專利名稱：用于襯底處理室的帶狀屏蔽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
用于襯底處理室的帶狀屏蔽技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及用于襯底處理室的帶狀屏蔽。
技術(shù)背景電子電路和顯示器的制造中，在襯底(例如半導(dǎo)體晶片、陶瓷或玻璃 襯底)上形成半導(dǎo)體、電介質(zhì)和導(dǎo)電體。這些材料通過例如化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、離子注入、氧化或氮化處理而形成。 此后，對所沉積的襯底材料進行刻蝕以形成特征(例如門電路、過孔、接 觸孔和互連線路)。在通常的處理中，襯底置于室中處理區(qū)域的支撐上， 并暴露于熱量或氣體等離子體以在襯底上進行材料的沉積或刻蝕。室具有 封閉的壁，并由泵(例如低真空泵和渦輪分子泵)進行抽氣。還可以用圖1所示的帶狀屏蔽20來保護壁不受腐蝕，并由其來承受 室中正在進行的處理造成的處理沉積物。帶狀屏蔽20通常由陶瓷材料制 成，并形成為與室壁至少部分共形。 一種示例性的現(xiàn)有帶狀屏蔽20包括 圓筒形側(cè)壁22，圓周形頂部凸緣24從側(cè)壁22的頂端26沿徑向向外延 伸，圓周形底部凸緣28從側(cè)壁22的底端30沿徑向向外延伸。頂部凸緣 24耦合到襯底處理室中的外部屏蔽(未示出)，底部凸緣28置于壁架 上。帶狀屏蔽20包括帶有切口 34的前側(cè)32和與前側(cè)相對的后側(cè)36。壁 22的頂端26具有環(huán)繞壁的前側(cè)32延伸的第一梁38和環(huán)繞壁22的后側(cè)36 延伸的第二梁40。帶狀屏蔽20作為屏蔽來承受處理沉積物，從而使室壁 上形成的處理沉積物的數(shù)量減少。但是，在使用時，必須相當(dāng)頻繁地從室中拆下傳統(tǒng)屏蔽20并對其進 行清洗或替換。隨著屏蔽20的側(cè)壁22和凸緣24、 28上逐漸積累處理沉積 物，在一段時間之后，必須從室中拆下屏蔽20并進行清洗或替換。例 如，在通過CVD沉積鋁時，在處理3000到5000個襯底之后，通常就必
須對屏蔽20進行替換或清洗。希望有這樣一種屏蔽20，它在必需進行清洗或替換之前可以持續(xù)更多數(shù)目的處理循環(huán)，從而可以減少對室進行操作所需的預(yù)防性維護周期的頻率。
屏蔽20的另一個問題是限制使用該屏蔽的處理室的泵流效率。室 (未示出)通常具有圍設(shè)于襯底的泵浦通道或泵浦端口，它們經(jīng)由節(jié)流閥 連接到外部的低真空泵和渦輪分子泵。但是，由于帶狀屏蔽20位于襯底 與泵浦通道或泵浦端口之間的氣流路徑中，所以凸緣24、 28經(jīng)常會對流 出室外和流入泵浦通道的氣流造成阻擋或其他形式的阻礙。例如，在使用 屏蔽20時，在進行抽氣約10秒之后，室中的壓力通?？梢赃_到約5X10—5 Torr。期望有這樣的帶狀屏蔽，它可以允許更有效地抽氣，以便在更快的 時間內(nèi)達到更低的室壓力。
因此，期望有這樣一種帶狀屏蔽，它可以對襯底處理室的壁上形成處 理沉積物進行限制。還期望該屏蔽可以不需替換或清洗地使用更多數(shù)目的 處理循環(huán)。對于該屏蔽，還期望它不會對經(jīng)過室的泵浦通道的氣流造成額 外的阻礙。
實用新型內(nèi)容
本實用新型提供一種用于襯底處理室的帶狀屏蔽，其可以提高抽泣效率。
