專利名稱：：熒光物質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及磷光體。
背景技術(shù)：
：磷光體用于發(fā)光器件如白光LED。白光LED是包含發(fā)光元件和磷光體的白光發(fā)光器件，所述磷光體被至少一部分由發(fā)光元件發(fā)射的光激發(fā)而發(fā)光。作為用于白光LED的發(fā)光元件，可以提及發(fā)射藍光的發(fā)光元件(以下有時稱作"藍光LED")和發(fā)射近紫外光到藍紫光的發(fā)光元件(以下有時稱作"近紫外線LED")。作為被由上述發(fā)光元件發(fā)射的光激發(fā)而發(fā)光的磷光體，已知的是Y3Al50,2:Ce(例如，參見專利文件1)。專利文件1:JP-A-10-24251
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的問題然而，使用常規(guī)磷光體的發(fā)光器件還不能說在主要為顯色性的發(fā)光特性方面是足夠的。本發(fā)明的目的是提供一種磷光體，所述磷光體能夠提供在實踐上提高主要為顯色性的發(fā)光特性的發(fā)光器件。本發(fā)明的另一個目的是提供一種磷光體，所述磷光體能夠提供在主要為顯色性的發(fā)光特性方面得到提高的白光LED。解決問題的手段作為由發(fā)明人進行的深入研究的結(jié)果，完成了本發(fā)明。艮[j，本發(fā)明提供下列磷光體和發(fā)光器件。<]>一種磷光體，所述磷光體包含由式aM'0.bM、03.cM302(其中M1表示選自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種元素；M2表示選自A1、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一種元素；M3表示選自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和H沖的至少一種元素；a是不小于8且不大于10的值；b是不小于0.8且不大于1.2的值；并且c是不小于5且不大于7的值)表示的化合物，所述化合物包含選自稀土元素、Mn、Bi和Zn中的至少一種元素作為活化劑。<2>上述磷光體，其中所述活化劑是選自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Mn、Bi和Zn中的至少一種元素。<3>上述磷光體，所述磷光體基本上由式(MYxRex)9M、M024(其中M'表示選自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種元素；M2表示選自A1、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一種元素；M3表示選自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和Hf中的至少一種元素；Re表示選自Sm、Eu、Tm、Yb、Mn和Zn中的至少一種元素；并且x是大于O且小于l的值)表示的化合物組成。<4>上述磷光體，其中x是不小于0.01且不大于0.2的值。<5>上述磷光體，其中N^表示選自Ba、Sr和Ca中的至少一種元素。<6>上述磷光體，其中MS表示Sc和/或Y。<7>上述磷光體，其中N^表示Si和/或Ge。<8>—種包含上述磷光體的發(fā)光器件。<9>一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包含發(fā)光元件和熒光材料，所述熒光材料被至少一部分由所述發(fā)光元件發(fā)射的光激發(fā)而發(fā)光，其中所述熒光材料包含上述磷光體。<10〉上述發(fā)光器件，其中由所述發(fā)光元件發(fā)射的光在波長范圍不短于300nm且不長于780nm的波長-發(fā)射強度曲線中具有在不短于350nm且不長于480nm的波長(^)的最大發(fā)射強度。本發(fā)明的優(yōu)點本發(fā)明的磷光體被近紫外光至藍光激發(fā)而發(fā)光，所述近紫外光至藍光即波長在不短于350nm且不長于480nm的范圍內(nèi)的光，特別是，在波長范圍不短于300nm且不長于780nm的波長-發(fā)射強度曲線中，具有在不短于350nm且不長于480nm的波長(^力)的最大發(fā)射強度的光。通過將包含本發(fā)明的磷光體的熒光材料與發(fā)射近紫外光至藍光的發(fā)光元件，即藍光LED或近紫外線LED組合，可以獲得在實踐上提高主要為顯色性的發(fā)光特性的白光LED。