專利名稱：雙面顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種雙面顯示裝置，特別是涉及一種可有效防止水汽及氧氣入侵的雙面有機電激顯示裝置。
背景技術：
電子產(chǎn)品的形式漸趨多樣化，雙面顯示功能成為新世代電子產(chǎn)品的主要特色。例如，手機內(nèi)部的雙面顯示裝置可以一面顯示手機主功能窗口，另一面顯示時間。目前業(yè)界所生產(chǎn)的雙面顯示裝置通常為兩個單面顯示面板對貼而成，例如一液晶顯示面板與一有機電激發(fā)光面板對貼，或是兩有機電激發(fā)光面板對貼。
圖1為現(xiàn)有的雙面顯示裝置。雙面顯示裝置10由一第一顯示面板11及一第二顯示面板12貼合而成。第一顯示面板11具有一透明基板111、一第一電極112、一發(fā)光層113、一第二電極114及一封裝蓋115。第一電極112形成于透明基板111上。發(fā)光層113位于第一電極112與第二電極114之間。封裝蓋115的邊緣與透明基板111貼合，并且覆蓋于第二電極114之上。為了保護第一顯示面板11不受水汽破壞，在封裝蓋115內(nèi)側通常設有一干燥劑116。
第二顯示面板12亦具有一透明基板121、一第三電極122、一發(fā)光層123、一第四電極124以及一封裝蓋125。第三電極122形成于透明基板121上。發(fā)光層123位于第三電極122與第四電極124之間。封裝蓋125的邊緣與透明基板121貼合，并且覆蓋于第四電極124之上。第一顯示面板11的封裝蓋115與第二顯示面板12的封裝蓋125對貼以形成雙面顯示裝置10。在封裝蓋125內(nèi)側亦設有一干燥劑126。
如上所述，現(xiàn)有的雙面顯示裝置10具有兩個封裝蓋115和125以及兩個干燥劑116及126，因此，難以縮短兩透明基板111及121之間的距離，使得雙面顯示裝置10難以薄化。其原因在于，為了設計置放干燥劑的位置，須多增加顯示的厚度、長度或?qū)挾?。例如，圖1的干燥劑116及126設于封裝蓋115和125上，連帶地多出了封裝蓋115和125的設置。此外，干燥劑吸收水汽后可能導致體積膨脹或釋放出氣體而破壞發(fā)光元件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種雙面顯示器的結構來避免水汽及氧氣的入侵，并能解決上述干燥劑設置的問題，以具備更輕更薄的設計。
本發(fā)明的雙面顯示裝置，包括一第一基板及一第二基板位于第一基板上方。一第一有機發(fā)光二極管設置于第一基板上表面，并以一第一保護層覆蓋第一有機發(fā)光二極管的全部表面。一第二有機發(fā)光二極管設置于該第二基板下表面，并以一第二保護層覆蓋該第二有機發(fā)光二極管的全部表面。第一保護層與第二保護層用以隔絕氧氣及水汽。


圖1為現(xiàn)有的雙面顯示裝置；圖2為本發(fā)明雙面顯示裝置的第一實施例；圖3為本發(fā)明雙面顯示裝置的第二實施例；以及圖4為本發(fā)明雙面顯示裝置的第三實施例。
簡單符號說明10 雙面顯示裝置(現(xiàn)有)221 反射電極11 第一顯示面板 222 發(fā)光層111 透明基板 223 透明電極112 第一電極 23 保護層113 發(fā)光層24 上基板114 第二電極 25 有機發(fā)光二極管115 封裝蓋251 反射電極116 干燥劑252 發(fā)光層12 第二顯示面板 253 透明電極121 透明基板 26 保護層122 第三電極 27 封裝膠123 發(fā)光層30 雙面顯示裝置124 第四電極 32 平坦層
125 封裝蓋34 保護層126 干燥劑341 氧化硅薄膜20 雙面顯示裝置 342 氮化硅薄膜21 下基板36 平坦層22 有機發(fā)光二極管38 保護層381 氧化硅薄膜382 氮化硅薄膜39 三氧化二鋁薄膜具體實施方式
茲配合圖標詳述本發(fā)明的雙面顯示裝置，并列舉優(yōu)選實施例說明如下請參照圖2，為本發(fā)明的第一實施例的結構示意圖。雙面顯示裝置20包括一下基板21與一上基板24以一封裝膠27封合在一起。下基板21的上表面具有一透明電極223、一發(fā)光層222及一反射電極221以構成一有機發(fā)光二極管22。上基板24的下表面具有一透明電極253、一發(fā)光層252及一反射電極251以構成另一有機發(fā)光二極管25。有機發(fā)光二極管22及25分別被一保護層23及26所覆蓋，并緊密封合于下基板21與上基板24。
