專利名稱：像素單元及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種像素單元，特別是有關(guān)于一種可自動(dòng)補(bǔ)償寄生電容的電容值的像素單元。
背景技術(shù)：
圖1a是已知像素單元的示意圖。如圖所示，像素單元1包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor；TFT)12以及儲(chǔ)存電容(storage capacitor；Cs)14。薄膜晶體管12具有柵極電極122、源極電極124以及漏極電極126。柵極電極122耦接?xùn)艠O線16，源極電極124耦接源極線18。
由于柵極電極122是由第一金屬層所構(gòu)成，而源極電極124及漏極電極126是由第二金屬層所構(gòu)成，因此，當(dāng)一半導(dǎo)體層的區(qū)域128設(shè)置于第一金屬層及第二金屬層之間時(shí)，則柵極電極122、漏極電極126重疊柵極電極122的重疊區(qū)A、以及漏極電極126可構(gòu)成一寄生電容(parasitical capacitor；CP)。另外，柵極電極122、源極電極124重疊柵極電極122的重疊區(qū)B、以及源極電極124可構(gòu)成另一寄生電容。
圖1b顯示圖1a的像素單元的等效電路圖。圖1c顯示圖1a的像素單元的時(shí)序圖。請(qǐng)參考圖1b及圖1c，柵極線16上的掃描信號(hào)在時(shí)間t1時(shí)，由低邏輯電平轉(zhuǎn)換成高邏輯電平，用以導(dǎo)通薄膜晶體管12。儲(chǔ)存電容14與液晶電容CLC根據(jù)源極線18上的數(shù)據(jù)信號(hào)開始充電，并在時(shí)間t1內(nèi)充電至電壓V1。
在時(shí)間t1之后，柵極線16上的掃描信號(hào)由高邏輯電平轉(zhuǎn)換成低邏輯電平，使得薄膜晶體管12由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換成不導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)儲(chǔ)存電容14的電壓V14應(yīng)保持在電壓V1。然而由于薄膜晶體管12的柵極電極122與漏極電極126間具有寄生電容Cp，故將使得儲(chǔ)存電容14的電壓V14由電壓V1下降ΔV。
由于儲(chǔ)存電容14與液晶電容CLC所儲(chǔ)存的電壓代表像素單元1要呈現(xiàn)的亮度，故當(dāng)儲(chǔ)存電容14的電壓發(fā)生變化時(shí)，將使得像素單元1呈現(xiàn)錯(cuò)誤的亮度。已知的解決方式是改變施加于第一電極22的共通電壓Vcom。當(dāng)儲(chǔ)存電容14的電壓V14下降ΔV時(shí)，則將原本的共通電壓Vcom1減小ΔV而成為Vcom2，以補(bǔ)償寄生電容Cp所造成的影響。
在制造大尺寸的顯示面板時(shí)，由于光罩的面積不足以覆蓋大尺寸的顯示面板，故必須將顯示面板劃分成許多區(qū)域，再分別對(duì)不同區(qū)域里的像素單元進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻等微影工藝。
當(dāng)某一種微影工藝發(fā)生對(duì)位誤差時(shí)，則可能影響像素單元里的重疊區(qū)A的面積。當(dāng)重疊區(qū)A的面積發(fā)生變化時(shí)，則寄生電容Cp的電容值也會(huì)隨著變化。由于各區(qū)域里的像素單元并非同時(shí)被制成，故各區(qū)域可能具有各自的對(duì)位誤差，因而造成每一區(qū)域里的像素單元的寄生電容的電容值均不相同。
當(dāng)同一顯示面板上的寄生電容的電容值不相同時(shí)，則無法利用調(diào)整共通電壓的方式來補(bǔ)償寄生電容所造成的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失而提出的。
本發(fā)明提供一種像素單元，包括一第一以及第二金屬層。第一金屬層具有一柵極電極以及一第一電極。第二金屬層具有一漏極電極、一源極電極、以及一第二電極。漏極電極重疊柵極電極之處為一第一重疊區(qū)。源極電極重疊柵極電極之處為一第二重疊區(qū)。第二電極重疊第一電極之處為一第三重疊區(qū)。第一及第二電極的大小相近，并相互錯(cuò)開。