本實用新型還提供一種用于襯底處理室的帶狀屏蔽，其可以降低室表 面上的處理處理沉積物，并由此延長清潔循環(huán)間的工作壽命。
根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種用于襯底處理室的帶狀屏蔽。 該帶狀屏蔽具有圓筒形壁，圓筒形壁具有的切口以及頂端和底端。凸緣從圓筒形壁的底端沿徑向向外延伸。殼體從圓筒形壁的頂端沿徑向向外延伸 并環(huán)繞切口連接到凸緣。圓筒形壁、凸緣和殼體的至少部分表面具有小于 約16微英寸的表面粗糙度平均值，從而使這些表面暴露于襯底處理室中 的處理環(huán)境時，其上產(chǎn)生的沉積物較少。
根據(jù)本實用新型的另一方面，提供一種襯底處理室，其包括上述帶狀屏蔽，其特征在于，所述室還包括外側(cè)壁，所述外側(cè)壁具有沿徑向向內(nèi)
延伸的壁架，使得所述帶狀屏蔽在置于所述壁架上時基本覆蓋所述外側(cè) 壁，以減少在所述室中進行的處理期間所述外側(cè)壁上的沉積；用于接收由 處理氣體處理的襯底的襯底支撐；用于引入所述處理氣體的氣體分配器；用于激發(fā)所述處理氣體的氣體激發(fā)器；以及用于排出所述處理氣體的泵浦 通道。提供一種用于襯底處理室的帶狀屏蔽，帶狀屏蔽由氧化鋁制成，其特 征在于包括圓筒形壁，所述圓筒形壁具有穿過其的切口，所述圓筒形壁 具有頂端和底端，所述頂端的至少50%周邊是基本上垂直終止的；從所述 圓筒形壁的所述底端沿徑向向外延伸的凸緣；從所述圓筒形壁的所述頂端 沿徑向向外延伸的殼體，所述殼體基本上只環(huán)繞所述切口并連接到所述凸 緣，并且其中，所述圓筒形壁、所述凸緣以及所述殼體的表面至少部分地 具有小于約16微英寸的表面粗糙度平均值，從而所述這些表面暴露于所 述襯底處理室中的處理環(huán)境時，其上產(chǎn)生的沉積物較少。根據(jù)上述方案，增大了室的泵浦傳導(dǎo)性，從而提高了抽氣性能。另 外，可以減少屏蔽表面的處理沉積物，由此延長清潔循環(huán)間的工作壽命。
根據(jù)下面的說明、權(quán)利要求以及圖示了本發(fā)明示例的附圖，可以對本 發(fā)明的這些特征、方面和優(yōu)點有更好的理解。但是，應(yīng)當(dāng)明白，這些特征 中每個都可以一般地用于本發(fā)明中，而不僅僅以具體附圖中的形式，本發(fā) 明包括這些特征的任意組合。其中圖l (現(xiàn)有技術(shù))是用于襯底處理室的現(xiàn)有帶狀屏蔽的立體圖； 圖2A是根據(jù)本發(fā)明的帶狀屏蔽示例性實施例的立體圖； 圖2B是圖2A的帶狀屏蔽的俯視圖； 圖2C是圖2A的帶狀屏蔽的側(cè)面視圖； 圖2D是圖2A的帶狀屏蔽的正視圖；圖3是包括具有帶狀屏蔽的室的處理裝置的一種示例性實施例的示意 性剖視圖；以及圖4是含有帶狀屏蔽的CVD等離子處理室的示例性實施例的示意性
部分剖視圖。
具體實施方式
圖2A到圖2D中圖示了適用于襯底處理室的帶狀屏蔽50的示例性實 施例。帶狀屏蔽50包括圓筒性壁52，其形狀和大小可以包圍保持在室中 的襯底。圓筒形壁52通常是與室中處理的襯底平面基本垂直或正交的正 圓柱形，并具有中心對稱軸53。但是，圓筒形壁52也可以具有矩形或正 方形截面來包圍襯底(例如顯示器面板)。盡管圖示了帶狀屏蔽50的一 種示例情況，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員易于想到的其他形式也在本發(fā)明的 范圍之內(nèi)；因此，本發(fā)明不應(yīng)限制在此處所述的示例性實施例中。