專利名稱：：垂直磁性記錄介質(zhì)，該介質(zhì)的制造過程以及垂直磁性記錄和再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及垂直磁性記錄介質(zhì)、制造這種介質(zhì)的方法以及利用該垂直磁性記錄介質(zhì)的磁性記錄和再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
：在垂直磁性記錄方法中，沿著垂直于該介質(zhì)的方向排列磁性記錄層的易磁化軸，而在常規(guī)介質(zhì)中是在該介質(zhì)平面內(nèi)排列磁性記錄層的易磁化軸；因此，減少了磁化翻轉(zhuǎn)區(qū)域附近中的去磁場，該去磁場是所記錄的數(shù)據(jù)位之間的邊界，使得記錄密度提高，所記錄的狀態(tài)在磁靜力方面更加穩(wěn)定，并且對熱波動的抵抗力提高；因此，本發(fā)明適用于提高面密度。當(dāng)在基底與垂直磁性記錄層之間提供包括軟磁性材料的軟磁性底層時(shí)，就獲得了所謂的垂直雙層介質(zhì)的功能，并且能夠獲得極好的記錄性能。這時(shí)，該軟磁性底層用于為磁頭的記泉磁場提供返回路徑，并且能夠提高記錄和再現(xiàn)效率。一般而言，垂直磁性記錄介質(zhì)配置有在基底上提供的軟磁性底層，在該基底上按順序形成軟磁性底層、包括Co合金的垂直磁性記錄層以及保護(hù)層，該軟磁性底層將磁性層的易磁化軸定向?yàn)榇怪庇诨灼矫妗Ｈ欢?，近年來，逐漸認(rèn)識到WATE(寬區(qū)域磁道擦除或者寬相鄰磁道擦除)現(xiàn)象在垂直磁性記錄介質(zhì)中是一個(gè)嚴(yán)重問題。該WATE現(xiàn)象特別對于垂直磁性記錄介質(zhì)而言是一個(gè)嚴(yán)重的問題，并且在該現(xiàn)象中，當(dāng)在特定磁道中記錄信號時(shí)，在從所記錄的磁道延伸幾個(gè)微米的寬區(qū)域上使信號去磁化。已經(jīng)提出的用于消除這個(gè)問題的方法主要是通過軟磁性底層的結(jié)構(gòu)或者磁各向異性(例如參見專利文獻(xiàn)l)。還提出了，使軟磁性底層的易磁化軸方向尤其沿著基底徑向排列，是針對以上問題特別有效的手段。為了實(shí)現(xiàn)這種磁性結(jié)構(gòu)，提出了以下方法；1)沿著徑向在磁場下沉積軟磁性底層2)疊置軟磁性層和反鐵磁性膜作為軟磁性底層(參見例如專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3)。使軟磁性底層的易磁化軸沿徑向排列的一般方法是在磁電管的磁場下沉積軟磁性底層，該磁電管生成徑向磁通量并且與基底同心放置。本方法對于小基底無效，特別是對于直徑為26mm或者22mm的市售基底。當(dāng)將薄膜同時(shí)沉積到多個(gè)小基底上時(shí)，在均勻磁場下的沉積困難，并且因此該軟磁性底層的易磁化軸指向不同方向.專利文獻(xiàn)l:曰本待審專利申請，首次公開No.S58-166531專利文獻(xiàn)2:日^待審專利申請，首次公開No.H06-103553專利文獻(xiàn)3:US2002/0028357此外，磁場中的薄膜沉積必然存在以下問題。(1)難以控制磁場在整個(gè)徑向上均勻。(2)基底內(nèi)邊緣部分中的磁場較小.隨著未來介質(zhì)尺寸不斷增大，可以預(yù)料到(2)將成為嚴(yán)重的問題.針對這個(gè)問題還提出了在磁場下的熱處理過程，包括在軟磁性底層中疊置Mnlr反鐵磁性層。然而，這個(gè)過程需要較高的溫度，并且造成軟磁性底層和垂直磁性記錄層磁性能的退化。當(dāng)使用沿著徑向進(jìn)行了均勻磁化的軟磁性底層時(shí)，讀寫特性降低，特別是SNR(信噪比)降低，本發(fā)明是考慮到以上的情況而提出的，并且其基于對軟磁性底層中磁各向異性作用的重新分析，目的在于提供能夠以高密度記錄并再現(xiàn)信息的垂直磁性記錄介質(zhì)，以及用于這種介質(zhì)的方法和磁記錄及再現(xiàn)裝置。
