專利名稱：：用于在分立薄片上沉積多層涂層的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明大體上涉及用于將多層涂層沉積到薄片襯底上的裝置以及裝載于其上的器件，而更具體地說，涉及執(zhí)行多層涂層過程同時減少各個層的污染的可能性的封裝工具。
背景技術(shù)：
：多層涂層已經(jīng)被包括在環(huán)境敏感的產(chǎn)品和器件的封裝中以保護它們免受諸如大氣中的氧氣和水蒸氣之類的環(huán)境氣體或液體、或者產(chǎn)品或器件加工、處理、儲存或使用中所用的化學(xué)物質(zhì)的滲透。在一種形式中，這些涂層可以由被有機聚合物層分離的無機金屬或金屬氧化物層制成。這樣的涂層已經(jīng)在例如美國專利Nos.5,880,246、6,268,695、6，413，645和6，522，067中被描述了，以上全部都通過引用4皮并入本文中。一種通常被用于將薄的多層涂層涂敷到各種巻筒襯底(websubstrate)的方法是"巻到巻(roll-to-roll)，，法，包括將連續(xù)的巻筒襯底裝載到巻盤(reel)上。一連串旋轉(zhuǎn)鼓被用于將襯底傳送經(jīng)過一個或多個沉積臺。隨著巻筒襯底傳送過系統(tǒng)中的旋轉(zhuǎn)鼓，聚合物層在一個或多個聚合物沉積和固化臺處被沉積和固化，而無機層在一個或多個無機層沉積臺處被沉積。沉積和固化臺不是被聯(lián)結(jié)到一起的分離的室，而是在單一真空室內(nèi)彼此相鄰地隔開的。用這樣一種開放式架構(gòu)(openarchitecture),—般必須努力使可能導(dǎo)致層或襯底污染的有機蒸氣遷移最小化。此外，因為氣相沉積給予接受襯底(receivingsubstrate)顯著的熱負荷，所以一個或多個轉(zhuǎn)鼓可被配置為提供所需的散熱以控制襯底溫度。雖然巻到巻法能夠具有高生產(chǎn)率，但是其實際使用受限于連續(xù)長度(巻)的襯底。另外，巻到巻法固有的巻曲使其難以將涂層沉積到剛性襯底上或者沉積到其上承載了非柔性器件(inflexibledevice)的襯底上。當(dāng)要涂敷的襯底為分立薄片形式而非連續(xù)巻筒時，另一種方法，被稱為"集束型工具(clustertool)"法，通常#皮用于將多層涂層涂敷到薄片襯底上。集束型工具法通常被用在半導(dǎo)體器件的制造中，包括使用兩個或更多的通過公共接口聯(lián)結(jié)到一起的獨立的真空室，諸如"星形(hub-and-spoke)拓樸結(jié)構(gòu)"配置，其中中央(central)(或者大致中央)樞紐(hub)包括機器人傳輸設(shè)備(robotictransportdevice),該樞紐可以不斷地將襯底移動到通常環(huán)繞在樞紐周圍的大量的獨立處理室中。一個或多個處理室為包含一種或多種沉積源的真空室。在集束型工具法中，分立的薄片村底被從一個真空室移動到另一個真空室以在其上接受不同的層，將該過程重復(fù)所需的次數(shù)以生產(chǎn)所需的組合涂層(built-upcoating)。對于發(fā)展集束型工具法的一個強烈的激勵因素是對隔離相鄰但不同的層之間的潛在污染源的需要，其中，隔離閥一般被放置于相鄰的室之間。事實上，用于阻擋層涂敷(barriercoating)工業(yè)的基于集束型工具機器的使用是部分地基于以下的理解即如果要避免污染，那么有機和無機沉積不能發(fā)生于公共真空室中。集束型工具方法的另一個屬性是在每個分離的真空室中用于襯底的精確溫度控制的潛力(protential)比大于在用于巻到巻配置的開放室中的大。因此，需要一種能將多層涂層涂敷到薄片襯底以及裝栽到薄片襯底上的器件或者產(chǎn)品上、并且將巻到巻設(shè)備的速度和效率與基于集束型工具的機器所固有的防止交叉污染的能力結(jié)合起來的工具。還需要一種能與該工具協(xié)作以確保被用于形成至少一些該多層涂層的材料來自可靠且可信的源的系統(tǒng)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的裝置可以滿足上述需要，其中組成多層涂層的各個層可以在修改的集束型工具架構(gòu)中進行沉積，該架構(gòu)具體表現(xiàn)了巻到巻配置和相關(guān)直列式配置中所固有的一些線性度(linearity)。與跟巻筒襯底相關(guān)的連續(xù)處理相比，本發(fā)明尤其適于通過批量處理來涂敷分立的襯底。在本文中，修改的集束型工具架構(gòu)同時包括集束型和直列式屬性以限定用于將多層涂層沉積于分立薄片襯底上的混合設(shè)計。在本文中，混合工具不同于巻到巻(或相關(guān)的連續(xù)式)工具之處在于，首先，混合工具被配置為處理分立的薄片而巻到巻工具處理連續(xù)巻筒；其次，沿著混合工具布置的沉積臺通常遵循線性的、平坦的路徑(其可以包含單向/一次移動或者穿梭/多次移動)使得在涂層處理期間該工具不會讓襯底(以及任何其上裝載的器件)經(jīng)歷可能會對涂層或被涂層封裝的器件有害的過度曲折的路徑。在本文中，沉積路徑被認為是大致線性的?；旌瞎ぞ咭膊煌诩凸ぞ咧幵谟冢诨旌瞎ぞ咧邪ㄖ绷惺綄傩?，其中多層涂層的各種層的至少一些的沉積發(fā)生于公共環(huán)境中的連續(xù)路徑中；而在集束型工具中，各種層在與周圍環(huán)境和相鄰的室隔離開的自治室(autonomouschamber)中,皮沉積。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，公開了用于將有機材料沉積到分立襯底上的設(shè)備。該設(shè)備包括有機材料沉積臺(也稱為有機層沉積臺)；與有機材料沉積臺協(xié)作的有機材料固化臺；被配置為至少在有機材料沉積臺和有機材料固化臺之間傳送襯底的襯底傳輸器；與有機材料沉積臺成真空聯(lián)通放置的減壓源(reduced-pressuresource);以及與有機材料沉積臺和有機材料固化臺中至少一個協(xié)作使得可以在襯底上沉積有機材料的期間控制內(nèi)部溫度的熱控制機構(gòu)(thermalcontrolmachanism)。減壓源(諸如真空泵)可以在將有機層沉積到分立襯底上的至少一部分過程期間被使用，并工作以在襯底周圍立即產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。可選地，該設(shè)備可以包括額外的部件，包括被配置為調(diào)整有機材料沉積臺中溫度和壓力條件的至少一個的控制系統(tǒng)。在更具體的選項中，該控制系統(tǒng)被配置為調(diào)整有機材料沉積臺中的溫度和壓力條件兩者。其它設(shè)備，諸如被配置為在進入有機材料沉積臺之前將合適形狀和尺寸的掩模放置到襯底上的有機掩模放置(organicmaskplacement)設(shè)備(以下將詳細討論)，也可以被合并入。該設(shè)備還可以包括聯(lián)結(jié)到有機材料沉積臺的清潔系統(tǒng)。在一種形式中，該清潔系統(tǒng)可以產(chǎn)生降解或者去除要被清除出有機材料沉積臺的材料的反應(yīng)等離子體。例如，該裝置可以包括射頻(RF)電極用于產(chǎn)生清潔等離子體。這能被用于將與清除和相關(guān)的清潔有機材料沉積臺中未固化的、部分固化的或完全聚合的有機材料相關(guān)的停機時間(down-time)最小化而不用依靠使用化學(xué)溶劑或研磨機械擦洗(abrasivemechanicalwiping)。這樣的清潔系統(tǒng)可以，例如，使用等離子體源以能夠原位清潔(in-situcleaning)并隨之使系統(tǒng)必須置于非真空環(huán)境下的時間最小化。有機材料沉積臺還可以包括可調(diào)襯底傳輸路徑。例如，通過使一部分襯底傳輸路徑相對于沉積噴嘴(depositionnozzle)上移或下移，就可以得到各種工作模式，包括為了工藝穩(wěn)定性而相對關(guān)閉的位置、為了正常有機材料的沉積而居中的位置以及為了環(huán)繞在噴嘴周圍的室的抽氣而完全敞開的位置。還可以包括被配置為在沉積至少一個有機層之前將掩模涂敷到襯底上的掩模臺。此外，該掩模臺可以包括掩模對準(zhǔn)功能以提升掩^^莫相對襯底的放置精度。磁性夾具(magneticclamp)也可以被用來使掩模和襯底在彼此連接之后保持正確的對準(zhǔn)。在另一個選項中，該設(shè)備還可以包括有機材料測定和安全系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以被用來確保在允許設(shè)備分配有機材料沉積臺之前滿足特定的安全標(biāo)準(zhǔn)。有機材料測定和安全系統(tǒng)包括保持一些有機材料(其例子會在下文中進行更詳細地解釋)的容器、以及所述容器協(xié)作的驗證設(shè)備(優(yōu)選的形式為硬件密鑰)。計算機可加載(computer-loadable)算法與基于微處理器的控制器(諸如計算機，其可能已經(jīng)是設(shè)備的一部分)相配合，使得在收到用戶輸入和滿足硬件密鑰中所編碼的安全標(biāo)準(zhǔn)之后，有機材料測定和安全系統(tǒng)指示釋放所請求數(shù)量的有機材料。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，計算機可加載的算法，以及任何可選的加密或相關(guān)安全軟件都可以在硬件密鑰上或者作為獨立軟件包的一部分而被提供。還可以理解的是，有機材料測定和安全系統(tǒng)可以與本發(fā)明前述方面和以下要討論的其余方面一起使用。根據(jù)本發(fā)明另一個方面，公開了用于將材料沉積到分立襯底上的設(shè)備。該設(shè)備包括集束型工具，被配置為將至少一個無機層沉積到襯底上；直列式工具，被操作地聯(lián)結(jié)(operativelycoupled)到集束型工具并被配置為將至少一個有^L層沉積到襯底上；以及減壓源，與有機材料沉積臺成真空聯(lián)通放置?？蛇x地，該設(shè)備還包括熱控制機構(gòu)。在一種形式中，熱控制機構(gòu)可以包括環(huán)繞于直列式工具中的沉積室周圍的冷卻套。直列式工具由有機材料沉積臺、與有機材料沉積臺協(xié)作的有機材料固化臺、以及被配置為至少在有機材料沉積臺和有機材料固化臺之間傳送襯底的襯底傳輸器組成。有機材料沉積臺還包括有機材料蒸發(fā)器、與蒸發(fā)器成流體聯(lián)通的有機材料沉積噴嘴以及布置于噴嘴周圍的有機材料封隔系統(tǒng)(organicmaterialconfinementsystem)。在具體形式中，有機材料沉積臺限定了可隔離內(nèi)室(isolatableinteriorchamber)，該室限定了包含有機材料封隔系統(tǒng)的第一區(qū)域，以及可通過可活動遮板(movableshutter)與第一區(qū)域選擇性隔離的第二區(qū)域。還可以包括與第二區(qū)域成熱聯(lián)通的冷卻設(shè)備。用這樣的設(shè)備，可以使用基于冷卻與單體沉積臺相鄰的或者單體沉積臺的一部分的各種表面的分布式方法(distributedapproach)。在另一種形式中，該分布式方法^皮用于支持當(dāng)在工具中被傳輸或臨時存儲于處理臺之間時的襯底。冷卻設(shè)備可以被用于減少第一區(qū)域中所產(chǎn)生的熱負荷對第二區(qū)域的影響。還可以使用另外的溫度控制裝置。例如，至少一個冷阱(coldtrap)被放置于可隔離內(nèi)室中(諸如與分隔第一區(qū)域和第二區(qū)域的孔相鄰)。在具體形式中，該冷阱被布置于第二區(qū)域中以與襯底接收路徑(substrate-receivingpath)協(xié)作。一個或多個泵(例如，結(jié)合局部渦輪分子泵工作的前級泵(roughpump))可以被流體地聯(lián)結(jié)(fluidlycoupled)到第一和第二區(qū)域的至少一個上以根據(jù)需要提高或者降低局部環(huán)境壓力。設(shè)備的集束型工具部分還可以包含無機沉積臺，諸如配置為平面陰極'減射(planarcathodesputtering)的臺。這個臺凈皮稱為無才幾材料沉積臺或者無機層沉積臺，可以被用于將第一層無機材料層沉積到襯底上。除了上面討論的減壓源之外，也可以與集束型工具成真空聯(lián)通地放置一個減壓源，使得在無機層沉積到分立襯底上的過程的至少一部分期間，減壓源工作以在襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。它可以為與該設(shè)備直列式部分結(jié)合使用的相同減壓源，或者可以為自治地控制或者公共地控制的分離單元。無機層沉積臺被配置為將多層涂層的至少一個無機層沉積到襯底上，而有機層沉積臺和固化臺被配置為將多層涂層的至少一個有機層沉積到襯底上。在本文中，將層"沉積"到襯底上包括與下方的襯底直接接觸地涂敷和在先前沉積于襯底上的一個或多個層上作為相接疊層(contiguousstack)的一部分的涂敷。這樣，有機層或無機層可以首先被沉積，然而這兩層，即使為多層配置的形式，也被認為是沉積到襯底上的。可以配置該設(shè)備使得任一層都可以被首先沉積。例如，無機層可以在第一有機層放置之前被放置到襯底上。設(shè)備還包括至少一種表面處理機構(gòu)，該機構(gòu)被配置為增強多層涂層的各個層粘附到襯底或相鄰層的能力。例如，由于使用賊射(上述與無機層沉積到襯底上結(jié)合使用的)是有益的，它的使用與增加溫度和提高等離子體能量相符?？梢圆捎锰貏e的措施以避免對環(huán)境敏感器件(諸如有機發(fā)光二極管(OLED))的損害，這種損害可能會由于被暴露給等離子體和/或濺射涂層處理(sputteringcoatingprocess)的溫度下而引起。其它沉積技術(shù)，諸如熱蒸發(fā)(thermalevaporation)，有助于有機層的沉積而不使環(huán)境敏感器件處于惡劣環(huán)境、例如、高溫和/或等離子體中。作為舉例，因為熱蒸發(fā)是目前所用的用于形成OLED的金屬化上部電極的方法，這種無機層沉積法也能被用作封裝增強(encapsulation-enhancement)方法，諸如用于沉積保護層。與諸如可由反應(yīng)濺射涂敷的氧化鋁(A1203)之類的常用的氧化物不同，無機物諸如氟化鋰(LiF)和氟化鎂(MgF2)(兩者都是光學(xué)透明的)也能通過熱蒸發(fā)涂敷以創(chuàng)造保護層而不必將環(huán)境敏感器件暴露于等離子體下。同樣地，該方法可以利用通過熱蒸發(fā)的無機透明金屬閨化物、濺射的透明無機物或者第一沉積無機物、或者其中熱蒸發(fā)被用于第一沉積無機物的更簡單方法。后者會要求第一沉積無機物能由熱蒸發(fā)涂敷并提供粘附力和透明度的組合。該設(shè)備可以凈皮配置為使襯底來回穿梭(shuttle)所需次數(shù)以將多層涂層沉積到襯底上。為了實現(xiàn)穿梭移動，一個或多個傳送器(conveyor)或相關(guān)傳輸機構(gòu)可以一直延伸貫穿該設(shè)備的直列式部分以從頭到尾傳輸襯底。如下文將詳細討論的那樣，這樣的傳輸機構(gòu)的特征可以同樣地被用于無機層沉積臺的至少一部分中。為了協(xié)助穿梭，傳送器可以被配置為雙向移動。機器人機構(gòu)可以被放置于設(shè)備的集束型工具部分的區(qū)域中以不僅協(xié)調(diào)村底在排列于中央樞紐周圍的不同臺之間的移動，而且與直列式工具的傳送器或其它傳輸設(shè)備相協(xié)作?？梢园刂葡到y(tǒng)以確定不同組件和工藝條件的可操作性，還可以對諸如壓力、溫度、掃描速度、污染物的存在之類的工藝參數(shù)作出響應(yīng)。(vacuumlevel)。為了舉例，無機層沉積期間的真空水平可以為約3毫托，而有機層沉積期間的真空水平可以為約10毫托。如上所述，無機層可以在有機層放置之前被沉積到襯底上。發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在放置有機層之前放置無機(諸如氧化物)層可以改善襯底之間和層之間的粘附力，以及改善阻擋特性(barrierproperty)。發(fā)明人還已發(fā)現(xiàn)在封裝放置于襯底上的物體(諸如OLED)的情況中，可以使用"無機物優(yōu)先(inorganicfirst)，，法實現(xiàn)良好的粘附力和阻擋特性。因此，雖然包括有機層持續(xù)對多層涂層的總體性能作出有價值的影響，但是發(fā)明人的研究提出得到適合于有效地隔離阻擋層不受來自下方襯底(或器件)不必要影響的基體(或基礎(chǔ))可以通過用一對或多對由無機層(可能位于上述保護層頂上)開始的無機層/有機層對來最佳地實現(xiàn)。通過將無機層在有機層之前放置到襯底(諸如玻璃或塑料)上，發(fā)明人已經(jīng)實現(xiàn)到襯底、到襯底上放置的器件、以及多層環(huán)境阻擋層之間的粘附，它們?nèi)拷?jīng)受住了它們所必需經(jīng)受的物理和熱的惡劣環(huán)境。此外，當(dāng)這些層形成了上面放有器件的表面時，它們承受住了全部與器件制造相關(guān)的處理。發(fā)明人相信至少一種解釋可以是有機物從塑料或相關(guān)襯底到首先涂敷的層(first-appliedlayer)的遷移相比第一層為有機層的情況被減少了，并且這種遷移減少促進和維持了襯底和首先涂敷的層之間的強化粘附力。另外，在沉積到裝栽于襯底上的器件上的情況中，發(fā)明人相信利用第一有機沉積層，該層不會充分濕潤或者均勻涂敷該器件表面。這可能由于源自被涂敷的器件的有機層中的物質(zhì)對于第一有機沉積層相對于器件或兩者的組合而言不具有合適的配方。另一方面，"有機物優(yōu)先"法(至少在封裝情況中)會減少甚至消除沉積無機層中所用的等離子體對器件的潛在損害。同樣地，可以基于被涂敷襯底或器件的特定需要作出對"有機物優(yōu)先，，或"無機物優(yōu)先，，沉積策略的選擇。如前所述，掩?？梢员挥糜谠谝r底上形成特定的沉積圖案。為了減小滲出和相關(guān)毛細現(xiàn)象(其在處理沉積的有機層時相當(dāng)普遍)的影響，掩?？梢员欢询B以制作底切掩模(undercutmask)，或者有機掩?？梢栽诠袒襟E之前被去除。在固化之前去除掩模還可以通過去除有機材料邊緣的掩模遮蔽(maskshadowing)改善固化速度。