專利名稱：無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路封裝過程，特別是涉及一種關(guān)于無膠帶黏晶方式的集成電路封裝過程，可以增強黏晶強度及避免晶片分層剝離的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法。
背景技術(shù)：
在集成電路封裝過程中，黏晶(die-attaching)的步驟是為重要的一環(huán)，好的黏晶操作條件可以確實將晶片黏接至基板，能降低封裝成本與提升封裝品質(zhì)。并且為了符合先進集成電路封裝，對于黏晶材料亦有嚴格的要求，例如黏晶強度、導(dǎo)熱性與可作業(yè)性均應(yīng)有一定的要求。
在現(xiàn)有技術(shù)中，如美國專利第6,385,049號專利案中揭示了一種集成電路封裝構(gòu)造。請參閱圖1與圖2所示，圖1是現(xiàn)有習(xí)知的集成電路封裝構(gòu)造的局部剖視立體圖，圖2是現(xiàn)有習(xí)知的集成電路封裝構(gòu)造的截面示意圖，該現(xiàn)有習(xí)知的集成電路封裝構(gòu)造，其主要包含有至少一基板110、一黏晶材料120、一晶片130、復(fù)數(shù)個焊線140、一封膠體150以及復(fù)數(shù)個焊球160。在黏晶時，該黏晶材料120是黏接該基板110的一上表面111與該晶片130的一主動面131。在封膠之前，該基板110的一開口槽113是顯露該晶片130的焊墊132，以使該些焊線140電性連接該些焊墊132至該基板110。該封膠體150是填充于該開口槽113以密封該些焊線140。該些焊球160是接合至該基板110的一下表面112，以對外連接。在上述集成電路封裝構(gòu)造中，該黏晶材料120是不可使用液態(tài)黏膠，否則會有污染至該些焊墊132之虞。一種已知的黏晶材料120是為兩面黏性膠帶，例如聚亞酰胺膠帶，其成本較高且需要正確機械操作的膠帶貼附，以避免遮擋該開口槽113。另一種已知的黏晶材料120是可使用B階(B-stage)黏性膠膜，如美國專利第6,689,638號專利案所揭示般，一液態(tài)黏晶材料是先涂敷于一基板上，再烘烤成B階黏性膠膜，以利黏接該晶片；但該種B階黏晶材料120會殘留有微細氣泡121，使基板與晶片的黏著面間存有微細氣泡121而產(chǎn)生空洞的間隙，影響?zhàn)ぞ姸?，甚至?xí)?dǎo)致該晶片130的分層剝離。
由此可見，上述現(xiàn)有的集成電路封裝方法在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決集成電路封裝方法存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但是長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般方法又沒有適切的方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，便成了當前業(yè)界極需改進的目標。
有鑒于上述現(xiàn)有的集成電路封裝方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，能夠改進一般現(xiàn)有的集成電路封裝方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的集成電路封裝方法存在的缺陷，而提供一種新的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，所要解決的技術(shù)問題是使其在涂敷一液態(tài)黏晶材料于一基板之后，藉由一脫泡的步驟，去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡，以利于在第一烘烤的步驟中將該液態(tài)黏晶材料半固化成一密實黏晶膜，藉由該密實黏晶膜可黏接一晶片至該基板，進而可以達到增強黏晶強度及避免晶片分層剝離的功效，從而更加適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，所要解決的技術(shù)問題是使其在第一烘烤之前執(zhí)行一脫泡的步驟，將一基板置于一真空狀態(tài)(例如不大于2Torr的壓力)并輔以震蕩方式，使其去除在該基板上一液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡，以利于烘烤成一密實黏晶膜，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其包括以下步驟提供至少一基板，其是具有一上表面、一下表面及至少一開口槽；涂敷一液態(tài)黏晶材料于該基板的該上表面；進行一脫泡的步驟，以去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡；進行第一次烘烤的步驟，使該液態(tài)黏晶材料為半固化狀態(tài)而成為一密實黏晶膜；藉由該密實黏晶膜黏接一晶片的一主動面至該基板的該上表面上，該晶片是具有復(fù)數(shù)個位于該主動面的焊墊，該些焊墊是顯露于該開口槽；以及進行第二次烘烤的步驟，以固化該密實黏晶膜。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其中在脫泡的步驟中，該基板是置于一真空狀態(tài)，并輔以震蕩方式去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其中所述的真空狀態(tài)的壓力是不大于2Torr。