專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)未慰删幊檀鎯?chǔ)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非易失性存儲(chǔ)器及其制造方法，且特別是涉及一種單次可編程存儲(chǔ)器及其制造方法。
背景技術(shù)：
非易失性存儲(chǔ)器可以依照數(shù)據(jù)存入的方式而細(xì)分為掩模式只讀存儲(chǔ)器(Mask ROM)、可抹除且可編程只讀存儲(chǔ)器(Erasable Programmable ROM；EPROM)、可電抹除且可編程只讀存儲(chǔ)器(Electrically Erasable ProgrammableROM；E2PROM)、單次可編程只讀存儲(chǔ)器(One Time Programmable ROM；OTPROM)等。
美國(guó)專(zhuān)利US 6678190揭露了一種單次可編程化只讀存儲(chǔ)器，以設(shè)置于N阱上的兩串接的P型晶體管分別作為選擇柵極與浮置柵極。由于無(wú)須配置控制柵極，因此具有能夠與CMOS工藝整合的優(yōu)點(diǎn)。
然而，隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界莫不以制作出速度更快、尺寸更小的產(chǎn)品為目標(biāo)，因此半導(dǎo)體元件的集成度(Integration)勢(shì)必會(huì)持續(xù)不斷地增加。線寬縮小的結(jié)果，往往會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)器通道的電流過(guò)小，這么一來(lái)，很容易會(huì)造成數(shù)據(jù)誤判的情形而降低存儲(chǔ)器的可靠度。
此外，由于元件的集成度增高，在接觸窗開(kāi)口的蝕刻工藝中，很容易產(chǎn)生誤對(duì)準(zhǔn)的情形，使得接觸窗開(kāi)口會(huì)蝕刻到摻雜區(qū)旁的隔離結(jié)構(gòu)，造成P型摻雜區(qū)與N阱會(huì)產(chǎn)生PN接合，發(fā)生漏電流的問(wèn)題。
為了避免上述PN接合的問(wèn)題，業(yè)界多會(huì)在隔離結(jié)構(gòu)上形成一層氮化硅層，以防止過(guò)度蝕刻的發(fā)生。然而，由于氮化硅具有阻陷電荷的特性，將使得浮置柵極中所儲(chǔ)存的部分電荷會(huì)落入氮化硅層，從而導(dǎo)致通道的電流過(guò)小，降低存儲(chǔ)器的操作效率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種單次可編程存儲(chǔ)器，可以提高選擇柵極與浮置柵極下方的通道寬度，進(jìn)而增大通道的電流。
本發(fā)明的另一目的是提供一種單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法，能夠以簡(jiǎn)單的工藝，形成通道電流較高的單次可編程存儲(chǔ)器。
本發(fā)明提出一種單次可編程存儲(chǔ)器，包括基底、多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)、第一晶體管與第二晶體管。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底中，定義出有源區(qū)，各隔離結(jié)構(gòu)上具有凹陷，使隔離結(jié)構(gòu)頂面低于基底頂面。第一晶體管設(shè)置于基底的有源區(qū)上，且延伸至該凹陷側(cè)壁，第一晶體管的柵極為選擇柵極。第二晶體管設(shè)置于基底的有源區(qū)上，與第一晶體管串接。第二晶體管的柵極為浮置柵極，此浮置柵極呈區(qū)塊狀橫跨于有源區(qū)的基底上，且延伸至凹陷側(cè)壁。
上述單次可編程存儲(chǔ)器中，還包括柵介電層，設(shè)置于浮置柵極與基底之間。此外，選擇柵極與基底之間設(shè)置有選擇柵極介電層。
上述單次可編程存儲(chǔ)器中，第一晶體管與第二晶體管為P型晶體管。
上述單次可編程存儲(chǔ)器中，還包括一掩模層，設(shè)置于隔離結(jié)構(gòu)與浮置柵極之間。其中，掩模層的材料例如是氮化硅。
上述單次可編程存儲(chǔ)器中，浮置柵極的材料包括摻雜多晶硅。
上述單次可編程存儲(chǔ)器，其隔離結(jié)構(gòu)上設(shè)置有凹陷，使得選擇柵極和浮置柵極得以延伸至此凹陷側(cè)壁，如此一來(lái)，可以在不增加浮置柵極尺寸的情況下，加大通道區(qū)的寬度，進(jìn)而加大電流。