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，公開了用于將多層涂層沉積到分立襯底上的工具。該工具包括分布于中央樞紐周圍并與該樞紐聯(lián)結(jié)的多個外圍臺(peripheralstation)以4吏大致中央的才區(qū)紐可以在外圍臺之間傳輸襯底。可以理解的是，雖然星形拓樸結(jié)構(gòu)排列在圖中被用來表示中央樞紐配置，但是其它用于便于不同外圍臺之間串行或并行輸送的類4以配置(comparablearrangement)也,皮涵蓋于本發(fā)明的范圍內(nèi)。外圍臺包括阻擋層形成臺(barrierlayerformingstation)、一個或多個有機物(或相關(guān)聚合物前體)層形成臺、與阻擋層和有機層形成臺的至少一個成真空聯(lián)通放置的減壓源、以及與阻擋層和有機層形成臺的至少一個成熱聯(lián)通放置的溫度控制裝置。該阻擋層形成臺可以被用于將至少一個無機層沉積到襯底上，而該一個或多個有機層形成臺可以被配置為直列式工具以將至少一個有機層沉積到襯底上。通過提供一個以上的有機層形成臺，本發(fā)明可以在需要時處理更高吞吐量的操作。減壓源(諸如真空)工作以在襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。同樣地，溫度控制裝置工作以調(diào)整襯底溫度。可選地，溫度控制裝置被配置為降低襯底溫度。另外，該工具還包括被置于工具中的至少一個掩模臺，該掩模臺被配置為將至少一個掩模放置于襯底上。有機層形成臺包括單體沉積、單體固化和將具有單體涂層的襯底在該工具的沉積和固化部分之間移動的傳輸部件。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，公開了用于將多層涂層沉積到分立襯底上的工具。該工具包括單體層沉積臺、與單體層沉積臺協(xié)作的阻擋層沉積臺以及與單體和阻擋層沉積臺之一或兩者協(xié)作以在襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境的減壓源。如前所述，單體層沉積臺可以被設(shè)置為直列式工具以將至少一個有機層沉積到襯底上。阻擋層沉積臺被配置為集束型工具以將至少一個無機層沉積到襯底上?？蛇x地，該工具還包括至少一個固化臺，其被配置為固化由單體層沉積臺沉積的有機層。該工具還可以包括一個或多個污染減少設(shè)備(contaminationreduction)以控制有機層制造材料的遷移。該工具還可以包括掩模臺，其被配置為將至少一個掩才莫放置于襯底上。單體層沉積臺和阻擋層沉積臺可以被配置為將襯底沿著各自傳輸路徑反向移動以促進多層涂層的多層的沉積。環(huán)境隔離閥(environmentalisolationvalve)可以被放置于單體層沉積臺和阻擋層沉積臺之間以避免工具內(nèi)相鄰隔間之間不必要的污染。另外，一個或多個表面處理室可以被合并入以增強多層涂層的各個層粘附襯底或多層涂層的相鄰層的能力。該表面處理室，其可以由等離子體能量源或熱蒸發(fā)裝置制成，能夠被置于單體層沉積臺中。在其中表面處理室包括熱蒸發(fā)裝置的配置中，可以配置一種形式以將非氧化物材料沉積于襯底或剛才曝光的層上。在這種情況的具體方案中，該非氧化物材料可以為氟化鋰或氟化鎂。在具體的工具配置中，無機層沉積臺在有機層沉積臺放置有機層之前將無機層放置到襯底上。另外，真空源可以在無機層沉積期間提供與有機層沉積期間不同的真空水平。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，公開了將多層涂層沉積到OLED上的封裝工具。該封裝工具包括被配置為將至少一個無機層沉積到OLED上集束型工具、被配置為將至少一個有機層沉積到OLED上的直列式工具、以及真空源，該真空源至少被聯(lián)結(jié)到直列式工具上使得在將有機層沉積到OLED上的過程的至少一部分期間，真空源工作以在OLED周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。該直列式工具被操作地聯(lián)結(jié)到集束型工具?？蛇x地，熱控制機構(gòu)被聯(lián)結(jié)到集束型工具和直列式工具的至少一個上。此外，可以配置封裝工具使得無機或有機層可以,皮首先涂敷于OLED上。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，公開了用于將多層涂層沉積到分立襯底上的方法。該方法包括使用可以根據(jù)一個或多個前述方面被配置的封裝工具。另外，該方法包括將襯底加載到工具中，將無機材料的至少一部分作為多層涂層的組分沉積到襯底上，操作減壓源以在有機層沉積到襯底上的過程的至少一部分期間在襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境，將有機材料的至少一部分作為多層涂層的成分沉積到襯底上，以及固化有機沉積層?？蛇x地，該方法還包括在形成多層涂層的第一層之前處理襯底的至少一個表面。這增強了襯底和第一形成層之間的粘附力。該方法還可以包括在沉積無機層之前將無機掩模放置于襯底上，以及在沉積有機層之前將有機掩模放置于襯底上。多個掩?？梢员欢询B以制作底切掩模。在另一種方法中，底切掩?？梢杂删哂凶銐蚝穸鹊膯螌有纬伞Ｔ谝环N形式中，希望避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽區(qū)域中的有機沉積層的一部分與實質(zhì)上接觸村底的底切掩模部分相接觸，由此使毛細(wicking)或相關(guān)現(xiàn)象的可能性最小化。另外，有機掩模可以在固化之前被去除。在另一個選項中，工具的至少一部分可以被冷卻以實現(xiàn)對有機層沉積的控制。該方法還可以包括在有機層的至少一部分沉積到襯底上之前沉積無機層的至少一部分使得襯底上的第一沉積層為無機層。在另一種形式中，可以執(zhí)行相反操作使得襯底上第一沉積層為有機層。該方法還可以包括操作熱控制機構(gòu)使得可以在沉積期間控制集束型工具和直列式工具中至少一個的溫度。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，公開了封裝放置于分立襯底上具有多層涂層的OLED的方法。該方法包括將OLED加載到封裝工具中，當(dāng)OLED在工具的無機層沉積臺部分中時將無機層的至少一部分沉積到OLED上，當(dāng)OLED在工具的有機層沉積臺部分中時將有才幾層的至少一部分沉積到OLED上，操作減壓源以在有機層沉積到OLED上的過程的至少一部分期間在OLED周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；以及固化有才幾沉積層?？蛇x地，有機和無機層的沉積可以重復(fù)至少一次，其中沉積有機和無機層的步驟可以按任意次序執(zhí)行。優(yōu)選地，用于有機層的有機材料以蒸汽形式被導(dǎo)入到有機層沉積臺中，更具體地說，該有機材料為聚合物前體或單體。另外，用于無機層的無機材料優(yōu)選地為陶瓷?？梢岳斫獾氖?，這些材料選擇同樣可以被應(yīng)用于它們所對應(yīng)的集束型和直列式工具部分的任意前述方面。在一種形式中，有機沉積層的固化包括紫外線(UV)固化，雖然可以理解的是，也可以使用其它已知形式的固化。如前述方面，首先涂敷的層可以為無機層。此外，最后涂敷的層可以為無機層。該方法還包括在有機層沉積之前處理至少一個無機沉積層。這樣的處理可以通過等離子體源執(zhí)行。根據(jù)本發(fā)明又一個方面，一種工具包括封裝設(shè)備；裝載鎖(loadlock)，用于封裝設(shè)備與該工具其余部分之間進行選擇性真空隔離(selectivevacuumisolation);以及交換機構(gòu)(exchangemechanism)，便于一個或多個形成于襯底上的封裝構(gòu)件在封裝設(shè)備與該工具其余部分之間的傳輸。該封裝設(shè)備包括有機層形成臺和阻擋層形成臺，其中有機層形成臺可以包括有機材料沉積臺、與有機材料沉積臺協(xié)作的有機材料固化臺、襯底傳輸器以及減壓源，減壓源與有機材料沉積臺成真空聯(lián)通放置使得在有機層沉積到襯底上的過程的至少一部分期間，減壓源工作以在襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。另外，有機層形成臺可以包括與沉積和固化臺中一個或二者協(xié)作的熱控制機構(gòu)使得其中的溫度可以在襯底上有機材料形成期間得到控制。可選地，在一個實施方案中，該工具不僅可以被用于封裝襯底上的器件，還可以被用于將被封裝器件集成為更大的部件，例如集成電路等。封裝設(shè)備可以為OLED封裝設(shè)備。同樣地，交換機構(gòu)可以為之前討論的貯料器(accumulator)。同樣結(jié)合以上方面所述，阻擋層形成臺可以被配置為集束型工具，而有機層形成臺可以被配置為直列式工具。該工具還可以包括被放置于有機層形成臺或其它地方中的清潔系統(tǒng)。該清潔系統(tǒng)可以包括前述的輝光放電裝置。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，公開了有機材料測定和安全系統(tǒng)。該系統(tǒng)被配置為調(diào)節(jié)有機材料被分配到有機材料沉積工具(諸如一種上述工具)的流。該系統(tǒng)包括安全有機材料供給組合件(secureorganicmaterialsupplypackage)，其可以作為可替代、可消耗的單元凈皮組裝并出售。而事實上所有機械設(shè)備都隨著使用被損耗并會因此是"可消耗的"，在本文中，該術(shù)語被用于那些包含可用組成部分(諸如加工原料)的設(shè)備使得在原料耗盡時，該設(shè)備可以補充新的原料或者被丟棄。該組合件包括具有置于其內(nèi)的一定量的有機材料的容器、以及與所述容器協(xié)作的驗證設(shè)備。驗證設(shè)備可以用與容器內(nèi)的材料有關(guān)的信息進行編碼。在優(yōu)選實施方案中，在被聯(lián)結(jié)到有機材料沉積工具的有機材料測定和安全系統(tǒng)工作期間，與#皮分配有機材料的請求相對應(yīng)的信號將有機材料測定和安全系統(tǒng)設(shè)置為判定所接收的信號是否表示有效的請求的運行狀態(tài)。這樣的信號的一個例子來自用戶輸入，其中該用戶可以為操作有機層沉積工具的一個或多個個體。安全標(biāo)準(zhǔn)涉及容器內(nèi)的材料，還可以包括數(shù)量、制造廠商、化學(xué)成分或所包含材料的相關(guān)標(biāo)記。一旦該驗證設(shè)備測定安全標(biāo)準(zhǔn)^L滿足，那么它就指示有機材料沉積臺組件(其可以構(gòu)成源控制單元)準(zhǔn)許從容器中分配材料流體(materialfluid)?？蛇x地，該驗證設(shè)備為可以用與容器中材料對應(yīng)的信息編碼的硬件密鑰。如同其它形式的驗證設(shè)備，該硬件密鑰被配置為防止有機材料的未授權(quán)分配。該硬件密鑰還被配置為通過計算機上的或相關(guān)工藝過程控制器上的傳統(tǒng)端口(諸如USB端口)連接有機材料沉積工具以便于硬件密鑰與計算機上駐留的測定或安檢軟件之間的通訊。編碼到硬件密鑰上的信息可以被用于建立，例如，許可協(xié)議下的使用條款。通過對信息進行編碼，濫用(諸如違反許可協(xié)議的條款)的可能性被最小化。硬件密鑰上包含的數(shù)據(jù)可以通過軟件更新。例如，可以改變關(guān)于容器內(nèi)有機材料數(shù)量的信息以反映材料的提取(即收取)。當(dāng)硬件密鑰中包含的信息反映材料的零余額時，有機材料測定和安全系統(tǒng)可以指示設(shè)備停止工作。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，其它形式的信息可以被有效地存儲于硬件密鑰上，而系統(tǒng)內(nèi)嵌的加密和相關(guān)安全措施提升了制造廠商對于正確類型和數(shù)量的材料正在被分配的信心。圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所述的巻到巻工具的簡化視圖；圖2為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所述的集束型工具的簡化框圖；圖3顯示了被多層涂層封裝的物體的剖視圖，其中層的沉積是通過根據(jù)本發(fā)明一個方面所述的工具進行的；圖4A為根據(jù)本發(fā)明一個方面所述的具有單一有機層沉積臺的直列式封裝工具的示意圖；圖4B為當(dāng)襯底在多層沉積過程期間往返穿梭圖4A的工具時襯底位置的示意圖，突出了該工具同時處理多批次襯底的能力；圖4C用順序圖顯示了圖4A的工具的并置排列，其顯示了工具中各個部件被激活以制造多層涂層的順序；圖5A為根據(jù)本發(fā)明的替代實施方案所述的具有雙有機層沉積臺的直列式封裝工具的示意圖；圖5B為在襯底在多層沉積工藝期間往返穿梭圖5A的工具時襯底位置的示意圖，突出了該工具同時處理多批次襯底的能力；圖6為顯示使用具有有源器件沉積裝置的本發(fā)明控制器的封裝工具的并置排列的透視圖；圖7為包括集束型和直列式特征的工具的替代實施方案的配置圖；圖8為圖7的工具的集束型部份的濺射臺部分的簡化表示；圖9為橫穿襯底移動路徑看時圖8的濺射臺部分的正視圖；圖IO為沿著襯底移動路徑看時圖8的濺射臺部分的正視圖；圖11為圖7的工具的直列式部分的簡化表示；圖12顯示了圍繞放置于襯底上的環(huán)境敏感器件的簡化掩模配置的正視圖；圖13A顯示了用于覆蓋襯底的現(xiàn)有技術(shù)的傳統(tǒng)掩模的正視圖；圖13B顯示了根據(jù)本發(fā)明實施方案所述的用于覆蓋襯底的掩模的正視圖；圖14A顯示了根據(jù)本發(fā)明實施方案所述的用于封裝放置于剛性襯底上環(huán)境敏感器件的多層涂層覆蓋物的透視剖視圖；圖14B顯示了由圖14A的多層涂層形成的邊緣密封(edgeseal)的正面細節(jié)視圖；圖15顯示了在使用圖13B的掩模的襯底上形成的邊緣密封的俯視圖；圖16A到圖16F顯示了襯底承載托盤(substrate-carryingpallet)經(jīng)過圖11中所示有機層沉積臺的不同階段；圖17A是描述有機層沉積效率與襯底溫度的對應(yīng)關(guān)系的圖；圖17B是描述當(dāng)多層涂層在襯底上堆積時村底溫度的上升(elevation)的圖；以及圖18顯示了有機材料測定和安全系統(tǒng)如何與有機材料沉積臺協(xié)作的方框圖。具體實施方式首先參考圖1，顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于將多層涂層沉積于連續(xù)巻筒襯底上的巻到巻設(shè)備100。襯底110的巻筒經(jīng)過分配巻盤(distributionreel)120并經(jīng)過了有機層沉積臺125、固化臺130、無機層沉積臺135、第二有機層沉積臺140和固化臺145、并到達收取巻盤(take-upreel)150上?？蛇x地，該設(shè)備100可以包括一個或多個表面處理設(shè)備(諸如等離子體源155)以改善有機層和襯底110之間的粘附力。設(shè)備100的內(nèi)部限定了單室160。公共真空(commonvacuum)存在于所有上述部件間。在一個常用工藝、即聚合物多層(PML)工藝中，第一和第二有才幾層沉積臺125和140上所用的有才幾前體被閃蒸使得當(dāng)有機前體被導(dǎo)入到真空室160中時蒸發(fā)，然后它可被引導(dǎo)到相對低溫的襯底110以冷凝于其上。氣相(蒸發(fā))的形成通過加熱和增大前體表面積來實現(xiàn)，后者優(yōu)選地通過霧化(atomization)為無數(shù)微小液滴來將前體表面積增大若干個數(shù)量級。在表面積顯著增加的同時將液滴導(dǎo)入到真空環(huán)境中。美國專利4，722，515,因此通過引用被并入，描述了加熱、霧化以及實現(xiàn)有機前體材料蒸發(fā)的真空環(huán)境?？蛇x地，在前述蒸發(fā)中，另外的加熱(熱輸入)起因于將噴霧器的輸出沖擊到炙熱表面上。這個過程，被稱為閃蒸，進一步由美國專利4,954,371所教導(dǎo)，也通過引用被并入。冷凝液趨于平坦化，因而去除了襯底110的固有粗糙度的絕大部分。接下來參考圖2,顯示了現(xiàn)有技術(shù)的集束型工具系統(tǒng)200。在集束型工具配置中，傳輸臺205為所有沉積臺210、220和230所共用，使得每個臺獨有的材料不會滲透其余沉積臺。例如，襯底(未圖示)的分立薄片在傳輸臺205與第一有機層沉積臺210、無機層沉積臺220和第二有機層沉積臺230之間順序路過直到得到所要的成品。獨立真空(separatevacuum)(未圖示)；故施加于每個沉積臺上。該方法減少了被沉積的物質(zhì)在錯誤時間或地點被導(dǎo)入的機會，使得有助于得到無交叉污染(cross-contaminant-free)的最終產(chǎn)品，但這樣做卻極大增加了時間和生產(chǎn)成本。接下來參考圖3，本發(fā)明可以被用于封裝薄片襯底6與多層抗?jié)B透涂層9之間的環(huán)境敏感器件90，或者快速地將涂層9直接沉積到薄片襯底6上。作為舉例，環(huán)境敏感器件90可以為OLED。薄片襯底6可以被配置為每個薄片上接受一個或多個環(huán)境敏感器件90。此外，薄片襯底6可以為柔性或剛性的；柔性襯底包括但不限于聚合物、金屬、紙、織物、柔性薄片玻璃(flexiblesheetglass)、以及其組合，而剛性襯底包括但不限于陶瓷、金屬、玻璃、半導(dǎo)體、以及其組合。在所示實施方案中，薄片襯底6由玻璃制成，雖然被封裝器件還可以被放置于塑料膜栽體(support)上(諸如聚對苯二曱酸乙二酯，PET)，其中阻擋層可以被放置于該膜與器件90之間。構(gòu)成多層涂層9的層為有機層9A和無機層9B,它們可以按任意次序堆疊，而每一層有機層9A可以由與其它有機層相同或不同的材料制成，無機層9B也一樣。無機層9B被用于保護環(huán)境敏感器件卯，而有機層9A鈍化或以其它方式抑制無機層9B中裂紋或類似缺陷的形成。有機層9A—般厚度范圍為約l，OOO到15，000A，而有機層9B—般厚度范圍為約100到500A，雖然它可以更厚。例如，在器件封裝的情況中(如圖中所示)，首先沉積的無機層9B可被涂敷為相對厚的層(諸如大于1,000A)以得到更徹底的封裝。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本附圖用簡單方式繪制以突出不同層，并且本附圖不需要與真實的層厚度或數(shù)量成比例。有機層和無機層9A、9B的數(shù)量可以根據(jù)覆率(coverage)要求和抗?jié)B透要求由用戶選擇、控制。此外，前述熱蒸發(fā)涂層，諸如LiF和MgF2，可以形成額外的保護層9C,如結(jié)合圖14A和14B中所示。有機層除了執(zhí)行前述裂紋鈍化功能之外，有機層9A可以(如圖中所示)被制作得更厚以提供，除了其它特點以外，平坦化。此外，層9A可以提供下方襯底或器件的絕熱(thermalisolation)，這有利于減少與后續(xù)無機層9B沉積有關(guān)的熱的輸入。在更少的更厚層上交替分離層對涂層性能的好處可以用簡單冗余(simpleredundancy)來解釋，但也可以是在初始沉積于第一無機層9B上的有機層9A上后續(xù)沉積的無機層9B的成核(nucleation)具有體結(jié)構(gòu)所沒有的改善阻擋特性的結(jié)果。有許多方法基于等離子體或蒸發(fā)技術(shù)引發(fā)有機層9A的聚合、交聯(lián)和固化。一種方法是基于將閃蒸的有機材料通過充電的陰極/陽極組件以形成輝光放電等離子體。在輝光放電等離子體中，局部電離氣體被用來轟擊襯底6。輝光放電在本