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其中所述的該些焊墊是位于該晶片的該主動面的中央。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其另包含一電性連接的步驟，復(fù)數(shù)個焊線是經(jīng)由該開口槽而電性連接該些焊墊至該基板。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其另還包含一封膠的步驟，以密封該些焊線。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其另包含一焊球接合的步驟，其是將復(fù)數(shù)個焊球接合至該基板的該下表面。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其另包含一基板切割的步驟，其中切割該基板的路徑是通過該開口槽的兩端。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其包括以下步驟提供至少一基板，其是具有一上表面以及一下表面；涂敷一液態(tài)黏晶材料于該基板的該上表面；進行一脫泡的步驟，以去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡；進行第一次烘烤的步驟，使該液態(tài)黏晶材料為半固化狀態(tài)而成為一密實黏晶膜；進行一黏晶的步驟，藉由該密實黏晶膜黏接一晶片至該基板的該上表面上，該晶片是具有復(fù)數(shù)個焊墊；電性連接該晶片的該些焊墊至該基板；以及進行第二次烘烤步驟，以固化該密實黏晶膜。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其中所述的脫泡的步驟中，該基板是置于一真空狀態(tài)，并輔以震蕩方式去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其中所述的真空狀態(tài)的壓力是不大于2Torr。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其中所述的該些焊墊是位于該晶片的該主動面的中央。
前述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其另包含一焊球接合的步驟，其是將復(fù)數(shù)個焊球接合至該基板的該下表面。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知，為了達到上述目的，依據(jù)本發(fā)明無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，首先，提供至少一基板，其是具有一上表面、一下表面及至少一開口槽。之后，涂敷一液態(tài)黏晶材料于該基板的該上表面。之后，進行一脫泡的步驟，以去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡。之后，進行第一次烘烤的步驟，使該液態(tài)黏晶材料為半固化狀態(tài)而成為一密實黏晶膜。并可藉由該密實黏晶膜黏接一晶片的一主動面至該基板的該上表面上，該晶片是具有復(fù)數(shù)個位于該主動面的焊墊，該些焊墊是顯露于該開口槽。另外，可進行第二次烘烤的步驟，以固化該密實黏晶膜。該第二次烘烤的步驟是可執(zhí)行在黏晶之后或是在后續(xù)封膠的步驟中。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法至少具有下列優(yōu)點1、本發(fā)明是在涂敷一液態(tài)黏晶材料于一基板之后，再藉由一脫泡的步驟，去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡，可以利于在第一烘烤的步驟中將該液態(tài)黏晶材料半固化成一密實黏晶膜，藉由該密實黏晶膜可黏接一晶片至該基板，進而可以達到增強黏晶強度及避免晶片分層剝離的功效，從而更加適于實用。
2、本發(fā)明是在第一烘烤之前執(zhí)行一脫泡的步驟，將一基板置于一真空狀態(tài)(例如不大于2Torr的壓力)并輔以震蕩方式，使其去除在該基板上的一液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡，而可以利于烘烤成一密實黏晶膜，從而更加適于實用。
綜上所述，本發(fā)明無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，是先將一液態(tài)黏晶材料涂敷于一基板上；并進行一脫泡的步驟，將該基板置于一真空狀態(tài)，以去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡；再進行一第一次烘烤的步驟，以使該液態(tài)黏晶材料為半固化狀態(tài)以形成一密實黏晶膜于該基板上，并利用該密實黏晶膜黏接一晶片至該基板上；再進行一第二次烘烤的步驟，以完全固化該密實黏晶膜。因此本發(fā)明利用在第一次烘烤的步驟前進行脫泡的步驟，可以去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡，而能轉(zhuǎn)變成在該基板上的密實黏晶膜，故可增強黏晶強度，并且能夠避免該晶片的分層剝離。本發(fā)明具有上述突出優(yōu)點及實用價值，其不論在方法上或功能上皆有較大改進，在技術(shù)上有較大進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的集成電路封裝方法具有增進的功效，從而更加適于實用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1是現(xiàn)有習(xí)知的集成電路封裝構(gòu)造的局部剖視立體圖。
