專利名稱：：半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種確定半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法。
背景技術(shù)：
：傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲器的器件結(jié)構(gòu)例如申請?zhí)枮?3145409的中國專利提供的存儲器結(jié)構(gòu)，如圖l所示，半導(dǎo)體襯底1上依次形成有柵極介電層2和柵極3，所述柵極介電層2為二氧化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅層等，所述柵極3為多晶硅層。在柵極3兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1內(nèi)形成有源漏極5。所述半導(dǎo)體器件的制作方法通常是先在半導(dǎo)體襯底l上形成覆蓋半導(dǎo)體襯底1的柵極介電層2和柵極3，然后在柵極3上形成光刻膠層，并通過曝光顯影的方法形成光刻膠開口，所述光刻膠開口暴露出的柵極3即為需要刻蝕去除的柵極3部分，隨后，以光刻膠為掩膜，刻蝕柵極3和柵極介電層2，在刻蝕柵極3以及柵極介電層2的工藝過程中，由于曝光、顯影的光偏移問題，以及對刻蝕工藝的控制等原因，會在柵極3的底部與柵極介電層2接觸的部分形成柵極材料的殘留(polyfooting)。這些殘留的柵極材料的形狀、尺寸會隨著對4冊極的曝光、顯影工藝以及刻蝕工藝的不同而不同，在半導(dǎo)體器件的制作工藝中，由于刻蝕設(shè)備以及刻蝕工藝的限制，這種柵極材料的殘留是不可完全消除的，而且，殘留的柵極材料的大小和尺寸是不可完全控制的。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體芯片朝向更高的器件密度、高集成度方向發(fā)展，因此，半導(dǎo)體器件的尺寸也越做越小，器件的溝道長度愈來愈短，對半導(dǎo)體器件制作工藝的要求也越來越嚴(yán)格。在半導(dǎo)體器件的臨界尺寸進(jìn)入65nm以后，刻蝕柵極材料形成柵極的工藝中柵極材料的殘留對器件的性能影響變得越來越嚴(yán)重，因此，必須嚴(yán)格工藝柵極材料的刻蝕工藝，控制柵極材料的殘留量以及殘留的柵極材料的尺寸，而由于柵極材料刻蝕工藝中殘留的這種柵極材料的形狀和尺寸都不確定，導(dǎo)致無法設(shè)定統(tǒng)一的誤差標(biāo)準(zhǔn)對柵極材料殘留的形狀和尺寸進(jìn)行控制，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件在最后的電性能測試過程中電性能差別較大，產(chǎn)品良率降低。因此，如何在半導(dǎo)體器件的柵極材料刻蝕過程中設(shè)定允許的最大柵極材料殘留誤差并對刻蝕工藝進(jìn)行規(guī)范和控制變得愈加迫切和重要。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問題是半導(dǎo)體器件柵極材料的刻蝕過程中會產(chǎn)生柵極材料的殘留，這種殘留的柵極材料的形狀和大小各不相同，無法設(shè)定統(tǒng)一的誤差標(biāo)準(zhǔn)對刻蝕工藝進(jìn)行控制的缺陷。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，包括如下步驟根據(jù)柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸關(guān)系，建立柵極殘留的形狀才莫型；根據(jù)柵極殘留的形狀模型計算柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸取不同值時的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)，并得到柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系；挑選柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸為零時的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)值，并設(shè)定存在柵極殘留時半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)允許的最大波動范圍為(士X。/。x標(biāo)準(zhǔn)值)；根據(jù)柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系，分別計算半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為(1±X%)x標(biāo)準(zhǔn)值時對應(yīng)的柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸；選定上步所述尺寸中的最小值作為柵極殘留的最大允許值。其中，所述柵極殘留的形狀模型為模型a):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為La，柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Ha,則Ha大于La;模型b):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lb，柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Hb,則Hb等于Lb;模型c):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lc，柵極殘留在柵-極厚度方向的尺寸標(biāo)記為He,則He小于Lc。其中，所述半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat。其中，所述半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat和Vthlin。其中，所述半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat,Vthlin和Leff。其中，所述半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat,Vthlin和CgdO。