發(fā)明內(nèi)容為了解決以上問題，提供了以下發(fā)明(1)一種垂直磁性記錄介質(zhì)，包括盤形非磁性基底、位于盤形非磁性基底上的軟磁性底層以及垂直磁性記錄層，該軟磁性底層包括至少兩個(gè)軟磁性層和位于該兩個(gè)軟磁性層之間的Ru或Re層；其中，該軟磁性底層的易磁化軸具有希望的方向，并且基本上沿著除了非磁性基底的徑向之外的方向分布，并且沿著該軟磁性底層的易磁化軸方向反鐵磁性耦合的偏磁場為IO奧斯特(790A/m)或更大。(2)根據(jù)(1)的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中該易磁化軸與非磁性基底的徑向成夾角6，并且其中5°<6<卯°的部分的面積占整個(gè)軟磁性底層的面積的90%或更大。(3)根據(jù)(2)的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中5。<6<85。的部分的面積占整個(gè)軟磁性底層的面積的95%或更大。(4)根據(jù)(2)的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中該易磁化軸沿著相同方向平行分布。(5)根據(jù)(2)的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中該易磁化軸呈螺旋形分布，并且沿著從非磁性基底的中心部分到圓周部分的方向分布，(6)根據(jù)(2)的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中該易磁化軸呈圓扇形分布，其中該扇形的中心位于基底的圓周部分附近或者基底的外部，而不是位于基底的中心部分。(7)根據(jù)(1)到(6)中任一項(xiàng)的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中該非磁性基底是玻璃或珪基底。(8)根據(jù)(1)到(7)中任一項(xiàng)的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中構(gòu)成軟磁性底層的軟磁性層的薄膜總厚度為20nm或更大并且120nm或更小。(9)根據(jù)(1)到(8)中任一項(xiàng)的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中該非磁性基底的直徑為26mm或更小。(10)—種制造垂直磁性記錄介質(zhì)的方法，該垂直磁性記錄介質(zhì)包括盤形非磁性基底、位于該盤形非磁性基底上的軟磁性底層以及垂直磁性記錄層，該軟磁性底層具有至少兩個(gè)軟磁性層和位于兩個(gè)軟磁性層之間的Ru或Re層；該方法包括沉積軟磁性底層的步驟I，以及在步驟I之后的步驟II,該步驟II是，當(dāng)處于在一個(gè)方向上施加磁場的狀態(tài)時(shí)，通過將該非磁性基底從加熱狀態(tài)冷卻，使軟磁性底層的易磁化軸沿著橫跨該非磁性基底上的一個(gè)方向排列。(11)一種制造垂直磁性記錄介質(zhì)的方法，該垂直磁性記錄介質(zhì)包括盤形非磁性基底、位于盤形非磁性基底上的軟磁性底層以及垂直磁性記錄層，該軟磁性底層具有至少兩個(gè)軟磁性層和位于兩個(gè)軟磁性層之間的Ru或Re層；該方法包括在一個(gè)方向上施加磁場的狀態(tài)下，通過沉積軟磁性底層，使軟磁性底層的易磁化軸方向沿著跨越該非磁性基底的一個(gè)方向排列的步驟。(12)根據(jù)(11)的制造垂直磁性記錄介質(zhì)的方法，其中利用在薄膜沉積之后加熱，隨后在沿著一個(gè)方向的磁場中冷卻的過程，使軟磁性底層的易磁化軸排列。(13)利用(10)到(12)中任一項(xiàng)的方法制造的垂直磁性記錄介質(zhì)。(14)一種磁性記錄和再現(xiàn)裝置，包括才艮據(jù)(1)到(9)和(13)中任一項(xiàng)的垂直磁性記錄介質(zhì)。