專(zhuān)利名稱(chēng)：共模軛流圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在電子設(shè)備等中使用的共模軛流圈。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的共模軛流圈，已知有例如在日本專(zhuān)利特開(kāi)平8-203737號(hào)公報(bào)中記載的共模軛流圈。該文獻(xiàn)中記載的共模軛流圈具備一對(duì)磁性體基板和夾在這些磁性體基板之間的疊層體。疊層體具有絕緣層和隔著該絕緣層疊層的兩個(gè)線圈導(dǎo)體。通過(guò)將這樣的共模軛流圈設(shè)置到電纜等接口(interface)，可以降低在數(shù)據(jù)傳送時(shí)產(chǎn)生的噪聲。

發(fā)明內(nèi)容
然而，近年來(lái)，人們強(qiáng)烈要求數(shù)據(jù)傳送的高速化。作為實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳送高速化的一個(gè)方法，可以舉出使傳送頻率成為高頻(例如800MHz)的方法。在采用該方法的情況下，需要即便傳送頻率是高頻也可以正常工作的、即高頻特性良好的共模軛流圈。
本發(fā)明的目的在于提供可以提高高頻特性的共模軛流圈。
人們知道在要想使共模軛流圈以期望的傳送頻率工作的情況下，只要將共模軛流圈設(shè)計(jì)為使得對(duì)差分模式噪聲的截止頻率變成為傳送頻率的大約3～5倍的值即可。例如，要想在傳送頻率為800MHz時(shí)使共模軛流圈正常工作的情況下，就必須使截止頻率變成為大約2.4～4GHz。即，要想提高共模軛流圈的高頻特性，就必須使截止頻率變成為更高的頻率。
所以，本發(fā)明人等銳意進(jìn)行了使截止頻率變成為更高頻率的探討。其結(jié)果是新發(fā)現(xiàn)了在具備共模軛流圈的線圈導(dǎo)體的寬度和長(zhǎng)度與截止頻率之間存在相關(guān)關(guān)系，完成本發(fā)明。
本發(fā)明的共模軛流圈具備夾著絕緣層進(jìn)行疊層并相互磁耦合的第一和第二線圈導(dǎo)體的共模軛流圈，在對(duì)差分模式噪聲的截止頻率為fc(MHz)時(shí)，第一和第二線圈導(dǎo)體中的至少一個(gè)線圈導(dǎo)體的寬度W(mm)和長(zhǎng)度L(mm)滿足關(guān)系式(L/W)＜(7.6651-fc)/0.1385。
由于第一和第二線圈導(dǎo)體中的至少一個(gè)具有滿足上述關(guān)系式的L和W，所以截止頻率fc成為高頻。由此，可以提高可使共模軛流圈正常工作的傳送頻率，共模軛流圈的高頻特性成為良好。
優(yōu)選第一和第二線圈導(dǎo)體呈具有多個(gè)直線部和連接該直線部之間的多個(gè)彎曲部的大致螺旋形狀。在第一和第二線圈導(dǎo)體中滿足上述關(guān)系式的線圈導(dǎo)體中，多個(gè)彎曲部中的至少一個(gè)彎曲部彎曲成具有規(guī)定的曲率。在該情況下，通過(guò)使彎曲部彎曲成具有規(guī)定的曲率，與使彎曲部成為連接直線與直線的形狀相比，線圈導(dǎo)體的長(zhǎng)度變短。其結(jié)果是，根據(jù)上述關(guān)系式，截止頻率fc變成為更高的頻率，共模軛流圈的高頻特性變得更好。
優(yōu)選第一和第二線圈導(dǎo)體呈由曲線構(gòu)成的螺旋形狀。在該情況下，與線圈導(dǎo)體是將直線折彎的形狀而成的螺旋相比，第一和第二線圈導(dǎo)體的長(zhǎng)度確實(shí)變短。所以，截止頻率fc成為更高的頻率，共模軛流圈的高頻特性更好。
優(yōu)選第一和第二線圈導(dǎo)體形成為螺旋狀，具有形成各個(gè)線圈導(dǎo)體的導(dǎo)體圖案的寬度和匝步距(卷きピッチ)全部相等的螺旋部，各線圈導(dǎo)體部彼此夾著絕緣層并重合，螺旋部由對(duì)螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)的規(guī)定位置每90度區(qū)分的四個(gè)線圈區(qū)域構(gòu)成，四個(gè)線圈區(qū)域中的三個(gè)形成為導(dǎo)體圖案以規(guī)定位置為中心的圓弧，四個(gè)線圈區(qū)域中剩下的一個(gè)由形成為導(dǎo)體圖案以離開(kāi)規(guī)定位置僅為導(dǎo)體圖案的匝步距的量的位置為中心的圓弧的圓弧區(qū)域；和位于三個(gè)線圈區(qū)域中的任一個(gè)與圓弧區(qū)域之間，僅所述導(dǎo)體圖案的匝步距的量的導(dǎo)體圖案形成為直線的直線區(qū)域構(gòu)成。
作為用來(lái)提高截止頻率的一個(gè)方法，可以考慮縮短形成第一和第二線圈導(dǎo)體的各個(gè)導(dǎo)體圖案的線長(zhǎng)度的方法。要想縮短導(dǎo)體圖案的線長(zhǎng)，將第一和第二線圈導(dǎo)體的螺旋部的導(dǎo)體圖案作成圓形形狀是理想的。但是，由于螺旋部是螺旋狀地連續(xù)地形成的，所以要將螺旋部的所有的部分都作成圓形形狀是不可能的。
所以，在第一和第二線圈導(dǎo)體的螺旋部中，要使導(dǎo)體圖案的寬度和匝步距整體都相等。將螺旋部對(duì)于螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域的規(guī)定位置每90度區(qū)分成四個(gè)線圈區(qū)域，將其中的三個(gè)線圈區(qū)域形成為導(dǎo)體圖案是以螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)的規(guī)定位置為中心的圓弧。將剩下的一個(gè)區(qū)域作成為導(dǎo)體圖案以離開(kāi)螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)的規(guī)定位置僅為導(dǎo)體圖案的匝步距的量的位置為中心的圓弧的圓弧區(qū)域；和位于三個(gè)線圈區(qū)域中的任一個(gè)與圓弧區(qū)域之間，僅所述導(dǎo)體圖案的匝步距的量的導(dǎo)體圖案形成為直線的直線區(qū)域。此時(shí)，在螺旋部中，如上所述，導(dǎo)體圖案的寬度和匝步距整體都變?yōu)橄嗟?。由此，通過(guò)將直線區(qū)域的導(dǎo)體圖案的直線部分的長(zhǎng)度作成導(dǎo)體圖案的匝步距的量的長(zhǎng)度，作為螺旋部的導(dǎo)體圖案整體形成為可以確實(shí)地連續(xù)。
因此，將螺旋部的形狀作成大致圓形形狀(由于導(dǎo)體圖案的一部分已變成為直線，所以并不是完全的圓形形狀)的上述構(gòu)成，是螺旋部的導(dǎo)體圖案的線長(zhǎng)度最有效地變短的圖案。通過(guò)這樣的構(gòu)成，由于可以確實(shí)地縮短形成第一和第二線圈導(dǎo)體的導(dǎo)體圖案的線長(zhǎng)，所以共模軛流圈的截止頻率增高。其結(jié)果是共模軛流圈的高頻特性進(jìn)一步良好。
優(yōu)選第一和第二線圈導(dǎo)體還具有連接到螺旋部，朝向絕緣層的邊緣部分延伸的引出部，螺旋部與引出部之間的連接部分設(shè)置在三個(gè)線圈區(qū)域中的任何一個(gè)上，剩下的一個(gè)線圈區(qū)域與具有螺旋部和引出部之間的連接部分的線圈區(qū)域鄰接。通過(guò)在第一和第二線圈導(dǎo)體上設(shè)置引出部，可以容易地進(jìn)行第一和第二線圈導(dǎo)體與外部電極之間的電連接。
優(yōu)選在絕緣層中與螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上設(shè)置有形成孔穴并將磁性材料埋入而成的磁路形成用的內(nèi)側(cè)絕緣除去部。通過(guò)在絕緣層設(shè)置磁路形成用的內(nèi)側(cè)絕緣除去部，在絕緣層中與螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上形成磁路。由此，由于共模軛流圈的電阻增高，所以可以抑制噪聲的發(fā)生。
優(yōu)選在絕緣層中與螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位設(shè)置有形成孔穴或切口并將磁性材料埋入而成的磁路形成用的外側(cè)絕緣除去部，外側(cè)絕緣除去部設(shè)置在與絕緣層中包圍螺旋部的大致正方形的假想線的角部對(duì)應(yīng)的部位。通過(guò)在絕緣層上設(shè)置磁路形成用的外側(cè)絕緣除去部，由于可在與絕緣層的與螺旋部的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位形成磁路，所以可以提高共模軛流圈的電阻。在該情況下，通過(guò)在絕緣層中與包圍螺旋部的大致正方形的假想線的角部對(duì)應(yīng)的部位設(shè)置外側(cè)絕緣層除去部，所以即便減小螺旋部的尺寸，也可以在絕緣層的與螺旋部的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上確保磁路。為此，在絕緣層中與螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上設(shè)置上述那樣的磁路形成用的內(nèi)側(cè)絕緣除去部的情況下，不會(huì)給該內(nèi)側(cè)絕緣除去部的尺寸造成影響。在該情況下，由于可以形成空間效率好的閉合磁路構(gòu)造，所以可以進(jìn)一步提高共模軛流圈的電阻特性，可以進(jìn)一步抑制噪聲的發(fā)生。