技術(shù)領(lǐng)域：
中是完善的，并照此表達了可以使用的所需裝備配置、工藝操作條件、工作氣體等、以及可以達到什么結(jié)果的理解。氣體中的反應(yīng)物(reactivespecies)被化學(xué)沉積到襯底6或其上的涂層9上。在此之后，有機材料冷凝以形成通過被由等離子體形成產(chǎn)生的帶電物質(zhì)引發(fā)的聚合反應(yīng)自固化了的有機層9A。該方法由美國專利5,902,641和6,224,948教導(dǎo)，因此兩者都通過引用被并入。該方法的變種是基于工作氣體中的等離子體生成，其隨后直接被用于使用閃蒸沉積的有機層；該變種由美國專利6，203，898和6,348,237、以及美國專利申請公開2002/0102361Al教導(dǎo)，所有這三者都通過引用被并入。適合于形成有機層9A的有機前體包含至少一種含有活性功能基團(activefunctionalgroup)的物質(zhì)使得反應(yīng)能夠產(chǎn)生聚合和/或交聯(lián)。因為希望控制這些反應(yīng)的開始(onset)，并且這些反應(yīng)將在真空環(huán)境下發(fā)生，所以通常優(yōu)選地為加成反應(yīng)(additionreaction),示范的加成反應(yīng)包括丙烯酸基團(-0-CO-CR=CH2，其中R—般為H、CH3或CN)的聚合，乙烯基團(！^r2C-CH2，其中R1一般為H而W—般為-O(氧鍵)或者其中W為芳香烴或取代芳香烴而議2為H或CH3)的聚合，脂環(huán)族環(huán)氧基團的開環(huán)聚合以及異氰酸酯(-NCO)官能物質(zhì)(functionalspecies)與氫氧基(-OH)或氨基(-NH2)官能物質(zhì)的反應(yīng)。易于反應(yīng)以及可用性使得丙烯酸和乙烯功能材料更受偏愛，但也可以使用其它材料。被合并入到合適的有機前體中的反應(yīng)物可以為含有至少一種官能基團的單體(簡單結(jié)構(gòu)/單一單元)，含有至少一種官能基團的低聚物(由兩到數(shù)個重復(fù)單元組成)，或者含有至少一種官能基團的聚合物。如文中所用的，單體是指包括被稱為單體的物質(zhì)，而術(shù)語低聚物和/或聚合物是指包括被稱為低聚體、聚合體、預(yù)聚物、酚醛(novalac)、加合物、以及樹脂的物質(zhì)，當(dāng)最后提到的含有官能基團時。反應(yīng)物(即單體、低聚物或聚合物)可以含有兩個或多個的相同或不同官能基團，而合適的有機前體可以包括兩種或多種這些反應(yīng)物。作為例子，這些可以由兩種或多種單體物質(zhì)、一種或多種與一種低聚體物質(zhì)化合的單體物質(zhì)、一種或多種與一種聚合體物質(zhì)化合的單體物質(zhì)組成。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，可被用于化合的反應(yīng)物的數(shù)量和種類不受特定限制。另外，有機前體可以包括不可聚合和/或交聯(lián)并且為液體或固體的一種或多種物質(zhì)。例子包括前述的光引發(fā)劑，它是相應(yīng)暴露在紫外線下而碎裂(fragment)以產(chǎn)生引起基于自由基的反應(yīng)(包括聚合)的自由基的物質(zhì)。當(dāng)為固體時，這些物質(zhì)可以表現(xiàn)為分散體、膠態(tài)分散體、或者溶解狀態(tài)(insolution)，并且本質(zhì)上可以為離子，諸如無機或有機物質(zhì)的鹽。當(dāng)為液體時，非反應(yīng)物可以表現(xiàn)為乳液、膠體、或者混合組分。液體多層(liquidmultilayer,LML)工藝，由美國專利5,260,095、5,395,644和5,547,508(通過引用被并入本文)公開，通過在PML基于閃蒸的方法中所用的許多相同的有機材料而含有一些與前述PML工藝的共同之處，但還可以進一步與不能超出閃蒸使用的更高分子量材料一起工作。大體上，與PML方法的將閃蒸的有機物冷凝然后引起固化不同，LML工藝包括將液體材料涂敷到表面上然后引起固化(聚合)。無機層圖中所示的無機層9B可以為可被真空沉積到器件90的上表面上、薄片襯底6的表面上、或者薄片襯底6上存在的有機層9A上的陶瓷層。用于無機層9B的真空沉積法包括但不限于濺射、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)、升華、電子回旋共振等離子體增強化學(xué)氣相沉積、及其組合。濺射一般包括低壓環(huán)境下的氣體離子對陰極材料的轟擊，由此從陰極表面排出(eject)陰極材料的原子。排出的原子在之后撞擊到放置于其路徑中的襯底上，由此使得陰極材料原子沉積到襯底表面上。濺射裝置使用了電場和磁場兩者來加速氣體離子朝陰極表面的運動。通過經(jīng)過貫穿陰極材料的磁場，可以實現(xiàn)增強的沉積速率。此外，為了避免由于相鄰磁鐵的固定擺放造成的陰極材料燒穿(burn-through),使磁鐵相對目標(biāo)陰極移動(諸如旋轉(zhuǎn))。該想法的明確細化(specificrefinement)包括繞著固定磁鐵旋轉(zhuǎn)的圓柱管形陰極(cylindricaltubecathode)，從而有助于陰極材料相對均勻的消耗。旋轉(zhuǎn)濺射法由美國專利6，488，824教導(dǎo)，其整體公開通過引用,皮并入本文中。濺射可以為反應(yīng)的(在沉積陶瓷或介電材料，諸如金屬的氧化物和氮化物的情況中)或者非反應(yīng)的(在沉積金屬的情況中)。通過加入反應(yīng)能力，濺射裝置(包括可旋轉(zhuǎn)圓柱形裝置)可以被用于沉積陶瓷或通過例如將被釋放的陰極材料原子與反應(yīng)物氣體(reactivespeciesgas)化合形成的相關(guān)的非金屬材料，同時，控制濺射材料非導(dǎo)電層的堆積避免了會在沉積期間發(fā)生的工藝參數(shù)的偏移。在反應(yīng)濺射中，金屬離子從濺射源(陰極)產(chǎn)生并接著在反應(yīng)氣氛中被轉(zhuǎn)化為在之后被沉積于襯底上的金屬化合物。例如，使用氧氣作為反應(yīng)氣體會導(dǎo)致金屬氧化物層的沉積，而使用氮氣或碳源諸如甲烷作為反應(yīng)氣體會分別導(dǎo)致金屬氮化物或金屬碳化物層的沉積。反應(yīng)氣體混合物可以;故用于制造更復(fù)雜的層。作為替代，陶瓷耙(ceramictarget)可以被射頻濺射到襯底6上。在兩種情況的任一種中，該惰性工作氣體通常為氬氣。在一種形式中，濺射的陶瓷層9B可以為A1203，因為其現(xiàn)成的可用性和已知的沉積參數(shù)。然而，可以理解的是，還可以使用其它適合的沉積工藝和其它的無機層材料9C(諸如通過前述熱蒸發(fā)制造的前述非氧化物MgF2和LiF)。與有機層9A—樣，在器件封裝的情況中，第一沉積層9B或9C可以被較厚(諸如1，000A以上)地涂敷以得到更高質(zhì)量的封裝，而后續(xù)沉積的阻擋疊層可以為被封裝器件提供所需的環(huán)境保護。雖然反應(yīng)或非反應(yīng)濺射都可以被用于便于無機層9B沉積到薄片襯底6或環(huán)境敏感器件90上，但是優(yōu)選地為反應(yīng)'減射方法，因為該技術(shù)提供更高的沉積速率和用于更好的阻擋層的更致密膜。如前所述，非反應(yīng)濺射工藝可以優(yōu)選地用于更關(guān)心對被封裝物體的損害的保護層9C的沉積。沉積源與被沉積表面的緊密度(closeness)部分地取決于使用何種前述沉積方法。作為舉例，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)兩者之間大約6英寸的濺射間距產(chǎn)生良好的結(jié)果。一般來說，表面離源越近，沉積速率越高，代價是如果表面離源太近，在該表面上就可能發(fā)生高的熱量積累(highheatbuild-up)。在一個例子中，如果該環(huán)境敏感器件90為前述的OLED，那么它可能需要保護其陰極層免受反應(yīng)氣體的影響。除了緊密度之外，表面相對源的取向(例如，是在上還是在下)取決于被封裝器件的類型。向上沉積(upwarddeposition)在過去已經(jīng)被越來越廣泛地4吏用，因為熱蒸發(fā)一般是向上(upwardly-directed)的現(xiàn)象。如果襯底很大，優(yōu)選地用向下或者側(cè)向沉積代替。用于許多沉積工藝的能量輸入還可以有各種形式，并能與其它的沉積考慮(depositionconsideration)互相影響，諸如是使用反應(yīng)的還是非反應(yīng)的方法。例如，具有反向偏置脈沖的直流電流(DC)與Ah03層電流兼容，且相對簡單并提供高的沉積速率。這還有利于消弧(arcsuppression)和滅弧(arccontrol)，以及相關(guān)的粒子生成。還有其它能用于沉積陶瓷和相關(guān)介電材料的能量源，諸如交流(AC)或射頻(RF)，尤其是對于要避免電弧、以及不要求單質(zhì)材料的相對高速沉積速率的情況。接下來參考圖4A，顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個方面所述的用于將多層涂層沉積到薄片襯底6上的直列式封裝工具2。具有近端2A和遠端2B的封裝工具2包括;兄積間(depositionhousing)3，其內(nèi)部可為真空。沉積間3集中地限定了有機層沉積臺10、固化臺20、無機層沉積臺30和掩模臺60,使得所有4種沉積臺在單一真空下工作。為了保證沉積間3內(nèi)部的臺10、20、30和60之間的公共真空，相鄰臺之間的開口被聯(lián)結(jié)到一起以在它們之間建立開放式流路(openflowpath)。如文中所用的，"聯(lián)結(jié)"是指組件被相互連接，但不必被直接連接。在本文中，在被"聯(lián)結(jié)，，到一起的兩部分之間居間部分的裝置只要存在一些連通性就不會破壞聯(lián)結(jié)的配置。所示的封裝工具2的配置包括使薄片襯底6經(jīng)過有機層沉積臺10、固化臺20、無機層沉積臺30和掩模臺60前后穿梭雙向往返多次以實現(xiàn)所需數(shù)目的沉積層。如下將更詳細描述，封裝工具2還可以被配置為單向設(shè)備使得所需數(shù)目的層可以一次性經(jīng)過該系統(tǒng)被沉積。無機層沉積臺30包括用于沉積無機層9B的沉積室32，其細節(jié)如上所述。有機層沉積臺10包括第一遷移控制(migrationcontrol)室12、用于沉積有機層9A的沉積室11、以及第二遷移控制室14。襯底的溫度控制是一種可以對構(gòu)成有機層9A的材料實現(xiàn)遷移控制的方式。因為有機層沉積步驟對襯底溫度非常敏感(尤其是升高的襯底溫度)，而更冷的襯底會均衡和快速地冷凝更多的有機前體，所以特別強調(diào)冷卻該襯底。為了這個目的，冷卻(例如，以制冷機(chiller)或熱質(zhì)形式置于遷移控制室12、14中)可以沿著沉積路徑被導(dǎo)入以防止襯底6和涂層9或其上的環(huán)境敏感器件90過熱。這種冷卻最小化了任何有機前體蒸氣到相鄰臺的擴散以避免封裝工具構(gòu)件結(jié)垢(hardwarefouling)。另外，通過在薄片襯底6移動到下個臺之前減少過量的有機前體蒸氣，封裝工具2實現(xiàn)了污染物的減少，即減少了后續(xù)涂層會被污染的可能性。冷卻劑(低溫的或其它的)供給管(coolantfeedtube)(未圖示)將制冷機(未圖示)連接到第一遷移控制室12以使得該供給管可以將制冷液(諸如液氮)分配給薄片襯底6的頂部和底部。該供給管具有供應(yīng)裝置和回收裝置(supplyandreturn)。該冷卻劑與真空隔離。另外，循環(huán)凈化器(cyclepurge)可以被用于減少供給接口部分(feedinterfacesection)中的污染。位于有才幾層沉積臺10近端和遠端的折流板(baffle)15還在氣態(tài)有機前體被沉積的局部空間內(nèi)包含該氣態(tài)有機前體。折流板15還可以被添加到其它臺以將由不同臺相鄰的入口和出口限定的開放式流路與雜散蒸氣彌散(strayvapordispersion)部分地屏蔽開。該流路足夠開放以保證不會損害這些臺之間的公共真空。一旦沉積過程完成，薄片襯底6進入到與上述第一遷移控制室12類似的第二遷移控制室14。固化臺20被配置為固化已在有機層沉積臺10中沉積的有機層9A。在固化的有機層9A之上，可以沉積另外的層。固化或交聯(lián)產(chǎn)生自可以在前述光引發(fā)劑被合并到有機前體中時通過暴露于電子束(EB)源或暴露于紫外(UV)源而引發(fā)的自由基聚合。在某些沉積情況中，諸如器件90被放置于襯底6上的情況中，使用UV較使用EB優(yōu)選，因為依靠UV曝光來固化冷凝層而不是靠EB源有助于避免對更有害的EB曝光的影響的擔(dān)憂。作為舉例，EB曝光可以在下方的器件90上達數(shù)千電子伏特(keV)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，基于UV曝光的聚合(交聯(lián))并不只限于自由基機制。存在釋出陽離子引發(fā)劑(稱為Lewis酸，Bronstead酸，鑰鹽等)的光引發(fā)劑，使得可以使用陽離子聚合機理。這些結(jié)合閃蒸的固化機理的使用由美國專利6，468，595教導(dǎo)，因此通過引用被并入。陽離子聚合便于不適合于用在自由基聚合中而仍要考慮加成聚合的乙烯基官能有機材料和脂環(huán)族環(huán)氧基官能有機材料的大族(largefamily)的使用。掩模臺60可以包括無機掩模放置設(shè)備65和有機掩模放置設(shè)備67，每個都將薄且卡片狀的掩模覆蓋在薄片襯底6上沉積的環(huán)境敏感器件90上。這些掩模防止有機層9A沉積到諸如電接觸之類的襯底90的選定區(qū)域上，并且可以被用于限定(控制)無機層9B和有機層9A之間的覆蓋關(guān)系，這種關(guān)系有利于邊緣密封設(shè)計。在有機掩模放置設(shè)備67的情況中，覆蓋掩模還可以被用于使得能進行選擇性膝光和有機沉積層9A部分的后續(xù)固化。在無機層9B的沉積中，掩^=莫的部分可以通過作為屏蔽罩來有效保護環(huán)境敏感器件90(諸如OLED陰極)免受熱或顆粒物的損害，因為它們被放置于源的陰極和被涂敷的襯底之間并且作為掩模來限制(限定)暴露于源的襯底區(qū)域。封裝工具2的遠端2A可以被配置作為貯料器40使得沉積間3的沉積臺接口能連接到上游或下游設(shè)備，或者連接到周圍的外部環(huán)境，諸如用于加載和卸載襯底6。貯料器40(或相關(guān)交換機構(gòu))作為等待臺(waitstation)用于一個或多個即將-皮處理的襯底6,其提供例如可以實現(xiàn)減少溫度和大氣的抖動的、穩(wěn)定的、相對孤立的環(huán)境，由此改善沉積工藝的總體質(zhì)量。貯料器40包括入口40A和遠離入口40A的出口40B。該貯料器可以包括由隔離閥17限定的隔離室4，以使得一旦襯底6被加載到貯料器40中，至少可以開始與周圍環(huán)境的部分隔離。如前所述，可以在貯料器40中產(chǎn)生真空和熱控制。熱減少(thermalreduction)可以通過在一個或多個分離位置與襯底6接觸或相鄰放置的熱質(zhì)熱5冗(thermalmassheatsink)、或者通過制冷液(諸如液氮)系統(tǒng)實現(xiàn)。這些熱沉可以被用于在襯底6進入不同沉積臺之前降低襯底6的溫度，以及在沉積過程期間冷卻襯底。除了支持對襯底6的至少部分環(huán)境隔離之外，貯料器40還可以包括一個或多個表面處理室19以改善有機層9A或無機層9B之一與襯底之間的粘附力。表面處理室19可以為等離子體能量(輝光放電)源并且可以使用惰性工作氣體、反應(yīng)工作氣體或其組合。用于產(chǎn)生等離子體的能量源可以來自射頻(RF)、交流(AC)和直流(DC)，并且可以包括下游等離子體源，其中等離子體被遠程產(chǎn)生和傳遞以去除可能已覆蓋了其中的各種部件的有機污染物。這種處理引起伴隨著親水行為的增加的表面能量增加，從而增強了襯底和第一形成層之間的粘附力，由此使得它們之間能形成更好的結(jié)合。在柔性襯底、諸如前述PET薄膜的情況中，表面處理還使得能額外地改善膜一致性(filmcompliance)和污染物的減少。這4艮重要，因為這些污染物(一般為低分子量物種形式)是遷移的，因此能蔓延到其它層。另外，可以處理無機層以實現(xiàn)增強與后續(xù)沉積的有機層的粘附力。對于封裝，只處理多層涂層的無機層表面可能就足夠了。這是基于發(fā)明人相信通過處理無機層表面而非有機層表面會改善粘附力。第二貯料器50可以限定封裝供給2的遠端2B。該貯料器，雖然可以擁有Ji&料器40的全部特征，但是優(yōu)選地為更簡化，提供可選的用于一個或多個襯底6的溫度控制以及周轉(zhuǎn)和等待容器(wait-statecontainment)。