本發(fā)明提出另一種單次可編程存儲(chǔ)器，包括多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)、多個(gè)存儲(chǔ)單元、多個(gè)選擇柵極線、多個(gè)源極線與多個(gè)位線。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底中，各隔離結(jié)構(gòu)上具有凹陷，使隔離結(jié)構(gòu)頂面低于基底頂面。存儲(chǔ)單元呈行列排列，設(shè)置于基底上。各存儲(chǔ)單元包括第一晶體管與第二晶體管。第一晶體管的柵極為選擇柵極，且該選擇柵極延伸至該凹陷側(cè)壁。第二晶體管的柵極為浮置柵極，浮置柵極呈區(qū)塊狀橫跨于隔離結(jié)構(gòu)之間的基底上，且延伸至凹陷側(cè)壁。其中，第一晶體管的第二端點(diǎn)(漏極)串接至第二晶體管的第一端點(diǎn)(源極)。多個(gè)選擇柵極線橫跨隔離結(jié)構(gòu)與基底而設(shè)置，各選擇柵極線連接同一行的第一晶體管的柵極。多個(gè)源極線分別耦接同一行的第一晶體管的第一端點(diǎn)(源極)。多個(gè)位線分別耦接同一列的第二晶體管的第二端點(diǎn)(漏極)。
上述單次可編程存儲(chǔ)器中，還包括柵介電層，設(shè)置于浮置柵極與基底之間。選擇柵極與基底之間設(shè)置有選擇柵極介電層。
上述單次可編程存儲(chǔ)器中，相鄰兩存儲(chǔ)單元是以鏡像對(duì)稱(chēng)的方式配置。
上述單次可編程存儲(chǔ)器中，第一晶體管與第二晶體管為P型晶體管。
上述單次可編程存儲(chǔ)器中，還包括掩模層，設(shè)置于隔離結(jié)構(gòu)與浮置柵極之間。其中，掩模層的材料例如是氮化硅。
上述單次可編程存儲(chǔ)器，在隔離結(jié)構(gòu)上設(shè)置有凹陷，使得選擇柵極和浮置柵極得以延伸至此凹陷側(cè)壁，如此一來(lái)，可以在不增加浮置柵極尺寸的情況下，增大通道寬度，而得到較大的存儲(chǔ)器電流。則即使掩模層可能會(huì)阻陷些許電荷，也不會(huì)因電流過(guò)小而導(dǎo)致操作效率低落。
本發(fā)明提出一種單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法，此方法例如是提供基底，基底中已形成有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)。然后，移除各隔離結(jié)構(gòu)的一部分，在隔離結(jié)構(gòu)上形成凹陷。接著，在基底上形成柵介電層與導(dǎo)體材料層，導(dǎo)體材料層伸入凹陷中。繼而，圖案化導(dǎo)體材料層，形成多個(gè)浮置柵極與多個(gè)選擇柵極，其中，浮置柵極呈區(qū)塊狀橫跨于隔離結(jié)構(gòu)之間的基底上，且延伸至凹陷側(cè)壁，選擇柵極則呈條狀也跨于隔離結(jié)構(gòu)的凹陷側(cè)壁與基底上。之后，以浮置柵極與選擇柵極為掩模，在基底中形成多個(gè)摻雜區(qū)。
上述單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法中，在隔離結(jié)構(gòu)上形成凹陷的方法例如是濕式或干式蝕刻法。
上述單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法中，還包括于形成摻雜區(qū)之后，在基底上形成一層掩模層。掩模層的材料例如是氮化硅。
上述單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法中，形成浮置柵極的方法例如是先于導(dǎo)體材料層上形成圖案化光致抗蝕劑層，圖案化光致抗蝕劑層暴露出位于隔離結(jié)構(gòu)上的部分導(dǎo)體材料層，然后移除暴露出的導(dǎo)體材料層，之后再移除圖案化光致抗蝕劑層。
上述單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法，摻雜區(qū)為P型摻雜區(qū)。
本發(fā)明利用簡(jiǎn)單的工藝，在隔離結(jié)構(gòu)上形成凹陷，使得選擇柵極和浮置柵極得以延伸設(shè)置于凹陷的側(cè)壁，而加大了浮置柵極下方的通道區(qū)的寬度，因此能夠提高通道電流。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。


圖1A是繪示本發(fā)明的實(shí)施例的一種單次可編程存儲(chǔ)器的電路簡(jiǎn)圖。