優(yōu)選第一和第二線圈導(dǎo)體具有形成為大致圓形的螺旋狀的螺旋部，各個(gè)線圈導(dǎo)體的螺旋部之間夾著絕緣層重疊，在絕緣層中與螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上，設(shè)置有形成孔穴并埋入磁性材料而成的第一磁路形成用絕緣除去部，在絕緣層中與螺旋部的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上，設(shè)置有形成孔穴或切口并埋入磁性材料而成的第二磁路形成用絕緣除去部，第二磁路形成用絕緣除去部設(shè)置在絕緣層中與包圍螺旋部的大致正方形的假想線的角部對(duì)應(yīng)的部位上。通過(guò)將第一和第二線圈導(dǎo)體的螺旋部的形狀作成大致圓形形狀，在絕緣層中與包圍螺旋部的大致正方形的假想線的角部對(duì)應(yīng)的部位上設(shè)置第二磁路形成用絕緣除去部，即便減小螺旋部的尺寸，也可以在與絕緣層的螺旋部的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上形成合適的磁路。在該情況下，由于可以在螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域上確保寬的空間，所以可以使第一磁路形成用絕緣除去部的區(qū)域形成得小。由此，由于可以充分發(fā)揮因第一磁路形成用絕緣除去部和第二磁路形成用絕緣除去部而形成的閉合磁路構(gòu)造的效果，所以可以確實(shí)地增加共模軛流圈的電阻。
優(yōu)選絕緣層疊層為夾著各線圈導(dǎo)體并跨越多層，第一磁路形成用絕緣除去部和第二磁路形成用絕緣除去部設(shè)置在除層構(gòu)造體的最下層的絕緣層之外的各絕緣層。在共模軛流圈中層構(gòu)造體的最下層的絕緣層上，大多不形成用于電連接不同的導(dǎo)體層的接觸孔。為此，通過(guò)作成在最下層的絕緣層上不設(shè)置第一磁路形成用絕緣除去部和第二磁路形成用絕緣除去部的構(gòu)成，由于沒(méi)有必要對(duì)其絕緣層全部都實(shí)施孔開(kāi)口加工，所以可以實(shí)現(xiàn)工時(shí)的削減。
優(yōu)選絕緣層疊層為夾著各線圈導(dǎo)體并跨越多層，第一磁路形成用絕緣除去部和第二磁路形成用絕緣除去部設(shè)置在層構(gòu)造體的所有絕緣層。在該情況下，由于可以在絕緣層增加磁路的區(qū)域，所以可以最大限度地發(fā)揮由第一磁路形成用絕緣除去部和第二磁路形成用絕緣除去部形成的閉合磁路構(gòu)造的效果，可以進(jìn)一步提高共模軛流圈的電阻。
優(yōu)選第二磁路形成用絕緣除去部分別設(shè)置在絕緣層中與大致正方形形狀的假想線的四個(gè)角部對(duì)應(yīng)的部位上。在該情況下，由于在絕緣層的磁路的區(qū)域增加，所以可以進(jìn)一步提高共模軛流圈的電阻。
優(yōu)選第一磁路形成用絕緣除去部呈截面圓形形狀。由于螺旋部的內(nèi)周形狀是大致圓形形狀，所以通過(guò)使第一磁路形成用絕緣除去部的形狀為截面圓形形狀，第一磁路形成用絕緣除去部可以最有效地利用螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域的寬的空間。由此，可以實(shí)現(xiàn)共模軛流圈的電阻的進(jìn)一步的增加。
優(yōu)選第二磁路形成用絕緣除去部呈截面三角形或其一部分具有沿著螺旋部的外周形狀的曲線的截面形狀。在該情況下，由于第二磁路形成用絕緣除去部可以有效地利用螺旋部的外側(cè)區(qū)域的空著的空間，所以可以實(shí)現(xiàn)共模軛流圈的電阻的進(jìn)一步的增加。
若采用本發(fā)明，可以提高共模軛流圈的高頻特性。由此，例如在進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳送時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)高的傳送特性。
從以下的詳細(xì)的說(shuō)明本發(fā)明的附圖可更全面地了解本發(fā)明，但是，這些說(shuō)明和附圖僅為說(shuō)明本發(fā)明，不應(yīng)當(dāng)理解為是對(duì)本發(fā)明的限定。
從以下給出的詳述可以了解本發(fā)明的更多的可以應(yīng)用的領(lǐng)域。但是，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)說(shuō)明和特例應(yīng)當(dāng)理解為僅僅是為了進(jìn)行說(shuō)明，因?yàn)閷?duì)專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)在本發(fā)明的宗旨和范圍內(nèi)可以有各種更改和變形。


圖1表示第一實(shí)施方式的共模軛流圈的斜視圖。
圖2是表示圖1所示的元件的分解斜視圖。
圖3是說(shuō)明第一和第二線圈導(dǎo)體的構(gòu)成的立體圖。
圖4是表示具備已評(píng)價(jià)的共模軛流圈的元件的分解斜視圖。
圖5是說(shuō)明具有圖4所示的元件的第一線圈導(dǎo)體的構(gòu)成的立體圖。
圖6是表示使第一線圈導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度和整個(gè)長(zhǎng)度變化時(shí)的衰減特性的曲線圖。
圖7是表示第一線圈導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度和整個(gè)長(zhǎng)度與截止頻率之間的關(guān)系的曲線圖。
圖8是表示第二實(shí)施方式的共模軛流圈的分解斜視圖。
圖9是說(shuō)明第一和第二線圈導(dǎo)體的構(gòu)成的立體圖。
圖10是說(shuō)明第一線圈導(dǎo)體的構(gòu)成的立體圖。
圖11是表示第三實(shí)施方式的共模軛流圈的斜視圖。
圖12是表示圖11所示的元件的分解斜視圖。
圖13是表示圖12所示的最下層的絕緣層和形成于該絕緣層上的導(dǎo)體層的立體圖。
圖14是表示圖12所示的從下面開(kāi)始數(shù)第二層的絕緣層和形成于該絕緣層上的導(dǎo)體層的立體圖。
圖15是表示圖12所示的從下面開(kāi)始數(shù)第三層的絕緣層和形成于該絕緣層上的導(dǎo)體層的立體圖。
圖16是表示圖12所示的從下面開(kāi)始數(shù)第四層的絕緣層和形成于該絕緣層上的導(dǎo)體層的立體圖。
圖17是表示圖12所示的從下面開(kāi)始數(shù)第五層的絕緣層的立體圖。
圖18是表示制作圖12所示的元件的工序的截面圖。
圖19是表示比較例中現(xiàn)有的共模軛流圈中絕緣層和形成于該絕緣層上的導(dǎo)體層的立體圖。
圖20是表示對(duì)于共模軛流圈的各種樣品，通過(guò)仿真得到的共模阻抗與截止頻率之間的關(guān)系的圖表。
圖21是表示圖12所示的元件的變形例的分解斜視圖。
圖22是表示圖21所示的最下層的絕緣層與形成于該絕緣層上的導(dǎo)體層的立體圖。
圖23表示圖12所示的元件的另一變形例的分解斜視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。其中，在說(shuō)明中，對(duì)于同一要素或具有同一功能的要素賦予同一符號(hào)，省略重復(fù)的說(shuō)明。
(第一實(shí)施方式)參照?qǐng)D1～圖3，對(duì)第一實(shí)施方式的共模軛流圈CC1進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示第一實(shí)施方式的共模軛流圈的斜視圖。圖2是表示圖1所示的元件的分解斜視圖。圖3是說(shuō)明第一和第二線圈導(dǎo)體的構(gòu)成的立體圖。圖3(a)表示第一線圈導(dǎo)體的構(gòu)成，圖3(b)表示第二線圈導(dǎo)體的構(gòu)成。
