專利名稱：一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地涉及一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明還涉及上述一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制備方法。
背景技術(shù)：
近年來，異質(zhì)結(jié)器件由于引入能帶工程，因而具有同質(zhì)結(jié)器件所不能 替代的性能優(yōu)點，已得到廣泛關(guān)注和飛速發(fā)展。尤其是異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
(HBT)，具有閾值均勻性好、單電源工作、高頻性能優(yōu)越、電流驅(qū)動性 能強、線性好等優(yōu)點，在通信領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用。
目前制備的異質(zhì)結(jié)晶體管具有多種結(jié)構(gòu)，包括臺面結(jié)構(gòu)、平面結(jié)構(gòu)等。 制備方法也多種多樣，包括臺面工藝、差分外延工藝、選擇外延工藝、選 擇和非選擇外延結(jié)構(gòu)的工藝等。其中臺面結(jié)構(gòu)最多地被研究小組采用以研 究異質(zhì)結(jié)晶體管的性能。現(xiàn)有技術(shù)的雙臺面HBT器件，因為基區(qū)相對薄， 因此，在形成金屬電極過程中容易發(fā)生穿通，致使器件失效，嚴(yán)重影響了 成品率。而對于集成電路，各個元件的成品率都是極為關(guān)鍵的因素。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。
本發(fā)明的又一目的在于提供上述異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制備方法。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，包括
基片；
基片上的第一摻雜類型的收集極區(qū)域，收集極區(qū)域包括收集區(qū)和收集 極接觸區(qū)；
收集極區(qū)域上的第二摻雜類型的基極區(qū)域；
基極區(qū)域之上的第一摻雜類型的發(fā)射極區(qū)域，發(fā)射極區(qū)域包括發(fā)射區(qū) 和發(fā)射極帽層區(qū)域；以及
發(fā)射極帽層區(qū)域、基極區(qū)域及收集極接觸區(qū)上的電極；
其中，第一摻雜類型與第二摻雜類型相反；
其中，注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同。
所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其中，基片可以是玻璃基片、陶瓷基片、 不銹鋼基片、半導(dǎo)體基片、絕緣體上硅SOI基片、GaAs基片或InP基片。
所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其中，基片是高摻半導(dǎo)體基片，收集極接 觸區(qū)合并在基片中。
所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其中，收集極區(qū)域、基極區(qū)域、發(fā)射極區(qū) 域材料可以分別是Si、 SiGe和Si，或分別是GaAs、 AlGaAs和GaAs或分 別是InP、 InGaAsP禾口 InP。
所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其中，收集極、基極、發(fā)射極電極是相同 的單層金屬或金屬疊層，或者是不同的單層金屬或金屬疊層。
本發(fā)明提供的制備上述異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的方法，包括以下步驟 步驟h在基片上生長第一摻雜類型的收集極區(qū)域、第二摻雜類型的
基區(qū)和第一摻雜類型的發(fā)射極區(qū)域，其中收集極區(qū)域包含收集極接觸區(qū)和
集電區(qū)，發(fā)射極區(qū)域包含發(fā)射區(qū)和發(fā)射極帽層區(qū)域； 其中第一摻雜類型與第二摻雜類型相反； 其中注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同； 步驟2:淀積薄膜I，淀積并光刻薄膜II;薄膜I和II為后續(xù)步驟的屏
蔽薄膜；
步驟3:利用薄膜II做掩模腐蝕薄膜I，縱向腐蝕完成之后，繼續(xù)進(jìn) 行橫向腐蝕，使其橫向鉆蝕一定的距離，以在后續(xù)注入過程金屬做到完全 掩蔽；
步驟4:腐蝕發(fā)射區(qū)，該腐蝕劑刻蝕相對于基區(qū)材料選擇性地腐蝕發(fā) 射區(qū)材料，該刻蝕步驟到達(dá)基區(qū)自停止；