一旦為貯料器40中的襯底6建立了適當(dāng)環(huán)境條件，襯底6就被沿著傳送器7傳輸?shù)匠练e間3,在此，多層涂層9的層9A、9B會根據(jù)沉積策略被沉積。例如，十一層的涂層9可以由在6層的無機層9B中交替的5層的有機層9A形成。此外，可以優(yōu)選地將無機層9B作為第一層沉積到襯底6上，然后可以在其上放置有機和無機層9A、9B的交替層。反之，可以優(yōu)選地倒轉(zhuǎn)該次序，讓有機層9A作為襯底6上第一層。盡管顯示為單側(cè)配置，但是無機層沉積臺30可以被配置為提供襯底的雙側(cè)處理。接下來，薄片村底6行進到有機層沉積臺10內(nèi)的沉積室11,以接受多層涂層9的有機層9A。有機層9A優(yōu)選地通過蒸發(fā)工藝i者如PML被沉積，其中前體材料的形式可以為液體溶液，具有分散有固體的液體(liquidwithsoliddispersion)或者具有液體不溶混》'昆合物的液體(liquidwithliquid-immisciblemixture)。蒸發(fā)可以通過將有機層前體材料的連續(xù)液流在低于前體的分解溫度和聚合溫度的溫度下供給到真空環(huán)境中，接著將前體霧化為液滴的連續(xù)流，然后將液滴在溫度等于或高于前體沸點但是低于熱解溫度的加熱室中蒸發(fā)。一旦薄片襯底6到達封裝工具2的遠端2B處的貯料器50，就可以接著被反方向輸送以通過固化臺20來硬化剛才在有機層沉積臺10中沉積的有機層9A。同樣地，這樣的配置建立了用于沉積多層涂層另外的層9A、9B的緊湊系統(tǒng)(compactsystem),因為可以簡單地將薄片襯底6調(diào)轉(zhuǎn)而按相反次序通過由有機層沉積臺10、固化臺20和無才幾層沉積臺30限定的當(dāng)前部件。薄片襯底6可以以所需次數(shù)經(jīng)過封裝工具2以接受適當(dāng)數(shù)量和類型的多層涂層9的層9A、9B。封裝工具2還可以包括其它沉積臺(未圖示)以在薄片襯底上沉積額外的涂層其包括但不限于抗劃傷涂層、防反射涂層、防指紋涂層、抗靜電涂層、導(dǎo)電涂層、透明導(dǎo)電涂層、以及其它功能的涂層。額外的裝置可以被連接到封裝工具2，包括可以被用于質(zhì)量控制的測試(或測量)室8(稍后顯示)，諸如提供多層覆蓋率的適當(dāng)性(adequacy)的標(biāo)識(indicia)。例如,可以制造鉤基鑒定樣品(calcium-basedrefereesample)以支持通過本發(fā)明的裝置涂敷的多層涂層的氧和水滲透性測試。這樣的額外沉積臺(如果有的話)可以被包括于貯料器50的上游或下游設(shè)備中。由單獨的控制器70A到70N組成的控制系統(tǒng)70被用于控制工藝參數(shù)，包括無機層和有機層的沉積次序、以及熱、運動和器械控制。例如，熱控制器70D可以包括被聯(lián)結(jié)到貯料器40中的熱控制裝置以冷卻襯底6的硬件和軟件，而熱控制器70F和70H可以被用于操作遷移控制室12的污染物減少器件。運動控制器70M包括追蹤襯底6在被傳送器7沿著封裝工具2傳輸時的位置的硬件和軟件。器械控制裝置(utilitiescontrol)70N包括硬件和軟件以為各個臺提供電源、工藝氣體(processgas)、真空、壓縮空氣和冷凍水。同樣地，工廠控制器連接用于材料管理和過程狀態(tài)的外部系統(tǒng)。人機接口(HMI)為控制面板、計算機、軟件、屏幕、鍵盤、鼠標(biāo)和允許操作者運行系統(tǒng)的相關(guān)裝置?？刂葡到y(tǒng)70可以使薄片襯底6按任意次序穿梭以適應(yīng)特定的封裝或阻擋層沉積配置。接下來結(jié)合圖4A參考圖4B，顯示了十六個簡化步驟，這些步驟顯示雙層涂層9通過包含單一有機層沉積臺IO的封裝工具的優(yōu)選沉積次序，特別要注意的是所述設(shè)備可以同時處理兩批次的襯底6A、6B。圖4A中所示具有布置于沉積間3兩端的貯料器40、50的封裝工具2的配置允許襯底6以所需次數(shù)雙向通過封裝工具2以堆積多層涂層9。通過讓布置于封裝工具2遠端的第二貯料器50，可以同時加載和處理多批次的襯底6。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，雖然圖4A和5A的工具中可以同時生產(chǎn)的批次數(shù)目優(yōu)選地為2，但是本設(shè)備不局限于此，因為額外的貯料器和相關(guān)的隔離容器(均未圖示)可以被聯(lián)結(jié)到現(xiàn)有工具以改善批處理吞吐量(batchthroughput)。在操作的步驟1中，薄片襯底6的第一批次6A被加栽到遠端2A處的貯料器40中。在貯料器40中建立穩(wěn)定環(huán)境條件(諸如溫度下降、預(yù)定真空水平的建立或表面處理室19中表面特性的增強)之后，薄片襯底6通過傳送器7順序移動經(jīng)過有機層沉積臺10和固化臺20到達掩模臺60。如果需要的話，承載薄片襯底6的托盤(未圖示)可以包含孔，通過該孔便于將多層涂層的層沉積到薄片襯底6的底部，諸如對于雙側(cè)涂層沉積。此外，開口的托盤可以4吏襯底可以更好地"看見"冷卻板或相關(guān)的熱管理裝置，由此增大冷卻板對襯底熱管理的作用。當(dāng)?shù)竭_掩模臺60時，襯底6首先從無機掩模放置設(shè)備65接受掩模，在此之后它移動到(如步驟2中所示)無機層沉積臺30以接受無機層9B。施加到來自無機層沉積臺30的襯底的能量(其可以來自例如，在放熱反應(yīng)中涂敷反應(yīng)涂層的2千瓦脈沖直流電源)可以顯著提高襯底溫度。為了抵消該溫度增加(其可能對后續(xù)沉積步驟中襯底接受有機層9A的能力產(chǎn)生不良影響)，村底被暫時放置于貯料器中，如步驟3所示，在此可以啟動貯料器50的熱控制功能以實現(xiàn)溫度降低，以及為經(jīng)過沉積間3的回程定位襯底6的批次6A。此時，如步驟4所示，第二批次6B可以被導(dǎo)入到位于封裝工具2遠端的貯料器40入口4A中，同時批次6A中的襯底6反方向移動，接受來自有機層沉積臺10的有機層涂層并在之后被固化(目前未圖示)。在步驟5中，第二批次6B的各個襯底6接受與第一步驟2中第一批次6A相同的層沉積。在步驟6中，第一批次6A重復(fù)步驟2的內(nèi)容，在沉積之后被移動到貯料器50中的分離的等待空間(separatewaitspace)以不與第二批次6B發(fā)生混淆。在該步驟之后，第一批次6A具有了涂層9的以無機層開始的(inorganic-led)第一有機/無機層對9A/9B。同樣地，第一無機層9B為基礎(chǔ)對(由第一無機層9B和第一有機層9A組成)的一部分，它將阻擋涂層9與下方的襯底6或器件90分離或隔離開。在步驟7中，批次6A和6B都被裝在貯料器50中，而在步驟8中，第一批次6A接受第二有機層9A并且固化。在步驟9中，第二批次6B的每個襯底6都接受其有機層9A的第一次沉積直到批次6A和6B都,皮儲存在貯料器40中，如步驟10所示。在步驟ll之后，第一批次6A具有兩對分布于襯底6上的涂層9的有機/無機層對9A/9B。步驟12,—旦完成，使得第二批次6B具有了涂層9的第一無機層9B和第一有機/無機層對9A/9B。步驟13為與步驟7相似的等待狀態(tài)。步驟14描述了第一批次6A中的襯底6通過貯料器40中的出口40B離開封裝工具2。在步驟15中(其重復(fù)步驟4的過程)，第二批次6B接受有機層9A并固化，同時新的批次6C被加載到貯料器40的入口40A中。步驟16顯示第二和第三批次6B、6C在貯料器40中處于等待狀態(tài)?？梢岳斫獾氖?，可以修改上迷步驟；例如，如果需要更多或更少數(shù)目的層，經(jīng)過封裝工具2的次數(shù)可以因此而變化。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，雖然基礎(chǔ)對的次序(即無機層優(yōu)先)基于目前所用的襯底是優(yōu)選的，但是本系統(tǒng)可以被配置為將有機物優(yōu)先沉積策略提供給其它需要這種方法的襯底成分。接下來參考圖4C，顯示了圖4A的封裝工具的并置排列以及顯示了村底6的穿梭以制造四層的涂層9的流程圖。此時，可以涂敷一次無機(氧化物)掩模，接著只為無機(氧化物)沉積涂敷(覆蓋)有機掩模。該配置使得容易從兩個平坦掩模制作出底切掩模。接下來結(jié)合圖5A和5B,封裝工具2具有多個有機層沉積臺10使得，如圖4A所示配置那樣，它可以在公共真空下工作。由于該系統(tǒng)的變種包括額外的部件，它的優(yōu)點在于重復(fù)沉積間3(未圖示)使得多層涂層9的全部所需層都能用更少遍數(shù)被沉積，因此改善吞吐量。作為替代，如果并置排列了足夠的沉積間3,那么可以使襯底6單向移動，使得貯料器40、50得到簡化而不再需要調(diào)轉(zhuǎn)功能。這種臺配置的數(shù)目和排列將取決于多層涂層9中層的所需配置，并且可以據(jù)此被配置。封裝工具2還可以被配置為按任意次序沉積有機和無機層9A、9B,以及將物體直接放置于薄片襯底6上或一層或多層的多層涂層上。例如，雖然優(yōu)選實施方案為讓薄片襯底6與已加載的要封裝物體一起被放置到封裝工具2中，但是該工具也可以被配置為讓空載的襯底6先進入封裝工具2，一旦它在工具2中就將物體放置于其上。同樣地，用圖4A所示封裝工具2的配置，折流板15可以被用于跨越(straddle)不同的臺，尤其是有機層沉積臺10，以減少制作有機層9A所用材料的遷移。圖5B的簡化步驟與前面那些結(jié)合圖4B的描述相似，并被修改以考慮額外的有機層沉積臺10。接下來結(jié)合圖3參考圖6，圖4A的封裝工具2如圖所示被連接到控制系統(tǒng)70和外部材料處理裝置80，其全部都用于將環(huán)境敏感器件90，諸如OLED，沉積到襯底6上。外部材料處理裝置80可以^L配置為可以手動或自動地與封裝工具2接口?？蛇x的測量室8如圖所示在封裝工具2末端與貯料器40相鄰。在工具可被用于直列式器件(OLED)生產(chǎn)的情況中，會使用這樣的接口其維持合適真空并包括將被放置了器件的村底在合適的位置傳輸給工具2的交接裝置。盡管當(dāng)前未圖示，但是位于這兩者之間的貯料器40是優(yōu)選的，提供了處理速度匹配、問題解決(諸如停機維修)、維護、冷卻等手段。在另一個方法(未圖示)中，工具2與該器件(OLED)生產(chǎn)線分開。該生產(chǎn)線將需要具有用于將具有器件的襯底安置到可被封裝的傳輸容器中并在之后維持合適的真空的裝置的傳遞裝置。在這個情況中，工具2將需要具有用于接收傳輸容器、打開并將裝料交接到工具傳輸系統(tǒng)上的裝置的裝載裝置。生產(chǎn)線傳遞器和工具接收器必須包括建立和維持合適真空的裝置。另外，與圖4A和5A相反，隔離室4不必為貯料器40的一部分，而是可以為分離的裝置。接下來參考圖7到17，工具300的替代實施方案使用用于將多層涂層沉積于分立襯底上的混合設(shè)計。其混合本質(zhì)源于其將集束型和直列式工具的屬性結(jié)合到單一工具中，其中，對有無機層沉積使用集束型工具部分310而對有機層沉積使用直列式工具部分330。具有真空環(huán)境(使用真空源350)的兩部分的本組合便于多層保護涂層的形成。集束型工具部分在集束型工具部分310中，中央機器人312被放置于中央樞紐區(qū)域313以按編程順序在不同外圍聯(lián)結(jié)的處理臺之間傳輸一個或多個工件(workpiece)(諸如前述分立襯底6)。這樣的外圍臺的例子包括薄膜涂層沉積臺314(具體是，等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)臺)、熱蒸發(fā)臺316、掩模儲料臺(maskstockerstation)318、裝載鎖320、蝕刻臺322、濺射臺324和掩模對準(zhǔn)臺326。每個外圍臺、以及中央樞紐區(qū)域313被聯(lián)結(jié)到真空裝置350(其可以為例如真空泵)以建立和維持所需的內(nèi)部真空。門或相關(guān)的隔離閥(未圖示)被放置于中央樞紐區(qū)域313與每個外圍臺之間以便于在它們之間進行選擇。由于機器人312在分離的、可隔離的臺之間傳輸襯底和相關(guān)的工件，不再需要連續(xù)穿梭裝置(諸如基于傳輸機的傳輸設(shè)備)。優(yōu)選地，一旦機器人312將分立襯底傳輸?shù)教囟ㄅ_中，聯(lián)結(jié)到其上的隔離裝置(諸如前述的閥門)就被調(diào)度以減少由于工藝副產(chǎn)品或過量反應(yīng)物引起的污染。除了熱蒸發(fā)臺316，各種臺都可以執(zhí)行與它們前述直列式工具相應(yīng)部件相同的功能。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，集束型工具部分310中的各種臺為可互換的，使得它們可以按所需的多種方法^皮配置。熱蒸發(fā)臺316可以被用于將前述保護層9C立即沉積到要^f皮封裝的器件90上(例如，如圖3C所示)。例如，當(dāng)器件90為OLED時，其最頂層為一般由與氧或水快速反應(yīng)的低功函數(shù)金屬(諸如鉀或鎂)制成的陰極。在這種情況下，使用熱蒸發(fā)系統(tǒng)316以立刻開始將保護層9C沉積于新形成的陰極層頂上以避免陰極失效(cathodedegradation)。因此，在OLED生產(chǎn)工藝順序中，熱蒸發(fā)系統(tǒng)316提供了有價值的涂層沉積。熱蒸發(fā)臺316還可以被用于一層或多層保護層(例如前述的LiF和MgF2層)的熱蒸發(fā)以避免對敏感襯底6的等離子體損傷。熱蒸發(fā)臺316還可以包括掩模能力，(包括掩模對準(zhǔn)能力)以控制在何處沉積保護層9C。這樣的額外特征可以有助于生產(chǎn)操作和工藝優(yōu)化操作。掩模儲料臺318能夠保存大量掩模，包括用于蝕刻、濺射、單體沉積、PECVD和蒸發(fā)的掩模。掩模對準(zhǔn)臺326可以被用于保證掩模相對于襯底6或放置于襯底6上的器件90的精確放置。關(guān)于對貫穿混合工具300的掩模的使用，許多與以上結(jié)合圖4A和5A(包括底切選項)的實施方案所述相同的特征可以被用于混合工具300的集束型工具部分310和直列式工具330兩者。接下來參考圖12到15,顯示了現(xiàn)有技術(shù)的掩模與本發(fā)明掩模之間的對比。特別是參考圖12，描述了如何使用所生成的底切掩模600來沉積有機(聚合物)層9A。包括邊界區(qū)域700的更大區(qū)域是沉積路徑與由于所知的濕潤現(xiàn)象產(chǎn)生的冷凝層額外蔓延(additionalspreading)的組合。因此，掩模尺寸需要考慮襯底與掩模界面處掩模下的單體蔓延，因為希望避免已蔓延的單體沉積與殘留在襯底6上的掩模底切邊緣之間的接觸。通過使用可以由掩模600制成的強化底切(enhancedundercut)610，接觸掩模600與襯底6之間的接觸發(fā)生于邊界區(qū)域700中超出單體蔓延的位置，但不是在掩模600與襯底6相遇的地方。形成于強化底切610下方的遮蔽區(qū)域使得有機層能伴隨必然的蔓延被沉積而不會影響厚沉積層的積累或在它們的結(jié)合處發(fā)生毛細現(xiàn)象。相似的配置可被用于沉積氧化物或其它無機層，雖然由于蔓延趨于更少，但是底切所需的量也一般更少。當(dāng)在沉積之后去除掩模時，通過不讓氧化層接觸掩模，避免了損害氧化層的邊緣(以及伴生有機物殘渣減少(concomitantdebrisreduction))。可以理解的是，底切的形狀不是關(guān)鍵的，所以可以基于襯底、易于制備等的需要來選擇。本掩模配置便于單體層9A周圍邊界區(qū)域700中未涂敷的邊緣的形成。該未涂敷的邊緣可以在隨后接受額外的無機層9B而不插入單體層9A。連續(xù)無機層9B的積累構(gòu)成了基本不能滲透的邊緣密封結(jié)構(gòu)。不讓底切掩模600接觸無機層9B的暴露表面避免了潛在的無意的污染。在要被涂敷的襯底6是由剛性材料(諸如玻璃)制成的情況中，簡化的掩模配置(諸如接下來將討論的)可能更有用。特別參考圖13A，顯示了在現(xiàn)有技術(shù)的傳統(tǒng)接觸掩模800中的襯底6。有機材料(未圖示)由于毛細力效應(yīng)而在掩模800的邊緣處堆積。這導(dǎo)致了厚有機邊緣層和相應(yīng)的較差的阻擋性能。為了克服這個問題，使用了根據(jù)如圖13中所示本發(fā)明實施方案所述的掩模900。不同于掩模800，掩模900包括內(nèi)建的底切910，以與圖12中掩模600的邊緣類似的方式懸垂于襯底6的邊緣6A下方。有機材料(諸如前述單體蒸氣)被向上沉積于襯底6的下表面，而使邊緣6A部分不涂敷。調(diào)整由底切910所產(chǎn)生伸出物的尺寸以保證在有機材料沉積期間形成邊緣6A的未涂敷部分。這些內(nèi)建的底切也足使得能向上沉積而延伸出有機沉積層9A覆蓋區(qū)域的氧化(阻擋)層9B，而不讓它完全涂敷底切下方的區(qū)域。這有助于在去除掩模時避免對襯底或沉積層的損害。圖13B的掩模特別適合于使用向上沉積將OLED封裝于玻璃或相關(guān)剛性襯底上。特別參考圖14A和14B，顯示了使用一個或多個本發(fā)明的掩模在襯底上形成交替的有機和無機層。環(huán)境敏感器件90(諸如OLED)被放置于襯底6(目前顯示為玻璃襯底)上。在其頂上，可以首先沉積可選的保護層9C(諸如前述的熱蒸發(fā)LiF或MgF2)以覆蓋環(huán)境敏感器件90。緊接著，可以沉積無機層9B以覆蓋保護層9C，在這之后可以堆積交替的有機和無機層9A、9B以形成所需涂層9。如圖14A中可見，有機層9A的尺寸大致符合保護層9C的尺寸，而由無機層9B形成的邊緣密封9D覆蓋了有機層9A以減少有機層9A邊緣暴露給周圍環(huán)境。覆蓋的本質(zhì)特性可以更詳細的見于圖14B的剖視圖中，其中邊緣密封9D的寬度(包括其覆蓋有機和保護層9A、9C的部分)約為3毫米，而有機沉積層9A和保護層9C的寬度約為1到1.5毫米。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，上述尺寸只是范例，并且所需的更大或更小尺寸已被本>^開所包含并屬于本發(fā)明的范圍。特別參考圖15，底切尺寸與掩模1000不接觸氧化物沉積層(其一般類似于圖12和13B的掩模600和900)之間的關(guān)系可以用兩種形式中的至少一種來實現(xiàn)，一種是用于單體層9A而第二種是用于無機層9B。