而且，在本發(fā)明的磷光體的情況下，有時在其發(fā)光光譜中約510nm處獲得最大發(fā)射強度，并且當(dāng)使用這種磷光體時，可以制造在顯色性方面比常規(guī)白光LED優(yōu)良的白光LED。而且，本發(fā)明的磷光體在約100。C的高溫下的發(fā)射強度比在室溫下的發(fā)射強度的衰減更少，并且可以用于基于紫外線激發(fā)的發(fā)光器件例如液晶的背光和熒光照明，基于真空紫外線激發(fā)的發(fā)光器件例如等離子體顯示板和稀有氣體燈，基于電子束激發(fā)的發(fā)光器件例如布勞恩管和FED(場發(fā)射顯示器)、基于X射線激發(fā)的發(fā)光器件例如X-射線成像器件、基于電場激發(fā)的發(fā)光器件如無機EL顯示器等，因此本發(fā)明的磷光體在工業(yè)上是非常有用的。實施本發(fā)明的最佳方式下面將詳細說明本發(fā)明。本發(fā)明的磷光體包含由式(l):aM'0七M、03'cM"02表示的化合物，所述化合物包含選自稀土元素、Mn、Bi和Zn中的至少一種元素作為活化劑。在式(1)中，M'表示選自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種元素；M2表示選自Al、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一種元素；M3表示選自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和Hf中的至少一種元素；a是不小于8且不大于10的值；b是不小于0.8且不大于1.2的值；并且c是不小于5且不大于7的值。出于發(fā)光特性這一點，所述活化劑優(yōu)選是選自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Mn、Bi和Zn中的至少一種元素。所述活化劑更優(yōu)選是選自Sm、Eu、Tm、Yb、Mn、Bi和Zn中的至少一種元素，還優(yōu)選是至少作為必要元素的Eu和任選的選自Sm、Tm、Yb、Mn、Bi和Zn中的至少一種元素的組合。而且，在式(1)中，a優(yōu)選為9，b優(yōu)選為l.O并且c優(yōu)選為6。當(dāng)a、b和c是這些值時，本發(fā)明的磷光體的發(fā)射強度趨向于能夠得到進一步提高。因此，本發(fā)明的磷光體基本上包含由式(2):(M、-xRex)9M、M、024表示的化合物。在式(2)中，IV^表示選自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種元素；M2表示選自Al、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一種元素；M3表示選自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和Hf中的至少一種元素；Re表示選自Sm、Eu、Tm、Yb、Mn和Zn中的至少一種元素；并且x是大于0且小于1的值。這里，出于發(fā)光特性這一點，Re優(yōu)選是至少作為必要元素的Eu和任選的選自Sm、Tm、Yb、Mn和Zn中的至少一種元素的組合。在式(2)中，x優(yōu)選是在不小于0.01且不大于0.5的范圍內(nèi)的值，更優(yōu)選是在不小于0.01且不大于0.3的范圍內(nèi)的值，還優(yōu)選是在不小于0.01且不大于0.2的范圍內(nèi)的值。當(dāng)x值在上述范圍內(nèi)時，本發(fā)明的磷光體的發(fā)射強度趨向于得到進一步提高，或者激發(fā)該磷光體的光的波長趨向于在近紫外光至藍光的范圍內(nèi)變化。在式(1)和(2)中的M"優(yōu)選是選自Ba、Sr和Ca中的至少一種元素，更優(yōu)選是Ba和/或Sr，還優(yōu)選是Ba和Sr。當(dāng)M1是上述一種或多種元素時，本發(fā)明的磷光體的發(fā)射強度趨向于得到進一步提高。在式(1)和(2)中的MM尤選是Sc禾B/或Y，更優(yōu)選是Sc。當(dāng)Tv^是上述一種或多種元素時，本發(fā)明的磷光體的發(fā)射強度趨向于得到進一步提高。在式(l)和(2)中的MM尤選是Si和/或Ge，更優(yōu)選是Si。當(dāng)M"是上述一種或多種元素時，本發(fā)明的磷光體的發(fā)射強度趨向于得到進一步提高。而且，本發(fā)明的磷光體可以包含選自F、Cl、Br和I中的至少一種元素，只要它們不阻礙達到本發(fā)明的目的即可?