步驟5:對外基區(qū)進(jìn)行離子注入摻雜，形成增厚的外基區(qū)區(qū)域； 步驟6:腐蝕薄膜I，其上薄膜II自動脫落；
步驟7:光刻基區(qū)并腐蝕基區(qū)直至基片，基片作為器件收集極接觸區(qū) 的材料；
步驟8:在整個表面淀積鈍化層，執(zhí)行退火以激活注入的雜質(zhì)元素， 然后光刻電極窗口，制造電極。
所述的制備方法，其中，基片可以是玻璃基片、陶瓷基片、不銹鋼基
片、半導(dǎo)體基片、絕緣體上硅SOI基片、GaAs基片或InP基片。
所述的制備方法，其中，基片是高摻半導(dǎo)體基片，收集極接觸區(qū)合并 在基片中。
所述的制備方法，其中，收集極區(qū)域、基極區(qū)域、發(fā)射極區(qū)域的材料 可以分別是Si、 SiGe和Si，或分別是GaAs、 AlGaAs、 GaAs或分別是InP、 InGaAsP和InP。
所述的制備方法，其中，收集極區(qū)域、基極區(qū)域、發(fā)射極區(qū)域的材料 可以釆用固體源分子束、氣體源分子束外延、化學(xué)束外延、化學(xué)汽相淀積 等方法進(jìn)行生長。
所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作方法，其中，薄膜I和薄膜II使用不 同的腐蝕液或方法腐蝕，它們可以是單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。
所述的制備方法，其中，腐蝕發(fā)射區(qū)材料的腐蝕液對于基區(qū)和發(fā)射區(qū) 材料腐蝕的選擇比大于10。
所述的制備方法，其中，鈍化層可以是SiON、 Si02、或Si3N4等薄膜。
所述的制備方法，其中，退火工藝可以在淀積鈍化薄膜之前或之后執(zhí)行。
本發(fā)明的核心思想是通過過腐蝕自對準(zhǔn)離子注入工藝對外基區(qū)執(zhí)行 摻雜，減小基區(qū)串聯(lián)電阻，同時增加基區(qū)歐姆接觸區(qū)厚度，保證充分合金， 提高了成品率。


圖1D示出了本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖1A到1D是本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作方法的示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制備方法，其特征在于，通過結(jié)合過
腐蝕自對準(zhǔn)工藝和離子注入工藝，對外基區(qū)進(jìn)行摻雜，其效果是減小基區(qū) 串聯(lián)電阻，同時增加基區(qū)歐姆接觸區(qū)厚度，保證充分合金，提高成品率。
本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，包括
基片；
基片上的第一摻雜類型的收集極區(qū)域，該收集極區(qū)域包括收集區(qū)和收 集極接觸區(qū)；
收集極區(qū)域上的第二摻雜類型的基極區(qū)域，其中外基區(qū)通過過腐蝕自對準(zhǔn)離子注入工藝加厚；
基極區(qū)域上的第一摻雜類型的發(fā)射極區(qū)域，該發(fā)射極區(qū)域包括發(fā)射區(qū)和發(fā)射極帽層區(qū)域；以及發(fā)射極帽層區(qū)域、基極區(qū)域及收集極接觸區(qū)上的電極。
其中基片可以是玻璃基片、陶瓷基片、不銹鋼基片、半導(dǎo)體基片例如Si基片、絕緣體上硅SOI基片、GaAs基片以及InP基片等。
其中基片是高摻半導(dǎo)體基片，收集極接觸區(qū)合并在基片中。 其中，收集極區(qū)域、基極區(qū)域、發(fā)射極區(qū)域材料可以分別是Si、 SiGe和Si,或分別是GaAs、 AlGaAs和GaAs或分別是InP、 InGaAsP和InP等。
其中收集極區(qū)域、基極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域材料可以采用固體源分子 束、氣體源分子束外延、化學(xué)束外延、化學(xué)汽相淀積等方法進(jìn)行生長。
其中第一摻雜類型與第二摻雜類型相反。 其中注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同。
其中收集極、基極、發(fā)射極電極是相同的單層金屬或金屬疊層，或者
是不同的單層金屬或金屬疊層。
本發(fā)明制備上述雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作方法，包括以下步驟
1、 在基片上生長第一摻雜類型的收集極區(qū)域(包含收集極接觸區(qū)和 集電區(qū))、第二摻雜類型的基區(qū)以及第一摻雜類型的發(fā)射極區(qū)域(包含發(fā) 射區(qū)和發(fā)射極帽層區(qū)域)。
