專利名稱：以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片的封裝構(gòu)造，特別是涉及一種板上芯片(Chip-On-Board，COB)型態(tài)的以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
板上芯片(Chip-On-Board，COB)封裝是目前在集成電路封裝中一種常見的方式。COB封裝主要包括三項(xiàng)制程(1)芯片直接黏著在開槽基板上、(2)導(dǎo)線通過基板的開槽達(dá)到電性連接、及(3)芯片封膠，藉以能大量生產(chǎn)高速率運(yùn)算的集成電路芯片，特別是再接上焊球以構(gòu)成球格數(shù)組封裝(BGA package)，已知目前的內(nèi)存芯片的封裝已發(fā)展成COB架構(gòu)，以取代以往薄型小尺寸封裝(Thin Small Outline Package，TSOP)并解決速率無法提升的窘境。
如圖1所示，習(xí)知COB型態(tài)的芯片封裝構(gòu)造100是主要包括有一硬質(zhì)基板110、一芯片120、復(fù)數(shù)個(gè)焊線130以及一封膠體140。該硬質(zhì)基板110是具有一上表面111、一下表面112以及一貫穿上下表面的開槽113，以供該些焊線130通過。通常該硬質(zhì)基板110是為單/多層印刷電路板，該硬質(zhì)基板110是由至少一玻纖布含浸樹脂核心層114、包括接指115與外接墊116的銅箔與焊罩層117所組成，然該硬質(zhì)基板110的厚度相當(dāng)厚、抵抗熱應(yīng)力特性較差且熱阻抗過高。該芯片120是具有一主動面121以及一相對的背面122，在該主動面121上形成有復(fù)數(shù)個(gè)焊墊123。藉由一黏晶層124使該芯片120的該主動面121是貼附于該硬質(zhì)基板110的上表面111，而該些焊墊123是位于該開槽113內(nèi)。打線形成的該些焊線130是通過該開槽113而連接該些焊墊123與該些接指115。此外，該封膠體140是形成于該硬質(zhì)基板110的上表面111及該開槽113內(nèi)，以密封該芯片120與該些焊線130。另可將復(fù)數(shù)個(gè)焊球150設(shè)置于該些外接墊116。因此，在習(xí)知芯片封裝構(gòu)造100中厚度、散熱性及熱應(yīng)力緩沖特性均有進(jìn)一步改良的必要。目前一種COB改良結(jié)構(gòu)是直接以PI(Polyimide)材料作為載膜的可撓性基板取代上述的硬質(zhì)基板110，然基板的成本會大幅增加，且PI材料的導(dǎo)熱性亦不佳對于整體芯片封裝構(gòu)造的散熱性效果仍不明顯。
另，申請人的前身(華新先進(jìn)電子)于中國臺灣專利公告第498511號“多板平面BGA封裝結(jié)構(gòu)”亦有揭示一種相關(guān)COB型態(tài)的芯片封裝構(gòu)造。
由此可見，上述現(xiàn)有的芯片的封裝構(gòu)造在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決芯片的封裝構(gòu)造存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的芯片的封裝構(gòu)造存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的芯片的封裝構(gòu)造，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的芯片的封裝構(gòu)造存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題是使其利用一具有開槽的薄膜基板或是復(fù)數(shù)個(gè)共平面其間形成為打線槽縫的薄膜基板以供一芯片主動面的直接貼附，該薄膜基板包括有一圖案化金屬核心層(patterned metal core)以及至少一表面介電層(surface dielectric layer)，該圖案化金屬核心層是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，藉以提供良好的芯片散熱路徑，此外，更能降低基板成本、減少整個(gè)封裝的厚度以及增進(jìn)抗熱應(yīng)力的功效，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題是使其中的薄膜基板的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些外接墊至該薄膜基板的邊緣、連接該些接指至該開槽的邊緣、或兩者皆有，以供電鍍該些接指與該些外接墊并增強(qiáng)該些接指與該些外接墊的連接固定力，避免不當(dāng)?shù)慕佑|短路，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題是使其圖案化金屬核心層的外接墊是呈不規(guī)則的擴(kuò)散，而該表面介電層的開孔是為圓形，以增進(jìn)散熱效益又可植接焊球成球格數(shù)組封裝(BGA