圓筒形壁52具有中部，中部具有切口54，切口54通常是縱長形的橢 圓孔，其直徑的大小使襯底(例如圓形半導(dǎo)體晶片)可以經(jīng)切口 54通 過。在使用時，切口 54鄰近于室的外側(cè)壁中的晶片裝載切口 54處，使得 可以從傳送室經(jīng)過切口 54傳送晶片并將其置于室中的襯底支撐上。對于 直徑300mm的晶片，切口 54的寬度尺寸大約要大25%，例如從約 360mm到約390mm。切口的高度通常從約30mm到約40mm。凸緣56從圓筒形壁52的底端58沿徑向向外延伸。凸緣56設(shè)置為將 帶狀屏蔽50支撐在處理室中。通常，凸緣56沿徑向向外、并基本上垂直 于圓筒形壁52延伸。凸緣56還可以具有凹口 57，用于對準、緊固，或者 作為室中的穿通孔。通常，凸緣56基本上環(huán)繞圓筒形壁52的整個圓周延 伸。殼體60從圓筒形壁52的頂端62沿徑向向外延伸。殼體60環(huán)繞圓筒 形壁52中部的切口 54，并連接到凸緣56的至少一部分處。殼體60被設(shè) 置來圍住切口54，圍繞切口 54將其與周邊的室壁分開。殼體60形成為圍 繞切口 54延伸的橢圓框架。殼體60包括頂部梁62和曲面形側(cè)壁64，它 們連接到前框架66并封閉切口 54。圖1所示現(xiàn)有技術(shù)的帶狀屏蔽20包括環(huán)繞在圓筒形壁22的后側(cè)36延 伸的第二梁40，后側(cè)36與帶有切口 34的前側(cè)32相對。第二梁40被確定 為是對排氣端口和抽氣系統(tǒng)造成阻礙、導(dǎo)致室抽氣時間加長的原因。有利 地，如圖2A所示的帶狀屏蔽50中，沒有環(huán)繞排氣端口第二梁40，相反， 在帶狀屏蔽50中，圓筒形壁52結(jié)束于垂直壁68。這樣提供了顯著提高的 抽氣效率，因為屏蔽50沒有了第二梁40的阻礙。具有傳統(tǒng)屏蔽20的室 需要60秒鐘抽氣到5 X 10—5 Torr，而包括這里所述形式的帶狀屏蔽50的室 達到相同壓力所需的抽氣時間約為10秒鐘。這是出人意料的結(jié)果，抽氣 效率令人驚訝地提高到了 6倍。帶狀屏蔽50的至少部分表面(例如圓筒形壁52、凸緣56或殼體 60)暴露于室100內(nèi)的環(huán)境中。暴露于處理環(huán)境可以包括暴露于室100中 形成的高能氣體(例如等離子體)?？梢詫Ρ┞侗砻孢M行處理以降低其表 面活性，并從而減少這些表面上的處理沉積物。這樣的表面處理可以包括 拋光、噴沙處理、噴丸處理等。在一種情況中，對帶狀屏蔽50的暴露表 面進行處理使之具有預(yù)定的表面特性，所述特性包括較低的表面粗糙度平 均值。表面粗糙度平均值是沿暴露表面的粗糙特征中峰和谷離平均線的位 移絕對值的平均值。粗糙度平均值可以通過輪廓測定儀、掃描電子顯微鏡 或其他表面測量方法來確定，其中輪廓測定儀使針尖在表面上通過以產(chǎn)生 表面上凹凸形狀的高度波動軌跡，掃描電子顯微鏡用由表面反射的電子束 來產(chǎn)生表面的圖像。例如，可以將帶狀屏蔽50切成試樣塊，并對每個試 樣塊進行測量以確定其表面特性。然后對這些測量結(jié)果取平均以確定表面 粗糙度平均值。為了對表面的特性(例如粗糙度平均值、斜度或其他特 性)進行測量，可以使用國際標準ANSI/ASME B.46.1 - 1995，該標準規(guī) 定了適當(dāng)?shù)慕厝￠L度和評價長度。在一種情況中，對表面進行處理使之具 有小于約50微英寸(~1.3微米)、甚至小于約20微英寸( 0.5微米)、 或者甚至小于約16微英寸(-0.4微米)的表面粗糙度平均值。