2、 淀積薄膜I，淀積并光刻薄膜II。薄膜I和II是后續(xù)步驟的屏蔽薄膜。
3、 利用所述光刻后的薄膜II做掩模腐蝕薄膜I，縱向腐蝕完成之后， 還繼續(xù)進(jìn)行一段時間的橫向腐蝕，使其橫向鉆蝕一定的距離，以保證在后 續(xù)注入過程金屬能做到完全掩蔽，該工藝稱為過腐蝕自對準(zhǔn)工藝。
4、 使用腐蝕劑腐蝕發(fā)射區(qū)。該腐蝕劑相對于基區(qū)材料選擇性地腐蝕
發(fā)射區(qū)材料，該腐蝕步驟到達(dá)基區(qū)自停止。
5、 對外基區(qū)進(jìn)行離子注入摻雜。
6、 充分腐蝕薄膜I，其上薄膜II自動脫落。
7、 光刻基區(qū)并對其進(jìn)行腐蝕，腐蝕直至收集極接觸區(qū)。
8、 在整個表面淀積鈍化層，執(zhí)行退火以激活注入的雜質(zhì)元素，制造 電極并合金。
其中基片可以是玻璃基片、陶瓷基片、不銹鋼基片、半導(dǎo)體基片例如 Si基片、絕緣體上硅SOI基片、GaAs基片以及InP基片等。 其中基片是高摻半導(dǎo)體基片，收集極接觸區(qū)合并在基片中。 其中，收集極區(qū)域、基極區(qū)域、發(fā)射極區(qū)域材料可以分別是Si、 SiGe 和Si，或分別是GaAs、 AlGaAs禾B GaAs或分別是InP、 InGaAsP禾口 InP等。
收集極區(qū)域、基極區(qū)域、發(fā)射極區(qū)域材料可以采用固體源分子束、氣 體源分子束外延、化學(xué)束外延、化學(xué)汽相淀積等方法進(jìn)行生長。 其中第一摻雜類型與第二摻雜類型相反。 其中注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同。 其中，薄膜I和薄膜II使用不同的腐蝕劑腐蝕或采用不同的方法腐蝕， 它們可以是單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。
其中，腐蝕發(fā)射區(qū)的腐蝕劑對于基區(qū)和發(fā)射區(qū)材料腐蝕的選擇比足夠 大，例如大于IO。
其中，鈍化層可以是SiON、 Si02、 Si3N4薄膜等。 其中退火工藝可以在淀積鈍化薄膜之前或之后執(zhí)行。 其中，收集極、基極、發(fā)射極電極可以使用相同的單層金屬或金屬疊 層制備，也可使用不同的單層金屬或金屬疊層制備。 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作詳細(xì)描述。
圖1D示出了本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的結(jié)構(gòu)，該實施例中，采用 半導(dǎo)體基片，收集極接觸區(qū)合并在基片中，該結(jié)構(gòu)包括
第一摻雜類型的高摻雜基片10，它用作收集極接觸區(qū)； 基片上生長的第一摻雜類型的收集區(qū)11;
收集區(qū)上生長的第二摻雜類型的基極臺面區(qū)域12，其中外基區(qū)通過過 腐蝕自對準(zhǔn)離子注入工藝加厚；
基極區(qū)域之上的發(fā)射極區(qū)域13，發(fā)射極區(qū)域包括發(fā)射區(qū)和發(fā)射極帽層 區(qū)域；以及
發(fā)射極區(qū)域、基極區(qū)域及收集極接觸區(qū)上的電極18。
其中基片可以Si基片、絕緣體上硅SOI基片、GaAs基片以及InP基片等。
其中，收集極區(qū)域、基極區(qū)域、發(fā)射極區(qū)域材料可以分別是Si、 SiGe 和Si，或分別是GaAs、 AlGaAs和GaAs或分別是InP、 InGaAsP和InP等。
其中發(fā)射極區(qū)域、基極區(qū)域及收集極區(qū)域的材料可以采用固體源分子 束、氣體源分子束外延、化學(xué)束外延、化學(xué)汽相淀積等方法進(jìn)行生長。 其中第一摻雜類型與第二摻雜類型相反。 其中注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同。 其中收集極、基極、發(fā)射極電極是相同的單層金屬或金屬疊層，或者 是不同的單層金屬或金屬疊層。
圖1A到1D是本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作方法的示意圖，可
以由以下步驟來完成
步驟(1):在第一摻雜類型的高摻基片10上生長第一摻雜類型的收 集極區(qū)域lh第二摻雜類型的基極區(qū)域12;第一摻雜類型的發(fā)射極區(qū)域
13，發(fā)射極區(qū)域包括發(fā)射區(qū)和發(fā)射極帽層區(qū)域。
其中基片10可以是Si基片、絕緣體上硅是高摻的SOI基片、GaAs 基片以及InP基片等。
其中，收集極區(qū)域ll、基極區(qū)域12、發(fā)射極區(qū)域13的材料可以分別 是Si、 SiGe和Si，或分別是GaAs、 AlGaAs和GaAs或分別是InP、 InGaAsP 和InP等。