package)型態(tài)，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種芯片封裝構(gòu)造，其包括一薄膜基板，其是具有一開槽并包括有一圖案化金屬核心層以及至少一表面介電層，該圖案化金屬核心層是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，其中該些接指是排列于該開槽周邊；一芯片，其主動面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)電極端，該主動面是貼附于該薄膜基板且該些電極端是對準(zhǔn)于該開槽內(nèi)；復(fù)數(shù)個(gè)焊線，其是通過該開槽而電性連接該些電極端與該些接指；以及一封膠體，其是形成于該薄膜基板上及該開槽內(nèi)，以至少局部密封該芯片與該些焊線。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的芯片封裝構(gòu)造，其中所述的圖案化金屬核心層的厚度是介于60～100微米。
前述的芯片封裝構(gòu)造，其中所述的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些外接墊至該薄膜基板的邊緣。
前述的芯片封裝構(gòu)造，其中所述的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些接指至該開槽的邊緣。
前述的芯片封裝構(gòu)造，其中所述的表面介電層是具有復(fù)數(shù)個(gè)尺寸小于該些外接墊的開孔，以包覆該些外接墊的周邊。
前述的芯片封裝構(gòu)造，其中所述的外接墊是呈不規(guī)則的擴(kuò)散，而該些開孔是為圓形。
前述的芯片封裝構(gòu)造，其中所述的表面介電層是為焊罩層，且該些外接墊為焊罩定義墊。
前述的芯片封裝構(gòu)造，其還包括有復(fù)數(shù)個(gè)焊球，其是設(shè)置于該些外接墊。
前述的芯片封裝構(gòu)造，其中所述的薄膜基板是另包括有一第二表面介電層，以使該圖案化金屬核心層被夾設(shè)于兩表面介電層之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種芯片封裝構(gòu)造，其包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜基板，其是為共平面，在該些薄膜基板之間形成有至少一打線槽縫，并且每一薄膜基板是包括有一圖案化金屬核心層以及至少一表面介電層，該圖案化金屬核心層是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，其中該些接指是排列于該打線槽縫周邊；一芯片，其主動面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)電極端，該主動面是貼附于該些薄膜基板且該些電極端是對準(zhǔn)于該打線槽縫內(nèi)；復(fù)數(shù)個(gè)焊線，其是通過該打線槽縫而電性連接該些電極端與該些接指；以及一封膠體，其是形成于該些薄膜基板上及該打線槽縫內(nèi)，以至少局部密封該芯片與該些焊線。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的芯片的封裝構(gòu)造，其中所述的圖案化金屬核心層的厚度是介于60～100微米。
前述的芯片的封裝構(gòu)造，其中所述的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些外接墊至該些薄膜基板的邊緣。
前述的芯片的封裝構(gòu)造，其中所述的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些接指至該打線槽縫的邊緣。
前述的芯片的封裝構(gòu)造，其中所述的表面介電層是具有復(fù)數(shù)個(gè)尺寸小于該些外接墊的開孔，以包覆該些外接墊的周邊。
前述的芯片的封裝構(gòu)造，其中所述的外接墊是呈不規(guī)則的擴(kuò)散，而該些開孔是為圓形。
前述的芯片的封裝構(gòu)造，其中所述的表面介電層是為焊罩層，且該些外接墊為焊罩定義墊。
前述的芯片的封裝構(gòu)造，其還包括有復(fù)數(shù)個(gè)焊球，其是設(shè)置于該些外接墊。
前述的芯片的封裝構(gòu)造，其中所述的每一薄膜基板是另包括有一第二表面介電層，以使該圖案化金屬核心層被夾設(shè)于兩表面介電層之間。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下依據(jù)本發(fā)明的一種芯片封裝構(gòu)造主要包括至少一薄膜基板、一芯片、復(fù)數(shù)個(gè)焊線以及一封膠體。該薄膜基板是具有一開槽或是一打線槽縫，并且該薄膜基板是包括有一圖案化金屬核心層以及至少一表面介電層，該圖案化金屬核心層是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，其中該些接指是排列于該開槽周邊。