其中，所述半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat，Vthlin,Leff和CgdO。所述X值為0至20,較好的為5。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明首先建立柵極殘留的形狀模型，并通過工藝計算機(jī)輔助設(shè)計軟件，對不同模型的柵極殘留結(jié)構(gòu)進(jìn)行工藝仿真數(shù)值建模，從而可以對柵極殘留對器件性能的影響進(jìn)行定量計算和分析。通過與其它相關(guān)工藝控制規(guī)格的比較，可以為刻蝕工藝控制窗口的確定提供更加嚴(yán)格的限制。本發(fā)明通過簡化的柵極殘留模型模擬真實柵極殘留結(jié)構(gòu)，提高了計算速度和效率，同時誤差控制在可接受范圍之內(nèi)。圖l是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法的流程圖；圖3是本發(fā)明具體實施方式模型a的結(jié)構(gòu)圖；圖4是本發(fā)明具體實施方式模型b的結(jié)構(gòu)圖5是本發(fā)明具體實施方式模型c的結(jié)構(gòu)圖6是柵極殘留的形狀模型a中Ha與Idsat之間的曲線圖7是柵極殘留的形狀模型a中Ha與Vthlin之間的曲線圖。具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式做詳細(xì)的說明。本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件柵極殘留(polyfooting)最大允許值的確定方法，以設(shè)定統(tǒng)一的最大誤差標(biāo)準(zhǔn)，對半導(dǎo)體器件柵極的最大允許殘留量進(jìn)行限定，并以此限定和規(guī)范半導(dǎo)體器件柵極的刻蝕工藝，提高產(chǎn)品良率。參考附圖2所示，為本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法的流程圖，包括如下步驟步驟S100，根據(jù)柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸關(guān)系，建立柵極殘留的形狀模型；其中，所述柵極殘留的形狀模型為模型a):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為La,柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Ha，則Ha大于La;模型b):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lb,柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Hb,則Hb等于Lb;模型c):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lc,柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Hc,則Hc小于Lc。步驟S101，根據(jù)柵極殘留的形狀模型計算柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸取不同值時的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)，并得到柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系；步驟S102，挑選柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸為零時7的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)值，并設(shè)定存在柵極殘留時半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)允許的最大波動范圍為(±X%X標(biāo)準(zhǔn)值)；步驟S103，根據(jù)柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系，分別計算半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為(1±X%)x標(biāo)準(zhǔn)值時對應(yīng)的4冊極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸；步驟S104,選定上步所述尺寸中的最小值作為柵極殘留的最大允許值。由于本實施例所述的柵極殘留是在刻蝕柵極材料形成柵極的工藝過程中由于柵極材料、曝光、顯影、刻蝕設(shè)備以及刻蝕工藝的偏差造成的，因此，殘留的柵極材料的形狀和尺寸都是不確定的，無法按照統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行限定，因此，要考慮到殘留的柵極材料的各種形狀以及尺寸狀態(tài)，并方便在模擬軟件中進(jìn)行計算，將殘留的柵極材料的形狀以及尺寸與半導(dǎo)體器件的電性能聯(lián)系起來，本實施例提出了3中殘留的柵極材料的模型，概括了所有的殘留的柵極材料的形狀可能性。在本實施例中，為了描述的簡單方便，將殘留的柵極材料簡寫為"柵極殘留，'。下面參考半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法的流程中的步驟SIOO，根據(jù)柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸關(guān)系，建立柵極殘留的形狀4莫型；其中，所述柵極殘留的形狀模型為模型a):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為La，柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Ha，則Ha大于La;模型b):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lb,柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Hb,則Hb等于Lb;模型c):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lc,柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Hc,則Hc小于Lc。