/吸收單元可圍繞投射單元425的下部末端。臺單元430可包括一用作基底臺的晶片臺465、晶片臺465上的晶片支托物470和一晶片臺驅(qū)動器475，其中晶片臺驅(qū)動器系驅(qū)動晶片臺465和晶片支托物470。晶片臺465包括一XY臺480，例如可通過線性驅(qū)動器和/或其它構(gòu)件于XY方向驅(qū)動，晶片臺465還可包括一Z臺485，例如設(shè)置于XY臺480上且可提供Z軸方向的移動或?qū)?yīng)于XY平面的傾斜方向的移動(沿著X軸一旋轉(zhuǎn)方向Qx和沿著Y軸一旋轉(zhuǎn)方向QY，例如Z軸傾斜驅(qū)動機制)。此外，XY臺480不僅在掃描方向(Y軸方向)為可移動的，其在垂直掃描方向的非掃描方向(X軸方向)也為可移動的。XY臺480和Z臺485可一并稱為晶片臺，使用一晶片激光干涉儀490(waferlaserinterferometer)周期或全時間檢測晶片于XY平面(可包括沿Z軸方向的旋轉(zhuǎn)Qz)的位置，此檢測可通過設(shè)置于Z臺485上部表面的可移動鏡495達成，且檢測的分辨率可例如介于0.5nm1nm之間。此外，該結(jié)構(gòu)還可包括雙鏡片或雙干涉儀的結(jié)構(gòu)，關(guān)于鏡片和干涉儀的描述，請參照以上有關(guān)光掩模臺415的敘述。可由臺控制單元450和之后由主控制器445傳送有關(guān)于晶片臺的位置和速度信息，臺控制單元450可通過晶片臺驅(qū)動器475，依據(jù)晶片臺的位置和/或速度信息，來控制晶片臺(例如由主控制器445提供的導引)。根據(jù)上述，本發(fā)明揭示微電子裝置的制造方法，包括使用光刻掃描器，以一第一速度，對基底上的虛設(shè)區(qū)進行曝光，使用光刻掃描器，以一第二速度，對基底上的產(chǎn)品區(qū)進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快。另外，本發(fā)明揭示微電子裝置的另一制造方法，包括使用光刻掃描器，以一第一速度，對微電子裝置的非關(guān)鍵層進行曝光，使用光刻掃描器，以一第二速度，對微電子裝置的關(guān)鍵層進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快。本發(fā)明還揭示一裝置，用以使用光刻掃描器，以一第一速度，對基底上的虛設(shè)區(qū)進行曝光，使用光刻掃描器，以一第二速度，對基底上的虛設(shè)區(qū)進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快。本發(fā)明還包括一裝置，用以使用光刻掃描器，以一第一速度，對微電子裝置的非關(guān)鍵層進行曝光，使用光刻掃描器，以一第二速度，對微電子裝置的關(guān)鍵層進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可以作些許的改動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍，應(yīng)當視權(quán)利要求所界定的范圍為準。權(quán)利要求1.一種微電子裝置的制造方法，包括如下步驟使用一光刻掃描器，以一第一速度，對一基底上的一虛設(shè)區(qū)進行曝光；及使用該光刻掃描器，以一第二速度，對該基底上的一產(chǎn)品區(qū)進行曝光，其中該第一速度大體上比該第二速度快。2.如權(quán)利要求1所述的微電子裝置的制造方法，其中該第一速度和第二速度均為該基底和至少部分的光刻掃描器之間的相對速度。3.如權(quán)利要求1所述的微電子裝置的制造方法，其中該第一速度大體上大于該第二速度的50%100%。4.一種微電子裝置的制造方法，包括如下步驟使用一光刻掃描器，以一第一速度，對該微電子裝置的一非關(guān)鍵區(qū)進行曝光；及使用該光刻掃描器，以一第二速度，對該微電子裝置的一關(guān)鍵區(qū)進行曝光，其中該第一速度大體上比該第二速度快。5.如權(quán)利要求4所述的微電子裝置的制造方法，其中該第一速度和第二速度均為該基底和至少部分的光刻掃描器之間的相對速度。6.如權(quán)利要求4所述的微電子裝置的制造方法，其中該第一速度大體上大于該第二速度的50%~100%。7.—種微電子裝置，包括一裝置，用以使用一光刻掃描器，以一第一速度，對一基底上的一虛設(shè)區(qū)進行曝光，且用以使用該光刻掃描器，以一第二速度，對該基底上的一產(chǎn)品區(qū)進行曝光，其中該第一速度大體上比該第二速度快。8.如權(quán)利要求7所述的微電子裝置，其中該第一速度和第二速度均為該基底和至少部分的光刻掃描器之間的相對速度。9.如權(quán)利要求7所述的微電子裝置，其中該第一速度大體上大于該第二速度的50%~100%。10.如權(quán)利要求7所述的微電子裝置，其中該對一基底上的一虛設(shè)區(qū)進行曝光包括對該基底上的一層進行曝光，且對該產(chǎn)品區(qū)進行曝光為曝光相同的該層。11.如權(quán)利要求7所述的微電子裝置，其中曝光該虛設(shè)區(qū)，包括于該虛設(shè)區(qū)中曝光一圖案，且曝光該產(chǎn)品區(qū)，包括于該產(chǎn)品區(qū)中曝光相同的圖案。12.—種微電子裝置，包括一裝置，用以使用一光刻掃描器，以一第一速度，對該裝置的非關(guān)鍵層進行曝光，且用以使用該光刻掃描器，以一第二速度，對該裝置的關(guān)鍵層進行曝光，其中該第一速度大體上比該第二速度快。13.如權(quán)利要求12所述的微電子裝置，其中該第一速度和第二速度，均為該基底和至少部分的光刻掃描器之間的相對速度。14.如權(quán)利要求12所述的微電子裝置，其中該第一速度大體上大于該第二速度的50%~100%。全文摘要本發(fā)明提供一種微電子裝置及其制造方法。該微電子裝置的制造方法包括使用光刻掃描器，以一第一速度，對基底上的虛設(shè)區(qū)進行曝光，使用光刻掃描器，以一第二速度，對基底上的虛設(shè)區(qū)進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快；另一實施例揭示微電子裝置的另一制造方法，包括使用光刻掃描器，以一第一速度，對微電子裝置的非關(guān)鍵層進行曝光，使用光刻掃描器，以一第二速度，對微電子裝置的關(guān)鍵層進行曝光，其中第一速度大體上比第二速度快。通過本發(fā)明，可以利用不同的速度進行曝光，從而獲得更佳的產(chǎn)量和質(zhì)量。文檔編號H01L21/027GK101251717SQ20071011024公開日2008年8月27日申請日期2007年6月8日優(yōu)先權(quán)日2007年2月21日發(fā)明者彭瑞君,楊安國,林建勛,郭耀文申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司