圖1B是繪示本發(fā)明的實(shí)施例的一種單次可編程存儲(chǔ)器的俯視圖。
圖1C是沿著圖1B的I-I’線的剖面示意圖。
圖1D是沿著圖1B的II-II’線的剖面示意圖。
圖1E是沿著圖1B的III-III’線的剖面示意圖。
圖2A至圖2C為圖1B中，沿著I-I’剖面所得的Y方向的制作流程剖面圖。
圖3A至圖3B為圖1B中，沿著II-II’剖面所得的X方向的制作流程剖面圖。
簡(jiǎn)單符號(hào)說(shuō)明100、200基底105、205N阱110、210隔離結(jié)構(gòu)113有源區(qū)115、215凹陷116選擇柵極介電層118、218柵介電層120、240選擇柵極130、230浮置柵極140a、140b、140c、250a、250b、250c摻雜區(qū)150、248掩模層225圖案化光致抗蝕劑層242淺摻雜區(qū)BL1、BL2、BL3位線M1、M2晶體管MC存儲(chǔ)單元SG1、SG2選擇柵極線SL1、SL2源極線具體實(shí)施方式
圖1A是繪示本發(fā)明的實(shí)施例的一種單次可編程存儲(chǔ)器的電路簡(jiǎn)圖。圖1B是繪示本發(fā)明的實(shí)施例的一種單次可編程存儲(chǔ)器的俯視圖。圖1C是沿著圖1B的I-I’線的剖面示意圖。圖1D是沿著圖1B的II-II’線的剖面示意圖。圖1E是沿著圖B的III-III’線的剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A、圖1B、圖1C、圖1D與圖1E。本發(fā)明提出的單次可編程存儲(chǔ)器例如是由基底100、多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)110、多個(gè)存儲(chǔ)單元MC、選擇柵極線SG1、SG2、源極線SL1、SL2與位線BL1、BL2、BL3所組成的。
基底100例如是硅基底。隔離結(jié)構(gòu)110例如是平行地設(shè)置于基底100中，往X方向延伸，隔離結(jié)構(gòu)110定義出有源區(qū)113。各隔離結(jié)構(gòu)110上具有凹陷115，因此，隔離結(jié)構(gòu)110的頂面會(huì)低于基底100的頂面，而裸露出有源區(qū)113的基底100的部分側(cè)壁。
多個(gè)存儲(chǔ)單元MC例如是呈行列排列，設(shè)置于基底100上。各存儲(chǔ)單元MC設(shè)置于基底100的N阱105上，其例如是由串接的晶體管M1與晶體管M2所構(gòu)成，晶體管M1的漏極連接至晶體管M2的源極，亦即，晶體管M1與晶體管M2共享一個(gè)摻雜區(qū)140b。晶體管M1的源極(摻雜區(qū)140a)、晶體管M2的漏極(摻雜區(qū)140c)與摻雜區(qū)140b例如是摻雜有硼摻雜物的P型摻雜區(qū)。
晶體管M1的柵極120為選擇柵極，晶體管M2的柵極130為浮置柵極。選擇柵極(柵極120)例如是呈條狀，橫跨于隔離結(jié)構(gòu)110與基底100上，且延伸至凹陷115側(cè)壁。浮置柵極(柵極130)例如是呈區(qū)塊狀橫跨于隔離結(jié)構(gòu)110之間的基底100上，且延伸至凹陷115的側(cè)壁。柵極120與柵極130的材料例如是摻雜多晶硅。柵極120與基底100之間例如是設(shè)置有一層選擇柵極介電層116，而柵極130與基底100之間例如是設(shè)置有一層?xùn)沤殡妼?18。選擇柵極介電層116與柵介電層118的材料例如是氧化硅。
請(qǐng)參照?qǐng)D1C與圖1D，基底100上例如是還可以設(shè)置有一層掩模層150，此掩模層150例如是覆蓋住晶體管M1、晶體管M2以及隔離結(jié)構(gòu)110。掩模層150的材料例如是氮化硅。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A，相鄰兩存儲(chǔ)單元MC例如是以鏡像對(duì)稱(chēng)的方式而配置。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1A與圖1B，選擇柵極線SG1、SG2例如是橫跨隔離結(jié)構(gòu)110，設(shè)置于基底100上，往Y方向延伸。這些選擇柵極線SG1、SG2連接同一行(Y方向上)的晶體管M1的柵極120。
源極線SL1、SL2例如是設(shè)置于基底100上，往Y方向延伸。源極線SL1、SL2分別耦接同一行(Y方向上)的晶體管M1的源極(摻雜區(qū)140a)。
位線BL1、BL2、BL3例如是設(shè)置于基底100上，往X方向延伸。位線BL1、BL2、BL3分別耦接同一列(X方向上)的晶體管M2的漏極(摻雜區(qū)140c)。