保護層23及26的功能在于隔絕氧氣及水汽，因此應選擇氧氣及水汽滲透性低的材料。更佳地，應使保護層23及26平坦化，以避免后段工藝的階梯狀覆蓋可能無法完全密閉有機發(fā)光二極管22及25。因此，具有一平坦化表面的保護層23及26可以使后段蒸鍍、沉積等工藝較順利進行。在保護層23及26的材料方面，氮化硅、氧化硅或三氧化二鋁等均為可能的選擇。保護層23及26不限于單層結構，亦可由多個層薄膜組成，例如，以一個氧化硅薄膜及一個氮化硅薄膜、一個氧化硅薄膜及一個三氧化二鋁薄膜，或是一個氮化硅薄膜及一個三氧化二鋁薄膜等組合而成。
電極與發(fā)光層之間為空穴或電子傳遞的區(qū)域。在空穴傳遞區(qū)域中，可選擇性插入一空穴注入層或一空穴傳輸層。在電子傳遞區(qū)域中，可選擇性插入一電子洞注入層或一電子傳輸層。
電子傳輸層可采用8-羥基喹啉鋁(Alq)、三聚苯駢咪唑(TPBI)、蒽(anthracene)衍生物、芴衍生物(fluorine，spirofluorine)等材料，再加以摻雜堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物、堿金屬氧化物或金屬碳酸化合物等n型摻雜物以增強其電子遷移率。
電子注入層的材料可為金屬化合物，采用與不透光電極功函數(shù)配合度良好的堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物、堿金屬氧化物或金屬碳酸化合物或包含上述n型摻雜物的有機層。
空穴傳輸層材料可為NPB(N，N-di(naphthalene-l-yl)-N，N-diphenyl-benzidene)等烯丙基胺類化合物。
空穴注入層材料可為烯丙基胺類或CuPc等鈦菁類化合物。
第一實施例將保護層直接平坦化，但保護層與平坦化層亦可分開制作。請參照圖3的本發(fā)明第二實施例。雙面顯示裝置30的下基板21、上基板24、封裝膠27、有機發(fā)光二極管22及25的相對位置如圖2所述。所不同的是，第二實施例在保護層34及38與有機發(fā)光二極管22及25之間導入一平坦層32及36。平坦層32及36的材料可以選用一高分子聚合物或是無機材料，除了可避免保護層34及38因階梯覆蓋而封閉不完全的問題外，也可以解決保護層34及38因內(nèi)應力過大，導致制造成品率過低的問題。
上述平坦化的保護層或平坦層的優(yōu)選表面斜率應介于正負60度之間，表面上的最高點與最底點距離應小于5微米。平坦層中亦可含有氮化硅、氧化硅或三氧化二鋁等防水物質(zhì)。
請參照圖4，為本發(fā)明的第三實施例。第三實施例的保護層34可以是單一氧化硅薄膜341，或是如圖標由一個氧化硅薄膜341及一個氮化硅薄膜342組成。保護層38亦可為單一氧化硅薄膜381，或是如圖標由一個氧化硅薄膜381及一個氮化硅薄膜382組成。在保護層34及38外部則覆蓋一個三氧化二鋁薄膜39。
在第三實施例的工藝中，首先在基板21上依序形成透明電極223、發(fā)光層222及反射電極221以制作有機發(fā)光二極管22，此部分結構請同時參照圖2。再于有機發(fā)光二極管22之上沉積一層高分子化合物，以作為平坦層32。于平坦層32之上全面形成氮化硅薄膜341，再于氮化硅薄膜341之上全面形成氧化硅薄膜342。最后，再于氧化硅薄膜342之上全面形成三氧化二鋁薄膜39。
接著，在另一基板24上以相同的工藝，依序形成有機發(fā)光二極管25、平坦層36、氮化硅薄膜381、氧化硅薄膜382與三氧化二鋁薄膜39。基板21或24上可個別接上驅(qū)動電路，即可于雙面顯示裝置30的上方及下方同時顯示兩個獨立的顯像。最后，在基板21或24上涂布一層封裝膠27，再將兩片基板21及24組合成雙面顯示裝置30。上述各層結構可以現(xiàn)有的蒸鍍方法制作。除了在制作有機發(fā)光二極管22過程有必要提供光掩模以進行圖案化處理外，其余皆可全面蒸鍍，因此可簡化雙面顯示器30的工藝。
上述所有實施例中，透明電極可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等透明導電材料或薄金屬層，而透明基板可選自玻璃或塑料材料基板。本發(fā)明的結構不限于應用在被動式顯示器或主動式顯示器中，因此可與薄膜晶體管等驅(qū)動元件合并使用。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術相互比較時，更具備下列特性及優(yōu)點1.優(yōu)選的防水、防氧氣性能。