已發(fā)現(xiàn)這 樣的表面粗糙度平均值限制可以使暴露于襯底處理室中的處理環(huán)境中時， 屏蔽表面上的處理沉積物顯著減少。帶狀屏蔽50由電介質(zhì)材料制成期望的形狀，然后經(jīng)過表面處理以達 到期望的表面粗糙度平均值水平。在一種實施例中，電介質(zhì)由可透過RF 能量的材料(例如對來自等離子發(fā)生器的RF能量基本透明的材料)制 成。例如，電介質(zhì)可以是陶瓷材料，例如石英或氧化鋁。屏蔽50可以通 過將陶瓷粉末模制成期望形狀來制造，例如通過冷等靜壓沖壓來制造。在 冷等靜壓沖壓處理中，將陶瓷粉末與液體粘合劑(例如有機粘合劑聚乙烯醇)混合。將混合物置于等靜壓沖壓設(shè)備的橡膠袋中，并在袋壁上均勻地 施加壓力將混合物壓實以形成具有期望形狀的陶瓷結(jié)構(gòu)。例如，可以通過 將柔性容器浸在水中，也可以通過其他提供壓力的方法來施加壓力。模制 的陶瓷預(yù)制件可以用中空管制成圓筒形或環(huán)形。還可以通過對預(yù)制件進行 機加工來對模制的陶瓷預(yù)制件進一步成形以提供期望的尺寸。然后對成形 的陶瓷預(yù)制件進行燒結(jié)以形成燒結(jié)陶瓷。例如，對氧化鋁進行燒結(jié)可以在約130(TC到約180(TC的溫度、約48到約96小時的時間段、通常約latm 的壓力下進行?？梢酝ㄟ^例如機加工、拋光、激光鉆孔中的至少一種以及 其他方法來對燒結(jié)陶瓷材料進一步成形，以提供期望的陶瓷結(jié)構(gòu)。然后用噴丸對陶瓷元件的表面進行噴丸處理，所述噴丸包括氧化鋁砂 礫，該砂礫的粒度選擇為適于對元件表面進行噴砂，例如粒度為36的氧 化鋁顆粒的顆粒。噴砂用來使表面粗糙化。此后，用金剛石墊對表面進行 拋光，使之具有小于約6微英寸的粗糙度平均值。這比現(xiàn)有技術(shù)的屏蔽 小得多，后者通常粗糙化至約150微英寸( 3微米)到約450微英寸 ( 18微米)的平均表面粗糙度值。已發(fā)現(xiàn)將表面粗糙度降低到原來的1/4 以下使帶狀屏蔽的壽命顯著地、出人意料地提高了。通過用清潔的干空氣 或氮氣吹過表面，對所得的陶瓷結(jié)構(gòu)進行清潔以除去雜質(zhì)和疏松的微粒， 然后將元件浸在HN03和/或HC1的溶液中，然后在蒸餾水中通過超聲清洗 進行進一步清潔。然后在爐中對元件進行加熱，在至少約IO(TC的溫度下 通過烘烤除去清潔處理造成的任何殘留物。根據(jù)本發(fā)明的帶狀屏蔽50可以用在具有室110的處理裝置100中，室 110限定了能夠包圍襯底114的處理區(qū)域112，圖3中示出了處理裝置100 的示例性實施例。裝置IOO可以是例如來自Santa Clara， Calif.的Applied Materials, Inc.的CVD室。裝置100可以是獨立的室，也可以安裝在平臺上 作為包括多個室的較大處理系統(tǒng)的一部分，所述平臺例如同樣來自 Applied Materials的ENDURA或CENTURA平臺。裝置IOO可以適用于通 過熱處理或等離子增強CVD處理來沉積金屬和/或金屬氮化物層，包括