圖l是本發(fā)明的垂直磁性記錄介質(zhì)的橫截面圖；圖2表示了本發(fā)明的磁性記錄和再現(xiàn)裝置的配置的示例；圖3表示了實(shí)施例1和實(shí)施例6中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖4表示了實(shí)施例2和實(shí)施例7中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖5表示了實(shí)施例4和實(shí)施例9中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖6表示了實(shí)施例5和實(shí)施例10中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖7表示了比較例1和比較例3中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖8表示了比較例2和比較例4中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖9表示了軟磁性底層的易磁化軸方向的平面結(jié)構(gòu)的示意圖；圖10表示了實(shí)施例11和實(shí)施例14中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖11表示了實(shí)施例12和實(shí)施例15中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖12表示了實(shí)施例13和實(shí)施例16中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖13表示了比較例5中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖14表示了實(shí)施例18中磁道的輪廓，其中(A)表示了初始狀態(tài)，(B)表示了記錄之后的狀態(tài)；圖15表示了實(shí)施例19和實(shí)施例20中目標(biāo)和基底的放置狀態(tài)，其中(A)是側(cè)視圖，(B)是頂視圖；圖16表示了軟磁性底層的易磁化軸方向的平面結(jié)構(gòu)的示意圖；圖17表示了軟磁性底層的易磁化軸方向的平面結(jié)構(gòu)的示意圖；圖18表示了軟磁性底層的易磁化軸方向的平面結(jié)構(gòu)的示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明涉及采用了垂直磁性記錄方法的磁盤介質(zhì)，其中(1)在所述軟磁性底層的結(jié)構(gòu)中，提供了至少兩個(gè)軟磁性層以及位于兩個(gè)軟磁性層之間的Ru或者Re,該軟磁性底層的易磁化軸具有希望的方向，(2)該易磁化軸基本上沿著除非磁性基底的徑向之外的方向分布，(3)沿著該軟磁性底層的易磁化軸方向的反鐵磁性耦合的偏磁場為IO奧斯特(7卯A/m)或更大。而且，其中該易磁化軸沿著除非磁性基底的徑向之外的方向分布的部分的面積占整個(gè)軟磁性底層的面積的50%或更大。優(yōu)選的是75%或更大。更優(yōu)選的是卯％或更大。而且，如圖17所示，當(dāng)軟磁性底層3的易磁化軸方向16與基底徑向18所成的夾角17為6時(shí)，其中5°<6<90。的部分的面積占整個(gè)軟磁性底層的面積的卯％或更大。利用這種方法，有效地抑制了特別對于垂直磁性記錄介質(zhì)而言是個(gè)嚴(yán)重問題的WATE現(xiàn)象。而且，如圖9所示，在本發(fā)明的垂直磁性記錄介質(zhì)中，軟磁性底層的易磁化軸16沿著相同方向是平行的。而且，如圖18所示，在本發(fā)明的垂直磁性記錄介質(zhì)中，該易磁化軸16呈螺旋形分布。而且，如圖16所示，在本發(fā)明的垂直磁性記錄介質(zhì)中，該易磁化軸16呈圓扇形分布，其中該扇形的中心位于基底的圓周部分附近或者基底之外，而不是位于基底的中心部分。以下是對本發(fā)明的垂直磁性記錄介質(zhì)的詳細(xì)說明。圖1表示了根據(jù)本發(fā)明的垂直磁1^記錄介質(zhì)1的第一個(gè)方面的示例。此處所示的垂直磁性記錄介質(zhì)1是通過在非磁性基底2上按照順序形成作為軟磁性底層3的第一軟磁性層4、Ru層5和第二軟磁性層6;在該軟磁性底層的頂部形成底層(排列控制層)7;垂直磁性記錄層8;保護(hù)層9和潤滑層IO而構(gòu)成的?？梢詫⒂芍T如鋁或者鋁合金的金屬材料構(gòu)成的金屬基底用作非磁性基底2，或者可以將由諸如玻璃、陶瓷、硅、金剛砂、碳或類似的非金屬材料構(gòu)成的非金屬基底用作非磁性基底2。玻璃基底包括無定形玻璃和晶化玻璃；作為無定形玻璃，可以使用堿石灰玻璃或者鋁硅酸鹽玻璃。作為晶化玻璃，可以使用含鋰的晶化玻璃。作為非磁性基底2，特別優(yōu)選玻璃基底或者硅基底。