另外，所述第一重疊區(qū)的面積的變化率與第三重疊區(qū)的面積的變化率為一正相關(guān)系，即正比關(guān)系。
本發(fā)明另提供一種顯示裝置，包括一掃描驅(qū)動(dòng)器、一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器以及多個(gè)像素單元。掃描驅(qū)動(dòng)器用以提供掃描信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用以提供數(shù)據(jù)信號(hào)。每一像素單元包括一第一以及第二金屬層。第一金屬層具有一柵極電極以及一第一電極。第二金屬層具有一漏極電極、一源極電極、以及一第二電極。漏極電極重疊柵極電極之處為一第一重疊區(qū)。源極電極重疊柵極電極之處為一第二重疊區(qū)。第二電極重疊第一電極之處為一第三重疊區(qū)。該第一及第二電極的大小相近，并相互錯(cuò)開。
由于本發(fā)明的儲(chǔ)存電容的電容值會(huì)隨著寄生電容的電容值變化而變化，故可自動(dòng)補(bǔ)償寄生電容的電容值因?qū)ξ徽`差所產(chǎn)生的偏移，進(jìn)而固定儲(chǔ)存電容的電壓變化量。
而當(dāng)儲(chǔ)存電容的電壓變化量固定時(shí)，則可利用調(diào)整共通電壓的方法，來補(bǔ)償儲(chǔ)存電容的電壓變化量。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下


圖1a為已知像素單元的示意圖。
圖1b顯示圖1a的像素單元的等效電路圖。
圖1c顯示圖1a的像素單元的時(shí)序圖。
圖2a顯示本發(fā)明的像素單元的第一實(shí)施例。
圖2b顯示本發(fā)明的像素單元的第二實(shí)施例。
圖3a顯示本發(fā)明的像素單元的第三實(shí)施例。
圖3b顯示本發(fā)明的像素單元的第四實(shí)施例。
圖4a～圖5b顯示本發(fā)明的像素單元的其它實(shí)施例。
主要組件符號(hào)說明1像素單元；12薄膜晶體管；14儲(chǔ)存電容； 122、21柵極電極；124、23源極電極； 126、24漏極電極；
16、20柵極線；18、27源極線；128、42、44區(qū)域； A、B、C重疊區(qū)；22第一電極； 25第二電極；26連接線。
具體實(shí)施例方式
由于寄生電容Cp的存在，故當(dāng)薄膜晶體管12由導(dǎo)通狀態(tài)切換至不導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，則儲(chǔ)存電容14的電壓會(huì)發(fā)生變化，其電壓變化量ΔV如下式所示ΔV=(Vgateoff-Vgateon)CgdCgd+CS+Cother---(1)]]>其中，Cgd為寄生電容Cp的電容值，Cs為儲(chǔ)存電容14的電容值，Cother為其它電容(如液晶電容CLc)的電容值；Vgateoff為薄膜晶體管12不導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓；Vgateon為薄膜晶體管12導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。
在未發(fā)生對(duì)位誤差時(shí)，若薄膜晶體管12由導(dǎo)通狀態(tài)切換至不導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，則儲(chǔ)存電容14的電壓變化量ΔV1如下式所示ΔV1=(Vgateoff-Vgateon)Cgd1Cgd1+CS1+Cother---(2)]]>其中，Cgd1為未發(fā)生對(duì)位誤差時(shí)的寄生電容Cp的電容值；CS1為未發(fā)生對(duì)位誤差時(shí)的儲(chǔ)存電容14的電容值。
而在發(fā)生對(duì)位誤差時(shí)，若薄膜晶體管12由導(dǎo)通狀態(tài)切換至不導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，則儲(chǔ)存電容14的電壓變化量ΔV2如下式所示ΔV2=(Vgateoff-Vgateon)Cgd2Cgd2+CS2+Cother---(3)]]>其中，Cgd2為發(fā)生對(duì)位誤差時(shí)的寄生電容Cp的電容值；CS2為發(fā)生對(duì)位誤差時(shí)的儲(chǔ)存電容14的電容值。