鋁、鈷、銅、鉬、鈮、鈦、鉭、鎢以及它們的某些氮化物或其他化合物。室110的處理區(qū)域112中的襯底支撐120支撐襯底114以便處理，襯 底114是由機械手118經(jīng)過切口 116插入室中的。氣體分配器126向裝置 100提供前驅(qū)氣體，氣體在室110中激發(fā)以在襯底114上沉積層。環(huán)繞襯 底的環(huán)形泵浦通道128通往排氣端口 130，排氣端口 130與外部排氣泵 132相連以從室IIO排出氣體。沿著導(dǎo)管136并位于端口 130與泵132之 間的節(jié)流閥134用于對室IIO中的氣壓進行控制。設(shè)置氣體激發(fā)器140來 對室110中提供的處理氣體進行激發(fā)?？刂破?50用于控制室元件(例如 支撐120、氣體分配器126、排氣泵132和氣體激發(fā)器140)的工作?？刂?器150包括通用計算機，該計算機具有CPU (例如Intel Corporation, Santa Clara， California的Pentium 處理器)并具有用計算機可讀語言 (例如Pascal)寫成并正確編譯的適用程序代碼。圖4提供了室110的示例性實施例的更詳細視圖。在室110的上端位 置，室110包括蓋子組件160，蓋子組件160具有徑向?qū)ΨQ軸164。盡管 所示的蓋子組件160基本上是盤狀，但是本發(fā)明不限于特定的形狀，也想 到了平行四邊形以及其他的形狀。蓋子組件160包括若千個彼此堆疊的元 件，這些元件包括蓋子邊緣162、隔離環(huán)170、下部板174和上部板180。 上部板180與下部板174—起限定了通道182，在流體(例如去離子水) 流經(jīng)通道182時，通道182使得可以對蓋子組件160進行加熱或冷卻。上 部板180 (也稱為溫度控制板、氣體饋送蓋板、背板或水箱)優(yōu)選為由鋁 或鋁合金制造，支撐于隔離環(huán)170上并用來支撐蓋子組件160。板180還 包括位于中心、適于將處理氣體發(fā)送到噴頭182的處理氣體入口 184。盡 管未示出，但是處理氣體入口 184耦合到一個或多個上游氣源和/或其他的 氣體傳遞元件(例如氣體混合器)以形成氣體分配器126。擋板190優(yōu)選 為由鋁合金制造，并包括通道194將從氣體入口 184流來的氣體分布到噴 頭196上方的腔193，它從腔193經(jīng)過噴頭196中形成的多個孔199通到 處理區(qū)域112。氣體激發(fā)器140包括耦合到蓋子組件160的電源198，電 源198在襯底處理過程中為蓋子組件提供電能以激發(fā)處理氣體。帶狀屏蔽50包圍襯底114并位于室中，使其凸緣56在室110的垂直
內(nèi)壁200上。帶狀屏蔽50的切口 54可密封，并制成允許機械手托板(未 示出)將襯底傳送進出裝置IOO的尺寸。帶狀屏蔽50與襯底支撐120分開 一段距離。環(huán)形泵浦通道128具有大體上由帶狀屏蔽50、襯墊202、 204以及隔 離環(huán)170限定的邊，并具有隔離環(huán)170與帶狀屏蔽50之間形成的氣門孔徑 208。隔離環(huán)170包括由陶瓷制成的單塊環(huán)狀結(jié)構(gòu)。襯墊202位于泵浦通 道128面對蓋子邊緣162的一側(cè)并與其形狀相符。在對襯底U4進行處理 期間，襯墊202和204都保持在浮動電位。襯墊202、 204優(yōu)選為由金屬 (例如鋁)制造，并經(jīng)過噴丸處理以增大對其上形成的任何處理沉積物的 附著力，以使沉積材料的剝落減小，否則這種剝落可能造成室110的污 染。根據(jù)情況，也可以將帶狀屏蔽50和襯墊202、 204組裝并調(diào)整大小， 使之成為處理套件。帶狀屏蔽50是直徑為dl的環(huán)形，并繞支撐120的中 心布置。襯墊202也是沿支撐120的中心線軸向延伸的帶狀形式的環(huán)形， 并具有大于dl的直徑d2。