其中收集極區(qū)域11、基極區(qū)域12和發(fā)射極區(qū)域13的材料可以采用固 體源分子束、氣體源分子束外延、化學(xué)束外延、化學(xué)汽相淀積等方法進(jìn)行
生長。例如，可以使用超高真空低壓化學(xué)汽相淀積設(shè)備(UHV/CVD)進(jìn)
行外延生長。
其中第一摻雜類型與第二摻雜類型相反。
其中注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同。
步驟(2):淀積薄膜I，淀積并光刻薄膜II。薄膜i和n是后續(xù)步驟
的屏蔽薄膜。
其中，薄膜i和薄膜n使用不同的腐蝕劑或不同的方法腐蝕，它們可以
是單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。本實施例中，薄膜I是電介質(zhì)薄膜，例如Si02，薄
膜II是金屬疊層結(jié)構(gòu)，例如CrAu疊層結(jié)構(gòu)。
步驟(3):利用所述光刻后的薄膜II做掩模腐蝕薄膜I，縱向腐蝕完
成之后，還繼續(xù)進(jìn)行一段時間的橫向腐蝕，使其橫向鉆蝕一定的距離，以 保證在后續(xù)注入過程金屬能做到完全掩蔽，該工藝稱為過腐蝕自對準(zhǔn)工 藝。
步驟(4):使用腐蝕劑腐蝕發(fā)射區(qū)。該腐蝕劑刻相對于基區(qū)材料選擇
性地腐蝕發(fā)射區(qū)材料，該刻蝕步驟到達(dá)基區(qū)自停止。形成圖1A所示的結(jié)
構(gòu)。其中，腐蝕發(fā)射區(qū)的腐蝕劑對于基區(qū)和發(fā)射區(qū)材料的腐蝕比足夠大，
例如本實施例中，腐蝕比大于15。
步驟(5):對外基區(qū)進(jìn)行離子注入摻雜，形成增厚的外基區(qū)區(qū)域16a 和16b。其中注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同。形成圖 1B所示的結(jié)構(gòu)。
步驟(6):充分腐蝕薄膜I，其上薄膜II自動脫落。
步驟(7):光刻基區(qū)并腐蝕基區(qū)直至基片，基片作為器件收集極的接 觸材料。得出圖1C所示的結(jié)構(gòu)。
步驟(8):在整個表面淀積鈍化層17，執(zhí)行退火以激活注入的雜質(zhì)元 素，然后光刻電極窗口，制造電極18。得出的結(jié)構(gòu)見圖1D。
其中，鈍化層可以是SiON、 Si02、 Si3N4薄膜等。其中退火工藝可以 在淀積鈍化薄膜之前或之后執(zhí)行。該實施例中，采用相同的金屬或金屬疊 層同時形成收集極、基極和發(fā)射極電極。也可以用不同的金屬或金屬疊層 形成收集極、基極和發(fā)射極電極，但需要額外的掩模板。
盡管本發(fā)明是通過實施例描述的，這不應(yīng)該理解為本發(fā)明的所有內(nèi)容 和內(nèi)涵。毫無疑問，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員能夠?qū)Ρ景l(fā)明的各項技術(shù)進(jìn)行替換 和修改。因此，可將本申請的權(quán)利要求解釋成涵蓋在本發(fā)明原始精神與領(lǐng) 域下的所有替換和修正。
權(quán)利要求
1. 一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，包括基片；基片上的第一摻雜類型的收集極區(qū)域，收集極區(qū)域包括收集區(qū)和收集極接觸區(qū)；收集極區(qū)域上的第二摻雜類型的基極區(qū)域；基極區(qū)域之上的第一摻雜類型的發(fā)射極區(qū)域，發(fā)射極區(qū)域包括發(fā)射區(qū)和發(fā)射極帽層區(qū)域；以及發(fā)射極帽層區(qū)域、基極區(qū)域及收集極接觸區(qū)上的電極；其中，第一摻雜類型與第二摻雜類型相反；其中，注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其中，基片為玻璃基片、 陶瓷基片、不銹鋼基片、半導(dǎo)體基片、絕緣體上硅SOI基片、GaAs基片 或InP基片。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其中，基片為高摻半導(dǎo)體 基片，收集極接觸區(qū)合并在基片中。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或3的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其中，收集極區(qū)域、 基極區(qū)域、發(fā)射極區(qū)域材料可以分別是Si、 SiGe和Si，或分別是GaAs、 AlGaAs和GaAs或分別是InP、 InGaAsP和InP。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其中，收集極、基極、發(fā) 射極電極是相同的單層金屬或金屬疊層，或者是不同的單層金屬或金屬疊層。