上述單次可編程存儲(chǔ)器，由于在隔離結(jié)構(gòu)110上設(shè)置有凹陷115，因此選擇柵極(柵極120)和浮置柵極(柵極130)得以延伸至此凹陷115側(cè)壁，而可以在不增加浮置柵極尺寸的情況下，加大通道區(qū)的寬度，進(jìn)而增加電流，有效地提高注入浮置柵極的電荷數(shù)目。
同時(shí)，由于注入浮置柵極的電荷數(shù)目增加，因此，即使在隔離結(jié)構(gòu)110上設(shè)置有掩模層150，也不會(huì)由于掩模層150(如氮化硅)可能產(chǎn)生的電荷陷入效應(yīng)，而影響存儲(chǔ)單元的操作效率。故而，仍得以設(shè)置掩模層150，避免因接觸窗蝕刻誤差，導(dǎo)致P型摻雜區(qū)(140a或140c)與N阱105接觸所造成的漏電流。
以下即說(shuō)明上述單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法。圖2A至圖2C為圖1B中，沿著I-I’剖面所得的Y方向的制作流程剖面圖。圖3A至圖3B為圖1B中，沿著II-II’剖面所得的X方向的制作流程剖面圖。
請(qǐng)先參照?qǐng)D2A，此方法例如是先提供基底200，基底200例如是P型硅基底，基底200中例如是已形成有N阱205?；?00中已形成有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)210，隔離結(jié)構(gòu)210的形成方法例如是淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)工藝。
然后，移除各隔離結(jié)構(gòu)210的一部分，在隔離結(jié)構(gòu)210上形成凹陷215。移除部分隔離結(jié)構(gòu)210的方法例如是濕式或干式蝕刻法。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2B-1(較薄的導(dǎo)體層220)、圖2B-2(較厚的導(dǎo)體層220)與圖3A，在基底200上形成一層?xùn)沤殡妼?18與一層導(dǎo)體材料層220，導(dǎo)體材料層220會(huì)伸入凹陷215中，沿著凹陷215的內(nèi)壁而設(shè)置(如圖B1所示)，或是填滿凹陷215(如圖2B-2)。其中，柵介電層218的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法或是化學(xué)氣相沉積法。
導(dǎo)體材料層220的材料例如是摻雜多晶硅，其形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，進(jìn)行離子注入步驟以形成之；或者也可以采用臨場(chǎng)注入摻雜物的方式，以化學(xué)氣相沉積法形成之。
繼而，在導(dǎo)體材料層220上形成一層圖案化光致抗蝕劑層225，圖案化光致抗蝕劑層225例如是暴露出位于隔離結(jié)構(gòu)210上的部分導(dǎo)體材料層220。圖案化光致抗蝕劑層225的形成方法例如是先以旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)方式在導(dǎo)體材料層220上形成一層正光致抗蝕劑，在曝光后進(jìn)行圖案的顯影而形成。當(dāng)然，圖案化光致抗蝕劑層225會(huì)一并覆蓋住預(yù)定形成選擇柵極的部分導(dǎo)體材料層220(如圖3A所示)。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2C與圖3B，移除暴露出的導(dǎo)體材料層220，形成多個(gè)浮置柵極230與多個(gè)選擇柵極240。其中，浮置柵極230呈區(qū)塊狀橫跨于隔離結(jié)構(gòu)210之間的基底200上，且延伸至凹陷215的側(cè)壁。選擇柵極240則呈條狀橫跨于隔離結(jié)構(gòu)210上。移除部分導(dǎo)體材料層220的方法例如是反應(yīng)性離子蝕刻法。
然后，利用浮置柵極230與選擇柵極240為掩模，進(jìn)行摻雜物注入工藝，以形成摻雜區(qū)250a、250b、250c。摻雜區(qū)250a、250b、250c例如是含有硼摻雜物的P型摻雜區(qū)。當(dāng)然，形成摻雜區(qū)250a、250b、250c之前，還可以形成淺摻雜區(qū)242與間隙壁245。至于后續(xù)完成此單次可編程存儲(chǔ)器的方法應(yīng)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知，在此不贅述。