可以使用一對底切掩模在特定區(qū)域內(nèi)沉積有機層9A和濺射(無機)層9B并滿足兩者之間的確定關(guān)系，其中有機層9A覆蓋較小面積以使阻擋層9B在邊緣處暴露出來。在邊緣處暴露阻擋層有助于形成圖14A和14B中所示多層結(jié)構(gòu)，其中邊緣密封9D由暴露的阻擋層(無機層9B)邊緣的疊層形成。圖15還顯示了使用單體掩模1000A的大底切以使該掩模與襯底6的接觸在阻擋層(氧化層)9B所覆蓋的區(qū)域之外。該方法避免了在氧化物沉積步驟之間4皮暴露氧化層表面的積聚(accumulation)和相關(guān)的污染。再參考圖7，因為各個臺不是通過傳送器或相關(guān)連續(xù)傳輸設(shè)備聯(lián)結(jié)的，所以更易于保持各個臺的自治性(autonomy)并隨之避免交叉污染。相比于襯底6在基于傳送器的系統(tǒng)上傳送的情況，使用與隔離閥(未圖示)聯(lián)結(jié)的機器人312的機械臂(未圖示)以允許在各個臺內(nèi)放置襯底更有利于臺自治性，因為相比存在有傳送器系統(tǒng)的情況主動閉合(positiveclosure)更容易。裝載鎖臺320可以被用作用于待涂敷的襯底6的初期作業(yè)區(qū)域(initialstagingarea)，并且可以與外部(周圍)環(huán)境隔離，以及通過隔離閥與集束型工具部分310的中央樞紐區(qū)域313隔離。裝栽鎖臺320還可以被用于將混合工具300連接到更大生產(chǎn)工具(未圖示)的其它分離部件。例如，如果混合工具300中形成的封裝OLED要成為更大的成品的一部分(諸如集成電路等)，裝載鎖臺320、以及合適的交換機構(gòu)(例如，前述的貯料器40)可以被用于便于使涂敷襯底從混合工具300沿著更大工具傳輸?shù)狡渌_。由于大量副產(chǎn)品存在于一些臺中(例如，蝕刻臺322)，所以優(yōu)選地讓這些臺與裝載鎖臺320分離開。蝕刻臺322的蝕刻過程包括體去除(bulkremoval)，并因此釋放大量材料到真空環(huán)境中。對于在這種潛在的富含污染物環(huán)境中實現(xiàn)易于傳送和環(huán)境隔離而言，使用機器人312的集束型方法比類似的直列式工具更簡單。同樣地，兩者的分離也使得蝕刻臺能夠更易于替換或者在不需要的時候徹底去除。這也使得能夠更易于為特定用戶需要定制工具。分離的另一個選項是用執(zhí)行不同操作的臺替換蝕刻臺322以滿足特定用戶需要。接下來參考圖8到10，顯示了濺射臺324的細節(jié)。特別參考圖8，濺射臺324和中央樞紐區(qū)域313之間的訪問受到隔離閥324A的控制。在賊射臺324內(nèi)，襯底(未圖示)可以被裝載于托盤324B上，該托盤324B可以在皮帶傳動或軌道式傳輸器324T上在作業(yè)區(qū)(stagingregion)324C和遠程區(qū)(remoteregion)324D之間前后穿梭。這種傳輸系統(tǒng)的一個例子是日本的FEC公司出售的磁耦合傳動系統(tǒng)，其商標(biāo)為MagTran。在這種配置中，傳統(tǒng)的齒輪(gear)可以被替換為非接觸式磁耦合(non-contactmagneticcoupling)以提供傳輸或旋轉(zhuǎn)傳動運動的重取向。這有利于消除可能會被涂敷沉積材料的移動零件之間的產(chǎn)生顆粒的接觸(particle-generatingcontact)。在具體的配置中，傳輸器可以包括屏蔽特征以防止沉積材料污染傳輸器表面。由于這種傳輸方法尤其適合于線性工具，它還可以被用于混合工具300的直列式工具部分330。例如，兩個或多個臺或者工藝可以被結(jié)合在單一部分內(nèi)。傳輸器324T可以被用在集束型工具部分310中的各個部分內(nèi)以及穿過直列式部分330的一個或多個部分。特別參考圖8，自動閘門閥324D被用于控制濺射的工藝壓力，而渦輪分子泵(未圖示)可以被用于保持清潔的高真空(cleanhighvacuum)?？刂破?24H(其在一個實施方案中，可以為基于微處理器的系統(tǒng)諸如計算機)被用于調(diào)節(jié)濺射臺324內(nèi)的操作，包括控制托盤穿梭、氣體供給(諸如活性氣體供給裝置3241和惰性氣體供給裝置324J)、主電源324G和基于殘氣分析的反饋324K。賦予控制器324H的功能還包括控制真空水平。利用反應(yīng)濺射的無機層的沉積，特別是因為它涉及襯底6的加熱或?qū)h(huán)境敏感器件90(未圖示)暴露于環(huán)境，需要被控制以避免對器件卯造成損害。雖然現(xiàn)有技術(shù)已經(jīng)使用掩蔽物(screen)來減少在襯底上的濺射的影響，但它們沒有公開將OLED與濺射等離子體屏蔽開。例如，如前所述，反應(yīng)濺射為沉積電介質(zhì)、透明阻擋層的優(yōu)選方法；然而，盡管有先前涂敷的聚合物層，但這樣的阻擋層某些時候還是可以損害OLED。雖然損害的機理并不清楚，但該損害可能與插在其間的聚合物層有關(guān)，該損傷通過注入物質(zhì)在該聚合物層中產(chǎn)生并因該物質(zhì)而遷移穿過該層。特別結(jié)合圖8參考圖9，當(dāng)襯底6前后穿梭時，它經(jīng)過相鄰的兩個濺射陰極(也被稱為濺射靶或靶陰極)324E,其中一個被覆蓋了掩蔽物324F以至少部分地隔離等離子體與村底6。陰極324E包括在最頂層表面上的要被濺射的靶材料(例如，鋁)層。掩蔽物324F還提供將惰性氣體(優(yōu)選的為氮氣)與反應(yīng)氣體(優(yōu)選的為氧氣)分離的某些措施，這便于以固定的氧氣流(fixedoxygenflow)來穩(wěn)定操作。例如，具有相鄰掩蔽物324F的陰極324E可以只被用于氧化物或相關(guān)無機材料的最初層(例如，約400A)。該層可被用于保護襯底不受其余的第一層沉積的損害。第二陰極324E被配置為沒有掩蔽物，由此可以得到比具有遮蔽設(shè)備的情況更高的濺射速率和少得多的維護。為了控制該工藝，反饋系統(tǒng)可以被用于對氧氣流作出快速、精確的調(diào)整以保持特定的靶偏置電壓。這使得濺射過程能夠相對環(huán)境變化穩(wěn)定工作。被掩蔽物324F覆蓋的第一濺射陰極324E使得能夠無損地將氧化物薄膜沉積到OLED上。雖然由于掩蔽物324F的阻礙的確導(dǎo)致沉積速率更慢(即靶材利用率低)，并且的確由于掩蔽物開口隨著濺射材料在村底上掩蔽物324F上的沉積而收縮而使工藝參數(shù)緩慢變化，但是該方法是控制反應(yīng)濺射的簡單方式。DC濺射電源可以被使用，并且從控制器324H的角度看可以具有固定的工藝氣體流。反饋，如果需要的話，可以由手動或者通過控制器324H完成。沒有覆蓋掩蔽物324F的第二濺射陰極324E適合在OLED被氧化物薄層封裝之后使用。此時，磁控管為了沉積速率和靶材利用率而被最化?？梢砸笙冗M的反應(yīng)賊射控制，諸如脈沖DC濺射電源或活性反應(yīng)氣體控制。出了橫穿移動路徑看時(如圖9所示)和順著移動路徑看時(如圖10所示)的無機阻擋層沉積中掩蔽物324F相對耙陰極324E和村底6的放置。如圖中所示，該配置采用前述的向上沉積以利用向上的熱蒸發(fā)或濺射現(xiàn)象。向上的蒸發(fā)或濺射杜絕了顆粒殘渣落回到被涂敷的表面上。這兩種工藝受到控制而有助于在襯底表面上的沉積的最大化，但因為兩者都在真空中運行，所以沉積會延伸到其它內(nèi)表面。隨著時間的經(jīng)過，該材料沉積會成為顆粒源；由于這種顆粒源容易^皮擾亂，會由于重力作用向下運動離開襯底表面。將反應(yīng)氣體(例如，來自反應(yīng)氣體供給裝置3241的氧)與惰性濺射氣體(目前顯示為來自惰性氣體供給裝置324J的氬)混合通常導(dǎo)致陰極324E的靶表面轉(zhuǎn)化為由陰極材料和反應(yīng)氣體組成的化合物，這是一種被稱為中毒的現(xiàn)象。這種反應(yīng)表面(reactedsurface)的濺射被稱為中毒模式濺射，其特征在于應(yīng)優(yōu)選地被最小化或避免的更慢的沉積速率。為了減少中毒模式濺射，可以引入掩蔽物324F以有益地減少靶陰極324E附近反應(yīng)性氧的濃度。氧化物形成所需的氧被引入到掩蔽物324F和襯底6之間。通過讓氧氣和陰極324E所釋放的材料之間的反應(yīng)在更靠近接受襯底6和遠離源陰極324E的地方發(fā)生(如圖10中向上箭頭所示的來自氧供給裝置324I的氧)，減少了陰極324E處的氧化物中毒。當(dāng)然(如上所述)，濺射通量(sputteredflux)中掩蔽物324F的存在成51為了阻礙，降低了靶材沉積速率。由掩蔽物324F引起的阻礙作用可以被用于通過阻礙濺射等離子體的一些UV成分來降低等離子體損傷。UV曝光為已知的引起有機物退化(包括單體和聚合體材料)的原因而減少它可以有助于最小化等離子體損傷。周期性清潔掩蔽物324F可以被用于減少會進一步降低沉積速率的掩蔽物上沉積材料的堆積。使用掩蔽物324F尤其有助于將阻擋層組件形成于可以被用于OLED和其它環(huán)境敏感器件的襯底的塑料或相關(guān)基于有機物的膜上。該方法還可以被用于將封裝組件沉積于OLED上。另外，特別對于OLED封裝，當(dāng)釆用這種"有機物優(yōu)先"法時掩蔽物324F的使用已經(jīng)被證明減少了首先沉積的有機分離層(first-depositedorganicdecouplinglayer)的前述等離子體損傷。掩蔽物324F可被用于分立襯底和傳統(tǒng)巻筒村底涂層裝置。特別對于封裝，掩蔽物324F提供了兩種方法中的一種以在阻擋層為多層涂層的首先沉積的層時減少OLED的等離子體損傷。另一種避免等離子體損傷的方法包括在濺射之前沉積無機保護層，如前所述。入1203特別適合于濺射到襯底上。當(dāng)然，因為Ah03為電絕緣體，所以它不能用于非RF磁控'減射，而RF濺射有缺點，包括沉積速率慢、實施方式復(fù)雜、以及相對其它方法村底發(fā)熱過多。前述反應(yīng)濺射被用作一種在襯底上實現(xiàn)徹底的氧化膜的方法(產(chǎn)生干凈的、穩(wěn)定的、完全反應(yīng)的膜)。使用具有注入到靠近濺射靶的惰性濺射氣體(諸如氬氣)和注入到靠近襯底的反應(yīng)氣體(諸如氧氣)以及在兩氣體注入點之間的掩蔽物阻擋的上述遮蔽陰極有助于最小化活性氣體接觸濺射靶所產(chǎn)生的有害效應(yīng)。被沉積于掩蔽物的靶側(cè)上的靶材作為吸氣泵(getterpump)將穿過掩蔽物的反應(yīng)氣體去除。這是有利的，因為其效果是在襯底附近留下富氧氣氛，而在濺射靶附近留下富氬氣氛。因此，它可以在襯底上創(chuàng)造干凈涂層而不毒害在同一環(huán)境中的靶。雖然被放置于陰極324E上方的分離的掩蔽物324F使得生產(chǎn)過程靈活化，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，該系統(tǒng)不必包括掩蔽物324F。各種考慮，諸如那些上述的考慮，可以影響具體配置，包括沉積何種類型的材料、以及對襯底和沉積層質(zhì)量的潛在損害。直列式工具部分接下來結(jié)合圖7參考圖11，顯示了混合工具300的直列式工具部分330的細節(jié)。直列式工具部分330包括有機材料沉積臺334、無機材料固化臺336和能夠至少在有機材料沉積臺334和有機材料固化臺336之間傳送襯底的襯底傳輸器338。另外，隔離閥(諸如閘門閥)333被用于將有機材料沉積臺334和充當(dāng)襯底加熱和冷卻臺的單體掩模對準(zhǔn)室332隔離。如前所述，可以使用基于冷卻單體沉積臺的相鄰或者部分的不同表面的分配方法。例如，可以采用掩模對準(zhǔn)室332內(nèi)的表面，但是這些將通過使用有機材料沉積臺334和有機材料固化室336內(nèi)額外的溫度控制表面來完成。單體掩模對準(zhǔn)室332還可以用與前述掩模臺60相似的方式運行，其中放置了磁性掩模以控制襯底6上發(fā)生單體沉積的位置。還可以讓其與室清潔功能相協(xié)作。雖然清潔特別適合于有機材料沉積臺334(其中會發(fā)生最大程度(greatestlevel)的有機材料不期望沉積(unwanteddeposition))，但是還可能存在需要在沉積步驟完成時進行掩模的情況。與集束型工具部分310—樣，真空源350可以被用于控制有機材料沉積臺334的內(nèi)部壓力。雖然所示真空源350是配置為向集束型工具部分310和直列式工具部分330兩者供給真空的單一單元，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本系統(tǒng)還可以被配置為具有用于每個工具部分的、分離的、自治的真空源。用作分離真空源的泵的例子會在下文中進行更詳細描述。掩模對準(zhǔn)室332中可以存在其它裝置，包括加熱和冷卻板(未圖示)。有機材料沉積臺334由無機層材料供給裝置334A、蒸發(fā)器334B、沉積噴嘴334C、封隔裝置(confinement)334D、熱阻擋層334E、抽吸口(pumpingport)334F和遮板(shutter)334G組成。抽吸口334F被用于在有機材料沉積臺334中產(chǎn)生真空，并可以與真空源350或?qū)Ｓ帽媒M件成真空連接。添加單體封隔裝置334D有助于減少污染。大體上，封隔裝置334D使用"室中室"方法，該方法允許將單體導(dǎo)入到有機材料沉積室334的子部分中。目的是使被涂敷襯底附近的更小區(qū)域內(nèi)具有更高的單體蒸氣濃度。使襯底能移動到更小內(nèi)室中的開口可以與冷阱相鄰以將經(jīng)過這些開口逃逸并進入到室334的其余部分中的有機蒸氣減到最少。圖16A到16F(下述)具體實施了該"室中室，，方法。如使用以上結(jié)合集束型工具部分310所述的濺射臺324那樣，襯底6可以被裝載于托盤340上而可以在傳輸器338上在有機材料沉積臺334的相對置的兩端之間來回穿梭。有機層9A的冷凝速率是氣態(tài)單體分壓和表面溫度的函數(shù)，其中高分壓和低溫有助于冷凝。會對有機層沉積質(zhì)量產(chǎn)生極大影響的一個參數(shù)變量是襯底溫度。關(guān)于溫度，氣態(tài)單體會冷凝于大多數(shù)表面上，尤其是那些表面溫度低于大約160攝氏度的表面。雖然可以調(diào)整工藝參數(shù)以改善在諸如有機材料固化臺336的石英窗(quartzwindow)之類的部件上的單體堆積，但是這樣的調(diào)整不是所希望的，尤其是在無法實時反饋的情形中。這樣的調(diào)整包括例如改變襯底的傳輸速度和改變源的強度。不幸的是，源的紅外線(IR)輻射衰減不均衡，所以任何這樣的工藝調(diào)整都可能增加襯底溫度，導(dǎo)致降低單體沉積速率除非釆取控制襯底溫度的方法。不做工藝調(diào)整，取而代之的是遮板334G被放置于有機材料沉積臺334和有機材料固化臺336之間以充當(dāng)這兩者之間的污染阻擋層。通過在除了有機材料沉積臺334的初始抽真空(initialevacuation)和托盤340與襯底6的傳輸期間之外的所有時候都將雜散有機材料與有機材料固化臺336隔離開，來將有機材料沉淀于有機材料固化臺336的石英窗上以及對由其發(fā)射的UV固化能量的量造成妨礙的機會減到最少。接下來參考圖17A和17B，顯示了改變襯底溫度對有機層沉積質(zhì)量造成的影響。雖然希望獲得最高沉積效率，但是沉積效率對襯底溫度的強烈依賴(尤其是在溫標(biāo)的低端)使得在封裝過程期間難以使聚合物厚度保持在可接受范圍內(nèi)。促進均勻、可再現(xiàn)的沉積厚度在封裝工作中是相當(dāng)重要的，其中該聚合物厚度一般在約4，000A到6，000A之間。雖然主動溫度控制系統(tǒng)是一種促進均勻?qū)雍穸鹊姆绞?，但它不是唯一方式。本發(fā)明人已經(jīng)能夠控制沉積以實現(xiàn)厚度大致均勻的層，獲得了成功封裝的OLED而不需要主動溫度控制系統(tǒng)。因此，雖然這個添加有益于封裝工具，但是它不是必需的。襯底溫度和蒸發(fā)器壓力的測量值對操作者(手動操作模式)或控制器(自動操作模式)控制沉積工藝是有用的指標(biāo)。如前所述，溫度(尤其是襯底溫度)提供關(guān)于沉積效率的有用信息。在一種形式中，襯底溫度在傳輸系統(tǒng)上襯底和托盤開始移動之前被測量。蒸發(fā)器壓力直接在蒸發(fā)器中測量但是不提供撞擊于襯底上的通量的絕對度量(absolutemeasure)。沉積工藝期間全部這兩個參數(shù)的精確值，溫度和流量，將取決于具體工具的細節(jié)。然而，發(fā)明人收集的數(shù)據(jù)顯示了所測試溫度、壓力和膜厚度對這些細節(jié)的敏感度不大。特別參考圖17A，顯示了在沉積開始之前，在25攝氏度到65攝氏度之間，作為所測量的襯底6溫度的函數(shù)的沉積效率近似值，其中沉積效率由層厚度乘以襯底/托盤速度除以單體流率來定義。沉積效率顯示隨溫度增加而降低，盡管在大約50攝氏度以上不如更低溫度處的快。在封裝工藝期間，襯底被暴露于來自單體固化和氧化物沉積的熱負荷。例如，基于圖17A所示的圖，如果單體沉積開始于溫度為25攝氏度的襯底6并且最后一層溫度達到35到40攝氏度，那么這些更高溫度的單體層厚度將減少為只有初始層厚度的50%。為每一層都增加流來補償溫度的控制方法對于OLED而言將難以實施。對于溫度等于或接近周圍環(huán)境溫度(大約在25攝氏度到35攝氏度之間)的襯底6而言，該圖證實了使得非均勻的襯底6溫度可以導(dǎo)致單體厚度的顯著變化的強烈的溫度依賴關(guān)系。為了避免這兩個問題，發(fā)明人利用了無機層9B(其可以為厚氧化物)初始;冗積期間襯底6的固有工藝加熱(processheating)。在每層有機層9A沉積開始之前所測的襯底6溫度的例子如圖17B中所示，其中圖示了具有7層有機層9A的多層涂層的結(jié)果。初始襯底溫度大約為26攝氏度，厚氧化物沉積導(dǎo)致在涂敷第一有機層9A之前襯底溫度達到差不多40攝氏度。結(jié)果，第七有機層9A的厚度僅比笫一有機層9A少大約15。/。。為了補償所增加的襯底6溫度，可以增加單體的流。當(dāng)然要在在更低溫度下操作襯底6和在更高溫度下操作襯底6之間進行權(quán)衡；在更低溫度下操作襯底6時，工藝高效但是難以控制，而在更高溫度下操作襯底6時效率較低但是易于控制并具有伴隨的可再現(xiàn)性。直列式工具部分330的溫度控制特征非常適合于在兩者中的任一溫度狀況下操作。