襯墊204也是環(huán)形，并圍繞襯底114周圍形成 環(huán)狀。在使用時，使支撐120運動到較低的接收位置，使其上帶有襯底114 的機械手118經(jīng)過室壁中的外部切口 116，并經(jīng)過帶狀屏蔽56中的環(huán)形切 口 54到達支撐120正上方的位置。然后襯底由支撐120的尖端210保持， 機械手118退出裝置100。然后由氣體分配器126向蓋子組件160供給處 理氣體，氣體進入處理氣體入口 184，經(jīng)過擋板190中的通道194，再經(jīng) 過噴頭196中形成的多個孔199分配到室中，氣體在噴頭196處被傳遞到 處理區(qū)域112。在傳遞到處理區(qū)域112時，氣體與襯底114接觸，其中襯底114被維 持在與處理氣體的分解溫度相應(yīng)的溫度，例如約IO(TC到約450°C，或者 約250。C到約450。C之間。襯底114由帶有加熱器(例如支撐120中的電 阻加熱元件)的支撐120加熱。將處理氣體引入室110中并通常維持在約 100 mTorr到約20 Torr的壓力下。由此通過CVD處理在襯底114上共形 地沉積金屬和/或金屬氮化物的層。分解處理是一種熱處理，通常不依賴于 前驅(qū)氣體的等離子體激發(fā)；但是在沉積處理期間或者在沉積之后，也可以 通過向RF源130施加功率以便由處理氣體形成等離子體，從而形成等離子體以除去雜質(zhì)。然后在真空泵255提供的負壓影響下，使未反應(yīng)的氣體 和氣體副產(chǎn)品從裝置100排出。因此，氣體經(jīng)過氣門孔徑208越過屏蔽50 的頂壁68流入泵浦通道128。具有根據(jù)本發(fā)明的表面光潔度和形狀的帶狀屏蔽50與傳統(tǒng)的帶狀屏 蔽20相比，提供了顯著的優(yōu)點。例如，帶狀屏蔽50減少了前驅(qū)氣體在屏 蔽表面上的沉積并使濺射到屏蔽表面上的材料汽化。因此，帶狀屏蔽50 與傳統(tǒng)屏蔽20相比，在清潔周期之間可以有更長的工作時間。由于帶狀 屏蔽50在其表面上積累的沉積物少得多，所以延長了帶狀屏蔽50的壽 命，并因此不必像傳統(tǒng)屏蔽20那樣被頻繁地拆下或清潔。此外，這種帶 狀屏蔽50所具有的垂直壁68沒有象現(xiàn)有屏蔽20那樣從壁延伸的梁，提供 了比現(xiàn)有屏蔽20明顯改善的抽氣時間。這是因為除去了由現(xiàn)有設(shè)計的梁 造成的阻礙，增大了室的泵浦傳導(dǎo)性，從而提高了抽氣性能。盡管已經(jīng)參考某些優(yōu)選形式對本發(fā)明進行了相當(dāng)詳細的說明，但是本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)可以想到許多其他形式。例如，本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員應(yīng)當(dāng)可以想到屏蔽50的其他形式和結(jié)構(gòu)。另外，屏蔽50可以用于其他 類型的室中，例如PVD、離子注入、RTD或其他室。因此，權(quán)利要求的 精神和范圍不應(yīng)限于對此處所含優(yōu)選形式的說明。