2.較簡易的工藝。
上列詳細說明針對本發(fā)明優(yōu)選實施例的具體說明，惟上述實施例并非用以限制本發(fā)明的專利范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所為的等效實施或變更，均應包含于本發(fā)明的專利范圍中。
權利要求
1.一種雙面顯示裝置，包括第一基板；第一有機發(fā)光二極管，設置于該第一基板上方；第一保護層，覆蓋該第一有機發(fā)光二極管的全部表面，以隔絕氧氣及水汽；第二基板，位于該第一保護層上方；第二有機發(fā)光二極管，設置于該第二基板下方；以及第二保護層，覆蓋該第二有機發(fā)光二極管的全部表面，以隔絕氧氣及水汽。
2.如權利要求1所述的雙面顯示裝置，其中該第一保護層具有平坦化上表面。
3.如權利要求1所述的雙面顯示裝置，其中該第二保護層具有平坦化下表面。
4.如權利要求1所述的雙面顯示裝置，其中該第一保護層與該第二保護層的材料選自氮化硅、氧化硅及三氧化二鋁所構成的群組。
5.如權利要求1所述的雙面顯示裝置，其中該第一保護層包括多個薄膜，該多個薄膜至少包括一個氧化硅薄膜及一個氮化硅薄膜。
6.如權利要求1所述的雙面顯示裝置，其中該第二保護層包括多個薄膜，該多個薄膜至少包括一個氧化硅薄膜及一個氮化硅薄膜。
7.如權利要求1所述的雙面顯示裝置，其中該第一有機發(fā)光二極管包括透明電極，形成于該第一基板上表面；發(fā)光層，形成于該透明電極之上；以及反射電極，形成于該發(fā)光層之上。
8.如權利要求1所述的雙面顯示裝置，其中該第二有機發(fā)光二極管包括透明電極，形成于該第二基板下表面；發(fā)光層，形成于該透明電極之下；以及反射電極，形成于該發(fā)光層之下。
9.一種雙面顯示裝置，包括第一基板；第一有機發(fā)光二極管，設置于該第一基板上方；第一平坦層，形成于該第一有機發(fā)光二極管上方；第一保護層，覆蓋該第一平坦層的全部表面，以隔絕氧氣及水汽；第二基板，位于該第一保護層上方；第二有機發(fā)光二極管，設置于該第二基板下方；第二平坦層，形成于該第二有機發(fā)光二極管下方；以及第二保護層，覆蓋該第二平坦層的全部表面，以隔絕氧氣及水汽。
10.如權利要求9所述的雙面顯示裝置，其中該第一保護層與該第二保護層均包括多個薄膜，該多個薄膜至少包括一個氧化硅薄膜及一個氮化硅薄膜。
11.如權利要求10所述的雙面顯示裝置，其中該第一保護層的該氮化硅薄膜形成于該第一平坦層上表面，并且該第二保護層的該氮化硅薄膜形成于該第二平坦層下表面。
12.如權利要求11所述的雙面顯示裝置，其中該第一保護層的該氧化硅薄膜形成于其氮化硅薄膜的上表面，并且該第二保護層的該氧化硅薄膜形成于其氮化硅薄膜的下表面。
13.如權利要求12所述的雙面顯示裝置，其中該氧化硅薄膜表面還包括一個三氧化二鋁薄膜。
14.如權利要求9所述的雙面顯示裝置，其中該第一平坦層及該第二平坦層皆具有表面，該表面上最高點與最低點的距離小于5微米。
15.如權利要求9所述的雙面顯示裝置，其中該第一平坦層及該第二平坦層的表面斜率皆介于正負60度之間。
16.如權利要求9所述的雙面顯示裝置，其中該第一平坦層為高分子聚合物。
17.如權利要求9所述的雙面顯示裝置，其中該第二平坦層為高分子聚合物。
18.如權利要求9所述的雙面顯示裝置，其中該第一平坦層含有氧化硅。
19.如權利要求9所述的雙面顯示裝置，其中該第二平坦層含有氧化硅。
全文摘要
一種雙面顯示裝置，包括一第一基板及一第二基板，并且第二基板位于第一基板上方。一第一有機發(fā)光二極管設置于第一基板上表面，并以一第一保護層覆蓋第一有機發(fā)光二極管的全部表面。一第二有機發(fā)光二極管設置于該第二基板下表面，并以一第二保護層覆蓋該第二有機發(fā)光二極管的全部表面。上述第一保護層與第二保護層用以隔絕氧氣及水汽。
文檔編號H01L27/28GK1809234SQ200610006090
公開日2006年7月26日 申請日期2006年1月26日 優(yōu)先權日2006年1月26日
發(fā)明者胡閔杰 申請人:友達光電股份有限公司