；诎@些元素的磷光體的總重量，這些元素的含量不小于lppm且不大于10000ppm，優(yōu)選不小于1ppm且不大于1000ppm。當(dāng)本發(fā)明的磷光體包含選自如上述的F、Cl、Br和I中的至少一種元素時，可以進一步提高本發(fā)明的磷光體的發(fā)射強度。接著，將說明用于制備本發(fā)明的磷光體的方法?？梢砸岳缦铝蟹绞街苽浔景l(fā)明的磷光體。可以通過將通過煅燒變?yōu)楸景l(fā)明的磷光體的金屬化合物的混合物煅燒而制備本發(fā)明的磷光體。艮口，它可以通過下列方法制備將包含相應(yīng)的金屬元素的化合物稱重使得可以獲得給定的組成，將化合物混合，然后煅燒所得到的金屬化合物的混合物。例如，通過將BaC03、Eu203、Sc203ffSi02稱重以得到Ba:Eu:Sc:Si為8.55:0.45:2:6的摩爾比，混合它們并且煅燒混合物，可以制備由作為優(yōu)選組成之--的式(Bao.95Eu。.o5)9SC2Si6024表示的磷光體。包含上述金屬元素的化合物包括包含下列元素的化合物鋇、鍶、鈣、鎂、鋅、鋁、鈧、鎵、釔、銦、鑭、軋、镥、硅、鈦、鍺、鋯、錫、鉿、鈽、鐠、釹、釤、銪、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、錳和鉍，并且可以使用例如氧化物或可以通過在高溫下分解和/或氧化變?yōu)檠趸锏哪切┗衔?，如氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物和草酸鹽。為了混合包含上述金屬元素的化合物，可以使用在工業(yè)上通常使用的設(shè)備，如球磨機、雙筒式混合機和攪拌器?？梢允褂脻穹ɑ旌虾透煞ɑ旌现械娜我环N。通過在將金屬化合物的混合物在例如700-1600°C的范圍內(nèi)的溫度下保持1-100小時的情況下煅燒混合物，獲得本發(fā)明的磷光體。當(dāng)金屬化合物的混合物包含可以通過在高溫下分解和/或氧化變?yōu)檠趸锏幕衔?，如氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物和草酸鹽時，通過例如在保持在低于煅燒溫度的溫度的情況下將它預(yù)煅燒，可以使金屬化合物的混合物變成氧化物，或者可以將它在預(yù)煅燒之前除去結(jié)晶水。而且，可以將混合物在預(yù)煅燒之后研磨。作為用于煅燒的氣氛，可以提及惰性氣氛如氮氣和氬氣，氧化氣氛如空氣、氧氣、含氧氣的氮氣和含氧氣的氬氣，以及還原氣氛，如含有0.1-10體積％氫氣的含氫氣的氮氣和含有0.1-10體積％氫氣的含氫氣的氬氣。當(dāng)煅燒在強還原氣氛中進行時，可以將適當(dāng)量的碳加入金屬化合物的混合物中。而且，為了提高所得到的磷光體的結(jié)晶性，在煅燒或預(yù)煅燒時，適當(dāng)量的反應(yīng)加速劑可以存在于金屬化合物的混合物中。當(dāng)存在反應(yīng)加速劑時，磷光體有時具有高的發(fā)射強度。反應(yīng)加速劑的實例是LiF、NaF、KF、LiCl、NaCl、KC1、Li2C03、Na2C03、K2C03、NaHC03、NH4C1、NH4I等。必要時，可以實施使用無機材料或有機材料的表面處理以提高耐久性?？梢允褂们蚰C、氣流粉碎機等研磨通過上述方法獲得的磷光體。而且，可以將所得到的磷光體洗滌并且分級。煅燒可以進行兩次或更多次。用于制造發(fā)光器件的方法不受具體限制，并且可以使用已知的方法。例如，使用在美國專利6,614,179中公開的方法，并且該專利的內(nèi)容通過引用結(jié)合在此。如上所述獲得的磷光體可以用于發(fā)光器件如白光LED、用于液晶的背光、熒光照明、等離子體顯示板、稀有氣體燈、布勞恩管、FED、X-射線成像器件和無機EL顯示器等。用于制造發(fā)光器件的方法不受具體限制，并且可以使用已知的方法。例如，使用在美國專利6,614,179中公開的方法，并且該專利的內(nèi)容通過引用結(jié)合在此。本發(fā)明的磷光體可以被近紫外光至藍光激發(fā)而發(fā)光，所述近紫外光至藍光即波長在不短于350nm且不長于480nm，優(yōu)選不短于380nm且不長于460nm的范圍內(nèi)的光。因此，使用在波長范圍不短于300nm且不長于780nm的波長-發(fā)射強度曲線中，具有在不短于350nm且不長于480nm，優(yōu)選不短于380nm且不長于460nm的波長(人最大)的最大發(fā)射強度的光激發(fā)磷光體，因此可以通過將磷光體與藍光LED或近紫外線LED組合獲得發(fā)光器件。熒光材料至少包含本發(fā)明的磷光體，此外可以包含如以下所提及的其它磷光體?？梢允褂弥辽僖徊糠衷谏鲜龇秶鷥?nèi)的光激發(fā)該熒光材料。