如圖1所示，共模軛流圈CC1是薄膜型的共模軛流圈，呈長(zhǎng)方體的形狀。共模軛流圈CC1具備端子電極1和元件2。端子電極1設(shè)置在元件2的側(cè)面。元件2作為一對(duì)磁性體具有第一磁性基板MB1和第二磁性基板MB2，同時(shí)還具有層構(gòu)造體LS。以下，對(duì)元件2的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。
第一磁性基板MB1和第二磁性基板MB2是由燒結(jié)鐵酸鹽、復(fù)合鐵酸鹽(含有粉狀的鐵酸鹽的樹(shù)脂)等磁性材料構(gòu)成的基板。
如圖2所示，層構(gòu)造體LS包括第一絕緣層3、第一引出部5、第二絕緣層7、第一線圈導(dǎo)體9、第三絕緣層11、第二線圈導(dǎo)體13、第四絕緣層15、第二引出部17、第五絕緣層19和粘接層21。
第一絕緣層3由電絕緣性和磁絕緣性優(yōu)良而且加工性好的樹(shù)脂材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等)構(gòu)成。第一絕緣層3起著緩和第一磁性基板MB1的凹凸，提高與第一引出部5等導(dǎo)體之間的密接性的作用。在第一絕緣層3上設(shè)置有用來(lái)使第一引出部5的端部露出的切口。第一絕緣層3可如下地形成。首先，向第一磁性基板MB1上涂敷上述樹(shù)脂材料。之后，使涂敷的樹(shù)脂材料曝光、顯影，在規(guī)定的位置形成有切口等的狀態(tài)下使之硬化。作為樹(shù)脂材料的涂敷，有旋轉(zhuǎn)涂布(spin coated)法、浸泡法、噴涂法等。
在第一絕緣層3上形成有第一引出部5。第一引出部5的一端電連接于第一線圈導(dǎo)體9的螺旋的內(nèi)側(cè)的端部9a。第一引出部5的另一端露出。
第二絕緣層7與第一絕緣層3同樣，由電絕緣性和磁絕緣性優(yōu)良且加工性好的樹(shù)脂材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等)構(gòu)成。第二絕緣層7設(shè)置有用來(lái)使第一線圈導(dǎo)體9的端部露出的切口。第二絕緣層7通過(guò)與第一絕緣層3同樣的方法形成在第一絕緣層3和第一引出部5上。
在第二絕緣層7上形成有第一線圈導(dǎo)體9。第一線圈導(dǎo)體9包括具有導(dǎo)電性的金屬材料(例如，Cu等)。如在圖3(a)中所示的那樣，第一線圈導(dǎo)體9呈由直線部9c和彎曲部9d構(gòu)成的螺旋的形狀。彎曲部9d是連接直線部9c與直線部9c的部分。該彎曲部9d彎曲成規(guī)定的曲率，是曲線形狀。第一線圈導(dǎo)體9的螺旋部的外側(cè)的端部9b露出。
第一線圈導(dǎo)體9如下形成。在第二絕緣層7上形成導(dǎo)體薄膜，通過(guò)光刻法形成第一線圈導(dǎo)體9的圖案。其中，也可以在形成基底導(dǎo)體膜之后再形成保護(hù)膜，通過(guò)光刻法在該保護(hù)膜上形成相當(dāng)于第一線圈導(dǎo)體9的圖案的模具，通過(guò)電鍍使導(dǎo)電性金屬材料在模具內(nèi)生長(zhǎng)，形成第一線圈導(dǎo)體9。除去模具使用的保護(hù)膜和露出的基底導(dǎo)體膜。
在第二絕緣層7上形成有用來(lái)使在第二絕緣層7上形成的第一線圈導(dǎo)體9與在第一絕緣層3上形成的第一引出部5接觸并電連接的接觸孔。
第三絕緣層11與第一和第二絕緣層3、7同樣，由電絕緣性和磁絕緣性優(yōu)良而且加工性好的樹(shù)脂材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等)構(gòu)成。在第三絕緣層11上設(shè)置有用來(lái)使第二線圈導(dǎo)體13的端部露出的切口。第三絕緣層11可通過(guò)與第一絕緣層3同樣的方法形成在第二絕緣層7、第一線圈導(dǎo)體9上。
在第三絕緣層11上形成有第二線圈導(dǎo)體13。第二線圈導(dǎo)體13包括具有導(dǎo)電性的金屬材料(例如，Cu等)。該第二線圈導(dǎo)體13具有與第一線圈導(dǎo)體9大致相同的電感值，全長(zhǎng)比第一線圈導(dǎo)體9稍微長(zhǎng)一點(diǎn)。如圖3(b)所示，第二線圈導(dǎo)體13呈由直線部13c和彎曲部13d構(gòu)成的螺旋的形狀。彎曲部13d是連接直線部13c與直線部13c的部分。該彎曲部13d彎曲成規(guī)定的曲率，是曲線形狀。第二線圈導(dǎo)體13的螺旋的外側(cè)的端部13b露出。第二線圈導(dǎo)體13可通過(guò)與第一線圈導(dǎo)體9同樣的方法形成。
在第三絕緣層11上形成有用來(lái)使在第三絕緣層11上形成的第二線圈導(dǎo)體13與在第四絕緣層15上形成的第二引出部17接觸并電連接的接觸孔。
第四絕緣層15與第一～第三絕緣層3、7、11同樣，由電絕緣性和磁絕緣性優(yōu)良而且加工性好的樹(shù)脂材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等)構(gòu)成。在第四絕緣層15上設(shè)置有用來(lái)使第二引出部17的端部露出的切口。第四絕緣層15可通過(guò)與第一絕緣層3同樣的方法形成在第三絕緣層11、第二線圈導(dǎo)體13上。
在第四絕緣層15上形成有第二引出部17。第二引出部17的一端電連接于第二線圈導(dǎo)體13的螺旋部的內(nèi)側(cè)的端部13a。第二引出部17的另一端露出。
在第四絕緣層15上形成有用來(lái)使在第三絕緣層11上形成的第二線圈導(dǎo)體13與在第四絕緣層15上形成的第二引出部17接觸并電連接的接觸孔。
第四絕緣層15與第一～第四絕緣層3、7、11、15同樣，由電絕緣性和磁絕緣性優(yōu)良而且加工性好的樹(shù)脂材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等)構(gòu)成。第五絕緣層19可通過(guò)與第一絕緣層3同樣的方法形成在第四絕緣層15和第二引出部17上。
粘接層21可通過(guò)粘接劑(例如，環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂或聚酰胺樹(shù)脂等)構(gòu)成。粘接層21形成在第五絕緣層19上，使第二磁性基板MB2與第五絕緣層19接合。
在第一絕緣層3上，在與第一和第二線圈導(dǎo)體9、13的端部9b、13b和第二引出部17的端部對(duì)應(yīng)的位置形成有切口，在該切口內(nèi)設(shè)置有電連接到各端部的導(dǎo)體23。在第二絕緣層7上，在與第二線圈導(dǎo)體13的端部13b、第一和第二引出部5、17的端部對(duì)應(yīng)的位置形成有切口，在該切口內(nèi)設(shè)置有電連接到各個(gè)端部的導(dǎo)體25。在第三絕緣層11上，在與第一線圈導(dǎo)體9的端部9b、第一和第二引出部5、17的端部對(duì)應(yīng)的位置形成有切口，在該切口內(nèi)設(shè)置有電連接到各端部上的導(dǎo)體27。在第四絕緣層15上，在與第一和第二線圈導(dǎo)體9、13的端部9b、13b和第一引出部5的端部對(duì)應(yīng)的位置形成有切口，在該切口內(nèi)設(shè)置有電連接到各端部上的導(dǎo)體29。
第一和第二線圈導(dǎo)體9、13與第一和第二引出部5、17，各自與對(duì)應(yīng)的端子電極1接觸并電連接。端子電極1可通過(guò)在以掩膜濺射法成膜Cr/Cu膜或Ti/Cu膜之后，使用Ni/Sn實(shí)施電鍍而形成。
在如上所述的構(gòu)成的共模軛流圈CC1中，第一線圈導(dǎo)體9和第二線圈導(dǎo)體13隔著第三絕緣層11疊層。由此，結(jié)果就變成第一線圈導(dǎo)體9與第二線圈導(dǎo)體13彼此磁耦合。
在第一線圈導(dǎo)體9和第二線圈導(dǎo)體13中的全長(zhǎng)短的線圈導(dǎo)體，即第一線圈導(dǎo)體9，其導(dǎo)體寬度(寬度)W1和全長(zhǎng)(長(zhǎng)度)L1滿足下式(1)表示的關(guān)系。
(L1/W1)＜(7.6651-fc)/0.1385 ……(1)這里，第一線圈導(dǎo)體9的全長(zhǎng)L1是從第一線圈導(dǎo)體9的螺旋的內(nèi)側(cè)的端部9a到螺旋的外側(cè)的端部9b的導(dǎo)體長(zhǎng)度。
在本實(shí)施方式中，使第一線圈導(dǎo)體9滿足上述式(1)表示的關(guān)系，但第二線圈導(dǎo)體13的導(dǎo)體寬度W2和全長(zhǎng)L2也可以滿足以下式(2)表示的關(guān)系。
(L2/W2)＜(7.6651-fc)/0.1385 ……(2)式(2)在將式(1)的W1置換成第二線圈導(dǎo)體13的導(dǎo)體寬度W2的同時(shí)，將式(1)的L1置換成第二線圈導(dǎo)體13的全長(zhǎng)L2。第二線圈導(dǎo)體13的全長(zhǎng)L2是從第二線圈導(dǎo)體13的螺旋的內(nèi)側(cè)的端部13a到螺旋的外側(cè)的端部13b的導(dǎo)體長(zhǎng)度。