該芯片的一主動面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)電極端，該主動面是貼附于該薄膜基板且該些電極端是對準(zhǔn)于該開槽內(nèi)。該些焊線是通過該開槽而電性連接該些電極端與該些接指。此外，該封膠體是形成于該薄膜基板上及該開槽內(nèi)，以至少局部密封該芯片與該些焊線。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明利用一具有開槽的薄膜基板或是復(fù)數(shù)個(gè)共平面其間形成為打線槽縫的薄膜基板以供一芯片主動面的直接貼附，該薄膜基板包括有一圖案化金屬核心層(patterned metal core)以及至少一表面介電層(surfacedielectric layer)，該圖案化金屬核心層是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，藉以提供良好的芯片散熱路徑，此外，更能降低基板成本、減少整個(gè)封裝的厚度以及增進(jìn)抗熱應(yīng)力的功效，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的薄膜基板的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些外接墊至該薄膜基板的邊緣、連接該些接指至該開槽的邊緣、或兩者皆有，以供電鍍該些接指與該些外接墊并增強(qiáng)該些接指與該些外接墊的連接固定力，避免不當(dāng)?shù)慕佑|短路，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的圖案化金屬核心層的外接墊是呈不規(guī)則的擴(kuò)散，而該表面介電層的開孔是為圓形，以增進(jìn)散熱效益又可植接焊球成球格數(shù)組封裝(BGApackage)型態(tài)，從而更加適于實(shí)用。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的芯片的封裝構(gòu)造具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是習(xí)知以開槽式基板承載打線芯片的封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖2是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，一種以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖3A至3I是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該芯片封裝構(gòu)造于制程中的截面示意圖。
圖4是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實(shí)施例，該芯片封裝構(gòu)造的薄膜基板的圖案化金屬核心層在尚未電鍍前的局部底面圖。
圖5是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，另一種芯片封裝構(gòu)造的復(fù)數(shù)個(gè)薄膜基板的底面示意圖。
圖6是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實(shí)施例，該芯片封裝構(gòu)造的截面示意圖。
10金屬薄膜21、22連接條100芯片封裝構(gòu)造 110硬質(zhì)基板111上表面 112下表面113開槽 114玻纖布含浸樹脂核心層115接指 116外接墊117焊罩層 120芯片121主動面 122背面123焊墊 124黏晶層130焊線 140封膠體150焊球 200芯片封裝構(gòu)造210薄膜基板 211開槽212圖案化金屬核心層 212A線路條213接指 214外接墊215第一表面介電層 216第二表面介電層217開孔 218第一銜接條219第二銜接條 220芯片
221主動面 222背面223電極端 224黏晶層230焊線240封膠體250焊球260電鍍層310第一薄膜基板311圖案化金屬核心層312表面介電層 313接指314外接墊 320第二薄膜基板321圖案化金屬核心層322表面介電層323接指324外接墊330打線槽縫具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
通過
具體實(shí)施例方式
的說明，當(dāng)可對本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