接著，將具體說明在發(fā)光器件中使用的發(fā)光元件。將藍光LED或近紫外線LED作為實例?？梢酝ㄟ^例如JP-A-6-177423、JP-A-11-191638和美國專利6,346,720中所公開的已知方法制造藍光LED或近紫外線LED。在美國專利6，346，720中公開的方法通過引用結(jié)合在此。即，發(fā)光元件具有包含其上層壓下列層的基板的結(jié)構(gòu)n型化合物半導(dǎo)體層(n型層)；包含化合物半導(dǎo)體的發(fā)光層(發(fā)光層)；和p型化合物半導(dǎo)體層(p型層)?；灏ㄋ{寶石、SiC、Si等。用于化合物半導(dǎo)體層的層壓的方法包括例如通常使用的MOVPE(金屬有機氣相外延)法、MBE(分子束外延)法等。作為發(fā)光層的化合物半導(dǎo)體的基本組成，使用GaN、In,GaL,N((KKl)、InjAl」Ga,+iN(0<i<l，0<j<l，i+j〈l)等。通過改變這種組成，可以改變發(fā)射的光的波長，即近紫外光至藍紫光或藍光的波長。而且，優(yōu)選在發(fā)光層中包含的雜質(zhì)的量小。具體而言，當(dāng)使用Si、Ge和第2族元素的元素作為雜質(zhì)時，其濃度優(yōu)選等于或小于1017cm—3。發(fā)光層可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。發(fā)光層的厚度優(yōu)選不小于5A并且不大于300A，更優(yōu)選不小于10A并且不大于90A。如果厚度小于5A或大于300A，則發(fā)光元件的發(fā)射效率有時不足。作為n型層和p型層，使用帶隙大于發(fā)光層的化合物半導(dǎo)體的帶隙的化合物半導(dǎo)體。通過將發(fā)光層安置在n型層和p型層之間，可以獲得發(fā)光元件。而且，必要時，可以將組成、電導(dǎo)率和摻雜濃度不同的一些層插入n型層和發(fā)光層之間和發(fā)光層和p型層之間。作為插入層的化合物半導(dǎo)體的基本組成，可以提及例如上述IriiAljGa,十jN((KKl，0<j<l，i+j<l)，并且在它們之中，使用在組成、電導(dǎo)率、摻雜濃度等方面不同于發(fā)光層的那些。鄰近發(fā)光層的兩層稱為電荷注入層。當(dāng)存在上述插入層時，它們作為電荷注入層，并且當(dāng)不存在插入層時，n型層和p型層作為電荷注入層。通過兩個電荷注入層將正電荷和負電荷注入發(fā)光層中，并且這些電荷本身復(fù)合而發(fā)光。為了使注入到發(fā)光層中的電荷有效地復(fù)合并且獲得高強度的光，優(yōu)選發(fā)光元件具有下列結(jié)構(gòu)電荷注入層是通過將帶隙大于發(fā)光層的帶隙的插入層插入n型層和發(fā)光層之間以及發(fā)光層和p型層之間形成的(該結(jié)構(gòu)是所謂的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu))。在電荷注入層和發(fā)光層之間的帶隙差優(yōu)選等于或大于O.leV。如果電荷注入層和發(fā)光層之間的帶隙差小于O.leV，則在發(fā)光層中的載流子的限制不足，從而發(fā)光元件的發(fā)射效率可能降低。該帶隙差更優(yōu)選等于或大于0.3eV。然而，如果電荷注入層的帶隙超過5eV，則注入電荷所必需的電壓增加，因此電荷注入層的帶隙優(yōu)選等于或小于5eV。電荷注入層的厚度優(yōu)選不小于5A并且不大于5,000A。如果電荷注入層的厚度小于5A或大于5,000A，則發(fā)光元件的發(fā)射效率趨向于劣化。電荷注入層的厚度更優(yōu)選不小于10A且不大于2000A。如上所述制備的發(fā)光元件發(fā)射在波長范圍不短于300nm且不長于780mn的波長-發(fā)射強度曲線中，具有在不短于350nm且不長于480nm的波長(人^)的最大發(fā)射強度的光。這里，波長-發(fā)射強度曲線是將發(fā)射強度對光波長作圖所示的曲線，并且有時稱為發(fā)光光譜?？梢允褂梅止鉄晒庥嫬@得波長-發(fā)射強度曲線。接著，將說明用于制造作為發(fā)光器件的一個實例的白光LED的方法，該發(fā)光器件包含上述發(fā)光元件和被至少一部分由發(fā)光元件發(fā)射的光激發(fā)而發(fā)光的熒光材料。通過使用藍光LED或近紫外線LED作為發(fā)光元件，并且例如，通過使用光透射樹脂如環(huán)氧樹脂密封發(fā)光元件，并且將熒光材料設(shè)置成覆蓋發(fā)光元件的表面，可以制造白光LED。