值得一提的是，在形成浮置柵極230與選擇柵極240之后(或是在形成間隙壁245之后)，可以選擇性地在基底200上形成一層掩模層248。掩模層248的材料例如是氮化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。掩模層248可以作為蝕刻接觸窗開(kāi)口時(shí)的蝕刻終止層，以避免接觸窗開(kāi)口蝕刻過(guò)深，而導(dǎo)致P型摻雜區(qū)250與N阱205產(chǎn)生PN接合所產(chǎn)生的漏電問(wèn)題。
本發(fā)明利用簡(jiǎn)單的工藝，在隔離結(jié)構(gòu)210上形成凹陷215，使得選擇柵極240和浮置柵極230得以延伸于凹陷215側(cè)壁，而加大了選擇柵極240和浮置柵極230下方的通道區(qū)的寬度，進(jìn)而提高通道電流，增加進(jìn)入浮置柵極230的電荷數(shù)目。
這么一來(lái)，就可以在不增加選擇柵極240和浮置柵極230關(guān)鍵尺寸的情況下，提高存儲(chǔ)器的可靠度，避免因電流過(guò)小導(dǎo)致誤判的問(wèn)題。
此外，由于浮置柵極230的寬度增加，能夠注入浮置柵極230的電荷數(shù)增多，因此，即使在隔離結(jié)構(gòu)210上設(shè)置有掩模層248，也不會(huì)由于掩模層150(如氮化硅)可能產(chǎn)生的電荷陷入效應(yīng)，而影響存儲(chǔ)單元的操作。并且還可以減少漏電流的產(chǎn)生，拉長(zhǎng)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)保存的時(shí)間。
雖然本發(fā)明以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種單次可編程存儲(chǔ)器，包括基底；多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述基底中，定義出有源區(qū)，各所述隔離結(jié)構(gòu)上具有凹陷，使所述些隔離結(jié)構(gòu)頂面低于所述基底頂面；第一晶體管，設(shè)置于所述有源區(qū)上，且延伸至所述凹陷側(cè)壁，所述第一晶體管的柵極為選擇柵極；以及第二晶體管，設(shè)置于所述有源區(qū)上，與所述第一晶體管串接，所述第二晶體管的柵極為浮置柵極，所述浮置柵極呈區(qū)塊狀橫跨于所述有源區(qū)的基底上，且延伸至所述凹陷側(cè)壁。
2.如權(quán)利要求1所述的單次可編程存儲(chǔ)器，還包括柵介電層，設(shè)置于所述浮置柵極與所述基底之間。
3.如權(quán)利要求1所述的單次可編程存儲(chǔ)器，還包括選擇柵極介電層，設(shè)置于所述選擇柵極與所述基底之間。
4.如權(quán)利要求1所述的單次可編程存儲(chǔ)器，其中所述第一晶體管與所述第二晶體管為P型晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的單次可編程存儲(chǔ)器，還包括掩模層，設(shè)置于所述隔離結(jié)構(gòu)與所述浮置柵極之間。
6.如權(quán)利要求5所述的單次可編程存儲(chǔ)器，其中所述掩模層的材料包括氮化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的單次可編程存儲(chǔ)器，其中所述浮置柵極的材料包括摻雜多晶硅。
8.一種單次可編程存儲(chǔ)器，包括基底；多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述基底中，各所述些隔離結(jié)構(gòu)上具有凹陷，使所述些隔離結(jié)構(gòu)頂面低于所述基底頂面；多個(gè)存儲(chǔ)單元，呈行列排列，設(shè)置于所述基底上，各所述些存儲(chǔ)單元包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極為選擇柵極，且所述選擇柵極延伸至所述凹陷側(cè)壁；以及第二晶體管，所述第二晶體管的柵極為浮置柵極，所述浮置柵極呈區(qū)塊狀橫跨于所述些隔離結(jié)構(gòu)之間的所述基底上，且延伸至所述凹陷側(cè)壁，其中，所述第一晶體管的第二端點(diǎn)(漏極)串接至所述第二晶體管的第一端點(diǎn)(源極)；多個(gè)選擇柵極線，橫跨所述些隔離結(jié)構(gòu)與所述基底而設(shè)置，各所述選擇柵極線連接同一行的所述些第一晶體管的柵極；多個(gè)源極線，分別耦接同一行的所述些第一晶體管的第一端點(diǎn)(源極)；以及多個(gè)位線，分別耦接同一列的所述些第二晶體管的第二端點(diǎn)(漏極)。