本發(fā)明的一具體實(shí)施例是揭示一種以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造。請參閱圖2，該芯片封裝構(gòu)造200主要包括一薄膜基板210、一芯片220、復(fù)數(shù)個(gè)焊線230以及一封膠體240。該薄膜基板210是具有一狹長狀的開槽211，其是貫通該薄膜基板210的上下表面。該薄膜基板210包括有一圖案化金屬核心層212以及至少一表面介電層。該圖案化金屬核心層212是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指213以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊214，其中該些接指213是排列于該開槽211周邊，而該些外接墊214是可為數(shù)組排列或是雙/多排直線排列，該些接指213與對應(yīng)的該些外接墊214是以該圖案化金屬核心層212的線路條212A(如圖4所示)相互電性導(dǎo)通。在本實(shí)施例中，該圖案化金屬核心層212的厚度是介于60～100微米(um)，高于一般軟性電路板的銅箔厚度(約35微米)，以做為該薄膜基板210的主要支撐體、電性導(dǎo)通連接以及散熱路徑的提供，故能同時(shí)取代習(xí)知軟性電路板的PI介電核心層與銅箔線路層更具有導(dǎo)散熱效果，而能更加的薄化且成本更低。另，該薄膜基板210的表面介電層是可為兩層，分別為第一表面介電層215與第二表面介電層216，以使該圖案化金屬核心層212被夾設(shè)于第一與第二表面介電層215、216之間。第一表面介電層215與第二表面介電層216是可選用一般的綠漆(即焊罩層solder mask)或是黑漆(即非導(dǎo)電印刷油墨)。由于該第一表面介電層215仍需要圖案化，形成復(fù)數(shù)個(gè)開孔217或/與槽孔(如圖4所示，該些槽孔是位于該開槽211預(yù)定形成位置的兩側(cè))，以顯露該些外接墊214與該些接指213，而該第二表面介電層216則可不需要圖案化。因而較佳地，該第一表面介電層215是可選用感旋光性介電材料，如焊罩層(即綠漆)，而該第二表面介電層216則可選用一般無感旋光性介電材料，如印刷油墨(即黑漆)即可。
該芯片220是具有一主動面221以及一對應(yīng)的背面222，其中運(yùn)算時(shí)會發(fā)熱的集成電路組件(圖未繪出)是設(shè)置于該主動面221。在該主動面221上是形成有復(fù)數(shù)個(gè)電極端223，例如焊墊，但亦可為凸塊。該些電極端223的位置是可設(shè)于該主動面221的中央或是周邊，亦可為單排或是多排。該主動面221是藉由一黏晶層224貼附于該薄膜基板210且該些電極端223是對準(zhǔn)于該開槽211內(nèi)。該些焊線230是通過該開槽211而電性連接該些電極端223與該些接指213。此外，該封膠體240是形成于該薄膜基板210上及該開槽211內(nèi)，以至少局部密封該芯片220與該些焊線230。該封膠體240是可為模封膠體(molding compound)、底部填充膠(underfillmaterial)或點(diǎn)涂膠體等等，以僅局部包覆該芯片220的側(cè)面或是完全密封該芯片220。該芯片封裝構(gòu)造100另可包括有復(fù)數(shù)個(gè)焊球250，其是設(shè)置于該些外接墊214，而兼具有BOC與BGA封裝型態(tài)。
由于該圖案化金屬核心層212是鄰近被黏貼芯片220的主動面221，而能提供良好的芯片散熱路徑。該芯片220由其主動面221發(fā)出的熱量將能便利地沿著該圖案化金屬核心層212導(dǎo)出并散逸的，故具有BOC薄膜封裝的散熱增進(jìn)功效。此外，更能降低基板成本、減少整個(gè)封裝的厚度以及增進(jìn)抗熱應(yīng)力的功效。
較佳地，如圖4所示，該圖案化金屬核心層212是另具有復(fù)數(shù)個(gè)第一銜接條218，其是連接該些外接墊214至該薄膜基板210的邊緣；或者，該圖案化金屬核心層212是另具有復(fù)數(shù)個(gè)第二銜接條219，其是連接該些接指213至該開槽211的邊緣；在本實(shí)施例中，該圖案化金屬核心層212則同時(shí)具有該些第一銜接條218與該些第二銜接條219，以利電鍍形成一電鍍層260于該些接指213與該些外接墊214上并能增強(qiáng)該些接指213與該些外接墊214的連接固定力。在封裝的前，該些第一銜接條218是由該些外接墊214或線路條212A連接至在兩薄膜基板210之間切割道的電鍍連接條21，該些第二銜接條219是由該些接指213連接至在該薄膜基板210尚未切除成該開槽211的部位處的電鍍連接條22，故可在該些接指213與該些外接墊214的顯露面形成一電鍍層260，例如鎳-金層，此外，能同時(shí)穩(wěn)固該些接指213、該些外接墊214及該圖案化金屬核心層212的線路條212A，以利形成該第一表面介電層215與該第二表面介電層216，避免不當(dāng)?shù)亩搪肥沟迷撔┙又?13能更加微間距的排列。
再如圖2所示，較佳地，該些外接墊214是呈不規(guī)則的擴(kuò)散，以增進(jìn)散熱面積，而該些開孔217是可為圓形，以利設(shè)置該些焊球250。故該第一表面介電層215的開孔217在尺寸上是小于該些外接墊214，以包覆該些外接墊214的周邊，當(dāng)該第一表面介電層215是為焊罩層(solder mask)時(shí)，該些外接墊214是可為焊罩定義墊(Solder Mask Defined pad，SMD pad)。