在這種情況下，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定熒光材料的組成和量以發(fā)射需要的白光。作為熒光材料，本發(fā)明的磷光體可以單獨或以與其它磷光體組合的形式使用。例如，在使用藍光LED和黃磷光體(對于這種常規(guī)的互補性LED的發(fā)光光譜，參見圖6)構(gòu)建互補性白光LED的情況下，可以通過進一步增加具有在約510nm的最大發(fā)射強度的本發(fā)明磷光體提高顯色性。而且，當(dāng)通過將近紫外線LED與藍、綠和紅磷光體組合構(gòu)建三波長型白光LED時，可以使用本發(fā)明的磷光體作為使用近紫外光令人滿意地激發(fā)并且發(fā)射強度優(yōu)異的藍磷光體。其它磷光體的實例是BaMgAl10O17:Eu、(Ba,Sr，Ca)(Al,Ga)2S4:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mn、BaAl12019:Eu,Mn、(Ba，Sr,Ca)S:Eu,Mn、Y3Al5012:Ce、(Y，Gd)3Al5Ol2:Ce、YB03:Ce,Tb、Y203:Eu、Y202S:Eu、YV04:Eu、(Ca，Sr)S:Eu、SrY204:Eu、Ca-Al-Si-O-N:Eu、Li-(Ca，Mg)-Ln-Al-O-N:Eu(其中Ln表示除Eu以外的稀土金屬)，并且它們不限于這些磷光體，此外，將來開發(fā)的磷光體當(dāng)然可以與本發(fā)明的磷光體以組合的形式使用。實施例將通過下列實施例更詳細地說明本發(fā)明，所述實施例不應(yīng)該被解釋成限制發(fā)明。實施例1通過將碳酸鋇、氧化銪、氧化鈧和二氧化硅的原料稱重以得到Ba:Eu:Sc:Si為8.55:0.45:2:6的摩爾比，并且使用丙酮，通過濕球磨機混合4小時以獲得漿液。通過蒸發(fā)器干燥得到的漿液，然后在空氣氣氛中，將得到的金屬化合物的混合物在1300°C的溫度下保持6小時以燃燒混合物，然后將混合物緩慢冷卻至室溫。之后，將混合物通過瑪瑙研缽研磨，并且在含有5體積％Hj勺Ar氣氛中、在1300°C的溫度下保持6小時，從而燃燒被研磨的混合物，隨后緩慢冷卻至室溫以獲得包含由式(Bao.95EUo.05)95(:^6024表示的化合物的磷光體1。根據(jù)使用分光熒光計(由JASCO公司制造)獲得的激發(fā)光譜和發(fā)光光譜評價磷光體1的發(fā)光特性。發(fā)現(xiàn)磷光體1被波長不短于350nm且不長于480nm的光激發(fā)，并且發(fā)射具有在510nm的波長的最大發(fā)射強度的光。結(jié)果示于圖1和表1中。實施例2將碳酸鋇、碳酸鍶、氧化銪、氧化鈧和二氧化硅的原料稱重以得到Ba:Sr:Eu:Sc:Si為8.1:0.45:0.45:2:6的摩爾比，并且以與實施例1相同的方式獲得包含由式(BaQ.9Srao5Eu().()5)9Sc2Si6024表示的化合物的磷光體2。根據(jù)使用分光熒光計(由JASCO公司制造)獲得的激發(fā)光譜和發(fā)光光譜評價磷光體2的發(fā)光特性。發(fā)現(xiàn)磷光體2被波長不短于350nm且不長于480nm的光激發(fā)，并且發(fā)射具有在513nm的波長的最大發(fā)射強度的光。結(jié)果示于圖2和表1中。使用碳酸鋇、氧化銪、氧化鈧和二氧化硅作為原料，以與實施例l相同的方式獲得包含在表1的實施例3-7中所示的化合物的磷光體3-7。根據(jù)使用分光熒光計(由JASCO公司制造)獲得的激發(fā)光譜和發(fā)光光譜評價磷光體3-7的發(fā)光特性。獲得的結(jié)果示于表l中。此外，磷光體3-5的激發(fā)光譜和發(fā)光光譜示于圖3-圖5中。在圖6中顯示了通過藍光LED和黃磷光體的加色混合而發(fā)射白光的常規(guī)白光LED的發(fā)光光譜。在該常規(guī)白光LED的發(fā)光光譜中，在約510nm的發(fā)射強度低，而通過將本發(fā)明的磷光體與該常規(guī)白光LED組合，可以提高白光LED的顯色性。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>工業(yè)適用性通過將包含本發(fā)明的磷光體的熒光材料與發(fā)射近紫外光至藍光的發(fā)光元件，即藍光LED或近紫外線LED組合，可以獲得在實踐上提高主要為顯色性的發(fā)光特性的白光LED。附圖簡述[圖l]實施例l的磷光體l的激發(fā)光譜和發(fā)光光譜。[圖2]實施例2的磷光體2的激發(fā)光譜和發(fā)光光譜。[圖3]實施例3的磷光體3的激發(fā)光譜和發(fā)光光譜。