下面對本實施例提出的柵極殘留的形狀模型做詳細(xì)的說明參考附圖3所示，為柵極殘留的形狀模型a，10為半導(dǎo)體襯底，所述為半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的各種半導(dǎo)體材料，包括單晶或者多晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe)，還可以是含有摻雜離子例如N型或者P型摻雜的硅或者硅鍺，也可以包括混合的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳化硅、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其組合；也可以是絕緣體上硅(SOI)。作為半導(dǎo)體器件測量電性能時，所述半導(dǎo)體村底內(nèi)形成有源極和漏極。在半導(dǎo)體襯底io上形成有柵極介電層11,所述4冊極介電層11的材料為形成半導(dǎo)體器件例如存儲器等的常規(guī)材料，例如氧化硅、氮氧化硅等，柵極介電層ll橫跨半導(dǎo)體器件的源極和漏極，柵極12位于柵極介電層11上，所述柵極12的材料為半導(dǎo)體制作工藝中可用于半導(dǎo)體器件的各種材料，例如多晶硅、金屬以及硅化物等，目前的工藝中，多晶硅為較常見的材料。在柵極12的側(cè)壁存在柵極殘留13a,本實施例提供的模型中，設(shè)定柵極殘留13a在溝道長度方向的尺寸為L,柵極殘留13a在柵極厚度方向的尺寸為H,在模型a中，柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為La,柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Ha,則Ha等于La,在附圖3中，為了繪圖的方4更，相W及殘留13a的形狀是MJ，J的，在實際半導(dǎo)體器件的制作工藝中，所述4冊極殘留13a的形狀通常是不規(guī)則的，本實施例提供的模型也并未對柵極殘留13a的形狀進(jìn)行限定，只設(shè)定柵極殘留13a在柵極厚度方向的尺寸Ha大于柵極殘留13a在溝道長度方向的尺寸La。參考附圖4所示，為柵極殘留的形狀模型b，其中半導(dǎo)體襯底10、柵極介電層11,柵極12參考附圖3中對于柵極殘留的形狀模型a中的描述，柵極殘留13b在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lb，柵極殘留13b在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Hb,則Hb等于Lb。同理，模型b中，并未對柵極殘留13b的形狀進(jìn)行限定。參考附圖5所示，為柵極殘留的形狀模型c，其中半導(dǎo)體襯底10、柵極介電層11,柵極12參考附圖3中對于柵極殘留的形狀模型a中的描述，柵極殘留13c在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lc，柵極殘留13c在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Hc,則Hc小于Lc。參考步驟S101，根據(jù)柵極殘留的形狀模型計算柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸取不同值時的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)，并得到柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系。將柵極殘留的形狀模型a)載入模擬軟件，分別計算在Ha、La分別取不同值時半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)值，得到Ha、La值與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)之間的關(guān)系曲線，同理，得到Hb、Lb值與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)之間的關(guān)系曲線，Hc、Lc值與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)之間的關(guān)系曲線；將所述形狀模型a載入模擬軟件，選取不同的Ha值和La值，并分別計算出所述半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)，如表l所示，分別選取Ha值為O、3nm、4nm、6nm、8nm和10nm,乂于應(yīng)的La^f直為0、2nm、2nm、2nm、2nm和2nm,選取的電性能參數(shù)為Idsat和Vthlin,從表1可以繪出Ha、La值分別與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)Idsat和Vthlin之間的關(guān)系曲線。表1所示的數(shù)據(jù)是根據(jù)65nm半導(dǎo)體器件的工藝流程，采用新思公司的Tsuprem4&Medici軟件，進(jìn)行半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)校準(zhǔn)后計算得出的。表1所述計算方法、計算軟件以及選取的Ha數(shù)據(jù)和Hb數(shù)據(jù)僅僅是一種示例性的表示，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實施例所述工藝方法的指導(dǎo)下，可以任意選取Ha值和La值，對于選取的Ha值和La值的個數(shù)也沒有過多的限制，按照數(shù)學(xué)原理，一般選取的Ha值和La值的個數(shù)應(yīng)該大于3個，選取的數(shù)據(jù)個數(shù)越多，得到的Ha、La值分別與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)之間的關(guān)系曲線越準(zhǔn)確。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>所述的半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的個數(shù)也可以根據(jù)半導(dǎo)體制作工藝的需要以及對器件性能的要求進(jìn)行選取，可以僅僅選取Idsat,也可以選取Idsat和Vthlin,或者選取Idsat和Vthlin,再加上Leff和CgdO中的任意一個或者兩個。