為了固定儲(chǔ)存電容14的電壓變化量，故令ΔV1＝ΔV2后，可得
(Vgateoff-Vgateon)Cgd1Cgd1+CS1+Cother=(Vgateoff-Vgateon)Cgd2Cgd2+CS2+Cother---(4)]]>化簡(jiǎn)式(4)后可得下式Cgd1Cgd2=CS1+CotherCS2+Cother---(5)]]>由式(5)可知，當(dāng)寄生電容Cp的電容值Cgd因?qū)ξ徽`差由原本的Cgd1偏移為Cgd2時(shí)，若將儲(chǔ)存電容14的電容值由原本的CS1調(diào)整成CS2時(shí)，便可使儲(chǔ)存電容14的電壓變化量不受對(duì)位誤差的影響。
舉例而言，假設(shè)未發(fā)生對(duì)位誤差時(shí)，寄生電容Cp的電容值Cgd1為0.05pF，儲(chǔ)存電容14的電容值CS1為0.7pF，而其它的電容值Cother為0.8pF。當(dāng)發(fā)生對(duì)位誤差時(shí)，寄生電容Cp的電容值Cgd2則為0.05+ΔCgdpF，儲(chǔ)存電容14的電容值CS2則為0.8+ΔCSpF，而其它的電容值Cother為0.8pF，代入式(5)后可得0.050.05+ΔCgd=0.7+0.80.7+ΔCS+0.8---(6)]]>ΔCS=1.50.05·ΔCgd=30·ΔCgd---(7)]]>若寄生電容Cp的電容值Cgd的變化量ΔCgd＝0.01pF時(shí)，則儲(chǔ)存電容14的電容值CS的變化量ΔCS只要等于0.3pF，便能補(bǔ)償對(duì)位誤差所造成的影響。因此，由式(7)可知，寄生電容Cp的電容值Cgd與維持電容14的電容值CS呈正相關(guān)(如正比關(guān)系)。
圖2a顯示本發(fā)明的像素單元的第一實(shí)施例。本發(fā)明的像素單元可應(yīng)用于顯示裝置中，用以接收顯示裝置的掃描驅(qū)動(dòng)器(未顯示)所輸出的掃描信號(hào)及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未顯示)所輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)。
像素單元至少包括第一及第二金屬層，用以構(gòu)成像素單元的驅(qū)動(dòng)裝置。如圖所示，第一金屬層具有柵極電極21及第一電極22。柵極電極21耦接?xùn)艠O線(gate line)20。柵極線20用以提供掃描驅(qū)動(dòng)器(未顯示)所輸出的掃描信號(hào)予柵極電極21。
第二金屬層具有源極電極23、漏極電極24、以及第二電極25。源極電極23耦接源極線(source line)27。源極線27用以提供數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未顯示)所輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)予源極電極23。
漏極電極24重疊柵極電極21之處為重疊區(qū)A，源極電極23重疊柵極電極21之處為重疊區(qū)B。第二電極25重疊第一電極22之處為重疊區(qū)C。第一電極22與第二電極25的大小相近，并相互錯(cuò)開。第二金屬層還包括一連接電極26，用以連接漏極電極24及第二電極25，其并不會(huì)重疊第一金屬層的任何區(qū)域。
由于在第一金屬層與第二金屬層之間具有一半導(dǎo)體層，故柵極電極21、重疊區(qū)A及漏極電極24可構(gòu)成如圖1b所示的寄生電容Cp，而第一電極22、重疊區(qū)C及第二電極25可構(gòu)成儲(chǔ)存電容14。柵極電極21、源極電極23及漏極電極24可構(gòu)成如圖1b所示的薄膜晶體管12。
雖然在柵極電極21、重疊區(qū)B及源極電極23也可形成一寄生電容，但當(dāng)薄膜晶體管12不導(dǎo)通時(shí)，柵極電極21及源極電極23之間的寄生電容并不會(huì)影響維持電容14所儲(chǔ)存的電荷，故在此不考慮柵極電極21及源極電極23之間的寄生電容。
通過改變第一電極22及第二電極25的形狀，便可使重疊區(qū)C的面積隨著重疊區(qū)A的面積而改變。本發(fā)明并不限制第一電極22及第二電極25的形狀，在本實(shí)施例中，第一電極22及第二電極25的形狀為魚骨形狀。
