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Cmos圖像傳感器及其制造方法

文檔序號(hào):7215030閱讀:112來源:國知局
專利名稱:Cmos圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)
通常,圖像傳感器是用于將光圖像轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的半導(dǎo)體器件,并主要分為電荷耦合器件(CCD)和CMOS圖像傳感器。
CCD具有多個(gè)光電二極管(PD),所述多個(gè)光電二極管以矩陣的形式排列,從而將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。CCD包括多個(gè)垂直電荷耦合器件(VCCD),設(shè)置在垂直排列于矩陣中的多個(gè)光電二極管之間,從而將從每個(gè)光電二極管產(chǎn)生的電荷沿垂直方向傳輸;多個(gè)水平電荷耦合器件(HCCD),用于沿水平方向傳輸從VCCD傳輸?shù)碾姾桑灰约案袘?yīng)放大器,用于通過感測(cè)沿水平方向傳輸?shù)碾姾蓙磔敵鲭娦盘?hào)。
但是,這種CCD具有多種缺點(diǎn),例如復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)模式,高功耗等。此外,CCD需要多步驟光學(xué)處理,因此CCD的制造過程復(fù)雜。
另外,由于難以將控制器、信號(hào)處理器及模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D轉(zhuǎn)換器)集成到單片CCD上,因此CCD不適用于小型產(chǎn)品。
近來,CMOS圖像傳感器受到矚目,成為能夠解決CCD問題的下一代圖像傳感器。
CMOS圖像傳感器是利用開關(guān)模式通過MOS晶體管來依次檢測(cè)每個(gè)單位像素的輸出的器件,其中MOS晶體管是使用外圍器件如控制器和信號(hào)處理器通過CMOS技術(shù)而形成于與單位像素相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底上的。
也就是說,CMOS圖像傳感器在每個(gè)單位像素中包括光電二極管和MOS晶體管,并在開關(guān)模式中依次檢測(cè)每個(gè)單位像素的電信號(hào),以獲得圖像。
由于CMOS圖像傳感器利用CMOS技術(shù),所以CMOS圖像傳感器具有諸如功耗低和由于光學(xué)處理步驟的數(shù)量較少而使制造過程簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。
另外,因?yàn)榭刂破?、信?hào)處理器及A/D轉(zhuǎn)換器可被集成到單片CMOS圖像傳感器上,所以CMOS圖像傳感器使產(chǎn)品能夠小型化。
因此,CMOS圖像傳感器已被廣泛用于各種應(yīng)用,例如數(shù)字照相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等。
同時(shí),CMOS圖像傳感器按照晶體管的數(shù)量可分為3T、4T和5T型CMOS圖像傳感器。3T型CMOS圖像傳感器包括一個(gè)光電二極管和三個(gè)晶體管,4T型CMOS圖像傳感器包括一個(gè)光電二極管和四個(gè)晶體管。
4T型CMOS圖像傳感器的單位像素的布局如下。
圖1示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的4T型CMOS圖像傳感器的等效電路圖,圖2示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的4T型CMOS圖像傳感器的布局圖。
如圖1所示,CMOS圖像傳感器的單位像素100包括光電二極管10和四個(gè)晶體管,其中該光電二極管10是光電器件。
這里,四個(gè)晶體管包括轉(zhuǎn)移晶體管20、復(fù)位晶體管30、驅(qū)動(dòng)晶體管40和選擇晶體管50。另外,負(fù)載晶體管60電連接至各單位像素100的輸出端Out。
附圖標(biāo)記FD、Tx、Rx、Dx和Sx分別表示漂移擴(kuò)散區(qū)、轉(zhuǎn)移晶體管20的柵壓、復(fù)位晶體管30的柵壓、驅(qū)動(dòng)晶體管40的柵壓和選擇晶體管50的柵壓。
如圖2所示,CMOS圖像傳感器的單位像素上界定有有源區(qū),并且隔離層形成在單位像素上除有源區(qū)之外的預(yù)定區(qū)上。光電二極管PD形成在有源區(qū)的較寬區(qū)域上,四個(gè)晶體管的柵極23、33、43和53與有源區(qū)的其余區(qū)域重疊。
也就是說,第一柵極23與轉(zhuǎn)移晶體管20整合,第二柵極33與復(fù)位晶體管30整合,第三柵極43與驅(qū)動(dòng)晶體管40整合,第四柵極53與選擇晶體管50整合。