圖3A至3I是說明上述芯片封裝構(gòu)造200的制造流程。首先，請參閱圖3A，提供一金屬薄膜10，其厚度約在60～100微米(um)。接著，可利用曝光顯影與蝕刻的技術(shù)，圖案化該金屬薄膜10。如圖3B所示，該金屬薄膜10經(jīng)圖案化之后將構(gòu)成上述具有接指213與外接墊214的圖案化金屬核心層212，并在本實(shí)施例中，配合參閱圖4，該些外接墊214是可藉由該些第一銜接條218連接至一位于切割道的連接條21，而該些接指213是藉由該些第二銜接條219連接至一位于該開槽211位置的連接條22，此時(shí)，該開槽211尚未形成。之后，如圖3C所示，利用印刷技術(shù)形成該第一表面介電層215與該第二表面介電層216于該圖案化金屬核心層212的下表面與上表面。并使該第一表面介電層215形成有復(fù)數(shù)個(gè)開孔217及一槽孔，以顯露該些外接墊214與該些接指213。之后，如圖3D所示，進(jìn)行一電鍍制程，以在該些外接墊214與該些接指213的顯露表面處形成一電鍍層260。再進(jìn)行一開槽步驟，如圖3E所示，以形成該開槽211，即可制成如上所述的薄膜基板210。在本實(shí)施例中，于形成該開槽211的同時(shí)，第二銜接條219亦被移除，然第一銜接條218仍被保留于該薄膜基板210內(nèi)，可以減少開槽制程中所產(chǎn)生的毛邊問題。然后在芯片封裝過程中先進(jìn)行一黏晶步驟，如圖3F所示，該芯片220的該主動面221是貼附至該薄膜基板210的上表面，該芯片220的該些電極端223是顯露在該開槽211內(nèi)。之后，進(jìn)行一打線步驟，如圖3G所示，形成該些焊線230，通過該開槽211以連接該些電極端223與該些接指213。之后，可利用壓模技術(shù)進(jìn)行一封膠步驟，如圖3H所示，形成的封膠體240是位在該薄膜基板210的上表面及該開槽211內(nèi)，以至少局部密封該芯片220以及密封該些焊線230，但仍保持該些外接墊214為可電性接合。之后，進(jìn)行一植球步驟，可利用焊料回焊或是焊球接合技術(shù)，如圖3I所示，形成該些焊球250以接合至該些外接墊214。最后，進(jìn)行一單離切割步驟，即可制成如圖2所示的芯片封裝構(gòu)造200。
在本發(fā)明的第二具體實(shí)施例中，可藉由復(fù)數(shù)個(gè)薄膜基板置換上述具開槽113的單一薄膜基板210。另一種芯片封裝構(gòu)造是包括有如上述般的芯片220、焊線230、封膠體240以及如圖5所示的一第一薄膜基板310與一第二薄膜基板320，該芯片220的主動面221可同時(shí)貼附于第一薄膜基板310與第二薄膜基板320上。如圖5及圖6所示，該第一薄膜基板310與該第二薄膜基板320是為共平面，在第一薄膜基板310與第二薄膜基板320之間是形成有至少一打線槽縫330，以利焊線的通過。第一薄膜基板310是包括有一圖案化金屬核心層311以及至少一表面介電層312，其圖案化金屬核心層311是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指313以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊314，該些接指313是排列于該打線槽縫330的周邊，而該些外接墊314是可為格狀數(shù)組。同樣地，第二薄膜基板320是包括有一圖案化金屬核心層321以及至少一表面介電層322，其圖案化金屬核心層321是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指323以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊324。利用分離的第一薄膜基板310與第二薄膜基板320可增進(jìn)該芯片封裝構(gòu)造中應(yīng)力緩沖(stress buffer)的功效，當(dāng)該芯片封裝構(gòu)造是表面接合至一外部印刷電路板，在熱循環(huán)過程中所產(chǎn)生的熱應(yīng)力能被共平面且分離的第一薄膜基板310與第二薄膜基板320加以緩沖與分散，不會直接作用于其上方的芯片，有效避免芯片與該些薄膜基板310、320的剝離分層，更可達(dá)到BOC封裝型態(tài)的薄化、散熱增益與基板成本降低的功效。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其包括一薄膜基板，其是具有一開槽并包括有一圖案化金屬核心層以及至少一表面介電層，該圖案化金屬核心層是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，其中該些接指是排列于該開槽周邊；一芯片，其主動面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)電極端，該主動面是貼附于該薄膜基板且該些電極端是對準(zhǔn)于該開槽內(nèi)；復(fù)數(shù)個(gè)焊線，其是通過該開槽而電性連接該些電極端與該些接指；以及一封膠體，其是形成于該薄膜基板上及該開槽內(nèi)，以至少局部密封該芯片與該些焊線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的圖案化金屬核心層的厚度是介于60～100微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些外接墊至該薄膜基板的邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些接指至該開槽的邊緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的表面介電層是具有復(fù)數(shù)個(gè)尺寸小于該些外接墊的開孔，以包覆該些外接墊的周邊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的外接墊是呈不規(guī)則的擴(kuò)散，而該些開孔是為圓形。