由圖2a可知，當(dāng)漏極電極24及第二電極25因?qū)ξ徽`差而向左偏移時(shí)，將造成重疊區(qū)A、C的面積會(huì)變小，使得寄生電容Cp及儲(chǔ)存電容14的電容值變??；而當(dāng)漏極電極24及第二電極25因?qū)ξ徽`差而向右偏移時(shí)，則重疊區(qū)A、C的面積會(huì)變大，使得寄生電容Cp及儲(chǔ)存電容14的電容值變大。而當(dāng)重疊區(qū)A的面積未改變時(shí)，則重疊區(qū)C的面積也不會(huì)改變。
圖2b顯示本發(fā)明的像素單元的第二實(shí)施例。圖2b所顯示的像素單元相似于圖2a，不同之處在于第一電極22及第二電極25的形狀。在本實(shí)施例中，第一電極22及第二電極25的形狀為柵欄形狀。當(dāng)漏極電極24因?qū)ξ徽`差而水平移動(dòng)時(shí)，第二電極25也會(huì)隨著水平移動(dòng)。如圖2b所示，漏極電極24垂直柵極線20，因此，第一電極22與第二電極25的開孔垂直柵極線20。
圖3a顯示本發(fā)明的像素單元的第三實(shí)施例。圖3a所示的像素單元可補(bǔ)償垂直方向的對(duì)位誤差。當(dāng)漏極電極24因?qū)ξ徽`差而垂直移動(dòng)時(shí)，第二電極25也會(huì)隨著垂直移動(dòng)，進(jìn)而使得重疊區(qū)C的面積隨重疊區(qū)A的面積變化而變化。如圖所示，漏極電極24平行柵極線20，因此，第一電極22與第二電極25的開孔平行柵極線20。
圖3b顯示本發(fā)明的像素單元的第四實(shí)施例。圖3b所顯示的像素單元相似于圖3a，不同之處在于第一電極22及第二電極25的形狀。
圖2a～圖3b所提到的對(duì)位誤差是發(fā)生在第二金屬層的源極電極23、漏極電極24及第二電極25。而圖4a～圖5b所顯示的像素單元?jiǎng)t可補(bǔ)償?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層之間的半導(dǎo)體層的對(duì)位誤差。
如圖4a、圖4b所示，半導(dǎo)體層具有區(qū)域42及44，區(qū)域42重疊柵極電極21，區(qū)域44重疊第一電極22。當(dāng)區(qū)域42因?qū)ξ徽`差而向左移動(dòng)時(shí)，則造成柵極電極21與區(qū)域42的重疊區(qū)面積減少；而當(dāng)半導(dǎo)體層的區(qū)域42向右移動(dòng)時(shí)，則造成柵極電極21與區(qū)域42的重疊區(qū)面積增加。
為避免柵極電極21與區(qū)域42的重疊區(qū)面積影響寄生電容Cp的電容值，故當(dāng)柵極電極21與區(qū)域42的重疊區(qū)面積改變時(shí)，則同時(shí)改變第一電極22與區(qū)域44的重疊區(qū)的面積。如圖5a及圖5b所示，當(dāng)半導(dǎo)體層因?qū)ξ徽`差而垂直移動(dòng)時(shí)，區(qū)域42及44的面積也會(huì)隨著變化。
由于本發(fā)明的儲(chǔ)存電容的電容值會(huì)隨著寄生電容的電容值變化而變化，故可自動(dòng)補(bǔ)償寄生電容的電容值因?qū)ξ徽`差所產(chǎn)生的偏移，進(jìn)而固定儲(chǔ)存電容的電壓變化量。
當(dāng)儲(chǔ)存電容的電壓變化量固定時(shí)，則可利用調(diào)整共通電壓(commonvoltage)的方法，來補(bǔ)償儲(chǔ)存電容的電壓變化量。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝的人，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視申請(qǐng)專利范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素單元，其特征在于包括一第一金屬層，具有一柵極電極以及一第一電極；以及一第二金屬層，具有一漏極電極、一源極電極、以及一第二電極，漏極電極重疊柵極電極之處為一第一重疊區(qū)，源極電極重疊柵極電極之處為一第二重疊區(qū)，第二電極重疊第一電極之處為一第三重疊區(qū)；其中，第一及第二電極的大小相近，并相互錯(cuò)開。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述第一重疊區(qū)的面積的變化率與第三重疊區(qū)的面積的變化率為一正相關(guān)系。