這里，對(duì)上述的式(1)的根據(jù)進(jìn)行說(shuō)明。如上所述的式(1)是根據(jù)對(duì)具有與共模軛流圈CC1同樣的構(gòu)成的共模軛流圈進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果得到的公式。圖4是表示具備已進(jìn)行評(píng)價(jià)的共模軛流圈的元件的分解斜視圖。圖5是說(shuō)明具有圖4所示的元件的第一線圈導(dǎo)體的構(gòu)成的立體圖。
如圖4所示，具備已進(jìn)行評(píng)價(jià)的共模軛流圈的元件2具有第一磁性基板MB1、第二磁性基板MB2、第一絕緣層3、第一引出部5、第二絕緣層7、第三絕緣層11、第四絕緣層15、第二引出部17、第五絕緣層19和粘接層21。已進(jìn)行評(píng)價(jià)的共模軛流圈具有第一線圈導(dǎo)體30和第二線圈導(dǎo)體40。第一線圈導(dǎo)體30相當(dāng)于具有共模軛流圈CC1的第一線圈導(dǎo)體9。第二線圈導(dǎo)體40相當(dāng)于具有共模軛流圈CC1的第二線圈導(dǎo)體13。第二線圈導(dǎo)體40具有與第一線圈導(dǎo)體30大致相同的電感值，但全長(zhǎng)比第一線圈導(dǎo)體30稍微長(zhǎng)一點(diǎn)。
第一線圈導(dǎo)體30具有導(dǎo)體寬度W3和全長(zhǎng)L3。這里，全長(zhǎng)L3是從第一線圈導(dǎo)體30的螺旋的內(nèi)側(cè)的端部30a到螺旋的外側(cè)的端部30b的導(dǎo)體長(zhǎng)度。使導(dǎo)體寬度W3和全長(zhǎng)L3變化，考察共模軛流圈對(duì)差分模式噪聲的衰減特性。其結(jié)果示于圖6。特性G1是將(L3/W3)的值設(shè)定為30.2時(shí)的圖表，截止頻率約為3.2GHz。特性G2是將(L3/W3)的值設(shè)定為23.2時(shí)的圖表，截止頻率約為4.9GHz。這樣使(L3/W3)的值進(jìn)行各種變化，考察截止頻率成為高頻時(shí)的(L3/W3)的值。圖7是表示其結(jié)果的圖表。
如圖7的直線G3所示，可知在截止頻率fc是高頻(約2～5MHz)時(shí)，第一線圈導(dǎo)體30的導(dǎo)體寬度W3和全長(zhǎng)L3與截止頻率fc滿足以下式(3)表示的關(guān)系。
(L3/W3)＜(7.6651-fc)/0.1385 ……(3)已進(jìn)行評(píng)價(jià)的共模軛流圈與共模軛流圈CC1具有相同的構(gòu)成。因此，由式(3)可知，即便是在共模軛流圈CC1中，在第一線圈導(dǎo)體9的導(dǎo)體寬度W和全長(zhǎng)L與截止頻率fc滿足上述式(1)表示的關(guān)系時(shí)，也可以得到高的截止頻率fc。
在以高頻使共模軛流圈工作的情況下，認(rèn)為截止頻率fc必須是傳送頻率的約3倍以上的值。但是，如果考慮產(chǎn)品的偏差等，則優(yōu)選截止頻率為傳送頻率的約5倍以上的值。例如，如果傳送頻率約為800MHz，則期望的截止頻率就變成約4GHz以上。根據(jù)上述式(1)，可知為使截止頻率fc成為4GHz以上，第一線圈導(dǎo)體9的導(dǎo)體寬度W和全長(zhǎng)L只要滿足(L/W)＜26.5 ……(4)的關(guān)系即可。
其次，對(duì)以規(guī)定的曲率使第一線圈導(dǎo)體9的彎曲部9d彎曲的根據(jù)進(jìn)行說(shuō)明。這是根據(jù)對(duì)具備圖4所示的元件2的共模軛流圈進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果得到的。如圖7和式(3)所示，在具備圖4所示的元件2的共模軛流圈中，(L3/W3)的值越小，截止頻率的值越大。要想減小(L3/W3)的值，可以考慮加大W3而不改變L3或縮短L3而不改變W3這兩種方法。
首先，研究加大W3而不改變L3的方法。當(dāng)加大W3而不改變L3時(shí)，第三線圈導(dǎo)體30與此相應(yīng)地變大。當(dāng)?shù)谌€圈導(dǎo)體30變大后，形成第三線圈導(dǎo)體30的絕緣層也必須變大。其結(jié)果是產(chǎn)生要加大共模軛流圈的尺寸的必要。由于優(yōu)選共模軛流圈的尺寸小，故加大W3而不改變L3的方法并非有效。
其次，研究縮短L3而不改變W3的方法?？s短L3的方法之一可以考慮減少共模阻抗的匝數(shù)。但若減少匝數(shù)，則共模阻抗減小。為此，減少W3而縮短L3的方法并非有效。
于是，如圖5所示，以規(guī)定的曲率使第三線圈導(dǎo)體30的彎曲部31彎曲作成曲線形狀，而不改變?cè)褦?shù)。通過(guò)將彎曲部31作成曲線形狀，與用直線和直線形成的情況相比，可以縮短彎曲部的長(zhǎng)度。因此，可以縮短第三線圈導(dǎo)體30的全長(zhǎng)L3，可以在共模軛流圈中得到高的截止頻率fc。
已進(jìn)行評(píng)價(jià)的共模軛流圈與共模軛流圈CC1具有相同的構(gòu)成。因此，可知在共模軛流圈CC1中，通過(guò)以規(guī)定的曲率使第一線圈導(dǎo)體9的彎曲部9d彎曲，可以得到高的截止頻率fc而無(wú)須加大共模軛流圈CC1的尺寸。
如上所述，在本實(shí)施方式中，通過(guò)縮短第一線圈導(dǎo)體9的全長(zhǎng)L1滿足上述式(1)表示的關(guān)系，截止頻率變成高頻。由于截止頻率fc變成高頻，所以可提高共模軛流圈CC1的可正常工作的傳送頻率。因此，可以得到高頻特性良好的共模軛流圈CC1。
(第二實(shí)施方式)接著，參照?qǐng)D8和圖9對(duì)第二實(shí)施方式的共模軛流圈進(jìn)行說(shuō)明。圖8是表示具備第二實(shí)施方式的共模軛流圈的分解斜視圖。圖9是說(shuō)明第一和第二線圈導(dǎo)體的構(gòu)成的立體圖。圖9(a)表示第一線圈導(dǎo)體的構(gòu)成，圖9(b)表示第二線圈導(dǎo)體的構(gòu)成。
第二實(shí)施方式的共模軛流圈具備端子電極1和元件2。如圖8所示，元件2具有第一磁性基板MB1、第二磁性基板MB2、第一絕緣層3、第一引出部5、第二絕緣層7、第三絕緣層11、第四絕緣層15、第二引出部17、第五絕緣層19和粘接層21。元件2具有第一線圈導(dǎo)體50和第二線圈導(dǎo)體60。第一線圈導(dǎo)體50相當(dāng)于具有共模軛流圈CC1的第一線圈導(dǎo)體9。第二線圈導(dǎo)體60相當(dāng)于具有共模軛流圈CC1的第二線圈導(dǎo)體13。第五和第六線圈導(dǎo)體50、60與第一和第二線圈導(dǎo)體9、13的形狀不同。
如圖9(a)所示，第一線圈導(dǎo)體50由曲線形成。如圖9(b)所示，第二線圈導(dǎo)體60由曲線形成。第二線圈導(dǎo)體60具有與第一線圈導(dǎo)體50大致相同的電感值，全長(zhǎng)比第一線圈導(dǎo)體50稍微長(zhǎng)一點(diǎn)。第一和第二線圈導(dǎo)體50、60中的全長(zhǎng)短的線圈導(dǎo)體，即第一線圈導(dǎo)體50的導(dǎo)體寬度W4和全長(zhǎng)L4對(duì)差分模式噪聲的截止頻率fc滿足以下式(4)表示的關(guān)系。
(L4/W4)＜(7.6651-fc)/0.1385 ……(4)式(4)在將式(1)的W1置換成第一線圈導(dǎo)體50的導(dǎo)體寬度W4的同時(shí)，還將式(1)的L1置換成第二線圈導(dǎo)體50的全長(zhǎng)L4。第一線圈導(dǎo)體50的全長(zhǎng)L4是從第一線圈導(dǎo)體50的螺旋的內(nèi)側(cè)的端部50a到螺旋的外側(cè)的端部50b的導(dǎo)體長(zhǎng)度。
在本實(shí)施方式中，使第一線圈導(dǎo)體50滿足可用式(4)表示的關(guān)系，但也可以使第二線圈導(dǎo)體60的導(dǎo)體寬度W5和全長(zhǎng)L5滿足以下式(5)表示的關(guān)系。
(L5/W5)＜(7.6651-fc)/0.1385 ……(5)式(5)在將式(4)的W4置換成第二線圈導(dǎo)體60的導(dǎo)體寬度W5的同時(shí)，還將式(4)的L4置換成了第二線圈導(dǎo)體60的全長(zhǎng)L5。第一線圈導(dǎo)體60的全長(zhǎng)L5是從第二線圈導(dǎo)體60的螺旋的內(nèi)側(cè)的端部60a到螺旋的外側(cè)的端部60b的導(dǎo)體長(zhǎng)度。
