專利名稱：微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，是應(yīng)用在集成電路芯片或功率分立器件芯片，或圓片級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，集成電路或分立器件消費(fèi)產(chǎn)品需求量大增，其種類也相應(yīng)增加。圓片廠的金屬線減小，芯片封裝產(chǎn)品在不影響產(chǎn)品的性能和可靠性的前提下走向小型化等半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，是滿足此類需求的重要支柱。
多年來(lái)，芯片裸晶封裝已經(jīng)被廣泛應(yīng)用，這是目前外形最小的，幾乎沒(méi)有包裝或防護(hù)材料的一種封裝形式。這種封裝的面積是和芯片面積一樣大的。
在本發(fā)明作出以前，傳統(tǒng)的芯片封裝，其封裝散熱結(jié)構(gòu)是在芯片本體的硅基材或基島背面加裝金屬散熱片，芯片包封在里面，芯片所產(chǎn)生的熱量通過(guò)外露基島間接散熱。因此其散熱功能或?qū)峁δ茌^差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種具有較佳散熱功能或?qū)峁δ艿奈⒚准?jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，包括芯片本體、設(shè)置于芯片本體硅基材正面的電路焊墊，植置于電路焊墊頂面的金屬凸點(diǎn)，其特征在于于芯片本體硅基材背面植上金屬層；于硅基材背面金屬層上制作金屬凸塊，在芯片背面形成熱交換區(qū)域，與空氣產(chǎn)生散熱功能。
本發(fā)明微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，所述的芯片本體硅基材背面金屬層有單層或多層。
本發(fā)明微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，所述的芯片本體硅基材背面金屬層上金屬凸塊有單層或多層。
本發(fā)明的特點(diǎn)是改變傳統(tǒng)外露基島的封裝方式，將芯片以倒裝封裝工藝，使裸芯片直接散熱。因此具有較佳散熱功能或?qū)峁δ堋?br>

圖1為本發(fā)明微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)芯片本體硅基材背面植置金屬層后示意圖。
圖1為本發(fā)明微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)制作完成后示意圖。
具體實(shí)施例方式參見(jiàn)圖1，本發(fā)明一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，主要由芯片本體1、設(shè)置于芯片本體1硅基材正面的電路焊墊2，植置于電路焊墊頂面的金屬凸點(diǎn)3，植置于芯片本體1硅基材背面的單層或多層金屬層4；制作于硅基材背面金屬層4上的單層或多層金屬凸塊5組成。
所述的芯片本體硅基材背面金屬層4材料為T(mén)i或Cu、Ni、Au、Tiw中的一種或數(shù)種；
所述的芯片本體硅基材背面金屬層上金屬凸塊5材料為Cu或Sn、Ni、Ag、Au、Tiw中的一種或數(shù)種；所述的電路焊墊頂面金屬凸點(diǎn)3材料為Au或Ag、Cu、Sn、Ni、Pd中的一種或數(shù)種。
具體制作方法在裸芯片封裝工藝中，在芯片本體背面硅基材上，采用濺射、蒸鍍或電鍍或化學(xué)鍍工藝，將單層或多層金屬植入，如圖1；再在硅基材背面金屬層上，采用濺射、光刻、蝕刻、蒸鍍或電鍍或化學(xué)鍍工藝，制作單層或多層金屬凸點(diǎn)，如圖2。
權(quán)利要求
1.一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，包括芯片本體(1)、設(shè)置于芯片本體(1)硅基材正面的電路焊墊(2)，植置于電路焊墊頂面的金屬凸點(diǎn)(3)，其特征在于于芯片本體(1)硅基材背面植上金屬層(4)；于硅基材背面金屬層(4)上制作金屬凸塊(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的芯片本體硅基材背面金屬層(4)有單層或多層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的芯片本體硅基材背面金屬層上金屬凸塊(5)有單層或多層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的芯片本體硅基材背面金屬層(4)材料為T(mén)i或Cu、Ni、Au、Tiw中的一種或數(shù)種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的芯片本體硅基材背面金屬層上金屬凸塊(5)材料為Cu或Sn、Ni、Ag、Au、Tiw中的一種或數(shù)種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的電路焊墊頂面金屬凸點(diǎn)(3)材料為Au或Ag、Cu、Sn、Ni、Pd中的一種或數(shù)種。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微米級(jí)芯片尺寸封裝散熱結(jié)構(gòu)，是應(yīng)用在集成電路芯片或功率分立器件芯片，或圓片級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)領(lǐng)域。包括芯片本體(1)、設(shè)置于芯片本體(1)硅基材正面的電路焊墊(2)，植置于電路焊墊頂面的金屬凸點(diǎn)(3)，其特征在于于芯片本體(1)硅基材背面植上金屬層(4)；于硅基材背面金屬層(4)上制作金屬凸塊(5)。本發(fā)明的特點(diǎn)是改變傳統(tǒng)外露基島的封裝方式，將芯片以倒裝封裝工藝，使裸芯片直接散熱。因此具有較佳散熱功能或?qū)峁δ堋?br> 文檔編號(hào)H01L23/34GK1794445SQ200510095349
公開(kāi)日2006年6月28日 申請(qǐng)日期2005年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月9日
發(fā)明者王新潮, 賴志明 申請(qǐng)人:江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司