向各晶體管除了柵極23、33、43和53的下部之外的有源區(qū)中注入摻雜劑,從而形成晶體管的源極/漏極(S/D)區(qū)。
圖3A至圖3C是沿圖2的I-I’線的剖視圖,示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CMOS圖像傳感器的制造過程。
如圖3A所示,對(duì)高密度P型半導(dǎo)體襯底61進(jìn)行外延工藝,從而形成低密度P型外延層62。
然后,在半導(dǎo)體襯底61上界定有源區(qū)和隔離區(qū)之后,通過STI(淺溝槽隔離)工藝在隔離區(qū)上形成隔離層63。
另外,柵極絕緣層64和導(dǎo)電層(例如,高密度多晶硅層)依次沉積在形成有隔離層63的外延層62的整個(gè)表面上。然后,選擇性地去除導(dǎo)電層和柵極絕緣層64,以形成柵極65。
其后,如圖3B所示,在半導(dǎo)體襯底61的整個(gè)表面上涂覆第一光致抗蝕劑膜,然后以藍(lán)、綠、紅光電二極管可被暴露的方式,通過曝光和顯影工藝對(duì)第一光致抗蝕劑膜進(jìn)行圖案化。
另外,利用圖案化的第一光致抗蝕劑膜作為掩模,將低密度n型摻雜劑注入到外延層62上,從而形成用作藍(lán)、綠、紅光電二極管區(qū)的低密度n型擴(kuò)散區(qū)67。
然后,完全去除第一光致抗蝕劑膜,并且在半導(dǎo)體襯底61的整個(gè)表面上沉積絕緣層。在此狀態(tài)下,進(jìn)行回蝕工藝以在柵極65的兩側(cè)形成絕緣層側(cè)壁68。
接下來,在半導(dǎo)體襯底61的整個(gè)表面上涂覆第二光致抗蝕劑膜之后,對(duì)第二光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光和顯影工藝,以覆蓋光電二極管區(qū)并暴露各晶體管的源極/漏極區(qū)。
然后,利用圖案化的第二光致抗蝕劑膜作為掩模,將高密度n型摻雜劑注入到暴露的源極/漏極區(qū)上,從而形成n型擴(kuò)散區(qū)(漂移擴(kuò)散區(qū))70。
其后,如圖3C所示,去除第二光致抗蝕劑膜,并且在半導(dǎo)體襯底61的整個(gè)表面上涂覆第三光致抗蝕劑膜。在此狀態(tài)下,對(duì)第三光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光和顯影工藝,以使第三光致抗蝕劑膜被圖案化,以暴露各光電二極管區(qū)。然后,利用圖案化的第三光致抗蝕劑膜作為掩模,將p型摻雜劑注入到具有n型擴(kuò)散區(qū)67的光電二極管區(qū)上,從而在半導(dǎo)體襯底的表面上形成p型擴(kuò)散區(qū)72。其后,去除第三光致抗蝕劑膜,并對(duì)半導(dǎo)體襯底61進(jìn)行熱處理工藝,從而擴(kuò)展各雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。
采用100KeV到150KeV能量和I線光,通過離子注入工藝形成低密度擴(kuò)散區(qū)67。但是,如果以上述100KeV到150KeV的能量進(jìn)行離子注入工藝,則經(jīng)過轉(zhuǎn)移晶體管柵極的離子被注入到半導(dǎo)體襯底的表面上,從而不必要地形成溝道區(qū)A。
溝道區(qū)的寬度隨離子注入工藝中所用的能量和光而改變,而轉(zhuǎn)移晶體管的閾值電壓隨溝道區(qū)的寬度而改變。因此,溝道區(qū)的這種寬度變化會(huì)降低轉(zhuǎn)移晶體管特性的均勻度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有均勻特性的CMOS圖像傳感器及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案,提供一種CMOS圖像傳感器,包括半導(dǎo)體襯底,具有有源區(qū)和隔離區(qū);光電二極管區(qū)和晶體管區(qū),形成在該有源區(qū)上;柵極,形成在該晶體管區(qū)上,并具有第一高度和第二高度;以及擴(kuò)散區(qū),通過注入摻雜劑而形成在該光電二極管區(qū)和該晶體管區(qū)上。
根據(jù)所述的CMOS圖像傳感器,其中該第一高度處于1800至2000的范圍內(nèi),該第二高度處于3300至3700的范圍內(nèi)。
根據(jù)所述的CMOS圖像傳感器,其中在具有該第一高度的柵極的下部形成有溝道區(qū),而在具有該第二高度的柵極的下部沒有形成溝道區(qū)。
根據(jù)所述的CMOS圖像傳感器,其中在該柵極的兩側(cè)形成有多個(gè)間隔部件。
根據(jù)所述的CMOS圖像傳感器,其中在該光電二極管區(qū)上形成有第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū),以及在該第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)的表面上形成有第一導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)。