3.如權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述正相關(guān)系為一正比關(guān)系。
4.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，通過改變第一及第二電極的形狀，使得第三重疊區(qū)的面積隨著第一重疊區(qū)的面積而變化。
5.如權(quán)利要求4所述的像素單元，其特征在于，所述第一及第二電極的形狀均為魚骨狀。
6.如權(quán)利要求4所述的像素單元，其特征在于，所述第一及第二電極的形狀均為柵欄狀。
7.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括一連接電極，耦接于第二電極與漏極電極之間，當(dāng)?shù)谝恢丿B區(qū)的面積變化時(shí)，連接電極不會(huì)重疊柵極電極或第一電極。
8.如權(quán)利要求7所述的像素單元，其特征在于，所述連接電極由第二金屬層所構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求7所述的像素單元，其特征在于，當(dāng)所述第二電極重疊第一電極時(shí)，則構(gòu)成一電容。
10.如權(quán)利要求9所述的像素單元，其特征在于，所述柵極電極、漏極電極以及源極電極構(gòu)成一晶體管。
11.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，當(dāng)所述第二金屬層水平或垂直移動(dòng)時(shí)，將改變第一、第二以及第三重疊區(qū)的面積。
12.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括一半導(dǎo)體層，設(shè)置于第一及第二金屬層之間，該半導(dǎo)體層重疊柵極電極之處為一第四重疊區(qū)，并且重疊第一電極之處為一第五重疊區(qū)。
13.如權(quán)利要求12所述的像素單元，其特征在于，當(dāng)所述半導(dǎo)體層水平或垂直移動(dòng)時(shí)，將改變第四及第五重疊區(qū)的面積。
14.如權(quán)利要求12所述的像素單元，其特征在于，所述第四重疊區(qū)重疊部分第一及第二重疊區(qū)，第五重疊區(qū)重疊部分第三重疊區(qū)。
15.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述柵極電極耦接一柵極線；當(dāng)漏極電極垂直該柵極線時(shí)，則第一及第二電極的開孔垂直該柵極線。
16.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述柵極電極耦接一柵極線；當(dāng)漏極電極平行該柵極線時(shí)，則第一及第二電極的開孔平行該柵極線。
17.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述第一電極的形狀與第二電極的形狀相同。
18.一種顯示裝置，其特征在于包括一掃描驅(qū)動(dòng)器，用以提供至少一掃描信號(hào)；一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，用以提供至少一數(shù)據(jù)信號(hào)；以及多個(gè)像素單元，接收所述掃描信號(hào)及數(shù)據(jù)信號(hào)，每一像素單元包括一第一金屬層，具有一柵極電極以及一第一電極，該柵極電極接收所述掃描信號(hào)；以及一第二金屬層，具有一漏極電極、一源極電極、以及一第二電極，漏極電極重疊柵極電極之處為一第一重疊區(qū)，源極電極重疊柵極電極之處為一第二重疊區(qū)，第二電極重疊第一電極之處為一第三重疊區(qū)；其中，第一及第二電極的大小相近，并相互錯(cuò)開。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一重疊區(qū)的面積的變化率與第三重疊區(qū)的面積的變化率為一正相關(guān)系。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其特征在于，所述正相關(guān)為一正比關(guān)系。