在這里，對(duì)第一線圈導(dǎo)體50的全長(zhǎng)L4和僅用直線形成的線圈導(dǎo)體70(參照?qǐng)D10)的全長(zhǎng)進(jìn)行對(duì)比。線圈導(dǎo)體70的導(dǎo)體寬度W6是與第一線圈導(dǎo)體50的導(dǎo)體寬度W4相同的值。線圈導(dǎo)體70的橫方向的長(zhǎng)度X7與垂直于第一線圈導(dǎo)體50的疊層方向的橫方向的長(zhǎng)度X5值相同。線圈導(dǎo)體70的縱向方向的長(zhǎng)度Y7與第一線圈導(dǎo)體50的垂直于疊層方向的縱方向的長(zhǎng)度Y5是的值相同。相對(duì)于線圈導(dǎo)體70的全長(zhǎng)(從一端70a到另一端70b的長(zhǎng)度)為10.3mm，第一線圈導(dǎo)體50的全長(zhǎng)L4為8.6mm。即，第一線圈導(dǎo)體50的全長(zhǎng)對(duì)于線圈導(dǎo)體70的全長(zhǎng)短約17％。在線圈導(dǎo)體的全長(zhǎng)短約17％的情況下，使用第一線圈導(dǎo)體50的共模軛流圈的截止頻率與使用線圈導(dǎo)體70的共模軛流圈的截止頻率相比高約5～10％。如上所述，通過(guò)使用由曲線形成的第一線圈導(dǎo)體50，可以使截止頻率變成為更高的高頻。
在第一實(shí)施方式中，雖然將第一線圈導(dǎo)體9的彎曲部9d彎曲成曲線形狀，但彎曲部9d以外的部分也可以是曲線形狀。在該情況下，優(yōu)選第一線圈導(dǎo)體9的全長(zhǎng)的50％以上是曲線狀。這樣，可以使第一線圈導(dǎo)體9更短，其結(jié)果是可以使截止頻率成為更高的高頻。其中，第一線圈導(dǎo)體9是全長(zhǎng)都成為曲線的線圈導(dǎo)體，相當(dāng)于上述的第一線圈導(dǎo)體50。
在第一實(shí)施方式中，雖然使第一線圈導(dǎo)體9的所有的彎曲部9d都成為曲線狀，但也可以僅使第一線圈導(dǎo)體9的彎曲部9d中的一部分彎曲部9d成為曲線狀。
在第一和第二實(shí)施方式中，雖然使第一線圈導(dǎo)體9、50的全長(zhǎng)都比第二線圈導(dǎo)體13、60的全長(zhǎng)更短，但第一線圈導(dǎo)體9、50的全長(zhǎng)和第二線圈導(dǎo)體13、60的全長(zhǎng)也可以是相同。
(第三實(shí)施方式)其次，參照?qǐng)D面詳細(xì)說(shuō)明第三實(shí)施方式的共模軛流圈CC2。
圖11是表示第三實(shí)施方式的共模軛流圈CC2的斜視圖。在該圖中，本實(shí)施方式的共模軛流圈CC2是呈長(zhǎng)方體形狀的薄膜型的共模軛流圈。
共模軛流圈CC2具備由下部磁性基板102、層構(gòu)造體103和上部磁性基板104構(gòu)成的疊層體105；和設(shè)置在該疊層體105的側(cè)面部的四個(gè)端子電極106。層構(gòu)造體103配置在下部磁性基板102與上部磁性基板104之間。下部磁性基板102與上部磁性基板104是由燒結(jié)鐵酸鹽、復(fù)合鐵酸鹽(含有粉狀的鐵酸鹽的樹(shù)脂)等磁性材料構(gòu)成的基板。
圖12是表示疊層體105的分解斜視圖。在該圖中，層構(gòu)造體103從下開(kāi)始依次疊層絕緣層107、導(dǎo)體層108、絕緣層109、導(dǎo)體層110、絕緣層111、導(dǎo)體層112、絕緣層113、導(dǎo)體層114、絕緣層115、磁性層116和粘接層117。
最下層的絕緣層107是即使下部磁性基板102的上表面有凹凸，也要使其與導(dǎo)體層108之間的密著性良好的層。絕緣層107由電絕緣性和磁絕緣性優(yōu)良且加工性好的樹(shù)脂材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等)構(gòu)成。
導(dǎo)體層108形成在絕緣層107上。如圖13所示，導(dǎo)體層108具有引出導(dǎo)體118、連接導(dǎo)體119、引出電極120a～120d。引出電極120a、120b形成在絕緣層107的上表面的一個(gè)邊緣部。引出電極120c、120d在絕緣層107的上表面的相反側(cè)的邊緣部分形成為分別與引出電極120a、120b相對(duì)。引出導(dǎo)體118呈L字形狀。引出導(dǎo)體118的一端連接到引出電極120a，引出導(dǎo)體118的另一端連接到連接導(dǎo)體119。作為形成這樣的導(dǎo)體層108的金屬材料，優(yōu)選使用導(dǎo)電性和加工性等優(yōu)良的金屬(例如，Cu或Al等)。
絕緣層109形成在導(dǎo)體層108上。絕緣層109由與上述絕緣層107相同的樹(shù)脂材料構(gòu)成。在絕緣層109形成有用來(lái)電連接導(dǎo)體層110的線圈導(dǎo)體121(后述)和連接導(dǎo)體119的接觸孔(未圖示)。
導(dǎo)體層110形成在絕緣層109上。如圖14所示，導(dǎo)體層110具有線圈導(dǎo)體121和引出電極122a～122d。導(dǎo)體層110由與上述導(dǎo)體層108相同的金屬材料形成。引出電極122a～122d分別形成在與上述引出電極122a～122d對(duì)應(yīng)的位置。
線圈導(dǎo)體121由形成為螺旋狀的螺旋部123；和與該螺旋部123的外側(cè)端部連接、朝向引出電極122c延伸的L字型的引出部124構(gòu)成。在螺旋部123中，形成線圈導(dǎo)體121的導(dǎo)體圖案125的寬度W和導(dǎo)體圖案125之間的間隔D全部相等。由此，在螺旋部123中，導(dǎo)體圖案125的匝步距PI全部相等。其中，導(dǎo)體圖案125的匝步距PI以導(dǎo)體圖案125的寬度W和導(dǎo)體圖案125之間的間隔D之和表示。
螺旋部123形成為整個(gè)呈大致圓形形狀。具體地說(shuō)，螺旋部123由對(duì)于該螺旋部123的內(nèi)側(cè)區(qū)域的中心位置(第一圓弧形成中心位置)G0每90度區(qū)分的四個(gè)線圈區(qū)域123a～123d構(gòu)成。
線圈區(qū)域123a～123c形成為形成線圈導(dǎo)體121的導(dǎo)體圖案125以第一圓弧形成中心位置G0為中心的圓弧。
線圈區(qū)域123d由與線圈區(qū)域123c鄰接的圓弧區(qū)域126、位于線圈區(qū)域123a與圓弧區(qū)域126之間的直線區(qū)域127構(gòu)成。圓弧區(qū)域126形成為以形成線圈導(dǎo)體121的導(dǎo)體圖案125在X方向(對(duì)引出電極的相對(duì)方向垂直的方向)從第一圓弧形成中心位置G0僅離開(kāi)規(guī)定的量的位置(第二圓弧形成中心位置)G1為中心的圓弧。直線區(qū)域127形成為導(dǎo)體圖案125在X方向從線圈區(qū)域123a到圓弧區(qū)域126延伸的直線。
這里，在螺旋部123中，如上所述的導(dǎo)體圖案125的寬度W和匝步距PI全部相等。為此，在使第二圓弧形成中心位置G1在X方向上從第一圓弧形成中心位置G0離開(kāi)導(dǎo)體圖案125的匝步距(一個(gè)步距)PI的量的同時(shí)，使直線區(qū)域127的導(dǎo)體圖案125的直線部分的長(zhǎng)度L與導(dǎo)體圖案125的匝步距PI長(zhǎng)度相同。因此，存在于線圈區(qū)域123a內(nèi)的導(dǎo)體圖案125與存在于線圈區(qū)域123c內(nèi)的導(dǎo)體圖案125隔著存在于線圈區(qū)域123d內(nèi)的導(dǎo)體圖案125確實(shí)地連接，可以得到導(dǎo)體圖案125的一部分是直線狀的大致圓形形狀的螺旋部123。
螺旋部123的內(nèi)側(cè)端部設(shè)置在線圈區(qū)域123b，螺旋部123的外側(cè)端部設(shè)置在線圈區(qū)域123a。為此，存在于線圈區(qū)域123d內(nèi)的導(dǎo)體圖案125的匝數(shù)比存在于線圈區(qū)域123a、123b內(nèi)的導(dǎo)體圖案125的匝數(shù)僅少一匝。
引出部124配置在上述引出導(dǎo)體118的相反側(cè)。引出部124的一端連接到引出電極122c，引出部124的另一端連接到螺旋部123的外側(cè)端部。
絕緣層111形成在導(dǎo)體層110上，絕緣層111由與上述絕緣層107相同的樹(shù)脂材料構(gòu)成。
導(dǎo)體層112形成在絕緣層111上。如圖15所示，導(dǎo)體層112具有線圈導(dǎo)體128、引出電極129a～129d。導(dǎo)體層112由與上述導(dǎo)體層108相同的金屬材料形成。引出電極129a～129d分別形成在與上述引出電極120a～120d對(duì)應(yīng)的位置。
線圈導(dǎo)體128由形成為螺旋狀的螺旋部130和與該螺旋部130的外側(cè)端部連接、朝向引出電極129d延伸的L字型的引出部131構(gòu)成。螺旋部130的構(gòu)造與線圈導(dǎo)體121的螺旋部123完全相同。即，螺旋部130與螺旋部123同樣，形成為形成線圈導(dǎo)體128的導(dǎo)體圖案132的一部分呈直線狀的大致圓形形狀。此外，螺旋部123、130彼此之間隔著絕緣層111上下重疊。