9.如權(quán)利要求8所述的單次可編程存儲(chǔ)器，還包括柵介電層，設(shè)置于所述浮置柵極與所述基底之間。
10.如權(quán)利要求8所述的單次可編程存儲(chǔ)器，還包括選擇柵極介電層，設(shè)置于所述選擇柵極與所述基底之間。
11.如權(quán)利要求8所述的單次可編程存儲(chǔ)器，其中相鄰二存儲(chǔ)單元是以鏡像對(duì)稱(chēng)的方式配置。
12.如權(quán)利要求8所述的單次可編程存儲(chǔ)器，其中所述第一晶體管與所述第二晶體管為P型晶體管。
13.如權(quán)利要求8所述的單次可編程存儲(chǔ)器，還包括掩模層，設(shè)置于所述隔離結(jié)構(gòu)與所述浮置柵極之間。
14.如權(quán)利要求13所述的單次可編程存儲(chǔ)器，其中所述掩模層的材料包括氮化硅。
15.一種單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法，包括提供基底，所述基底中已形成有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)；移除各所述些隔離結(jié)構(gòu)的一部分，在所述些隔離結(jié)構(gòu)上形成多個(gè)凹陷；在所述基底上形成柵介電層；在所述基底上形成導(dǎo)體材料層，所述導(dǎo)體材料層伸入所述些凹陷中；圖案化所述導(dǎo)體材料層，形成多個(gè)浮置柵極與多個(gè)選擇柵極，而且，使所述些選擇柵極與所述些浮置柵極呈區(qū)塊狀至少橫跨于所述些隔離結(jié)構(gòu)之間的所述基底上，并延伸至所述些凹陷側(cè)壁；以及以所述浮置柵極與所述選擇柵極為掩模，在所述基底中形成多個(gè)摻雜區(qū)。
16.如權(quán)利要求15所述的單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法，其中在所述些隔離結(jié)構(gòu)上形成所述些凹陷的方法包括濕式或干式蝕刻法。
17.如權(quán)利要求15所述的單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法，還包括于形成所述些摻雜區(qū)之后，在所述基底上形成掩模層。
18.如權(quán)利要求17所述的單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法，其中所述掩模層的材料包括氮化硅。
19.如權(quán)利要求15所述的單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法，其中形成所述些浮置柵極的方法包括在所述導(dǎo)體材料層上形成圖案化光致抗蝕劑層，所述圖案化光致抗蝕劑層暴露出位于所述些隔離結(jié)構(gòu)上的部分所述導(dǎo)體材料層；移除暴露出的所述導(dǎo)體材料層；以及移除所述圖案化光致抗蝕劑層。
20.如權(quán)利要求15所述的單次可編程存儲(chǔ)器的制造方法，其中所述些摻雜區(qū)為P型摻雜區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種單次可編程存儲(chǔ)器，其包括基底、多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)、第一晶體管與第二晶體管。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底中，定義出有源區(qū)。各隔離結(jié)構(gòu)上具有凹陷，使隔離結(jié)構(gòu)頂面低于基底頂面。第一晶體管設(shè)置于基底的有源區(qū)上，且延伸至該凹陷側(cè)壁，第一晶體管的柵極為選擇柵極。第二晶體管設(shè)置于基底的有源區(qū)上，與第一晶體管串接。第二晶體管的柵極為浮置柵極，此浮置柵極呈區(qū)塊狀橫跨于隔離結(jié)構(gòu)之間的基底上，且延伸至凹陷側(cè)壁。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101064315SQ20061007705
公開(kāi)日2007年10月31日 申請(qǐng)日期2006年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月26日
發(fā)明者張格滎, 黃宗正, 黃彥宏 申請(qǐng)人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司