圖2是現(xiàn)有習(xí)知的集成電路封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖3是依本發(fā)明無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法一具體實施例的方塊流程圖。
圖4A至圖4H是依本發(fā)明的一具體實施例，是一基板在無膠帶黏晶方式集成電路封裝過程中的截面示意圖。
圖5是依本發(fā)明的一具體實施例，是該基板的上表面示意圖。
1提供一基板2涂敷一液態(tài)黏晶材料于該基板3脫泡 4第一次烘烤5黏晶 6第二次烘烤7電性連接 8封膠9焊球接合 10基板切割110基板111上表面112下表面 113開口槽120黏晶材料121氣泡130晶片131主動面132焊墊140焊線150封膠體 160焊球210基板211上表面212下表面 213開口槽214內(nèi)接指 215球墊216切割路徑220液態(tài)黏晶材料221氣泡222密實黏晶膜230晶片21主動面232焊墊240焊線250封膠體 260焊球270切割工具具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法其具體實施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
請參閱圖3所示，本發(fā)明較佳實施例的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，主要包括以下步驟“提供一基板”的步驟1、“涂敷一液態(tài)黏晶材料于該基板”的步驟2、“脫泡”的步驟3、“第一次烘烤”的步驟4、“黏晶”的步驟5、“第二次烘烤”的步驟6、“電性連接”的步驟7、“封膠”的步驟8、“焊球接合”的步驟9、以及“基板切割”的步驟10?，F(xiàn)將其詳述說明如后。
首先，在提供一基板的步驟1中，如圖4A所示，提供至少一基板210，該基板210是具有一上表面211、一下表面212及至少一開口槽213，其中該開口槽213是貫穿該上表面211與該下表面212。而該基板210是可為一印刷電路板、一陶瓷電路板或一電路薄膜。在本實施例中，復(fù)數(shù)個內(nèi)接指214是形成于該基板210的該下表面212且鄰近該開口槽213，且復(fù)數(shù)個球墊215是可形成于該基板210的該下表面212。
之后，在涂敷一液態(tài)黏晶材料于該基板的步驟2中，如圖4B所示，將一液態(tài)黏晶材料220涂敷于該基板210的該上表面211，其涂敷方式可為網(wǎng)板印刷、鋼板印刷、點涂、噴涂等等，其中以網(wǎng)板印刷為較佳。如圖5所示，該液態(tài)黏晶材料220是圖案化覆蓋于該基板210的該上表面211，在適當烘烤后可黏接晶片。在本實施例中，該液態(tài)黏晶材料220是可以要求有多階固化特性，甚至可以包含有各種特性的混合膠體，例如有混有硅膠以增進彈性、混有金屬微粒子(如銀粉)以增進導(dǎo)熱性、混有不同固化溫度的熱固化膠、甚至可混有各種納米材料以達到特殊用途的膠體。為了達到良好的混合效果，在常壓下封裝時，該液態(tài)黏晶材料220會存在有微細氣泡221。
之后，特別執(zhí)行一脫泡的步驟3。如圖4C所示，藉由脫泡以去除該液態(tài)黏晶材料220內(nèi)的微細氣泡221。在一具體操作上，可將該基板210放置于一可隔離外界壓力的脫泡機(圖中未繪出)內(nèi)，并抽真空使該基板210置于一真空狀態(tài)，例如該真空狀態(tài)的壓力是不大于2Torr，真空狀態(tài)可維持10分鐘至60分鐘。較佳地，并輔以震蕩方式，例如超音波震蕩，以有效去除該液態(tài)黏晶材料220內(nèi)的微細氣泡221，更可確保該液態(tài)黏晶材料220的混合均勻。
在上述脫泡的步驟3后，可進行第一次烘烤的步驟4。如圖4D所示，該液態(tài)黏晶材料220為半固化狀態(tài)(例如B階狀態(tài))而轉(zhuǎn)變?yōu)樵诨?10上的一密實黏晶膜222。在本實施例中，該密實黏晶膜222是具有B階特性，而保有黏晶能力。此外，原本可能在該液態(tài)黏晶材料220內(nèi)的絕大部分微細氣泡221將被排除。
在黏晶的步驟5中，請參閱圖4E所示，至少一晶片230是藉由該密實黏晶膜222而黏貼至該基板210，其是在適當?shù)酿ぞ毫εc加熱溫度下，該密實黏晶膜222變得有黏著力，以結(jié)合該晶片230的一主動面231至該基板210的該上表面211。在本實施例中，該晶片230的復(fù)數(shù)個焊墊232是位于該主動面231，例如位于該主動面231的中央。而在黏晶的步驟5后，該些焊墊232是顯露于該基板210的該開口槽213。
之后，可執(zhí)行第二次烘烤的步驟6，以完全固化該密實黏晶膜222，例如固化成C階狀態(tài)。該第二次烘烤的步驟6是可實施于黏晶的步驟5后或是延后至在封膠的步驟8同時進行。另外，在電性連接的步驟7中，請參閱圖4F所示，其是能以打線形成的復(fù)數(shù)個焊線240通過該開口槽213，連接該晶片230的該些焊墊232與該基板210的該些內(nèi)接指214，達到該晶片230與該基板210之間電性連接。
之后，在封膠的步驟8中，如圖4G所示，一封膠體250是形成于該基板210的該開口槽213，以密封該些焊線240。在本實施例中，該封膠體250是為壓模形成，其是更形成于該基板210的該上表面211，以密封該晶片230與該密實黏晶膜222。