引出部131形成在與上述引出部124相同側(cè)。引出部131的一端連接到引出電極129d，引出部131的另一端連接到螺旋部130的外側(cè)端部。
絕緣層113形成在導(dǎo)體層112上。絕緣層113由與上述絕緣層107相同的樹(shù)脂材料構(gòu)成。在絕緣層113上形成有用來(lái)電連接線圈導(dǎo)體128和引出導(dǎo)體133(后述)的接觸孔(未圖示)。
導(dǎo)體層114形成在絕緣層113上。如圖16所示，導(dǎo)體層114具有引出導(dǎo)體133、連接導(dǎo)體134、引出電極135a～135d。導(dǎo)體層114由與上述的導(dǎo)體層108相同的金屬材料形成。引出電極135a～135d分別形成在與上述引出電極120a～120d對(duì)應(yīng)的位置。引出導(dǎo)體133為L(zhǎng)字狀，在與上述引出導(dǎo)體118相同側(cè)形成。引出導(dǎo)體133的一端連接到引出電極135b，引出導(dǎo)體133的另一端連接到連接導(dǎo)體134。
絕緣層115形成在導(dǎo)體層114上。絕緣層115由與上述絕緣層107相同的樹(shù)脂材料構(gòu)成。
磁性層116形成在絕緣層115上。磁性層116是用來(lái)在共模軛流圈CC2上形成閉合磁路的層。磁性層116通過(guò)例如含有粉狀的鐵酸鹽的樹(shù)脂(含有磁粉的樹(shù)脂)等磁性材料形成。
粘接層117是形成在磁性層116上、將磁性層116和上部磁性基板104接合的層。粘接層117通過(guò)例如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂或聚酰胺樹(shù)脂等粘接劑形成。
如圖12和圖14～圖17所示，在絕緣層109、111、113、115中的與螺旋部123、130的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上設(shè)置有閉合磁路形成用的內(nèi)側(cè)絕緣除去部136。該內(nèi)側(cè)絕緣除去部136通過(guò)在絕緣層109、111、113、115形成貫通孔137，在貫通孔137內(nèi)埋入與形成磁性層116的磁性材料J相同的材料構(gòu)成。作為內(nèi)側(cè)絕緣除去部136(貫通孔137)的形狀，與大致圓形形狀的螺旋部123、130相對(duì)應(yīng)，優(yōu)選作成截面圓形形狀。
在絕緣層109、111、113、115的與螺旋部123、130的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上，每四個(gè)地設(shè)置有閉合磁路形成用的絕緣除去部138。該外側(cè)絕緣除去部138通過(guò)在絕緣層109、111、113、115上形成切口139，在切口139內(nèi)埋入與形成磁性層116的磁性材料J相同的材料構(gòu)成。
如圖14和圖15所示，外側(cè)絕緣除去部138設(shè)置在絕緣層109、111、113、115的與包圍螺旋部123、130的大致正方形的假想線PL的四個(gè)角部對(duì)應(yīng)的部位。該區(qū)域是在與絕緣層109、111、113、115的大致圓形形狀的螺旋部123、130的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位中，可以得到比較大的空間的區(qū)域。作為外側(cè)絕緣除去部138(切口139)形狀，優(yōu)選作成截面三角形或在其一部分上具有沿著螺旋部123、130的外周的曲線的截面形狀。
作為外側(cè)絕緣除去部138的構(gòu)造，與內(nèi)側(cè)絕緣除去部136相同，也可以是在絕緣層109、111、113、115上形成貫通孔，向該貫通孔埋入磁性材料J構(gòu)成的構(gòu)造。
在如上所述的疊層體105的相對(duì)的側(cè)面105A、105B(參照?qǐng)D11)上，每?jī)蓚€(gè)地設(shè)置有上述的端子電極106。設(shè)置在疊層體105的側(cè)面105A的兩個(gè)端子電極106中的一個(gè)與引出電極120a、122a、129a、135a電連接，該兩個(gè)端子電極106的另一個(gè)與引出電極120b、122b、129b、135b電連接。設(shè)置在疊層體105的側(cè)面105B的兩個(gè)端子電極106中的一個(gè)與引出電極120c、122c、129c、135c電連接，該兩個(gè)端子電極106的另一個(gè)與引出電極120d、122d、129d、135d電連接。
在本實(shí)施方式中，線圈導(dǎo)體121、128的寬度和長(zhǎng)度滿足上述式(1)表示的關(guān)系。
其次，說(shuō)明制造如上構(gòu)成的共模軛流圈CC2的步驟。首先，如下所述制作疊層體105。
即，通過(guò)例如旋轉(zhuǎn)涂布法、浸泡法、噴涂法等向下部磁性基板102上涂敷上述樹(shù)脂材料并使之硬化，形成絕緣層107。接著，通過(guò)例如在絕緣層107上形成導(dǎo)體薄膜，由光刻法形成引出導(dǎo)體118、連接導(dǎo)體119和引出電極120a～120d的圖案，形成導(dǎo)體層108。
接著，與絕緣層107的形成方法同樣地在導(dǎo)體層108上形成絕緣層109。之后，例如通過(guò)刻蝕在絕緣層109上形成用來(lái)將連接導(dǎo)體119和線圈導(dǎo)體121電連接的接觸孔(未圖示)。此時(shí)，與形成接觸孔同時(shí)，除去絕緣層109的中央部分的樹(shù)脂，形成貫通孔137，同時(shí)，除去絕緣層109的端部的一部分樹(shù)脂，形成四個(gè)切口139。
接著，通過(guò)與導(dǎo)體層108的形成方法同樣地在絕緣層109上形成線圈導(dǎo)體121和引出電極122a～122d的圖案，形成導(dǎo)體層110。之后，與絕緣層107、109的形成方法同樣地在導(dǎo)體層110上形成絕緣層111，再在絕緣層111上形成貫通孔137和四個(gè)切口139。
接著，通過(guò)與導(dǎo)體層108的形成方法同樣地在絕緣層111上形成線圈導(dǎo)體128和引出電極129a～129d的圖案，形成導(dǎo)體層112。之后，與絕緣層107、109的形成方法同樣地在導(dǎo)體層112上形成絕緣層113，再在絕緣層113上形成接觸孔(未圖示)、貫通孔137和四個(gè)切口139。
接著，通過(guò)與導(dǎo)體層108的形成方法同樣地在絕緣層113上形成引出導(dǎo)體133、連接導(dǎo)體134和引出電極135a～135d的圖案，形成導(dǎo)體層114。之后，與絕緣層107、109的形成方法同樣地在導(dǎo)體層114上形成絕緣層115，再在絕緣層115上形成貫通孔137和四個(gè)切口139。
由此，如圖18(a)所示，在下部磁性基板102上形成內(nèi)置有線圈導(dǎo)體121、128的層構(gòu)造中間體140。在該層構(gòu)造中間體140上，除最下層的絕緣層107之外，形成有由絕緣層109、111、113、115的貫通孔137造成的洼部141和由絕緣層109、111、113、115的切口139造成的四個(gè)切口部142。
接著，如圖18(b)所示，向洼部141和各切口部142埋入含有磁粉的樹(shù)脂，同時(shí)在已將含有磁粉的樹(shù)脂涂敷到層構(gòu)造中間體140的上表面的狀態(tài)下，使含有磁粉的樹(shù)脂硬化。由此，在層構(gòu)造中間體140上形成內(nèi)側(cè)絕緣除去部136和外側(cè)絕緣除去部138的同時(shí)，在層構(gòu)造中間體140上形成磁性層116。之后，研磨該磁性層116，使磁性層116的上表面平坦化。
接著，如圖18(c)所示，向磁性層116上涂敷環(huán)氧樹(shù)脂等的粘接劑，形成粘接層117。之后，將上部磁性基板104粘貼到粘接層117的上表面。由此，可以得到上述的疊層體105。
此時(shí)，最下層的絕緣層107是未形成接觸孔的絕緣層。由此，通過(guò)作成如上所述的在最下層的絕緣層107內(nèi)不設(shè)置絕緣除去部136和外側(cè)絕緣除去部138的構(gòu)成，沒(méi)有必要對(duì)該絕緣層107全部實(shí)施孔開(kāi)口加工等，所以可實(shí)現(xiàn)工時(shí)的削減。
之后，在疊層體105的相對(duì)側(cè)面105A、105B上每?jī)蓚€(gè)地形成端子電極106。具體地說(shuō)，通過(guò)例如掩膜濺射法在疊層體105的側(cè)面105A、105B上已成膜Cr/Cu膜或Ti/Cu膜之后，通過(guò)使用Ni/Sn進(jìn)行電鍍，形成端子電極106。由此，完成上述共模軛流圈CC2。