當(dāng)考慮通用工具(包括用于工藝研究和開發(fā)的這種工具)時，具有保持有機層9A厚度所需工藝控制的能力對于更通用的封裝工藝是有價值的。如上所述，沒有襯底溫度控制，襯底6溫度會在工藝開始時保持與周圍環(huán)境溫度相近，導(dǎo)致初始有機層9A厚度的不確定性和在封裝工藝進行時有機層9A厚度的顯著減少。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)有若干種可行方法能保持用于任意封裝層結(jié)構(gòu)的單體工藝的控制。舉個非限定性的例子，可以實現(xiàn)在每一層有機層9A沉積之前襯底溫度主動控制的某種形式。另一方法可以是測量每一層的襯底溫度并據(jù)此調(diào)整單體流率。此外，還可以建立可重復(fù)的初始襯底溫度并適應(yīng)溫度改變。理想地，第一種方法會得到一致的有機層9A厚度。如果可以維持受控的更低襯底6溫度那么就可以得到增加的沉積效率。另外，該方法還可以為不同單體和封裝工藝提供最大適應(yīng)能力。使用主動控制會需要額外的控制，而溫度控制可能需要額外的處理時間以及可能需要解決跨遍及襯底或OLED表面的發(fā)射率變化。第二種方法需要能重復(fù)測量襯底6溫度。在處理期間對襯底6的非接觸式測量面臨著封裝處理期間襯底6的變化的發(fā)射率的挑戰(zhàn)。襯底6溫度和沉積效率之間的關(guān)系需要被很好地特征化并儲存為控制系統(tǒng)程序的一部分。第三種技術(shù)需要使襯底達到特定的適中溫度的溫度穩(wěn)定臺。適當(dāng)?shù)剡x擇該溫度使其在沉積效率和溫度敏感性之間達到最優(yōu)權(quán)衡。溫度穩(wěn)定臺會在將襯底溫度調(diào)整到低敏感性的區(qū)域中起到厚氧化物的作用。儲料型室會容許更長的穩(wěn)定時間而不增加封裝處理時間。對于目前的單體配料(monomerblend)而言，穩(wěn)定溫度應(yīng)該在約35攝氏度到40攝氏度的范圍內(nèi)。其它單體配料可能需要不同的穩(wěn)定溫度。這將由特征化沉積效率對襯底溫度的敏感性來決定。使用循環(huán)流體和加熱器/冷卻器的溫度控制系統(tǒng)會為所關(guān)注的溫度范圍提供最快和最精確的控制。這種方法可容易地用于封裝處理期間所用的掩模。減少掩模和襯底溫度的差別將減少有差別的熱膨脹對掩模容差的影響。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，上述方法只是例子，以及可以使用其它方法以滿足單體工藝控制需要。另一種管理有機材料沉積臺334和有機材料固化臺336之一或全部的溫度的方法是讓加熱或冷卻液體經(jīng)過處理室的墻壁。例如，可以4吏用加套室(jacketedchamber)和循環(huán)溫度控制(即加熱的或冷卻的)液體的裝置。接下來參考圖16A到16F,顯示了混合工具300的直列式工具部分330的有機材料沉積臺334部分的替代實施方案。這些圖顯示了襯底6(優(yōu)選地被貼了掩模(未圖示))經(jīng)過臺334以涂敷一層或多層有機材料的不同階段。在本配置中，單體僅在需要時流動，諸如當(dāng)襯底6(圖中在托盤340的底面上)在襯底6傳輸期間鄰近孔335C時，特別如圖16C到16D中所示。有機材料沉積臺334包括密閉艙(containmentvessel)以封隔用于將有機層沉積到村底6上的至少一些部件。密閉艙由可隔離內(nèi)室335構(gòu)成，可隔離內(nèi)室335進一步至少被劃分為用于包圍單體沉積噴嘴334C的第一區(qū)域335A(也被稱為單體封隔子室)，以及限定可隔離內(nèi)室335的其余部分的第二區(qū)域335B。優(yōu)選地，托盤340上的襯底6(或者，如果有的話，器件90)和由第一區(qū)域335A包含孔335C的部分與冷阱3341限定的平面之間的間隔容差小。這種緊密固定將逃逸的材料的量減到最少，這種逃逸的材料會污染有機材料沉積臺334的內(nèi)部。托盤340具有延伸了的前緣和后緣尺寸(leadingandtrailingdimension)以減少遮板334G開啟時的傳導(dǎo)性(conductance)。在一種形式中，熱阻擋層334E將襯底6與由相對熱的單體沉積噴嘴334C所輻射的熱屏蔽開，由此減少了輸入到襯底中的熱。另外，熱阻擋層334E屏蔽了內(nèi)室335的第二區(qū)域335B的表面。熱阻擋層334E的具體實施方案的形式可以為包圍住單體沉積噴嘴334C除了噴嘴處的孔以外的每處的水冷套，由此減少蔓延到內(nèi)室335的第二區(qū)域335B的熱。如前所述，單體在襯底6上的沉積速率強烈依賴于后者的溫度。為了保持預(yù)期的沉積速率，所有的襯底都應(yīng)該彼此間具有越接近越好的受熱經(jīng)歷(thermalhistory)。另外，優(yōu)選地襯底6的暴露應(yīng)該相對溫和(benign)(換句話說，它們所暴露的溫度不要高于周圍溫度太多)。為此目的，通過在單體沉積期間將襯底6與第一區(qū)域335A中產(chǎn)生的升高溫度熱絕緣可以有利于保持襯底6的視線輻射加熱(lineofsightradiantheating)最小化。一種方法可以包括冷卻第一區(qū)域335A的外部。只要導(dǎo)入蒸發(fā)器334B(圖11中所示)中的單體流速被改變，源就需要一段時間(一般為十秒量級)來穩(wěn)定。不應(yīng)該在此期間內(nèi)對襯底6進行沉積。當(dāng)不存在襯底6時(諸如圖16A中所示)，遮板334G將第一區(qū)域335A與主室隔離。用這種能力，它阻止了單體在所述期間:故沉積到襯底6上，在所述期間它可以將從單體沉積噴嘴334C流出的單體流轉(zhuǎn)移到第一區(qū)域泵334H1中。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，圖16A到16F中所示的泵334H1和334H2可以結(jié)合或代替圖7和11中所示真空源350來使用。第一區(qū)域泵334H1被用于保持內(nèi)室335第一區(qū)域335A的單體污染較低。另外，第一區(qū)域泵334H1可以被用于快速實現(xiàn)或保持可隔離內(nèi)室335中的真空質(zhì)量。在一種形式中，第一區(qū)域泵334H1可以為被用于從第一區(qū)域335A中去除過量單體氣體的耐單體高真空泵(諸如加熱渦輪泵(heatedturbopump)或干式機械泵)。任何從第一區(qū)域泵334H1排出的氣體可以被送到洗滌器以在被釋放之前進行額外的凈化。在單體流動期間，經(jīng)過單體沉積噴嘴334C的單體的部分可能在第一區(qū)域335A的內(nèi)壁上、以及遮板334G上冷凝。在遮板334G背面上的該冷凝可能在遮板334G關(guān)閉時被重新蒸發(fā)到第一區(qū)域335A中。另外，積聚到遮板334G上的單體可能千擾其活動。通過加熱遮板334G，可以將由這樣的冷凝引起的積聚減到最少。這通過最小化傳導(dǎo)性有效地隔離了第一區(qū)域335A而不釋放顆粒，其中相鄰組件的摩擦導(dǎo)致了這種風(fēng)險。因此，當(dāng)遮板334G關(guān)閉時，緊致閉合(tightclosure)優(yōu)選地具有低傳導(dǎo)性間隙(conductancegap)。同遮板3340—樣，第一區(qū)域33SA的內(nèi)壁可以被加熱以將冷凝和由此造成的單體積聚減到最少。這防止了單體冷凝形成液滴的機會，這種液滴可能會進入到第一區(qū)域泵334H1并對其造成損害。冷阱3341可以被用于捕捉從第一區(qū)域335A逃逸到第二區(qū)域335B的過量單體。冷阱3341的效率取決于冷阱表面的溫度和面積。在優(yōu)選的取向上，冷阱334I從遮板開口的周邊偏移開。在更具體的實施方案中，可以有兩個冷阱，在遮板開口的長邊兩邊一邊一個并且與遮板開口的長邊大致等長。盡管低溫學(xué)溫度對于冷阱3341而言是最有效的，但只要有零下溫度(可以例如用使用基于乙二醇傳熱流體的冷卻器制得)就可能足夠了，并且其實現(xiàn)更經(jīng)濟和更安全。為了增強適用性，可以使用具有咬合蓋(snap-oncap)的可去除冷阱。這還有助于安全處理捕捉的單體。遮板334G可以為前述有機材料固化臺336的石英窗提供額外的保護，由此最小化單體源和窗口在單體沉積期間的傳導(dǎo)性。為了最有效率，遮板334G可以與單體源334A(如圖11中所示)相距足夠遠的距離使得襯底6在源上方的整個傳輸過程不被妨礙?？梢允褂酶鞣N形式的單體封隔334D，既可以是獨立的也可以與遮板334G或其它部件結(jié)合。例如，再次參考圖7和11，如果存在傳輸機構(gòu)338，那么其許多位于單體流移動路徑上的部件極有可能會散落沉積單體的剝落碎片和由于摩擦、振動或相關(guān)運動產(chǎn)生的顆粒。這反過來可以在襯底6上產(chǎn)生薄膜缺陷。不幸的是，周期性清潔傳輸機構(gòu)338部件太耗時，并且需要額外的停機時間。另外，該單體可能是危險的，需要額外的維護人員保護和相關(guān)花費。雖然可能不能在工具300中實現(xiàn)完全的單體封隔，但是用本發(fā)明的方法，可以減少雜散單體的量以增加保養(yǎng)之間的平均時間。例如，使用分離的第一和第二區(qū)域335A、335B結(jié)合單體封隔334D和遮板334G可以促進大約90%的過量單體捕獲。此外，冷阱334I可以捕獲大約四分之三的余量，和在直到托盤340完全覆蓋冷阱3341之前的約一半的余量。遮板334G還非常適合于使單體遠離有機材料固化臺336的窗口。再次參考圖11，可以包括清潔系統(tǒng)(未圖示)以用于直列式工具部分330。這樣的清潔系統(tǒng)還可以被用于清潔集束型工具部分310的濺射臺324。此外，該清潔系統(tǒng)被配置為原位執(zhí)行，使得它的完成可以不必破壞直列式工具部分330中存在的真空，由此使得能得到同樣的或更好的有機物殘渣清潔和去除水平。該清潔系統(tǒng)使用通過將前體氣體暴露于放電源所生成的反應(yīng)等離子體。在一種形式中，該清潔系統(tǒng)可以包括輝光放電源(局部或遠程)以產(chǎn)生反應(yīng)物，該反應(yīng)物隨后被用于化學(xué)去除殘余有機沉積物。不管源電極配置，等離子體源工作在更低功率下以避免來自源電極表面的有害濺射。同無機濺射一樣，可以使用射頻、相關(guān)的微波活化或者其它手段產(chǎn)生等離子體。前體組分(一般為氣態(tài)形式)被裝入用于等離子體源的等離子體罩(plasmaenclosure)(未圖示)中，而反應(yīng)物通過適當(dāng)?shù)穆?lián)結(jié)端口(未圖示)被運送到有機材料沉積臺334中?？梢允褂靡环N或多種前體氣體，包括02、03、H2、N2、NF3、CF4、C2F6、以及C3F8，來產(chǎn)生適當(dāng)水平的長壽命的反應(yīng)物以送到有機材料沉積臺334中所需的內(nèi)表面。襯底傳輸可以被用于升高和降低襯底6，由此選擇性地將其放置于等離子體源的路徑中。優(yōu)選地選擇前體氣體和工藝設(shè)置以產(chǎn)生可以在隨后容易通過真空或相關(guān)抽吸源被去除的揮發(fā)性副產(chǎn)品。優(yōu)選地避免形成顆粒副產(chǎn)品因為它們可以沉淀于表面上并最終引起涂層缺陷。反應(yīng)等離子體清潔方法可以以一種有效的方法來最小化堆積于直列式工具部分330內(nèi)的部件上的有機層。可以包括冷卻設(shè)備(例如，水冷套)以保持直列式工具部分330中的室(或室的一部分)冷卻。希望將輝光放電源置于包含有機材料沉積臺334的室中并配置傳遞裝置以供給工作(前體)氣體，或者將輝光放電源置于與包含有機材料沉積臺334的室相連的(并且在真空下)輔助室(secondarychamber)中。在這兩種情況的任一種中，對內(nèi)部空間、適用性或其它諸如此類的考慮可以決定哪種配置是優(yōu)選的。例如，對強調(diào)有機沉積臺的基本需要可以包括考慮相鄰的UV固化臺的清潔。濺射室可以為自清潔的，其中適當(dāng)?shù)目刂圃O(shè)置可以被用于產(chǎn)生適于清潔的低功率(輝光放電)等離子體以避免在清潔過程期間有害的和潛在不希望的濺射。在另一種形式中，輔助部件電極(auxiliarycomponentelectrode)可以被置于有機材料沉積臺334內(nèi)永久固定的或可移動的附屬位置(satelliteposition)中以在所需的關(guān)鍵位置發(fā)動(strike)并產(chǎn)生一連串局部反應(yīng)等離子體清潔過程。如上段所述，一種或多種前體氣體可以被用于去除有機物殘渣。在兩種情況的任一種中，由于化學(xué)反應(yīng)去除工藝的溫度依賴特性，所以反應(yīng)速率和有機沉積物的去除可以通過提高被清潔的所需表面的溫度而被進一步增強。這樣的溫度提高可以通過電阻和/或輻照加熱的外部和/或內(nèi)部源來實現(xiàn)。在一種形式的操作中，可以采用在室溫下使用適當(dāng)?shù)母咚偾鍧嵐に囈栽诿?-~個每層多層沉積運行(depositionrun)之后立即清潔和去除沉積的有機材料殘渣。其優(yōu)點在于維持每個沉積運行的相關(guān)開始背景和條件相似。在使用用于有機和無機沉積的分離室時，將有機會在每個單一有機層9A沉積之后清潔殘渣。該處理，當(dāng)然，可能會被較少地執(zhí)行，取決于沉積工具正常運行時間和利用率的經(jīng)濟效益相對于處理室、堆積(drift)和污染情況的折衷。最后參考圖18，顯示了有機材料測定和安全系統(tǒng)370的細節(jié)，以及它如何與直列式工具部分330的有機材料沉積臺334協(xié)作。通過這樣的系統(tǒng)，可以保證被導(dǎo)入到有機材料沉積臺334中的材料滿足工具所需的最小質(zhì)量或純度標(biāo)準(zhǔn)，因為內(nèi)建的安全特征只允許驗證過的化學(xué)藥劑(諸如得到許可的化學(xué)藥劑，其中最有可能是針對偽造或污染的控制)被用在沉積工具中。有機材料測定和安全系統(tǒng)370可以#皮放置為與必要的流控制(flowcontrol)部件成協(xié)作關(guān)系，如圖11中所示并在此被抽象化并以框圖形式顯示為源控制單元382(包括閥、泵、導(dǎo)管和如先前結(jié)合有機材料沉積臺334所述的相關(guān)組件)。為了連接到流控制部件，有機材料測定和安全系統(tǒng)370連接數(shù)據(jù)控制部件(包括計算機或相關(guān)基于微處理器的控制器380，以及管理源材料流(flowofsourcematerial)所需的測定或控制軟件)和安全軟件384以執(zhí)行許可驗證和容積(volume)驗證、加密的串行連接和保護不同流控制組件與測定軟件之間通過的信息?？梢岳斫獾氖?，可編程邏輯控制器386可以被用于替代或結(jié)合計算機380以實現(xiàn)控制功能，因為可編程邏輯控制器一般4皮用于機器操作過程(machine-operatedprocess)的自動化。除了必要的硬件和軟件組件以及它們到源控制單元382的連接之外，有機材料測定和安全系統(tǒng)370還可以包括由有機材料供給裝置(其目前以容器334A的形式顯示)和硬件密鑰374組成的可消費安全有機材料供給組合件390。用這樣的構(gòu)造，有機材料測定和安全系統(tǒng)370被配置為實施機器控制以及數(shù)據(jù)收集和驗證功能，以及響應(yīng)用戶輸入(例如，分配一定量的單體或相關(guān)的有機材料的用戶請求)。在一個例子中，從有機材料測定和安全系統(tǒng)370分配的材料可以被供應(yīng)商許可，該供應(yīng)商具有能夠提供安全、可靠數(shù)量的適合工具330的產(chǎn)品的可靠能力。安全有機材料供給組合件390的容器334A可以保存預(yù)定量的有機材料，而硬件密鑰374(通常被稱為解密裝置(dongle))包含這樣的信息一旦該信息被聯(lián)結(jié)到加栽到計算機380中的適當(dāng)安全軟件384,就可以被用于控制和追蹤被導(dǎo)入到有機材料沉積臺334中的有機材料。在通用適用范圍中，解密裝置是用于限制軟件應(yīng)用程序只被授權(quán)個體使用的裝置。解密裝置一般包括硬件鑰匙，該硬件鑰匙插入到該軟件應(yīng)用程序可以訪問的計算機的并行或串行(例如，通用串行總線(USB))端口以在準(zhǔn)許進行后續(xù)操作之前驗證某些安全標(biāo)準(zhǔn)已被滿足。涉及所放置產(chǎn)品的工廠安裝標(biāo)準(zhǔn)(factory-installedcriteria)可以通過只讀存儲器(ROM)被放入解密裝置中。因此，在本發(fā)明的特定適用范圍內(nèi)，該解密裝置可以包括涉及容器334A中初始放置的有機材料的量、以及許可驗證(licenseverification)的信息或其它信息。安全軟件384可以駐留在計算機380中，并為操作源控制單元382所需的測定軟件提供安全措置。通過例如計算機380，在源控制單元382和解密裝置374之間的信息傳輸優(yōu)選地被加密。在使用可編程邏輯控制器386(后者響應(yīng)用戶輸入，諸如將單體沉積到襯底上的請求)的情況中，它也可以通過加密的串行連接進行往來通信。這防止了篡改駐留于解密裝置374中的許可驗證信息。為了使安全性最大化，解密裝置374優(yōu)選地在有機材料分配期間保持連接到計算機380(諸如通過前述USB端口)。以這種方式，如果解密裝置374被去除，或者容器334A中沒有剩余有機材料，那么有機層沉積過程就不會進行。額外的安全水平(例如，口令、以及用于遺失口令等的恢復(fù)軟件)也可以成為有機材料測定和安全系統(tǒng)370的一部分。上述用于管理源材料流所需的控制軟件優(yōu)選地為計算機可加載算法，該算法接收對來自源控制單元382的有機材料的用戶請求并且將該請求與解密裝置374中所儲存信息進行比較以確保與許可協(xié)議條款(其信息也可以被包含于解密裝置374上)相匹配。數(shù)據(jù)記錄軟件可以被包括于測定軟件中，或附加在測定軟件上，以記錄所分配有機材料的量，由此給解密裝置374創(chuàng)建等于有機材料沉積臺334所分配量的支取(debit)。一旦對分配一些有機材料的要求已經(jīng)被判定為滿足必要安全標(biāo)準(zhǔn)，那么計算機380(結(jié)合測定或控制軟件)發(fā)送信號給源控制單元382以從容器334A中將有機材料分配給直列式工具部分330中的所需位置。