之后，在焊球接合的步驟9中，如圖4H所示，利用焊料印刷與回焊或是焊球植接的方式，將復(fù)數(shù)個焊球260接合至在該基板210的該下表面212的球墊215，以構(gòu)成窗口球格陣列的封裝型態(tài)(Window Ball Grid Array，WBGAPackage)。最后，進行該基板切割的步驟10，利用一切割工具270切割該基板210成復(fù)數(shù)個個別集成電路封裝構(gòu)造。請參閱圖5所示，在本實施例中，其切割路徑216是通過該基板210的該開口槽213的兩端，可由該基板210切割分離出在同一封裝構(gòu)造中的兩個次基板，其中該些次基板是與該晶片230黏接并以該封膠體250結(jié)合一體。
因此，在本發(fā)明的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法中，利用在第一次烘烤的步驟4前進行脫泡的步驟3，可以去除該液態(tài)黏晶材料220內(nèi)的微細氣泡221，而能轉(zhuǎn)變成在該基板210上的密實黏晶膜222，故可以增強黏晶強度，并且能夠避免該晶片230的分層剝離，非常適于實用。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其包括以下步驟提供至少一基板，其是具有一上表面、一下表面及至少一開口槽；涂敷一液態(tài)黏晶材料于該基板的該上表面；進行一脫泡的步驟，以去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡；進行第一次烘烤的步驟，使該液態(tài)黏晶材料為半固化狀態(tài)而成為一密實黏晶膜；藉由該密實黏晶膜黏接一晶片的一主動面至該基板的該上表面上，該晶片是具有復(fù)數(shù)個位于該主動面的焊墊，該些焊墊是顯露于該開口槽；以及進行第二次烘烤的步驟，以固化該密實黏晶膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其中在脫泡的步驟中，該基板是置于一真空狀態(tài)，并輔以震蕩方式去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其中所述的真空狀態(tài)的壓力是不大于2Torr。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其中所述的該些焊墊是位于該晶片的該主動面的中央。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其另包含一電性連接的步驟，復(fù)數(shù)個焊線是經(jīng)由該開口槽而電性連接該些焊墊至該基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其另包含一封膠的步驟，以密封該些焊線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其另包含一焊球接合的步驟，其是將復(fù)數(shù)個焊球接合至該基板的該下表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其另包含一基板切割的步驟，其中切割該基板的路徑是通過該開口槽的兩端。
9.一種無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其包括以下步驟提供至少一基板，其是具有一上表面以及一下表面；涂敷一液態(tài)黏晶材料于該基板的該上表面；進行一脫泡的步驟，以去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡；進行第一次烘烤的步驟，使該液態(tài)黏晶材料為半固化狀態(tài)而成為一密實黏晶膜；進行一黏晶的步驟，藉由該密實黏晶膜黏接一晶片至該基板的該上表面上，該晶片是具有復(fù)數(shù)個焊墊；電性連接該晶片的該些焊墊至該基板；以及進行第二次烘烤步驟，以固化該密實黏晶膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其中所述的脫泡的步驟中，該基板是置于一真空狀態(tài)，并輔以震蕩方式去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其中所述的真空狀態(tài)的壓力是不大于2Torr。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其中所述的該些焊墊是位于該晶片的該主動面的中央。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，其特征在于其另包含一焊球接合的步驟，其是將復(fù)數(shù)個焊球接合至該基板的該下表面。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種無膠帶黏晶方式的集成電路封裝方法，先將一液態(tài)黏晶材料涂敷于一基板上；并進行一脫泡的步驟，將該基板置于一真空狀態(tài)，以去除該液態(tài)黏晶材料內(nèi)的微細氣泡；再進行一第一次烘烤的步驟，以使該液態(tài)黏晶材料為半固化狀態(tài)以形成一密實黏晶膜于該基板上，并利用該密實黏晶膜黏接一晶片至該基板上；再進行一第二次烘烤的步驟，以完全固化該密實黏晶膜。因此，在該基板與該晶片之間不存在有微細氣泡，可以增強黏晶強度，并且能夠避免晶片分層剝離。
文檔編號H01L21/60GK101043010SQ20061006514
公開日2007年9月26日 申請日期2006年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月21日
發(fā)明者陳永祥, 楊世仰, 郭展彰, 高碧宏 申請人:華東科技股份有限公司