6、 制備權(quán)利要求1所述異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的方法，包括以下步驟 步驟1:在基片上生長第一摻雜類型的收集極區(qū)域、第二摻雜類型的基區(qū)和第一摻雜類型的發(fā)射極區(qū)域，其中收集極區(qū)域包含收集極接觸區(qū)和 集電區(qū)，發(fā)射極區(qū)域包含發(fā)射區(qū)和發(fā)射極帽層區(qū)域； 其中第一摻雜類型與第二摻雜類型相反；其中注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同；步驟2:淀積薄膜I，淀積并光刻薄膜II;薄膜I和II為后續(xù)步驟的屏 蔽薄膜；步驟3:利用薄膜II做掩模腐蝕薄膜I，縱向腐蝕完成之后，繼續(xù)進(jìn)行橫向腐蝕，使其橫向鉆蝕一定的距離，以在后續(xù)注入過程金屬做到完全掩蔽；步驟4:腐蝕發(fā)射區(qū)，該腐蝕劑刻蝕相對于基區(qū)材料選擇性地腐蝕發(fā) 射區(qū)材料，該刻蝕步驟到達(dá)基區(qū)自停止；步驟5:對外基區(qū)進(jìn)行離子注入摻雜，形成增厚的外基區(qū)區(qū)域； 步驟6:腐蝕薄膜I，其上薄膜II自動脫落；步驟7:光刻基區(qū)并腐蝕基區(qū)直至基片，基片作為器件收集極接觸區(qū) 的材料；步驟8:在整個表面淀積鈍化層，執(zhí)行退火以激活注入的雜質(zhì)元素， 然后光刻電極窗口，制造電極。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6的制備方法，其中，基片為玻璃基片、陶瓷基片、 不銹鋼基片、半導(dǎo)體基片、絕緣體上硅SOI基片、GaAs基片或InP基片。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6的制備方法，其中，基片為高摻半導(dǎo)體基片，收 集極接觸區(qū)合并在基片中。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6或8的制備方法，其中，收集極區(qū)域、基極區(qū)域、 發(fā)射極區(qū)域的材料分別為Si、 SiGe禾PSi，或分別是GaAs、 AlGaAs、 GaAs 或分別是InP、 InGaAsP和InP。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6或9的制備方法，其中，收集極區(qū)域、基極區(qū)域、 發(fā)射極區(qū)域的材料采用固體源分子束、氣體源分子束外延、化學(xué)束外延、 化學(xué)汽相淀積的方法進(jìn)行生長。
11、 根據(jù)權(quán)利要求6的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作方法，其中，薄膜I 和薄膜II使用不同的腐蝕液或方法腐蝕，它們?yōu)閱螌咏Y(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求6的制備方法，其中，腐蝕發(fā)射區(qū)材料的腐蝕液對 于基區(qū)和發(fā)射區(qū)材料腐蝕的選擇比大于10。
13、 根據(jù)權(quán)利要求6的制備方法，其中，鈍化層為SiON、 Si02或Si3N4 薄膜。
14、 根據(jù)權(quán)利要求6的制備方法，其中，退火工藝在淀積鈍化薄膜之 前或之后執(zhí)行。
全文摘要
一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，包括基片；基片上的第一摻雜類型的收集極區(qū)域，收集極區(qū)域包括收集區(qū)和收集極接觸區(qū)；收集極區(qū)域上的第二摻雜類型的基極區(qū)域；基極區(qū)域之上的第一摻雜類型的發(fā)射極區(qū)域，發(fā)射極區(qū)域包括發(fā)射區(qū)和發(fā)射極帽層區(qū)域；以及發(fā)射極帽層區(qū)域、基極區(qū)域及收集極接觸區(qū)上的電極；第一摻雜類型與第二摻雜類型相反；注入外基區(qū)的離子的摻雜類型與第二摻雜類型相同。本發(fā)明通過結(jié)合過腐蝕自對準(zhǔn)工藝和離子注入工藝，對外基區(qū)進(jìn)行摻雜，其效果是減小基區(qū)串聯(lián)電阻，同時增加基區(qū)歐姆接觸區(qū)厚度，保證充分合金，提高成品率。
文檔編號H01L29/66GK101207151SQ200610165549
公開日2008年6月25日 申請日期2006年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月21日
發(fā)明者飛 姚, 成步文, 王啟明, 薛春來 申請人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所