63在一種具體實施方案中，源控制單元382可以發(fā)送信號給注射泵(未圖示)以指示該泵輸送所請求的量的有機材料。這個發(fā)送和接收命令可以被加密，并且關(guān)于所請求的量的信息可以被送到解密裝置374以驗證許可是否正確以及容器334A中剩余量是否足夠。如前所述，安檢軟件384可以被用于確保保護源控制單元382中所用軟件不受篡改或者誤用。雖然優(yōu)選實施方案描述了使用硬件密鑰實現(xiàn)本安檢功能，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，可以使用其它安全方法。例如，可以在駐留于本地機380上的測定和安全軟件與遠程驗證設(shè)備(諸如在有機材料賣方設(shè)備處的計算機)之間通過數(shù)據(jù)上行鏈路(datauplink)或類似遠程通信機制來傳輸安檢和測定信息。雖然為了闡釋本發(fā)明已經(jīng)顯示了某些代表性的實施方案和細節(jié)，對本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是可在由所附的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明范圍內(nèi)作出各種改變。權(quán)利要求1.一種用于將至少一層有機材料形成到分立襯底上的設(shè)備，所述設(shè)備包括有機材料沉積臺；與所述有機材料沉積臺協(xié)作的有機材料固化臺；襯底傳輸器，被配置為至少在所述有機材料沉積臺和所述有機材料固化臺之間傳送所述襯底；減壓源，與所述有機材料沉積臺成真空聯(lián)通放置，以使得在所述有機層沉積到所述分立襯底上的至少一部分過程期間，所述減壓源工作以在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；以及熱控制機構(gòu)，與所述有機材料沉積臺和有機材料固化臺中的至少一個協(xié)作，以使得可以在所述襯底上形成所述有機材料的期間控制其內(nèi)部的溫度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括控制系統(tǒng)，其被配置為調(diào)整所述有機材料沉積臺中所述溫度和壓力條件中的至少一個。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述控制系統(tǒng)被配置為調(diào)整所述有機材料沉積臺中的所述溫度和壓力條件兩者。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括被聯(lián)結(jié)到所述有機材料沉積臺的等離子體清潔系統(tǒng)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述等離子體清潔系統(tǒng)包括等離子體源，被流體地聯(lián)結(jié)到所述有機材料沉積臺，所述等離子體源被配置為產(chǎn)生可以從所述有機材料沉積臺中化學(xué)去除殘余有機沉積物的反應(yīng)物；聯(lián)結(jié)口，與所述遠程等離子體源成流體聯(lián)通；以及等離子體罩，與所述聯(lián)結(jié)口成流體聯(lián)通。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，所述等離子體源包括射頻信號發(fā)生器。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，所述等離子體源包含從02、03、H2、N2、NF3、CF4、C2F6、以及C3F8的組中選擇的前體氣體。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括掩模臺，該掩模臺被配置為在沉積至少一個所述有機層之前將掩模涂敷到所述襯底上。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括有機材料測定和安全系統(tǒng)，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器、至少一個計算機可加載算法和被配置為運行所述算法的基于微處理器的控制器協(xié)作，以使得在收到用戶輸入并滿足所述硬件密鑰中所編碼的安全標(biāo)準(zhǔn)之后，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)指示所述有機材料沉積臺的至少一部分工作。10.—種用于將材料沉積到分立襯底上的設(shè)備，所述設(shè)備包括集束型工具，被配置為將至少一個無機層沉積到所述襯底上；直列式工具，被配置為將至少一個有機層沉積到所述襯底上，所述直列式工具被操作地聯(lián)結(jié)到所述集束型工具；以及減壓源，與所述直列式工具成真空聯(lián)通放置，使得在所述有機層沉積到所述分立襯底上的過程的至少一部分期間，所述減壓源工作以在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，還包括熱控制機構(gòu)，該熱控制所述集束型工具和所述直列式工具的至少一個中的溫度。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述直列式工具包括有機材料沉積臺；與所述有機材料沉積臺協(xié)作的有機材料固化臺；以及村底傳輸器，被配置為至少在所述有機材料沉積臺和所述有機材料固化臺之間傳送所述襯底。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述有機材料沉積臺包括有機材料蒸發(fā)器；與所述蒸發(fā)器成流體聯(lián)通的有機材料沉積噴嘴；以及布置在所述噴嘴周圍的有機材料封隔系統(tǒng)。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，所述有機材料沉積臺限定了可隔離內(nèi)室。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中，所述可隔離內(nèi)室限定了包含所述有機材料封隔系統(tǒng)的第一區(qū)域、以及可通過可移動遮板與所述第一區(qū)域選擇性隔離的第二區(qū)域。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，還包括與所述第二區(qū)域成熱聯(lián)通的冷卻設(shè)備，所述冷卻設(shè)備被配置為減少所述第一區(qū)域中產(chǎn)生的熱負荷對所述笫二區(qū)域的影響。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，還包括與所述可隔離內(nèi)室成熱聯(lián)通放置的至少一個冷阱。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，還包括被流體地聯(lián)結(jié)到所述第一和第二區(qū)域的至少一個的至少一個泵，所述至少一個泵#_配置為在所述有機材料封隔系統(tǒng)的所述第一和第二區(qū)域的至少一個中提供局部真空。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中，所述至少一個泵包括渦輪分子泵。20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述集束型工具還包括無機沉積臺，該無機沉積臺被配置為將第一層無機材料沉積到所述襯底上。21.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，所述減壓源與所述集束型工具成真空聯(lián)通放置，以使得在所述無機層沉積到所述分立襯底上的過程的至少一部分期間，所述減壓源工作以在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。22.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，還包括與所述直列式工具協(xié)作的有機材料測定和安全系統(tǒng)，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器、至少一個計算機可加載算法和被配置為運行所述算法的基于微處理器的控制器協(xié)作，以使得在收到用戶輸入并滿足所述硬件密鑰中所編碼的安全標(biāo)準(zhǔn)之后，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)指示所述直列式工具的至少一部分工作。23.—種用于將多層涂層沉積到分立襯底上的工具，所述工具包括多個外圍臺，所述多個外圍臺布置在大致中央的樞紐周圍并與該中央樞紐相聯(lián)結(jié)，以使得所述大致中央的樞紐可以在至少一個所述外圍臺之間傳輸襯底，所述多個外圍臺包括阻擋層形成臺，被配置為將至少一個無機層沉積到襯底上；以及至少一個有機層形成臺，被配置為直列式工具，以將至少一個有機層沉積到所述襯底上；減壓源，與所述阻擋層形成臺和所述有機層形成臺中的至少一個成真空聯(lián)通放置，以使得在所述多層涂層沉積到所述襯底上的過程的至少一部分期間，所述減壓源工作以在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；以及溫度控制裝置，與所述阻擋層形成臺和所述有機層形成臺的至少一個成熱聯(lián)通放置，以使得在所述多層涂層沉積到所述襯底上的過程的至少一部分期間，所述溫度控制裝置工作以調(diào)整所述襯底的溫度。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的工具，其中，所述溫度控制裝置被配置為降低所述襯底的溫度。25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的工具，還包括放置于所述工具中的至少一個掩模臺，所述掩模臺被配置為將至少一個掩模放置于所述襯底上。26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的工具，其中，所述至少一個有機層形成臺包括單體沉積臺、單體固化臺和被配置為將所述襯底至少在所述單體沉積臺和固化臺之間移動的襯底傳輸器。27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的工具，還包括與所述直列式工具協(xié)作的有機材料測定和安全系統(tǒng)，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器、至少一個計算機可加載算法和被配置為運行所述算法的基于微處理器的控制器協(xié)作，以使得在收到用戶輸入并滿足所述硬件密鑰中所編碼的安全標(biāo)準(zhǔn)之后，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)指示所述直列式工具的至少一部分工作。28.—種用于將多層涂層沉積到分立村底上的工具，所述工具包括單體層沉積臺，被配置為直列式工具，以將至少一個有機層沉積到所述襯底上，所述直列式工具被操作地聯(lián)結(jié)到所述集束型工具；與所述單體層沉積臺協(xié)作的阻擋層沉積臺，所述阻擋層沉積臺被配置為集束型工具，以將至少一個無機層沉積到所述襯底上；以及減壓源，與所述集束型工具和所述直列式工具成真空聯(lián)通放置，使得在所述多層涂層沉積到所述分立襯底上的過程的至少一部分期間，所述減壓源工作以在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的工具，還包括被配置為固化由所述單體層沉積臺沉積的有機層的至少一個固化臺。30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的工具，還包括至少一個污染減少設(shè)備移。31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的工具，還包括與所述工具協(xié)作的掩模臺，所述掩模臺被配置為將至少一個掩模放置于所述襯底上。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述工具，其中，所述掩模臺包括有機掩模放置設(shè)備和無機掩模放置設(shè)備。33.根據(jù)權(quán)利要求28所述的工具，其中，所述單體層沉積臺和所述阻擋層沉積臺被配置為使所述村底沿著它們內(nèi)部各自的傳輸路徑反向移動以使得所述多層涂層的多個層可以被沉積。34.根據(jù)權(quán)利要求28所述的工具，還包括放置于所述單體層沉積臺和所述阻擋層沉積臺之間的環(huán)境隔離閥。35.根據(jù)權(quán)利要求28所述的工具，還包括至少一個表面處理室，所述至少一個表面處理室被配置為增強所述多層涂層的單個層粘附到所述襯底或所述多層涂層的相鄰層上的能力。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的工具，其中，所述表面處理室被放置于所述單體層沉積臺中。37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的工具，其中，所述表面處理室包括等離子體能量源。38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的工具，其中，所述表面處理室包括熱蒸發(fā)設(shè)備。39.根據(jù)權(quán)利要求36所述的工具，其中，所迷熱蒸發(fā)設(shè)備被配置為沉積非氧化物材料。40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的工具，其中，所述非氧化物材料包括氟化鋰或氟化鎂中的至少一種。41.根據(jù)權(quán)利要求28所述的工具，其中，所述阻擋層沉積臺被配置為在所述單體層沉積臺放置有機層之前將無機層放置到所述襯底上。42.根據(jù)權(quán)利要求28所述的工具，其中，所述真空源被配置為在所述無機層沉積期間提供與所述有機層沉積期間不同的真空水平。43.根據(jù)權(quán)利要求28所述的工具，還包括有機材料測定和安全系統(tǒng)，其與所述單體層沉積臺協(xié)作，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器、至少一個計算機可加栽算法和被配置為運行所述算法的基于微處理器的控制器協(xié)作，以使得在收到用戶輸入并滿足所述硬件密鑰中所編碼的安全標(biāo)準(zhǔn)之后，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)指示所述單體層沉積臺的至少一部分工作。44.一種封裝工具，被配置為將多層涂層沉積到放置于分立襯底上的有機發(fā)光二極管上，所述封裝工具包括集束型工具，被配置為將至少一個無機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上；直列式工具，被配置為將至少一個有機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上，所述直列式工具被操作地聯(lián)結(jié)到所述集束型工具；以及真空源，所述真空源至少被聯(lián)結(jié)到所述直列式工具上，以使得在將有機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上的過程的至少一部分期間，所述真空源工作以在所述有機發(fā)光二極管周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的封裝工具，還包括被聯(lián)結(jié)到所述集束型工具和所述直列式工具的至少一個上的熱控制機構(gòu)。46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的封裝工具，其中，所述封裝工具被配置為使得所述無機層或有機層均可以被首先涂敷到所述有機發(fā)光二極管上。47.根據(jù)權(quán)利要求44所述封裝工具，還包括與所述直列式工具協(xié)作的有機材料測定和安全系統(tǒng)，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器、至少一個計算機可加載算法和被配置為運行所述算法的基于微處理器的控制器協(xié)作，以使得在收到用戶輸入并滿足所迷硬件密鑰中所編碼的安全標(biāo)準(zhǔn)之后，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)指示所述直列式工具的至少一部分工作。48.—種用于將多層涂層沉積到襯底上的方法，所述方法包括配置工具以^使該工具包括集束型部分，被配置為將至少一個無機層沉積到所述襯底上；直列式部分，被配置為將至少一個有機層沉積到所述襯底上，所述直列式部分被操作地聯(lián)結(jié)到所述集束型工具；以及減壓源，所述減壓源至少與所述直列式部分成真空聯(lián)通放置；將所述襯底加載到所述工具中；將所述無機材料的至少一部分作為所述多層涂層的成分沉積到所述襯底上；操作所述減壓源以在所述有機層沉積到所述襯底上的過程的至少一部分期間在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；將所述有機層的至少一部分作為所述多層涂層的成分沉積到所述襯底上；以及固化所沉積的所述有機層。49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，還包括在將所述多層涂層的第一層形成在所述襯底上之前處理所述村底的至少一個表面，以增強所述襯底與所述第一形成層之間的粘附力。50.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，還包括在沉積所述無機層之前將無機掩模放置于所述襯底之上；以及在沉積所述有機層之前將有機掩模放置于所述襯底上。51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，還包括堆疊多個掩模以制作底切掩模。