根據(jù)所述的CMOS圖像傳感器,其中在該晶體管區(qū)上形成有第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案,提供一種制造CMOS圖像傳感器的方法,該方法包括步驟在半導(dǎo)體襯底上形成有源區(qū)和隔離區(qū);在該有源區(qū)上形成柵極絕緣層和柵極;部分蝕刻該柵極,以使該柵極具有第一高度和第二高度;以及通過將摻雜劑注入到該有源區(qū)的光電二極管區(qū)上而形成第一擴(kuò)散區(qū),并且通過將摻雜劑注入到該柵極中而在具有該第一高度的柵極的下部形成溝道區(qū)。
根據(jù)所述的方法,其中還包括步驟在該柵極的兩個(gè)側(cè)壁處形成多個(gè)間隔部件;通過將摻雜劑注入到該晶體管區(qū)上,形成第二擴(kuò)散區(qū);以及通過將摻雜劑注入到該第一擴(kuò)散區(qū)上,形成第三擴(kuò)散區(qū)。
根據(jù)所述的方法,其中該第一高度處于1800至2000的范圍內(nèi),該第二高度處于3300至3700的范圍內(nèi)。
根據(jù)所述的方法,其中還包通過去除一部分該柵極而平坦化該柵極的步驟。
根據(jù)所述的方法,其中使用100KeV到150KeV的能量和I線光來注入摻雜劑。
根據(jù)本發(fā)明的又一方案,提供一種CMOS圖像傳感器,包括半導(dǎo)體襯底,具有有源區(qū)和隔離區(qū);光電二極管區(qū)和晶體管區(qū),形成在該有源區(qū)上;柵極,形成在該晶體管區(qū)上;擴(kuò)散區(qū),通過注入摻雜劑而形成在該光電二極管區(qū)和該晶體管區(qū)上;以及溝道區(qū),形成在該柵極的預(yù)定下部。
根據(jù)所述的CMOS圖像傳感器,其中在該柵極的兩側(cè)形成有多個(gè)間隔部件。
根據(jù)所述的CMOS圖像傳感器,其中形成在該柵極兩側(cè)的多個(gè)間隔部件具有彼此不同的形狀。
根據(jù)所述的CMOS圖像傳感器,其中在該光電二極管區(qū)上形成有第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū),以及在該第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)的表面上形成有第一導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)。
根據(jù)所述的CMOS圖像傳感器,其中在該晶體管區(qū)上形成有第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)。


圖1示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的4T型CMOS圖像傳感器的等效電路圖;圖2示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的4T型CMOS圖像傳感器的單位像素的布局圖;圖3A至圖3C是沿圖2的I-I’線的剖視圖,示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CMOS圖像傳感器的制造過程;以及圖4A至圖4E是沿圖2的I-I’線的示意剖視圖,示出根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的制造過程。
具體實(shí)施例方式
以下參照

本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖4A至圖4E是沿圖2的I-I’線的示意剖視圖,示出根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的制造過程。
如圖4A所示,對(duì)高密度P型半導(dǎo)體襯底161進(jìn)行外延工藝,從而形成低密度P型外延層162。
然后,在半導(dǎo)體襯底161上界定有源區(qū)和隔離區(qū)之后,通過STI(淺溝槽隔離)工藝在隔離區(qū)上形成隔離層163。
雖然圖中未示,但形成隔離層163的過程如下。
首先,在半導(dǎo)體襯底上依次形成襯墊氧化層、襯墊氮化層和TEOS(正硅酸乙酯)氧化層。然后,在TEOS氧化層上形成光致抗蝕劑膜。其后,利用界定了有源區(qū)和隔離區(qū)的掩模對(duì)光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光和顯影工藝,從而對(duì)光致抗蝕劑膜進(jìn)行圖案化。此時(shí),去除形成于隔離層上的光致抗蝕劑膜。
然后,利用圖案化的光致抗蝕劑膜作為掩模,選擇性地去除形成于隔離層上的襯墊氧化層、襯墊氮化層和TEOS氧化層。
接下來,利用圖案化的襯墊氧化層、襯墊氮化層和TEOS氧化層作為蝕刻掩模,以預(yù)定深度蝕刻半導(dǎo)體襯底的隔離區(qū),從而形成溝槽。其后,完全去除光致抗蝕劑膜。
然后,用絕緣材料填充溝槽,從而在溝槽中形成隔離層163。其后,去除襯墊氧化層、襯墊氮化層和TEOS氧化層。