出于利用低浮動高度記錄頭進(jìn)行高密度記錄的考慮，希望該非磁性基底2具有0.8nm或更小的平均表面粗糙度Ra，并且優(yōu)選0.5nm或更小。出于利用低浮動高度記錄頭進(jìn)行高密度記錄的考慮，希望表面波紋度(waveness)Wa為0.3nm或更小，并且優(yōu)選為0.25nm或更小。優(yōu)選的是，在紋理化處理之后，該基底的平均表面粗糙度Ra為O.lnm或更大并且0.811111或更小。如果在0.1nm以下，則玟理化處理的效果是不充分的，該軟磁性底層3的磁各向異性發(fā)生偏離。不希望發(fā)生這種情況。粗糙度超過0.8nm也是不希望的，這是因?yàn)椴荒軐?shí)現(xiàn)磁頭13的低浮動高度。此外，垂直磁各向異性的排列的降低減少了SNR的下降。該軟磁性層4和6由軟磁性材料構(gòu)成；這種材料的實(shí)例包括Fe、Co和Ni?？梢越o出FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB和類似合金)、FeTa合金(FeTaN、FeTaC和類似合金)以及Co合金(CoTaZr、CoZrNb、CoB和類似合金)作為這種材料的實(shí)例.而且，可以使用包含60at。/?；蚋郌e的FeAlO、FeMgO、FeTaN、FeZrN的細(xì)晶體結(jié)構(gòu)和類似物質(zhì)，以及具有顆粒結(jié)構(gòu)的材料，在該顆粒結(jié)構(gòu)中細(xì)晶粒散布在基質(zhì)中。尤其優(yōu)選的是，軟磁性層4和6具有無定形結(jié)構(gòu)或者細(xì)晶結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)?，利用無定形結(jié)構(gòu)或者細(xì)晶結(jié)構(gòu)，紋理化的效果更加明顯。優(yōu)選的是，軟磁性層4和6的矯頑力Hc為30(Oe)或更小，并且10(Oe)或更小的值是更優(yōu)選的。1奧斯特(Oersted)約等于79A/m。優(yōu)選的是，軟磁性層4和6的飽和磁通量密度Bs為0.6T或更大，并且更優(yōu)選為1T或更大的值。優(yōu)選的是，軟磁性底層3中軟磁性層4和6的總層厚度為120nm或更小，并且更優(yōu)選的是該總厚度為30nm或更大并且100nm或更小。如果軟磁性層4和6的總層厚度小于20nm，則降低了覆寫(OW)特性，這是不希望的?？梢詫①\射方法用作形成軟磁性層4和6的方法。為了排列軟磁性底層的易磁化軸方向，能夠采用熱處理，其中在沉積軟磁性底層3之后加熱基底，然后在均勻磁場下冷卻該基底。希望將該非磁性基底2加熱到IOO"C到250t:的溫度。而且，優(yōu)選的是磁場的強(qiáng)度為20高斯到500高斯，并且更優(yōu)選的是在20高斯到300高斯之間的值。1高斯等于100mT。優(yōu)選的是，該軟磁性底層3具有以下結(jié)構(gòu)，其中提供了至少兩個(gè)軟磁性層4和6，和軟磁性層4和6之間的Ru或者Re。這是因?yàn)椋ㄟ^提供具有希望厚度的Ru或者Re，在其上和其下提供的軟磁性層4和6受到反鐵磁性耦合的影響。利用這種結(jié)構(gòu)，能夠減輕尤其對于垂直介質(zhì)而言是個(gè)問題的WATE現(xiàn)象。底層(排列控制層)7用于控制在頂部換^供的垂直磁性記錄層8的晶體排列和晶體尺寸。優(yōu)選的是，底層中使用的材料具有hcp結(jié)構(gòu)或者fcc結(jié)構(gòu)。尤其Ru是優(yōu)選的，優(yōu)選的是，底層(排列控制層)7的厚度為30nm或更小。如果底層(排列控制層)7的厚度超過30nm，則記錄和再現(xiàn)過程中磁頭與軟磁性底層3之間的距離增大，使得覆寫(OW)特性和再現(xiàn)信號分辨率降低，這是不希望的。垂直磁性記錄層8的易磁化軸指向垂直于非磁性基底2的平面的方向。作為組成元素，至少包括Co、Pt和氧化物；并且能夠添加Cr、B、Cu、Ta或者Zr，以便提高SNR特性或者出于其它原因。用于垂直磁記錄層8中的氧化物的例子包括Si02、SiO、Cr203、CoO、Ta203和Ti02。優(yōu)選的是，氧化物的體積比率為15到40體積百分比。如果氧化物的體積比率小于15體積百分比，則SNR特性不足，這是不希望的。