52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，還包括在所述固化之前去除所述有機掩模。53.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中，所述有機掩模包括底切掩模。54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中，所述將至少一部分所述有機層沉積到所述襯底上的步驟包括避免所沉積的所述有機層中蔓延到由所述底切掩模所限定的遮蔽區(qū)域中的部分與所述底切掩模中實質(zhì)上與所述襯底相接觸的部分之間相接觸。55.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，還包括冷卻所述工具的至少一部分以實現(xiàn)對所述有機層沉積的控制。56.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其中，在所述有機層的至少一部分沉積到所述襯底上之前沉積所述無機層的至少一部分，以使得所述襯底上的第一沉積層為無機層。57.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其中，在所述有機層的至少一部分沉積到所述村底上之后沉積所述無機層的至少一部分，以使得所述襯底上的第一沉積層為有機層。58.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，還包括操作熱控制機構(gòu)，以使得可以在所述沉積期間控制所述集束型工具和所述直列式工具的至少一個中的溫度。59.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，還包括操作有機材料測定和安全系統(tǒng)，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器、至少一個計算機可加栽算法和被配置為運行所述算法的基于微處理器的控制器協(xié)作。60.—種用多層涂層封裝放置于分立襯底上的有機發(fā)光二極管的方法，所述方法包括配置封裝工具，以使所述封裝工具包括集束型部分，被配置為將至少一個無機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上；直列式部分，被配置為將至少一個有機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上，所述直列式部分被操作地聯(lián)結(jié)到所述集束型部分；以及真空源，所述真空源至少被聯(lián)結(jié)到所述直列式部分；將所述有機發(fā)光二極管加載到所述封裝工具中；當(dāng)所述有機發(fā)光二極管位于所述無機層沉積臺中時，將所述無機層的至少一部分沉積到所述有機發(fā)光二極管上；當(dāng)所述有機發(fā)光二極管位于所述有機層沉積臺中時，將所述有機層的至少一部分沉積到所述有機發(fā)光二極管上；操作所述真空源以在所述有機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上的過程的至少一部分期間在所述有機發(fā)光二極管周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；以及固化所沉積的所述有機層。61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，所述有機和無機層的沉積-故重復(fù)至少一次。62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的方法，其中，所述有機和無機層的沉積可以按任意次序執(zhí)行。63.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，用于所述有機層的有機材料以蒸汽形式被導(dǎo)入到所述有機層沉積臺中，64.根據(jù)權(quán)利要求63所述的方法，其中，所述有機材料為聚合物前體。65.根據(jù)權(quán)利要求63所述的方法，其中，所述有機材料為單體。66.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，用于所述無機層的無機材料為陶瓷。67.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，所沉積的所述有機層的所述固化包括紫外線固化。68.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，首先涂敷的層為無機層。69.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中，最后涂敷的層為無機層。70.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，還包括在所沉積的至少一個所述無機層上沉積有機層之前，對所沉積的所述至少一個所述無機層進行處理。71.根據(jù)權(quán)利要求70所述的方法，其中，所述處理包括對所述無-t幾層施加等離子體源。72.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，還包括操作有機材料測定和安全系統(tǒng)，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器、至少一個計算機可加載算法和被配置為運行所述算法的基于微處理器的控制器協(xié)作。73.—種工具，包括封裝設(shè)備，所述封裝設(shè)備包括有機層形成臺，所述有機層形成臺包括有機材料沉積臺；與所述有機材料沉積臺協(xié)作的有機材料固化臺；襯底傳輸器，被配置為至少在所述有機材料沉積臺和所述有機材料固化臺之間傳送所述襯底；減壓源，所述減壓源與所述有機材料沉積臺成真空聯(lián)通放置，以使得在所述有機層沉積到所述分立襯底上的過程的至少一部分期間，所述減壓源工作以在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；以及熱控制機構(gòu)，與所述有機材料沉積臺和有機材料固化臺的至少一個協(xié)作，以使得可以在所述襯底上形成所述有機材料的期間控制內(nèi)部的溫度，阻擋層形成臺，被配置為將至少一個無機層放置到所述襯底上或者放置到形成于所述襯底上的所述有機層上，所述阻擋層形成臺與所述有機層形成臺彼此協(xié)作，以使得通過其工作，在所述襯底上形成至少一個封裝構(gòu)件；便于在所述封裝設(shè)備與所述工具的其余部分之間提供選擇性真空隔離的裝載鎖；以及便于所述至少一個封裝構(gòu)件在所述封裝設(shè)備與所述工具的所述其余部分之間的傳輸?shù)慕粨Q機構(gòu)。74.根據(jù)權(quán)利要求73所述的工具，其中，所述封裝設(shè)備包括有機發(fā)光二極管封裝設(shè)備。75.根據(jù)權(quán)利要求73所述的工具，其中，所述交換機構(gòu)包括貯料器。76.根據(jù)權(quán)利要求73所述的工具，其中，所述阻擋層形成臺被配置為集束型工具，而所述有機層形成臺被配置為直列式工具。77.根據(jù)權(quán)利要求73所述的工具，其中，所述有機層形成臺還包括清潔系統(tǒng)。78.根據(jù)權(quán)利要求77所述的工具，其中，所述清潔系統(tǒng)包括輝光放電裝置。79.根據(jù)權(quán)利要求73所述的工具，還包括與所述有機材料沉積臺協(xié)作的有機材料測定和安全系統(tǒng)，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器、至少一個計算機可加栽算法和被配置為運行所述算法的基于微處理器的控制器協(xié)作，以使得在收到用戶輸入并滿足所述硬件密鑰中所編碼的安全標(biāo)準(zhǔn)之后，所述有機材料測定和安全系統(tǒng)指示所述有機材料沉積臺的至少一部分工作。80.—種有機材料測定和安全系統(tǒng)，該系統(tǒng)被配置為調(diào)節(jié)分配到有機材料沉積工具的有機材料的流，所述系統(tǒng)包括安全有機材料供給組件，該組件包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及驗證設(shè)備，所述驗證設(shè)備與所述容器協(xié)作，以使得在滿足至少一個安全標(biāo)準(zhǔn)后，所述驗證設(shè)備指示被聯(lián)結(jié)到所述有機材料沉積工具的源控制單元允許所述容器與所述有機材料沉積工具之間成流體聯(lián)通。81.根據(jù)權(quán)利要求80所述的系統(tǒng)，其中，所述驗證設(shè)備包括硬件密鑰，所述硬件密鑰被用與所述容器中保存的所述材料相關(guān)的信息編碼，所述硬件密鑰被配置為防止對所述一定量的有機材料的未授權(quán)的分配。82.根據(jù)權(quán)利要求80所述的系統(tǒng)，還包括與所述驗證設(shè)備和所述源控制單元協(xié)作的至少一個計算機可加載算法，所述計算機可加載算法被配置為指示所述安全有機材料供給組件響應(yīng)用戶輸入和所述滿足至少一個安全標(biāo)準(zhǔn)來分配所述一定量的有機材料。83.—種有才幾材料測定和安全系統(tǒng)，被配置為調(diào)節(jié)分配到有機材料沉積工具的有機材料的流，所述系統(tǒng)包括基于微處理器的控制器；安全有機材料供給組件，包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及被用與所述容器中保存的所述一定量的材料相關(guān)的信息編碼的硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器和所述控制器協(xié)作；以及至少一個計算機可加載算法，所述至少一個計算機可加載算法與所述硬件密鑰和所述控制器協(xié)作以指示所述安全有機材料供給組件響應(yīng)用戶輸入和對至少一個安全標(biāo)準(zhǔn)的滿足來分配所述一定量的有機材料。84.—種用于將至少一層有機材料形成到分立襯底上的設(shè)備，所述設(shè)備包括有機材料沉積臺；與所述有機材料沉積臺協(xié)作的有機材料固化臺；襯底傳輸器，被配置為至少在所述有機材料沉積臺和所述有機材料固化臺之間傳送所述襯底；減壓源，與所述有機材料沉積臺成真空聯(lián)通放置，以使得在所述有機層沉積到所述分立襯底上的過程的至少一部分期間，所述減壓源工作以在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；熱控制機構(gòu)，與所述有機材料沉積臺和有機材料固化臺的至少一個協(xié)作，以使得可以在所述襯底上形成所述有機材料的期間控制內(nèi)部的溫度；以及有機材料測定和安全系統(tǒng)，包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及驗證設(shè)備，所述驗證設(shè)備與所述容器協(xié)作，以使得在滿足至少一個安全標(biāo)準(zhǔn)時，所述驗證設(shè)備允許所述容器與所述有機材料沉積臺之間成流體聯(lián)通。85.—種封裝工具，該封裝工具被配置為將多層涂層沉積到放置于分立襯底上的有機發(fā)光二極管上，所述封裝工具包括集束型工具，被配置為將至少一個無機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上；直列式工具，被配置為將至少一個有機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上，所述直列式工具被操作地聯(lián)結(jié)到所述集束型工具；有機層測定和安全系統(tǒng)，包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；以及驗證設(shè)備，所述驗證設(shè)備與所述容器協(xié)作，以使得在滿足至少一個安全標(biāo)準(zhǔn)時，所述驗證設(shè)備允許所述容器與所述直列式工具之間成流體聯(lián)通；以及真空源，至少被聯(lián)結(jié)到所述直列式工具上，以使得在將有機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上的過程的至少一部分的期間，所述真空源工作以在所述有機發(fā)光二極管周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境。86.—種工具，包括封裝設(shè)備，包括有機層形成臺，包括有機材料沉積臺；與所述有機材料沉積臺協(xié)作的有機材料固化臺；襯底傳輸器，被配置為至少在所述有機材料沉積臺和所述有機材料固化臺之間傳送襯底；減壓源，與所述有機材料沉積臺成真空聯(lián)通放置以使得在所述有機層沉積到所述分立襯底上的過程的至少一部分的期間，所述減壓源工作以在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；熱控制機構(gòu)，與所述有機材料沉積臺和有機材料固化臺的至少一個協(xié)作，以使得可以在所述襯底上形成所述有機材料的期間控制內(nèi)部溫度；有機材料測定和安全系統(tǒng)，包括和硬件密鑰，所述容器的內(nèi)部包括一定量的有機材料，所述硬件密鑰與所述容器協(xié)作，以使得在滿足至少一個安全標(biāo)準(zhǔn)時，有機材料測定和安全系統(tǒng)允許向所述有機材料沉積臺分配所述一定量的有機材料；以及阻擋層形成臺，被配置為將至少一個無機層放置到所述襯底上或者放置到形成于所述襯底上的所述有機層上，所述阻擋層形成臺與所述有機層形成臺彼此協(xié)作以使得通過其操作在所述襯底上形成至少一個封裝構(gòu)件；便于在所述封裝設(shè)備與所述工具的其余部分之間提供選擇性真空隔離的裝載鎖；以及便于所述至少一個封裝構(gòu)件在所述封裝設(shè)備與所述工具的所述其余部分之間的傳輸?shù)慕粨Q機構(gòu)。87.—種用于將多層涂層沉積到分立襯底上的方法，所述方法包括配置工具以使該工具包括集束型部分，被配置為將至少一個無機層沉積到所述襯底上；直列式部分，被配置為將至少一個有機層沉積到所述襯底上，所述直列式部分被操作地聯(lián)結(jié)到所述集束型部分；基于微處理器的控制器，至少與所述直列式部分成信號聯(lián)通；有機材料測定和安全系統(tǒng)，包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；和驗證設(shè)備，所述驗證設(shè)備與所述容器和所述基于微處理器的控制器協(xié)作，以使得在滿足至少一個安全標(biāo)準(zhǔn)時，所述驗證設(shè)備和所述基于微處理器的控制器允許所述容器與所述直列式部分之間成流體聯(lián)通；以及減壓源，至少與所述直列式工具成真空聯(lián)通放置；將所述襯底加載到所述工具中；將所述無機材料的至少一部分作為所述多層涂層的成分沉積到所述襯底上；操作所述減壓源以在所述有機層沉積到所述襯底上的過程的至少一部分期間在所述襯底周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；將所述有機層的至少一部分作為所述多層涂層的成分沉積到所述襯底上；以及固化所述有機沉積層。88.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，其中，所述驗證設(shè)備為硬件密鑰。89.—種用多層涂層封裝放置于分立襯底上的有機發(fā)光二極管的方法，所述方法包括配置封裝工具以包括集束型部分，被配置為將至少一個無機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上；直列式部分，被配置為將至少一個有機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上，所述直列式部分被操作地聯(lián)結(jié)到所述集束型部分；基于微處理器的控制器；有機材料測定和安全系統(tǒng)，包括內(nèi)部包括一定量的有機材料的容器；和硬件密鑰，所述硬件密鑰與所述容器和所述基于微處理器的控制器協(xié)作，以使得在滿足至少一個安全標(biāo)準(zhǔn)時，所述硬件密鑰和所述基于微處理器的控制器允許所述容器與所述直列式部分之間成流體聯(lián)通；以及真空源，至少被聯(lián)結(jié)到所述直列式部分；將所述有機發(fā)光二極管加栽到所述封裝工具中；當(dāng)所述有機發(fā)光二極管在所述無機層沉積臺中時，將所述無機層的至少一部分沉積到所述有機發(fā)光二極管上；當(dāng)所述有機發(fā)光二極管在所述有機層沉積臺中時，將所述有機層的至少一部分沉積到所述有機發(fā)光二極管上；操作所述真空源以在所述有機層沉積到所述有機發(fā)光二極管上的過程的至少一部分的期間在所述有機發(fā)光二極管周圍產(chǎn)生至少部分被抽真空的環(huán)境；以及固化所沉積的所述有機層。全文摘要本發(fā)明提供一種用于將多層涂層沉積到襯底上的工具。在一種配置中，該工具包括工作在壓力控制或溫度控制環(huán)境的至少一種下的直列式有機材料沉積臺。在另外一種配置中，它還是同時包含直列工具和集束型工具特征的混合設(shè)計。在后一種配置中，至少一個沉積臺被配置為沉積無機層，而至少一個其它沉積臺被配置為沉積有機層。該工具尤其適合于將多層涂層沉積到分離襯底上，還適合于封裝被放置于柔性襯底上的環(huán)境敏感器件?？梢园ò踩到y(tǒng)以監(jiān)控有機材料向工具的分配。文檔編號H01L21/02GK101167160SQ200580049572公開日2008年4月23日申請日期2005年8月26日優(yōu)先權(quán)日2005年4月22日發(fā)明者保羅·巴羅斯,彼得·M.·馬丁,戈登·L.·格拉夫,查爾斯·C.·邦哈姆,希楚,洛倫扎·莫羅,肯尼思·J.·納爾遜,馬丁·P.·羅森布拉姆,馬克·E.·格羅斯,馬克·R.·祖姆霍夫申請人:Vitex系統(tǒng)公司