隨后,在形成有隔離層163的外延層162的整個(gè)表面上依次沉積柵極絕緣層164和導(dǎo)電層(例如,硅層)。
此時(shí),可通過熱氧化工藝或CVD工藝形成柵極絕緣層164。
然后,選擇性地去除導(dǎo)電層和柵極絕緣層164,以形成柵極165a。
柵極165a的厚度范圍可為3300至3700。
其后,如圖4B所示,在包括柵極165a的半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上涂覆光致抗蝕劑膜,然后以暴露柵極165a的預(yù)定區(qū)的方式,通過曝光和顯影工藝選擇性地圖案化光致抗蝕劑膜,從而形成第一光致抗蝕劑膜圖案150a。然后,利用第一光致抗蝕劑膜圖案150a作為蝕刻掩模,蝕刻暴露出的柵極的預(yù)定部分,從而形成具有包括第一高度H1和第二高度H2的雙高度結(jié)構(gòu)的柵極165b。
柵極165b的第一高度處于1800至2000的范圍內(nèi),柵極165b的第二高度處于3300至3700的范圍內(nèi)。
然后,如圖4C所示,去除在包括柵極165b的結(jié)構(gòu)上形成的第一光致抗蝕劑膜圖案150a,其中柵極165b具有雙高度結(jié)構(gòu)。
其后,在形成有柵極165b的半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上涂覆光致抗蝕劑膜,然后通過曝光和顯影工藝選擇性地圖案化光致抗蝕劑膜,以暴露各光電二極管區(qū),從而形成第二光致抗蝕劑膜圖案150b。另外,利用圖案化的光致抗蝕劑膜作為掩模,將低密度導(dǎo)電(n型)摻雜劑注入到外延層162上,從而在光電二極管區(qū)中形成n型擴(kuò)散區(qū)167。
此時(shí),在離子注入工藝中使用100KeV到150KeV的能量和I線光,以形成n型擴(kuò)散區(qū)167。在離子注入工藝期間,由穿過具有第一高度H1的柵極的離子來形成溝道區(qū)152。
根據(jù)相關(guān)技術(shù),溝道區(qū)A隨離子注入工藝的工藝條件而改變,從而導(dǎo)致各轉(zhuǎn)移晶體管的閾值電壓發(fā)生變化。但是,根據(jù)本發(fā)明,由于柵極具有第一高度H1,所以即使離子注入工藝的工藝條件改變,也可以在各轉(zhuǎn)移晶體管中均勻地形成溝道區(qū)152。因此,能夠防止轉(zhuǎn)移晶體管的閾值電壓改變。
另外,溝道區(qū)的能級(jí)可被降低,因此能夠提高轉(zhuǎn)移晶體管的轉(zhuǎn)移特性。
其后,如圖4D所示,去除光致抗蝕劑膜圖案150b,然后在包括擴(kuò)散區(qū)167的半導(dǎo)體襯底161的整個(gè)表面上沉積絕緣層。在此狀態(tài)下,對(duì)半導(dǎo)體襯底161的整個(gè)表面進(jìn)行回蝕工藝,以在柵極165b的兩側(cè)形成多個(gè)間隔部件168。
接下來,在包括間隔部件168的半導(dǎo)體襯底161的整個(gè)表面上涂覆光致抗蝕劑膜之后,對(duì)光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光和顯影工藝,以覆蓋光電二極管區(qū),并暴露各晶體管的源極/漏極區(qū)(即,漂移擴(kuò)散區(qū))。
然后,利用圖案化的光致抗蝕劑膜作為掩模,將高密度的第二導(dǎo)電類型(n型)摻雜劑注入到暴露的源極/漏極區(qū)上,從而形成n型擴(kuò)散區(qū)(漂移擴(kuò)散區(qū))170。
其后,去除光致抗蝕劑膜,并在半導(dǎo)體襯底161的整個(gè)表面上涂覆新的光致抗蝕劑膜。在此狀態(tài)下,對(duì)光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光和顯影工藝,以使光致抗蝕劑膜被圖案化,以暴露出各光電二極管區(qū)。然后,利用該圖案化的光致抗蝕劑膜作為掩模,將第一導(dǎo)電類型(p型)的摻雜劑注入到形成有n型擴(kuò)散區(qū)167的外延層162上,從而在外延層162的表面上形成p型擴(kuò)散區(qū)172。
其后,去除光致抗蝕劑膜,并對(duì)半導(dǎo)體襯底161進(jìn)行熱處理工藝,從而擴(kuò)展各雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。
同時(shí),如圖4E所示,可增加去除一部分柵極165b的工藝,以均勻地設(shè)定柵極165b的高度。
根據(jù)本發(fā)明,由于柵極具有雙高度結(jié)構(gòu),所以在進(jìn)行離子注入工藝以形成擴(kuò)散區(qū)時(shí),可在各轉(zhuǎn)移晶體管中均勻地形成溝道區(qū)。因此,能夠防止各轉(zhuǎn)移晶體管的閾值電壓改變,并且能夠提高各轉(zhuǎn)移晶體管特性的均勻度。
權(quán)利要求
1.一種CMOS圖像傳感器,包括半導(dǎo)體襯底,具有有源區(qū)和隔離區(qū);光電二極管區(qū)和晶體管區(qū),形成在該有源區(qū)上;柵極,形成在該晶體管區(qū)上,并具有第一高度和第二高度;以及擴(kuò)散區(qū),通過注入摻雜劑而形成在該光電二極管區(qū)和該晶體管區(qū)上。