如果體積比率超過40體積百分比，則不能夠獲得高密度記錄所必須的矯頑力，這是不希望的.優(yōu)選的是，垂直磁性記錄層8的成核場(-Hn)為1.5(kOe)或更大。如果該磁場(-Hn)小于L5(kOe)，則出現(xiàn)熱波動，這是不希望的。優(yōu)選的是，垂直磁性記錄層8的厚度為6到18nm。如果該垂直磁性記錄層8的厚度處于該范圍內(nèi)，則能夠確保足夠的輸出，并且不存在覆寫(OW)特性的惡化，這是希望的。該垂直磁性記錄層8能夠具有單層結(jié)構(gòu)，或者能夠具有兩層或多層的結(jié)構(gòu)，這些層由具有不同成分的材料構(gòu)成。提供保護(hù)層9以防止垂直磁性記錄層8的腐蝕，并且防止在磁頭13與介質(zhì)接觸時(shí)損壞該介質(zhì)；能夠使用常規(guī)的材料，例如包含C、Si02或者Zr02的材料。出于減少磁頭與介質(zhì)之間的距離以使得能夠高密度記錄的考慮，優(yōu)選的是，保護(hù)層9的厚度為lnm或者更大以及5nm或更小。作為潤滑層10，優(yōu)選的是，使用常規(guī)的材料，例如全氟聚醚(perfluoro誦polyether)、乙醇?xì)?匕物(alcoholfluoride)、羧酸氣4匕物(earboxylicacidfluoride)或類似材料.圖2示出了利用以上的垂直磁性記錄介質(zhì)1的磁記錄和再現(xiàn)裝置11的實(shí)例。此處所示的磁記錄和再現(xiàn)裝置ll設(shè)有垂直磁性記錄介質(zhì)1、用于驅(qū)動垂直磁性記錄介質(zhì)1旋轉(zhuǎn)的主軸電動機(jī)12、用于在垂直磁性記錄介質(zhì)1上記錄信息以;5UU亥介質(zhì)再現(xiàn)信息的磁頭13、磁頭致動器14以及記錄和再現(xiàn)信號處理系統(tǒng)15。該記錄和再現(xiàn)信號處理系統(tǒng)15能夠處理輸入lt據(jù)并且向磁頭13發(fā)送記錄信號，并且能夠處理來自磁頭13的再現(xiàn)信號并且輸出數(shù)據(jù)。以下，通過實(shí)施例闡明本發(fā)明的效果和有利結(jié)果。然而，本發(fā)明不限于以下實(shí)施例。例如，本發(fā)明中的在該非磁性基底的徑向之外的方向至少包括如圖18所示的螺旋形狀以及如圖9所示的沿著基底平面內(nèi)的一個(gè)方向的排列。(實(shí)施例和比較例)在清洗了玻璃基底(由Ohara'〉司制造的晶化基底TS10-SX，直徑2.5英寸)之后，將該玻璃基底放置在DC磁電管嘲:射系統(tǒng)(AnelvaCorp.型號C-3010)的薄膜沉積腔中，然后使該薄膜沉積腔抽空到1x10—5Pa的本底壓強(qiáng)。在該玻璃基底上沉積60nm的91Co-5Zr-4Nb(Co含量91at%、Zr含量5at%、Nb含量4at%)層作為第一軟磁性層，沉積0.8nm的Ru，以及沉積60nm的91Co-5Zr-4Nb層作為第二軟磁性材料層，從而形成軟磁性底層。然后，使該軟磁性底層經(jīng)受熱處理和在磁場中冷卻。當(dāng)利用該系統(tǒng)時(shí)，在濺射陰極的磁場影響下，軟磁性底層的易磁化軸固定在與基底的徑向成45。的方向上。然后，通過調(diào)整加熱以及隨后的冷卻處理的條件，能夠改變易磁化軸的方向。由不同的加熱和冷卻過程的條件，產(chǎn)生了具有不同易磁化軸方向的樣本，在將這些樣^U真空腔取出之后，測量易磁化軸方向和該方向上的偏磁場Hbias。表1中概括了作為實(shí)施例1到5的這些樣本的加熱和冷卻時(shí)間、易磁化軸與基底徑向所成的夾角6以及該易磁化軸方向上的偏磁場Hbias。而且，在形成了由如實(shí)施例1到5中的相同制造方法制備的軟磁性底層之后，使用濺射方法沉積6nm的Pd籽晶層(第一底層)、20nm的Ru底層(第二底層)、10nm的CoCrPt-Si02磁性記錄層和5nm的C保護(hù)層。然后，浸漬涂敷全氟聚醚的潤滑層，于是就獲得了垂直磁性記錄介質(zhì)。這些樣本作為實(shí)施例6被制備，并通過Co-4Zr-llNb制備樣本作為比較例1到4，如表1所示。針對實(shí)施例6到10和比較例1到4實(shí)施WATE測量。評價(jià)方法如下.1)在±6jim的整個(gè)區(qū)域上以156kfci記錄基本圖案。2)在全部磁道上測量每個(gè)磁道的平均輸出，并且將其作為初始狀態(tài)下的磁道輪廓。