在這里，作為比較例，圖19表示現(xiàn)有的共模軛流圈之一。在該圖中，共模軛流圈200具有絕緣層201和在該絕緣層201上形成的導(dǎo)體層202。導(dǎo)體層202具有包括大致四方形狀的螺旋部203的線圈導(dǎo)體204。在絕緣層201的與螺旋部203的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上，設(shè)置有閉合磁路形成用的內(nèi)側(cè)絕緣除去部205。在絕緣層201的與螺旋部203的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位上，兩個(gè)閉合磁路形成用的外側(cè)絕緣除去部206形成為夾著螺旋部203。內(nèi)側(cè)絕緣除去部205和外側(cè)絕緣除去部206具有截面矩形形狀。
對(duì)于這樣的共模軛流圈200，在本實(shí)施方式的共模軛流圈CC2中，將線圈導(dǎo)體121的螺旋部123的形狀和線圈導(dǎo)體128的螺旋部130的形狀作成圓形形狀。為此，與大致四方形狀的螺旋部203相比，可以使形成螺旋部123的導(dǎo)體圖案125的長(zhǎng)度和形成螺旋部130的導(dǎo)體圖案132的長(zhǎng)度確實(shí)地僅縮短沒(méi)有直線部分的量。
然而，要想使形成螺旋部的導(dǎo)體圖案的長(zhǎng)度充分短，雖然理想的是將該導(dǎo)體圖案整個(gè)作成圓形形狀，但由于螺旋部是連續(xù)的，所以那樣的構(gòu)成是不可能的。
在本實(shí)施方式中，在構(gòu)成形成線圈導(dǎo)體121的導(dǎo)體圖案125的寬度W和匝步距PI全部相等的螺旋部123的同時(shí)，將螺旋部123分割成線圈區(qū)域123a～123d。此外，在線圈區(qū)域123a～123c中，導(dǎo)體圖案125構(gòu)成為以第一圓弧形成中心位置G0為中心圓弧狀地延伸。另一方面，在線圈區(qū)域123d中，由導(dǎo)體圖案125以從第一圓弧形成中心位置G0僅離開(kāi)導(dǎo)體圖案125的匝步距PI的量的第二圓弧形成中心位置G1為中心圓弧狀地延伸的圓弧區(qū)域126；和僅匝步距PI的量的導(dǎo)體圖案125直線狀地延伸的直線區(qū)域127構(gòu)成。通過(guò)這樣地構(gòu)成，在螺旋部123中，導(dǎo)體圖案125整個(gè)連續(xù)地形成，而且導(dǎo)體圖案125的大部分是圓弧狀。因此，螺旋部123成為導(dǎo)體圖案125的線長(zhǎng)度最有效地變短的構(gòu)成。對(duì)于線圈導(dǎo)體128的螺旋部130也一樣。
由此，由于形成線圈導(dǎo)體121的導(dǎo)體圖案125和形成線圈導(dǎo)體128的導(dǎo)體圖案132的線長(zhǎng)度不論哪一者都變得充分短，所以共模軛流圈CC2的截止頻率增高。其結(jié)果是即使傳送頻率為高頻，共模軛流圈CC2也可以正常工作，可以得到高頻特性良好的共模軛流圈CC2。
此外，在圖19所示的共模軛流圈200中，由于線圈導(dǎo)體204的螺旋部203的形狀是大致四方形狀，所以在如上所述的絕緣層201的螺旋部203的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位設(shè)置外側(cè)絕緣除去部206的情況下，螺旋部203的寬度尺寸H不得不變窄。為此，在共模軛流圈200的外型尺寸受到限制的情況下，由于與此伴隨螺旋部203的內(nèi)側(cè)區(qū)域的空間變窄，所以即使是對(duì)于應(yīng)當(dāng)設(shè)置在與絕緣層201的螺旋部203的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位的內(nèi)側(cè)絕緣除去部205，也有減小尺寸的必要性。
閉合磁路形成用的內(nèi)側(cè)絕緣除去部205雖然是為得到高電感(高電阻)的共模軛流圈而設(shè)置，但是若內(nèi)側(cè)絕緣除去部205減小，則不能充分地得到電阻增加的效果。
相對(duì)于此，在本實(shí)施方式中，由于已將線圈導(dǎo)體121的螺旋部123的形狀作成圓形形狀，所以可以利用螺旋部123的外側(cè)區(qū)域的有效空間，形成閉合磁路形成用的外側(cè)絕緣除去部138。即，通過(guò)在絕緣層109的與包圍螺旋部123的大致正方形的假想線PL的四個(gè)角部對(duì)應(yīng)的部位設(shè)置外側(cè)絕緣除去部138，不需要為確保外側(cè)絕緣除去部138的空間而減小螺旋部123的尺寸。對(duì)于線圈導(dǎo)體128的螺旋部130也一樣。因此，可以有效地利用螺旋部123、130的內(nèi)側(cè)區(qū)域的寬的空間，可以設(shè)置尺寸大的內(nèi)側(cè)絕緣除去部136。由此，可以充分增大共模軛流圈CC2的電阻。
如上所述，若采用本實(shí)施方式，由于設(shè)置有分別具有線長(zhǎng)度最有效地變短的大致圓形形狀的螺旋部123、130的線圈導(dǎo)體121、128，所以可以得到高頻特性良好的共模軛流圈CC2。此外，由于在螺旋部123、130的內(nèi)側(cè)區(qū)域和外側(cè)區(qū)域形成有合適的磁路構(gòu)造，所以可以得到高電阻的共模軛流圈CC2。由此，可以抑制由泄漏磁束產(chǎn)生的噪聲。由此，在例如進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳送時(shí)，可以確保高的傳送特性。
此外，由于可以在共模軛流圈CC2上形成空間效率高的閉合磁路，所以可以實(shí)現(xiàn)共模軛流圈CC2的小型化。
圖20是表示對(duì)于共模軛流圈的各種樣品，用仿真得到的共模阻抗與截止頻率之間的關(guān)系的圖表。
在圖20所示的圖表中，特性P是對(duì)于具有與上述實(shí)施方式的共模軛流圈相同構(gòu)造的樣品的特性。特性Q是在上述實(shí)施方式的共模軛流圈中設(shè)置有內(nèi)側(cè)絕緣除去部而沒(méi)有設(shè)置外側(cè)絕緣除去部的樣品的特性。特性R是在上述實(shí)施方式的共模軛流圈中內(nèi)側(cè)絕緣除去部和外側(cè)絕緣除去部都沒(méi)有設(shè)置的樣品的特性。特性S是對(duì)于具有與圖19所示的比較例的共模軛流圈相同構(gòu)造的樣品的特性。此外，曲線圖的橫軸表示共模阻抗，曲線圖的縱軸表示截止頻率。
從圖20可知，通過(guò)將線圈導(dǎo)體的螺旋部的形狀作成上述那樣的大致圓形形狀，在相同的共模阻抗中可以實(shí)現(xiàn)高的截止頻率，這是明確的。而且，如果將線圈導(dǎo)體的螺旋部的形狀作成大致圓形形狀，特別是在完全不設(shè)置閉合磁路形成用的內(nèi)側(cè)絕緣除去部和外側(cè)絕緣除去部的情況下(參照特性R)，與設(shè)置有內(nèi)側(cè)絕緣除去部和外側(cè)絕緣除去部的比較例(參照特性S)相比，也可以得到高的截止頻率。根據(jù)以上的情況，可以說(shuō)證實(shí)了本發(fā)明的效果。
在第三實(shí)施方式中，雖然作成在層構(gòu)造體103的最下層的絕緣層107上不設(shè)置閉合磁路形成用的內(nèi)側(cè)絕緣除去部136和外側(cè)絕緣除去部138的構(gòu)成，但是，如圖21和圖22所示，在最下層的絕緣層107上也可以設(shè)置內(nèi)側(cè)絕緣除去部136和外側(cè)絕緣除去部138。在該情況下，由于僅那樣的量的磁路區(qū)域增加，所以可以使共模軛流圈CC2的電阻進(jìn)一步提高。
在第三實(shí)施方式中，雖然作成在各個(gè)絕緣層內(nèi)設(shè)置內(nèi)側(cè)絕緣除去部136和外側(cè)絕緣除去部138兩者的構(gòu)成，但是既可以在各絕緣層上僅設(shè)置內(nèi)側(cè)絕緣除去部136，也可以在各個(gè)絕緣層上僅設(shè)置外側(cè)絕緣除去部138。此外，在規(guī)定的絕緣層內(nèi)僅設(shè)置內(nèi)側(cè)絕緣除去部136，在其它絕緣層內(nèi)僅設(shè)置外側(cè)絕緣除去部138這樣的構(gòu)成，或在設(shè)置外側(cè)絕緣除去部138的情況下在相同絕緣層上設(shè)置三個(gè)以下的外側(cè)絕緣除去部138這樣的構(gòu)成等，作為設(shè)置閉合磁路形成用的絕緣除去部的圖案可以有各種變更。
此外，如圖22所示，也可以作成在絕緣層107、109、111、113、115上都不設(shè)置內(nèi)側(cè)絕緣除去部136和外側(cè)絕緣除去部138的構(gòu)成。在該情況下，不需要磁性層117，共模軛流圈CC2的構(gòu)成簡(jiǎn)化。即使是這樣的構(gòu)成，通過(guò)將螺旋部123、130的形狀作成上述那樣的大致圓形形狀，可以提高共模軛流圈CC2的截止頻率，得到高頻特性良好的共模軛流圈CC2。