2.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器,其中該第一高度處于1800至2000的范圍內(nèi),該第二高度處于3300至3700的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器,其中在具有該第一高度的柵極的下部形成有溝道區(qū),而在具有該第二高度的柵極的下部沒有形成溝道區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器,其中在該柵極的兩側(cè)形成有多個(gè)間隔部件。
5.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器,其中在該光電二極管區(qū)上形成有第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū),以及在該第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)的表面上形成有第一導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器,其中在該晶體管區(qū)上形成有第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)。
7.一種制造CMOS圖像傳感器的方法,該方法包括步驟在半導(dǎo)體襯底上形成有源區(qū)和隔離區(qū);在該有源區(qū)上形成柵極絕緣層和柵極;局部蝕刻該柵極,以使該柵極具有第一高度和第二高度;以及通過將摻雜劑注入到該有源區(qū)的光電二極管區(qū)上而形成第一擴(kuò)散區(qū),并且通過將摻雜劑注入到該柵極中而在具有該第一高度的柵極的下部形成溝道區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其中還包括步驟在該柵極的兩個(gè)側(cè)壁處形成多個(gè)間隔部件;通過將摻雜劑注入到該晶體管區(qū)上,形成第二擴(kuò)散區(qū);以及通過將摻雜劑注入到該第一擴(kuò)散區(qū)上,形成第三擴(kuò)散區(qū)。
9.如權(quán)利要求7所述的方法,其中該第一高度處于1800至2000的范圍內(nèi),該第二高度處于3300至3700的范圍內(nèi)。
10.如權(quán)利要求7所述的方法,其中還包括通過去除一部分該柵極而平坦化該柵極的步驟。
11.如權(quán)利要求7所述的方法,其中使用100KeV到150KeV的能量和I線光來注入摻雜劑。
12.一種CMOS圖像傳感器,包括半導(dǎo)體襯底,具有有源區(qū)和隔離區(qū);光電二極管區(qū)和晶體管區(qū),形成在該有源區(qū)上;柵極,形成在該晶體管區(qū)上;擴(kuò)散區(qū),通過注入摻雜劑而形成在該光電二極管區(qū)和該晶體管區(qū)上;以及溝道區(qū),形成在該柵極的預(yù)定下部。
13.如權(quán)利要求12所述的CMOS圖像傳感器,其中在該柵極的兩側(cè)形成有多個(gè)間隔部件。
14.如權(quán)利要求13所述的CMOS圖像傳感器,其中形成在該柵極兩側(cè)的多個(gè)間隔部件具有彼此不同的形狀。
15.如權(quán)利要求12所述的CMOS圖像傳感器,其中在該光電二極管區(qū)上形成有第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū),以及在該第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)的表面上形成有第一導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)。
16.如權(quán)利要求12所述的CMOS圖像傳感器,其中在該晶體管區(qū)上形成有第二導(dǎo)電擴(kuò)散區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種CMOS圖像傳感器及其制造方法。該CMOS圖像傳感器包括半導(dǎo)體襯底,具有有源區(qū)和隔離區(qū);光電二極管區(qū)和晶體管區(qū),形成在該有源區(qū)上;柵極,形成在該晶體管區(qū)上,并具有第一高度和第二高度;以及擴(kuò)散區(qū),通過注入摻雜劑而形成在該光電二極管區(qū)和該晶體管區(qū)上。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1992312SQ200610170190
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者任勁赫 申請(qǐng)人:東部電子股份有限公司
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