如圖6所示，為表1中數(shù)據(jù)得到的柵極殘留的形狀模型a中Ha與Idsat之間的曲線圖，圖7為表1中數(shù)據(jù)得到的柵極殘留的形狀模型a中Ha與Vthlin之間的曲線圖。采用同樣的方法，得到模型b中Hb、Lb值與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)之間的關(guān)系曲線，以及模型c中Hc、Lc值與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)之間的關(guān)系曲線，由于計算軟件以及計算方法與模型a相同，原理也完全相同，再次不再一一舉例。本實施例中所述的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)可以是半導(dǎo)體器件的飽和驅(qū)動電流(Idsat)，也就是說，可以僅通過限定半導(dǎo)體器件的Idsat來評價半導(dǎo)體器件的性能。更進(jìn)一步，為了更好的限定半導(dǎo)體器件柵極殘留的最大允許量，所述半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的飽和驅(qū)動電流(Idsat)和半導(dǎo)體器件的閾值電壓(Vthlin)。更加優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的飽和驅(qū)動電流(Idsat)、半導(dǎo)體器件的閾值電壓(Vthlin)和有效溝道長度(Leff)，也可以是飽和驅(qū)動電流(Idsat)、半導(dǎo)體器件的閾值電壓(Vthlin)和柵邊緣電容(CgdO)。更好的，所述半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的飽和驅(qū)動電流(Idsat)、半導(dǎo)體器件的闊值電壓(Vthlin)、有效溝道長度(Leff)和柵邊緣電容(CgdO)，通過Idsat,Vthlin，Leff和CgdO計算出柵極殘留的最小H值和L值。通過對一個以上半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)的系統(tǒng)分析，不僅可以為工藝改進(jìn)和控制的確定提供更全面的信息，而且可以根據(jù)不同客戶對不同半導(dǎo)體器件參數(shù)的關(guān)心程度提供最佳的柵極刻蝕控制窗口范圍。步驟S102,挑選柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸為零時的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)值，并設(shè)定存在柵極殘留時半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)允許的最大波動范圍為(±X%x標(biāo)準(zhǔn)值)；；計算柵極殘留模型中H和L都等于0時半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)，并設(shè)定為標(biāo)準(zhǔn)值。所述電性能參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)值可以是通過^^莫型軟件計算并與具體半導(dǎo)體器件制作工藝中制作出的半導(dǎo)體器件的測量值相比較后綜合得出的。本實施例中，所述電性能參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)值是通過模型軟件計算并通過現(xiàn)有具有較小柵極殘留的器件校準(zhǔn)后得到的。本實施例所述的模擬軟件是新思(Synopsys)7i^司提供的Tsuprem4&Medici軟件。其中，所述的X為0至20,本實施例中，優(yōu)選的X為5。所述X值是根據(jù)半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
的一般標(biāo)準(zhǔn)和客戶要求進(jìn)行選定。之后，進(jìn)行步驟S103以及步驟S104,步驟S103，根據(jù)柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系，分別計算半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為(1±X%)x標(biāo)準(zhǔn)值時對應(yīng)的柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸；步驟S104,選定上步所述尺寸中的最小值作為柵極殘留的最大允許值。以模型a為例，根據(jù)步驟S103中表1得出的Ha、La值與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)之間的關(guān)系曲線，分別計算半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為(1±X%)x標(biāo)準(zhǔn)值時對應(yīng)的Ha值和La<直，分別標(biāo)記為Hal,Ha2......,Lai,La2......,由于本實施例的表1中選定的電性能參數(shù)為Idsat和Vthlin,繼續(xù)以表1為例，設(shè)定X為5,Ha為0時Idsat和Vthlin的數(shù)值分別為629uA/um、0.39V,則Idsat允許的波定范圍為Idsat大于等于597.6uA/um小于等于660.5uA/um,Vthlin允許的波定范圍為Vthlin大于等于0.371V小于等于0.410V,根據(jù)附圖6以及附圖7所示的Ha與Idsat和Vthlin之間的曲線關(guān)系，計算Idsat為597.6uA/um、660.5uA/um時的Ha值，分別標(biāo)記為Hal，Ha2,計算Vthlin為0.371V、0.410V時的Ha值，分別標(biāo)記為Ha3,Ha4,從圖6以及圖7中可以看出，Hal，Ha2，Ha3,Ha4中的最小值為5.8nm,也就是說，Ha的最大允許值為5.8nm。采用同樣的方法，即可計算La的最大允許值。采用同樣的方法，分別計算半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為(1±X%)x標(biāo)準(zhǔn)值時對應(yīng)的Hb值和Lb值，分別標(biāo)記為Hbl,Hb2......，Lbl，Lb2......