在第三實(shí)施方式中，雖然將線圈導(dǎo)體121的螺旋部123的線圈區(qū)域123d作成由圓弧區(qū)域126和直線區(qū)域127構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，但是不言而喻也可以將螺旋部123的線圈區(qū)域123a～123c中的任一個(gè)作成由圓弧區(qū)域126和直線區(qū)域127構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。在該情況下，圓弧區(qū)域126也可以形成為以從第一圓弧向形成中心位置G0向Y方向(引出電極的相對(duì)方向)僅離開(kāi)規(guī)定的量的位置為中心的圓弧。
此外，在第三實(shí)施方式的共模軛流圈CC2中，雖然作成具有夾著絕緣層111疊層的線圈導(dǎo)體121、128的共模軛流圈，但本發(fā)明在具有三層以上的線圈導(dǎo)體的共模軛流圈中也可以應(yīng)用。此外，本發(fā)明還可以在應(yīng)用于一個(gè)導(dǎo)體層具有多個(gè)線圈導(dǎo)體的，即所謂的共模軛流圈等。
從以上所述的發(fā)明可知本發(fā)明可以有各種變更。這些變更并不偏離本發(fā)明的宗旨和范圍，而且對(duì)于本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的所有這樣的變更都包括在下述的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種具備夾著絕緣層疊層并相互磁耦合的第一和第二線圈導(dǎo)體的共模軛流圈，其特征在于在設(shè)定對(duì)差分模式噪聲的截止頻率為fc(MHz)時(shí)，所述第一和第二線圈導(dǎo)體中的至少一個(gè)線圈導(dǎo)體的寬度W(mm)和長(zhǎng)度L(mm)滿足關(guān)系式(L/W)＜(7.6651-fc)/0.1385。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模軛流圈，其特征在于所述第一和第二線圈導(dǎo)體呈具有多個(gè)直線部和連接所述直線部之間的多個(gè)彎曲部的大致螺旋形狀，在所述第一和第二線圈導(dǎo)體中滿足所述關(guān)系式的線圈導(dǎo)體中，所述多個(gè)彎曲部中的至少一個(gè)彎曲部彎曲成規(guī)定的曲率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模軛流圈，其特征在于所述第一和第二線圈導(dǎo)體呈由曲線構(gòu)成的螺旋形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模軛流圈，其特征在于所述第一和第二線圈導(dǎo)體形成為螺旋狀，具有形成所述各個(gè)線圈導(dǎo)體的導(dǎo)體圖案的寬度和匝步距全部相等的螺旋部，所述各線圈導(dǎo)體的螺旋部彼此夾著所述絕緣體重疊，所述螺旋部由對(duì)所述螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)的規(guī)定位置每90度區(qū)分的四個(gè)線圈區(qū)域構(gòu)成，所述四個(gè)線圈區(qū)域中的三個(gè)形成為所述導(dǎo)體圖案以所述規(guī)定位置為中心的圓弧，所述四個(gè)線圈區(qū)域中剩下的一個(gè)由形成為所述導(dǎo)體圖案以離開(kāi)所述規(guī)定位置僅為所述導(dǎo)體圖案的匝步距的量的位置為中心的圓弧的圓弧區(qū)域；和位于所述三個(gè)線圈區(qū)域中的任一個(gè)與所述圓弧區(qū)域之間，僅所述導(dǎo)體圖案的匝步距的量的所述導(dǎo)體圖案形成為直線的直線區(qū)域構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的共模軛流圈，其特征在于所述第一和第二線圈導(dǎo)體還具有連接到所述螺旋部、朝向所述絕緣層的邊緣部延伸的引出部，所述螺旋部與所述引出部之間的連接部分設(shè)置在所述三個(gè)線圈區(qū)域中的任一個(gè)，所述剩下的一個(gè)線圈區(qū)域與具有所述螺旋部和所述引出部的連接部分的線圈區(qū)域鄰接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的共模軛流圈，其特征在于在所述絕緣層的與所述螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位設(shè)置有形成孔穴并埋入磁性材料而成的磁路形成用的內(nèi)側(cè)絕緣除去部。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的共模軛流圈，其特征在于在所述絕緣層的與所述螺旋部的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位設(shè)置有形成孔穴或切口并埋入磁性材料而成的磁路形成用的外側(cè)絕緣除去部，所述外側(cè)絕緣除去部設(shè)置在與所述絕緣層的包圍所述螺旋部的大致正方形的假想線的角部對(duì)應(yīng)的部位。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共模軛流圈，其特征在于所述第一和第二線圈導(dǎo)體具有形成為大致圓形的螺旋狀的螺旋部，所述各線圈導(dǎo)體的螺旋部彼此夾著所述絕緣層重疊，在所述絕緣層的與所述螺旋部的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位設(shè)置有形成孔穴并埋入磁性材料而成的第一磁路形成用絕緣除去部，在所述絕緣層的與所述螺旋部的外側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的部位設(shè)置有形成孔穴或切口并埋入所述磁性材料而成的第二磁路形成用絕緣除去部，所述第二磁路形成用絕緣除去部設(shè)置在與所述絕緣層的包圍所述螺旋部的大致正方形的假想線的角部對(duì)應(yīng)的部位。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的共模軛流圈，其特征在于所述絕緣層疊層為夾著所述各線圈導(dǎo)體并跨越多層，所述第一磁路形成用絕緣除去部和所述第二磁路形成用絕緣除去部設(shè)置在除所述層構(gòu)造體的最下層的絕緣層之外的各絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的共模軛流圈，其特征在于所述絕緣層疊層為夾著所述各線圈導(dǎo)體并跨越多層，所述第一磁路形成用絕緣除去部和所述第二磁路形成用絕緣除去部設(shè)置在所述層構(gòu)造體的所有絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的共模軛流圈，其特征在于所述第二磁路形成用絕緣除去部分別設(shè)置在與所述絕緣層的包圍所述螺旋部的大致正方形的假想線的四個(gè)角部對(duì)應(yīng)的部位。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的共模軛流圈，其特征在于所述第一磁路形成用絕緣除去部呈截面圓形形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的共模軛流圈，其特征在于所述第二磁路形成用絕緣除去部呈截面三角形或其一部分具有沿著所述螺旋部的外周形狀的曲線的截面形狀。
全文摘要
本發(fā)明的共模軛流圈具備絕緣層、第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體。第一線圈導(dǎo)和第二線圈導(dǎo)體夾住絕緣層疊層、相互磁耦合。在設(shè)定對(duì)差分模式噪聲的截止頻率為(fc)(MHz)時(shí)，第一和第二線圈導(dǎo)體中的至少一個(gè)線圈導(dǎo)體的寬度(W)(mm)和長(zhǎng)度(L)(mm)滿足關(guān)系式 (L/W)＜(7.6651－fc)/0.1385。
文檔編號(hào)H01F27/28GK1835132SQ200610065328
公開(kāi)日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2006年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月18日
發(fā)明者伊藤知一, 奧村武史 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社