3)在該區(qū)域中心中的一個(gè)磁道上重復(fù)記錄937kfci信號10000次。4)再次測量磁道輪廓，將結(jié)果與初始狀態(tài)進(jìn)行比較。圖3到8中表示了針對除了實(shí)施例8之外的全部樣本的按照這種方式獲得的磁道輪廓。針對所有磁道輪廓，計(jì)算了在10000次記錄之后該輪廓相對于初始輪廓的最大衰減。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>通過以上可以看出，如果將軟磁性底層的易磁化軸定向?yàn)橄Ｍ姆较?，并且更?yōu)選的是偏磁場Hbias為10奧斯特或更大，則能夠提高對于WATE(寬面積磁道擦除或者寬相鄰磁道擦除)的容差。接著，作為實(shí)施例11到13，利用類似于實(shí)施例6的方法制造軟磁性底層，不同之處在于在冷卻過程中沿著基底平面內(nèi)的單一方向施加磁場。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)軟磁性底層的磁化方向與在基底平面內(nèi)的單一方向16排列，如圖9所示。測量易磁化軸方向上的磁滯，以確定偏磁場Hbias;表2中概括了這些結(jié)果。如實(shí)施例14到16所述，針對沉積在以相同條件制得的軟磁性底層上的垂直磁性記錄介質(zhì)測量磁道輪廓和衰減。圖10到12表示了這些結(jié)果。從這些結(jié)果中可以看出，通過使軟磁性底層的易磁化軸沿著面內(nèi)的相同的方向排列，而不是沿著基底的徑向排列，就可以提供具有良好WATE(寬面積磁道擦除(WideAreaTrackErasure)或者寬相鄰磁道擦除)容差的垂直磁性記錄介質(zhì)。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>而且，除了不進(jìn)行加熱和磁場冷卻，利用與實(shí)施例6相同的方法制備樣本，并且將該樣本作為比較例5。該樣本的軟磁性底層的易磁化軸不具有特定的方向，而是在該面內(nèi)基本上為各向同性的(隨機(jī)的)。類似于實(shí)施例6，針對該樣本評價(jià)WATE特性。圖13中表示了評價(jià)結(jié)果。當(dāng)軟磁性底層不具有磁各向異性時(shí)，觀察到極其顯著的WATE現(xiàn)象。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>利用與實(shí)施例6相同的過程制造垂直磁性記錄介質(zhì)，從而將軟磁性底層的易磁化軸指向o。方向(e-o)，即，在基底的徑向.將其作為比較例6，并且將讀寫特性與實(shí)施例6、8和9中制得的磁記錄介質(zhì)的讀寫特性進(jìn)行比較。在表4的條件下進(jìn)行測量。表5中概括了主要讀寫參數(shù)的測量結(jié)果。如表5的測量結(jié)果清晰所示，在讀寫特性參數(shù)中，比較例6中的SNR特性降低。如從該結(jié)果中可以看出，如果將軟磁性底層的易磁化軸指向基底徑向，則WATE特性良好，但是讀寫特性，尤其是SNR,很差，表4<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>在清洗了玻璃基底(由Ohara公司制造的晶化基底TS10-SX，直徑2.5英寸)之后，利用鉆石磨蝕劑使該基底沿著圓周方向經(jīng)受機(jī)械紋理化處理。在紋理化處理之后，該基底的平均表面粗糙度Ra為0.30|im。將該基底放置在DC磁電管賊射系統(tǒng)(AnelvaCorp.型號C-3010)的薄膜沉積腔中，并且使該薄膜沉積腔抽空到lxi(K5Pa的本底壓強(qiáng)。在該玻璃基底上沉積60nm的91Co-5Zr陽4Nb(Co含量91at%、Zr含量5at%、Nb含量4at%)層作為軟磁性層1、沉積0.8nm的Ru以及沉積60nm的91Co-5Zr-4Nb層作為軟磁性層2，從而形成軟磁性底層。然后，將該樣本從薄膜沉積腔中取出，并且測量軟磁性特性.表6中概括了結(jié)果，表6<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>在按照類似于實(shí)施例17的方式沉積了軟磁性底層之后，使用賊射方法沉積6nm的Pd籽晶層(第一底層)、20nm的Ru基層(笫二底層)、10nm的CoCrPt-Si()2磁性記錄層和5nm的C保護(hù)層。