21.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，通過改變第一及第二電極的形狀，使得第三重疊區(qū)的面積隨著第一重疊區(qū)的面積變化而變化。
22.如權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一及第二電極的形狀均為魚骨狀。
23.如權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一及第二電極的形狀均為柵欄狀。
24.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，還包括一連接電極，耦接于第二電極與漏極電極之間，當(dāng)?shù)谝恢丿B區(qū)的面積變化時(shí)，該連接電極不會(huì)重疊柵極電極或第一電極。
25.如權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于，所述連接電極由第二金屬層所構(gòu)成。
26.如權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于，所述第二電極重疊第一電極時(shí)，則構(gòu)成一電容。
27.如權(quán)利要求26所述的顯示裝置，其特征在于，所述柵極電極、漏極電極以及源極電極構(gòu)成一晶體管。
28.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，當(dāng)所述第二金屬層水平或垂直移動(dòng)時(shí)，將改變第一、第二以及第三重疊區(qū)的面積。
29.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素單元還包括一半導(dǎo)體層，設(shè)置于第一及第二金屬層之間，該半導(dǎo)體層重疊柵極電極之處為一第四重疊區(qū)，并且重疊第一電極之處為一第五重疊區(qū)。
30.如權(quán)利要求29所述的顯示裝置，其特征在于，當(dāng)所述半導(dǎo)體層水平或垂直移動(dòng)時(shí)，將改變第四及第五重疊區(qū)的面積。
31.如權(quán)利要求30所述的顯示裝置，其特征在于，所述第四部分重疊部分第一及第二重疊區(qū)，所述第五重疊區(qū)重疊部分第三重疊區(qū)。
32.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，所述柵極電極耦接一柵極線；當(dāng)漏極電極垂直該柵極線時(shí)，則第一及第二電極的開孔垂直該柵極線。
33.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，所述柵極電極耦接一柵極線；當(dāng)漏極電極平行該柵極線時(shí)，則第一及第二電極的開孔平行該柵極線。
34.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一電極的形狀與第二電極的形狀相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素單元及顯示裝置。所述像素單元包括一第一以及第二金屬層，第一金屬層具有一柵極電極以及一第一電極，第二金屬層具有一漏極電極、一源極電極、以及一第二電極，漏極電極重疊柵極電極之處為一第一重疊區(qū)，源極電極重疊柵極電極之處為一第二重疊區(qū)，第二電極重疊第一電極之處為一第三重疊區(qū)，所述第一及第二電極的大小相近，并相互錯(cuò)開。本發(fā)明的像素單元可應(yīng)用于顯示裝置中。由于本發(fā)明的儲(chǔ)存電容的電容值會(huì)隨著寄生電容的電容值變化而變化，故可自動(dòng)補(bǔ)償寄生電容的電容值因?qū)ξ徽`差所產(chǎn)生的偏移，進(jìn)而固定儲(chǔ)存電容的電壓變化量。而當(dāng)儲(chǔ)存電容的電壓變化量固定時(shí)，則可利用調(diào)整共通電壓的方法，來補(bǔ)償儲(chǔ)存電容的電壓變化量。
文檔編號(hào)H01L27/02GK1825587SQ20061000127
公開日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2006年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月12日
發(fā)明者王涌鋒, 余良彬, 董畯豪 申請(qǐng)人:廣輝電子股份有限公司