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的表面介電層是為焊罩層，且該些外接墊為焊罩定義墊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其還包括有復(fù)數(shù)個(gè)焊球，其是設(shè)置于該些外接墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的薄膜基板是另包括有一第二表面介電層，以使該圖案化金屬核心層被夾設(shè)于兩表面介電層之間。
10.一種芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其包括復(fù)數(shù)個(gè)薄膜基板，其是為共平面，在該些薄膜基板之間形成有至少一打線槽縫，并且每一薄膜基板是包括有一圖案化金屬核心層以及至少一表面介電層，該圖案化金屬核心層是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，其中該些接指是排列于該打線槽縫周邊；一芯片，其主動面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)電極端，該主動面是貼附于該些薄膜基板且該些電極端是對準(zhǔn)于該打線槽縫內(nèi)；復(fù)數(shù)個(gè)焊線，其是通過該打線槽縫而電性連接該些電極端與該些接指；以及一封膠體，其是形成于該些薄膜基板上及該打線槽縫內(nèi)，以至少局部密封該芯片與該些焊線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的圖案化金屬核心層的厚度是介于60～100微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些外接墊至該些薄膜基板的邊緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或12所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的圖案化金屬核心層是另具有復(fù)數(shù)個(gè)銜接條，其是連接該些接指至該打線槽縫的邊緣。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的表面介電層是具有復(fù)數(shù)個(gè)尺寸小于該些外接墊的開孔，以包覆該些外接墊的周邊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的外接墊是呈不規(guī)則的擴(kuò)散，而該些開孔是為圓形。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的表面介電層是為焊罩層，且該些外接墊為焊罩定義墊。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝構(gòu)造，其還包括有復(fù)數(shù)個(gè)焊球，其是設(shè)置于該些外接墊。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的每一薄膜基板是另包括有一第二表面介電層，以使該圖案化金屬核心層被夾設(shè)于兩表面介電層之間。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種以開槽式金屬薄膜承載打線芯片的封裝構(gòu)造，其是以一具有開槽的薄膜基板承載一打線芯片而為板上芯片封裝型態(tài)，其中該開槽是可供焊線通過以電性連接芯片與薄膜基板。該薄膜基板是包括有一圖案化金屬核心層以及至少一表面介電層，該圖案化金屬核心層是具有復(fù)數(shù)個(gè)接指以及復(fù)數(shù)個(gè)外接墊，其中該些接指是排列于該開槽周邊。當(dāng)芯片的一主動面貼附于該薄膜基板而能極貼近于該圖案化金屬核心層，該圖案化金屬核心層將能提供良好的芯片散熱路徑。此外，使用該薄膜基板的芯片封裝構(gòu)造是能降低基板成本、減少整個(gè)封裝的厚度及增進(jìn)抗熱應(yīng)力的功效。
文檔編號H01L23/36GK1992248SQ20051009758
公開日2007年7月4日 申請日期2005年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月30日
發(fā)明者朱品華 申請人:華東科技股份有限公司