然后，^吏用浸漬方法形成全氟聚醚的潤滑層，從而獲得垂直磁性記錄介質(zhì)。類似于實(shí)施例6，針對按照這種方式獲得的垂直磁性記錄介質(zhì)評估WATE特性。圖14中表示了結(jié)果。如圖所示，即使當(dāng)軟磁性底層的易磁化軸指向圓周方向時(shí)、當(dāng)軟磁性底層具有兩層結(jié)構(gòu)并且Ru密封在該兩層結(jié)構(gòu)之間時(shí)，以及如果由反鐵磁性耦合產(chǎn)生的偏磁場Hbias足夠大，也可以獲得良好的WATE特性。而且，利用直徑為22mm(0.85英寸)的硅基底制造垂直磁性記錄介質(zhì)。將兩個(gè)基底放置在濺射腔中，并且由單一把在這兩個(gè)基底上同時(shí)沉積薄膜。這時(shí)，耙和基底的設(shè)置如圖15所示.除了基底尺寸和基底把位置之外，該薄膜沉積條件和評估條件與實(shí)施例6均相同。這時(shí)，在來自靶的磁通量的影響下，軟磁性底層的易磁化軸16被確定為呈圓扇形分布，其中扇形的中心位于基底3之外，如圖16所示。針對兩個(gè)介質(zhì)樣本的WATE特性研究的結(jié)果表示在表7中。當(dāng)利用具有較小直徑的基底時(shí)，通常在工業(yè)制造過程中同時(shí)在多個(gè)基底上進(jìn)行薄膜沉積，以降低成本。在這種情況下，積的各個(gè)基底而言當(dāng)然是不同的。因此，容易想到，在其上同時(shí)沉積了薄膜的這些小直徑垂直磁性記錄介質(zhì)樣本中的軟磁性底層的易磁化軸的分布即使在基底平面內(nèi)也是隨機(jī)的，并且該易磁化軸分布對于每個(gè)基底而言是不同的。然而，很清楚的是當(dāng)軟磁性底層滿足本發(fā)明權(quán)利要求書中規(guī)定的條件時(shí)，獲得足夠的WATE容差。表7基底直徑Cmm)材料薄膜厚度(nm)偏磁場(Oe)易磁化軸方向(度)WATE最大減少(％)實(shí)施例192291Co-5Zr-4Nb6025扇形0實(shí)施例202291Co-5Zr-4Nb6025扇形0工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，在采用垂直磁性記錄方法的磁性記錄介質(zhì)中，軟磁性底層(軟磁性底層)具有以下結(jié)構(gòu)，其中提供至少兩個(gè)軟磁性層以及位于兩個(gè)軟磁性層之間的Ru或者Re;軟磁性底層的易磁化軸具有希望的方向；該軟磁性底層的易磁化軸基本上沿著除了非磁性基底徑向之外的方向分布，并且使沿著軟磁性底層易磁化軸方向的反鐵磁性耦合的偏磁場Hbias等于或大于10奧斯特(790A/m)，從而能夠有效抑制特別對于垂直磁性記錄介質(zhì)而言是個(gè)嚴(yán)重問題的WATE現(xiàn)象。尤其是，當(dāng)使用直徑為26mm或更小的小直徑基底時(shí)，抑制了控制基底附近磁場分布的困難。權(quán)利要求1.一種垂直磁性記錄介質(zhì)，包括盤形非磁性基底，位于該盤形非磁性基底上的軟磁性底層，其包括至少兩個(gè)軟磁性層和位于所述兩個(gè)軟磁性層之間的Ru或Re層，以及垂直磁性記錄層；其中，所述軟磁性底層的易磁化軸具有希望的方向，并且基本上沿著除了所述非磁性基底的徑向之外的方向分布，并且沿著所述軟磁性底層的易磁化軸方向的反鐵磁性耦合的偏磁場為10奧斯特(790A/m)或更大。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中所述易磁化軸與所述非磁性基底的徑向成夾角0，并且其中5°<6<90°的部分的面積占整個(gè)所述軟磁性底層的面積的90%或更大。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中5°<6<85°的部分的面積占整個(gè)所述軟磁性底層的面積的95%或更大.4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中所述易磁化軸沿著相同方向平行分布.5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中所述易磁化軸呈螺旋形分布，并且沿著從所述非磁性基底的中心部分到圓周部分的方向分布。