，選定Hbl，Hb2......中的最小值Hbmin為Hb的最大允許值，Lbl,Lb2......中的最小值Lbmin為Lb的最大允許值，即可計算出模型b中Hb與Lb的最大允許值。分別計算半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為(1±X%)x標(biāo)準(zhǔn)值時對應(yīng)的He值和Lc值，分別標(biāo)記為Hcl，Hc2......，Lcl，Lc2......，選定Hcl,Hc2......中的最小值Hcmin為Hc的最大允許值，Lcl,Lc2......中的最小值Lcmin為Lc的最大允許值。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，包括如下步驟根據(jù)柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸關(guān)系，建立柵極殘留的形狀模型；根據(jù)柵極殘留的形狀模型計算柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸取不同值時的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)，并得到柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系；挑選柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸為零時的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)值，并設(shè)定存在柵極殘留時半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)允許的最大波動范圍為(±X％×標(biāo)準(zhǔn)值)；根據(jù)柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系，分別計算半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為(1±X％)×標(biāo)準(zhǔn)值時對應(yīng)的柵極殘留在溝道長度方向和柵極厚度方向的尺寸；選定上步所述尺寸中的最小值作為柵極殘留的最大允許值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，所述柵極殘留的形狀模型為模型a):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為La，柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Ha,則Ha大于La;模型b):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lb,柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Hb,則Hb等于Lb;模型c):柵極殘留在溝道長度方向的尺寸標(biāo)記為Lc，柵極殘留在柵極厚度方向的尺寸標(biāo)記為Hc，則Hc小于Lc。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，所述電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，所述電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat，Vthlin。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，所述電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat,Vthlin和Leff。6.j艮據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件4冊極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，所述電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat,Vthlinf和CgdO。7.才艮據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，所述電性能參數(shù)為半導(dǎo)體器件的Idsat，Vthlin,Leff和Cgd0。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，X值為0至20。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，X值為5。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，其特征在于，所述柵極材料為多晶硅。全文摘要一種半導(dǎo)體器件柵極殘留最大允許值確定方法，包括根據(jù)柵極殘留在溝道長度方向的尺寸L和柵極厚度方向H的尺寸關(guān)系，建立柵極殘留的形狀模型；根據(jù)柵極殘留的形狀模型計算H和L取不同值時的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)，并得到H和L與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系；挑選H和L為零時的半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)值，并設(shè)定存在柵極殘留時半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)允許的最大波動范圍為(±X％×標(biāo)準(zhǔn)值)；根據(jù)H和L與半導(dǎo)體器件電性能參數(shù)的關(guān)系，分別計算半導(dǎo)體器件的電性能參數(shù)為(1±X％)×標(biāo)準(zhǔn)值時對應(yīng)的H和L；選定上步所述尺寸中的最小值作為柵極殘留的最大允許值。所述方法可以對柵極殘留對器件性能的影響進(jìn)行定量計算和分析。文檔編號H01L21/28GK101315885SQ20071004135公開日2008年12月3日申請日期2007年5月28日優(yōu)先權(quán)日2007年5月28日發(fā)明者猛趙申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司