[圖4]實施例4的磷光體4的激發(fā)光譜和發(fā)光光譜。[圖5]實施例5的磷光體5的激發(fā)光譜和發(fā)光光譜。[圖6]常規(guī)白光LED的發(fā)光光譜。權(quán)利要求1.一種磷光體，所述磷光體包含由式aM1O·bM22O3·cM3O2(其中M1表示選自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種元素；M2表示選自Al、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一種元素；M3表示選自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和Hf中的至少一種元素；a是不小于8且不大于10的值；b是不小于0.8且不大于1.2的值；并且c是不小于5且不大于7的值)表示的化合物，所述化合物包含作為活化劑的選自稀土元素、Mn、Bi和Zn中的至少一種元素。2.根據(jù)權(quán)利要求l的磷光體，其中所述活化劑是選自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Mn、Bi和Zn中的至少一種元素。3.—種磷光體，所述磷光體基本上由式(MVxRex)9M、MV)24(其中M1表示選自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種元素；M2表示選自A1、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一種元素；m3表示選自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和Hf中的至少一種元素；Re表示選自Sm、Eu、Tm、Yb、Mn和Zn中的至少-一種元素；并且x是大于O且小于l的值)表示的化合物組成。4.根據(jù)權(quán)利要求3的磷光體，其中x是不小于0.01且不大于0.2的值。5.根據(jù)權(quán)利要求l-4中任一項的磷光體，其中M'表示選自Ba、Sr和Ca中的至少一種元素。6.根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的磷光體，其中N^表示Sc和/或Y。7.根據(jù)權(quán)利要求l-6中任一項的磷光體，其中ms表示Si禾n/或Ge。8.—種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包含根據(jù)權(quán)利要求l-7中任一項所述的磷光體。9.一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包含發(fā)光元件和熒光材料，所述熒光材料被至少一部分由所述發(fā)光元件發(fā)射的光激發(fā)而發(fā)光，其中所述熒光材料包含根據(jù)權(quán)利要求l-7中任一項所述的磷光體。10.根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中由所述發(fā)光元件發(fā)射的光在波長范圍不短于300nm且不長于780nm的波長-發(fā)射強度曲線中具有在不短于350nm且不長于480nm的波長(^力)的最大發(fā)射強度。全文摘要本發(fā)明提供一種磷光體，所述磷光體能夠提供在實踐上提高主要為顯色性的發(fā)光特性的發(fā)光器件。所述磷光體的特征在于包含由式aM¹O-bM²₂O₃-cM³O₂表示的化合物，其中M¹表示選自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種元素，M²表示選自Al、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一種元素，M³表示選自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和Hf中的至少一種元素，a是不小于8且不大于10的值，b是不小于0.8且不大于1.2的值，并且c是不小于5且不大于7的值；并且具有至少一種元素作為活化劑，所述至少一種元素選自稀土元素、Mn、Bi和Zn，并且結(jié)合到所述化合物中。文檔編號H01L33/50GK101263213SQ20068003399公開日2008年9月10日申請日期2006年9月15日優(yōu)先權(quán)日2005年9月15日發(fā)明者上松和義,佐藤峰夫,土田良彥,小廣健司,戶田健司,米野憲申請人:住友化學(xué)株式會社