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中所述易磁化軸呈圓扇形分布，其中該扇形的中心位于所述基底的圓周部分附近或者所iL^底的外部，而不是位于所述基底的中心部分。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中所述非磁性基底是玻璃基底或珪基底。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中構(gòu)成所述軟磁性底層的所述軟磁性層的總薄膜厚度為20nm或更大并且120nm或更小。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，其中所述非磁性基底的直4圣為26mm或更小。10.—種制造垂直磁性記錄介質(zhì)的方法，該垂直磁性記錄介質(zhì)包括盤形非磁性基底、位于盤形非磁性基底上的軟磁性底層，該軟磁性底層具有至少兩個(gè)軟磁性層和位于所述兩個(gè)軟磁性層之間的Ru或Re層，以及包括垂直磁性記錄層；該方法包括沉積所述軟磁性底層的步驟I，以及在步驟I之后，在一個(gè)方向上施加磁場的狀態(tài)下，通it^加熱狀態(tài)冷卻所述非磁性基底，使所述軟磁性底層的易磁化軸沿著橫跨所述非磁性基底上的一個(gè)方向排列的步驟II。11.一種制造垂直磁性記錄介質(zhì)的方法，該垂直磁性記錄介質(zhì)包括盤形非磁性基底、位于盤形非磁性基底上的軟磁性底層，該軟磁性底層具有至少兩個(gè)軟磁性層和位于所述兩個(gè)軟》茲性層之間的Ru或Re層，還包括垂直磁性記錄層；該方法包括在一個(gè)方向上施加磁場的狀態(tài)下，通過沉積所述軟磁性底層，使所述軟磁性底層的易磁化軸方向沿著橫跨所述非磁性基底上的一個(gè)方向排列的步驟。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的制造垂直磁性記錄介質(zhì)的方法，其中利用在薄膜沉積之后加熱，隨后在指向一個(gè)方向的磁場中的冷卻處理，排列所述軟磁性底層的所述易磁化軸。13.—種利用權(quán)利要求10所述的方法制造的垂直磁性記錄介質(zhì)。14.一種利用權(quán)利要求11所述的方法制造的垂直磁性記錄介質(zhì)。15.—種磁性記錄和再現(xiàn)裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，以及用于在所述垂直磁性記錄介質(zhì)上記錄信息并且從該介質(zhì)再現(xiàn)信息的磁頭。16.—種磁性記錄和再現(xiàn)裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求13所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，以及用于在所述垂直磁性記錄介質(zhì)上記錄信息并且從該介質(zhì)再現(xiàn)信息的磁頭。17.—種磁性記錄和再現(xiàn)裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求14所述的垂直磁性記錄介質(zhì)，以及用于在所述垂直磁性記錄介質(zhì)上記錄信息并且從該介質(zhì)再現(xiàn)信息的磁頭。全文摘要本發(fā)明公開了一種垂直磁性記錄介質(zhì)，其能夠?qū)崿F(xiàn)信息的高密度記錄和再現(xiàn)，及其制造過程，以及磁性記錄和再現(xiàn)裝置。所提供的垂直磁性記錄介質(zhì)至少具有軟磁性底層和位于盤形非磁性基底上的垂直磁性記錄層，其中該軟磁性底層具有至少兩個(gè)軟磁性層和位于兩個(gè)軟磁性層之間的Ru或Re層；該軟磁性底層的易磁化軸具有希望的方向；該軟磁性底層的易磁化軸基本上沿著除了非磁性基底的徑向之外的方向分布，并且沿著該軟磁性底層的易磁化軸方向的反鐵磁性耦合的偏磁場為10奧斯特(790A/m)或更大。文檔編號H01F10/26GK101111889SQ20068000346公開日2008年1月23日申請日期2006年1月31日優(yōu)先權(quán)日2005年2月1日發(fā)明者岡正裕,喜喜津哲,高橋研申請人:國立大學(xué)法人東北大學(xué);昭和電工株式會社;株式會社東芝