權(quán)利要求1.一種用于襯底處理室的帶狀屏蔽，其特征在于，所述帶狀屏蔽包括a)具有切口、頂端和底端的圓筒形壁；b)從所述圓筒形壁的所述底端沿徑向向外延伸的凸緣；c)從所述圓筒形壁的所述頂端沿徑向向外延伸的殼體，所述殼體環(huán)繞所述切口并連接到所述凸緣，并且其中，所述圓筒形壁、所述凸緣以及所述殼體的表面至少部分地具有小于約16微英寸的表面粗糙度平均值，從而這些表面暴露于所述襯底處理室中的處理環(huán)境時，其上產(chǎn)生的沉積物較少。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀屏蔽，其特征在于，所述殼體基本上只 圍繞所述切口延伸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀屏蔽，其特征在于，所述圓筒形壁頂端 的至少50%周邊是基本上垂直終止的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀屏蔽，其特征在于，繞所述殼體的所述 圓筒形壁的所述頂端沒有徑向延伸的凸緣。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀屏蔽，其特征在于，所述帶狀屏蔽由電 介質(zhì)材料制成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶狀屏蔽，其特征在于，所述電介質(zhì)材料包 括氧化鋁。
7. —種襯底處理室，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶狀屏蔽，其特征在 于，所述室還包括a) 外側(cè)壁，所述外側(cè)壁具有沿徑向向內(nèi)延伸的壁架，使得所述帶狀屏 蔽在置于所述壁架上時基本覆蓋所述外側(cè)壁，以減少在所述室中進行的處 理期間所述外側(cè)壁上的沉積；b) 用于接收由處理氣體處理的襯底的襯底支撐；c) 用于引入所述處理氣體的氣體分配器；d) 用于激發(fā)所述處理氣體的氣體激發(fā)器；以及 e)用于排出所述處理氣體的泵浦通道。
8. —種用于襯底處理室的帶狀屏蔽，所述帶狀屏蔽由氧化鋁制成，其 特征在于包括a) 圓筒形壁，所述圓筒形壁具有穿過其的切口，所述圓筒形壁具有頂 端和底端，所述頂端的至少50。％周邊是基本上垂直終止的；b) 從所述圓筒形壁的所述底端沿徑向向外延伸的凸緣；C)從所述圓筒形壁的所述頂端沿徑向向外延伸的殼體，所述殼體基本 上只環(huán)繞所述切口并連接到所述凸緣，并且其中，所述圓筒形壁、所述凸緣以及所述殼體的表面至少部分地具有 小于約16微英寸的表面粗糙度平均值，從而所述這些表面暴露于所述襯 底處理室中的處理環(huán)境時，其上產(chǎn)生的沉積物較少。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶狀屏蔽，其特征在于，繞所述殼體的所述圓筒形壁的所述頂端沒有徑向延伸的凸緣。
專利摘要本實用新型公開了一種用于襯底處理室的帶狀屏蔽，它具有圓筒形壁，圓筒形壁具有穿過其的切口。凸緣從圓筒形壁的底端沿徑向向外延伸。殼體從圓筒形壁的頂端沿徑向向外延伸并環(huán)繞切口連接到凸緣。圓筒形壁、凸緣和殼體，它們的至少部分表面具有小于約16微英寸的表面粗糙度平均值，從而使這些表面暴露于襯底處理室中的處理環(huán)境時，其上產(chǎn)生的沉積物較少。屏蔽的垂直壁在排氣端口附近沒有任何梁或其他突出物，從而提高了排氣導(dǎo)通性。
文檔編號H01L21/285GK201025611SQ20062014886
公開日2008年2月20日 申請日期2006年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月19日
發(fā)明者史蒂夫·喬, 李威帝 申請人:應(yīng)用材料公司