專利名稱：芯片級硅穿孔散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種集成電路或分立器件芯片。特別是涉及一種芯片級硅穿孔散熱結(jié)構(gòu)。適用于高集成度集成電路芯片及相關(guān)功率分立器件芯片的散熱。屬半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在本實用新型作出以前，目前高集成度集成電路芯片及相關(guān)功率分立器件芯片的散熱結(jié)構(gòu)是采用傳統(tǒng)封裝工藝后在芯片外部加裝散熱片或?qū)崮z方式，使芯片間接散熱。該間接散熱方式芯片熱量散發(fā)慢，這將直接影響芯片的使用性能和壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種芯片散熱快的芯片級硅穿孔散熱結(jié)構(gòu)。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的包括倒裝裸芯片，其特征在于a、于倒裝裸芯片背面對芯片硅材料穿盲孔至焊墊金屬區(qū)，b、盲孔表面及芯片背面覆有金屬膜層，c、覆有金屬膜層的倒裝裸芯片背面復(fù)有導(dǎo)熱金屬層，該導(dǎo)熱金屬層充填至盲孔內(nèi)。
上述芯片級硅穿孔散熱結(jié)構(gòu)，還可在導(dǎo)熱金屬層外復(fù)有單層或多層的金屬層或?qū)崮z層。
本實用新型改變傳統(tǒng)間接散熱方式，以倒裝封裝工藝，使裸芯片經(jīng)硅穿孔后充填金屬或?qū)崮z等，使芯片直接散熱。該直接散熱方式芯片熱量散發(fā)快，芯片性能穩(wěn)定，使用壽命長。


圖1為本實用新型芯片級硅穿孔散熱結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
參見圖1，芯片級硅穿孔散熱結(jié)構(gòu)，包括倒裝裸芯片1，a、于倒裝裸芯片1背面對芯片硅材料穿盲孔5至焊墊金屬區(qū)，b、盲孔5表面及芯片背面覆有金屬膜2層，c、覆有金屬膜2層的倒裝裸芯片1背面復(fù)有導(dǎo)熱金屬層3，該導(dǎo)熱金屬層3充填至盲孔5內(nèi)。
d、另可在導(dǎo)熱金屬層3外復(fù)有單層或多層的金屬層或?qū)崮z層4。
本實用新型的制作方法包括以下工藝步驟步驟一、于倒裝裸芯片背面采用激光打孔及蝕刻法對芯片硅材料穿盲孔至焊墊金屬區(qū)，步驟二、就硅穿孔部位及芯片背面進行金屬膜制作，使穿孔區(qū)及芯片背面形成金屬膜層，步驟三、就穿孔區(qū)及芯片背面進行電鍍工藝，使穿孔區(qū)及芯片背面形成導(dǎo)熱金屬層。
步驟四、于導(dǎo)熱金屬層外制作單層或多層金屬層或?qū)崮z層。
權(quán)利要求1.一種芯片級硅穿孔散熱結(jié)構(gòu)，包括倒裝裸芯片(1)，其特征在于a、于倒裝裸芯片(1)背面對芯片硅材料穿盲孔(5)至焊墊金屬區(qū)，b、盲孔(5)表面及芯片背面覆有金屬膜(2)層，c、覆有金屬膜(2)層的倒裝裸芯片(1)背面復(fù)有導(dǎo)熱金屬層(3)，該導(dǎo)熱金屬層(3)充填至盲孔(5)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片級硅穿孔散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的導(dǎo)熱金屬層(3)外復(fù)有單層或多層的金屬層或?qū)崮z層(4)。
專利摘要本實用新型涉及一種芯片級硅穿孔散熱結(jié)構(gòu)，包括倒裝裸芯片(1)，其特征在于a.于倒裝裸芯片(1)背面對芯片硅材料穿盲孔(5)至焊墊金屬區(qū)，b.盲孔(5)表面及芯片背面覆有金屬膜(2)層，c.覆有金屬膜(2)層的倒裝裸芯片(1)背面復(fù)有導(dǎo)熱金屬層(3)，該導(dǎo)熱金屬層(3)充填至盲孔(5)內(nèi)。本實用新型改變傳統(tǒng)間接散熱方式，以倒裝封裝工藝，使裸芯片經(jīng)硅穿孔后充填金屬或?qū)崮z等，使芯片直接散熱。該直接散熱方式芯片熱量散發(fā)快，芯片性能穩(wěn)定，使用壽命長。
文檔編號H01L23/36GK2909521SQ20062007320
公開日2007年6月6日 申請日期2006年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月26日
發(fā)明者王新潮, 賴志明 申請人:江陰長電先進封裝有限公司