專利名稱：光電元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電元件，特別是涉及一種有機(jī)電激發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
目前，產(chǎn)業(yè)界極力開發(fā)的光電元件者眾，包括有機(jī)電激發(fā)光元件、有機(jī)太陽(yáng)能電池或有機(jī)薄膜晶體管等，上述各種光電元件均有其優(yōu)異之處，例如可將光能直接轉(zhuǎn)換為(直流)電能的有機(jī)太陽(yáng)能電池，其本身不儲(chǔ)存能量，具有使用方便、無(wú)廢棄物、無(wú)污染、無(wú)轉(zhuǎn)動(dòng)部份、無(wú)噪音、可阻隔輻射熱、或可設(shè)計(jì)為半透光等的優(yōu)點(diǎn)，且太陽(yáng)能電池模板的壽命很長(zhǎng)，可達(dá)二十年以上，若未來(lái)進(jìn)一步與建筑物結(jié)合，可大幅提高普及率。
另有關(guān)有機(jī)薄膜晶體管(Organic thin film transistors，OTFT)的開發(fā)，由于有機(jī)材料的結(jié)合比硅更具有延展性與彈性，因此可將其制作于塑料基板上，成為可撓曲的顯示器，且在工藝方面，過(guò)去TFT-LCD采用的是類似半導(dǎo)體的工藝，而OTFT則是采用印刷工藝(Printing Process)，包括網(wǎng)印(ScreenPrinting)、噴墨印(Inkjet Printing)及接觸印(Contact Printing)等方法來(lái)制作有機(jī)薄膜晶體管，應(yīng)用于OTFT的有機(jī)半導(dǎo)體材料的高分子(polymers)和非晶型分子(amorphous molecular)，可利用溶液配合噴墨印刷(ink-jet printing)的方式，作大面積的旋涂(spin-coating)來(lái)制作半導(dǎo)體層，可大幅降低生產(chǎn)成本，且不到攝氏100度的工藝溫度遠(yuǎn)低于制作TFT-LCD時(shí)須高達(dá)攝氏200～400度的工藝溫度。
而有機(jī)電激發(fā)光元件(organic electroluminescent devices or polymerelectroluminescent devices)自1987年起，柯達(dá)開發(fā)第一個(gè)高效率有機(jī)電激發(fā)光元件后，便引起業(yè)界的注意，由于有機(jī)電激發(fā)光元件具有高亮度、輕薄、自發(fā)光、低消耗功率、不需背光源、無(wú)視角限制、工藝簡(jiǎn)易及高反應(yīng)速率等優(yōu)良特性，已被視為平面顯示器的明日之星。
電激發(fā)光的原理為一有機(jī)半導(dǎo)體薄膜元件，在外加電場(chǎng)作用下，電子與空穴分別由陰極與陽(yáng)極注入，并在此元件中進(jìn)行傳遞，當(dāng)電子、空穴在發(fā)光層相遇后，電子及空穴再結(jié)合(recombination)形成一激發(fā)子(exciton)，激發(fā)子在電場(chǎng)作用下將能量傳遞給發(fā)光分子，發(fā)光分子便將能量以光的形式釋放出來(lái)。一般簡(jiǎn)單的元件結(jié)構(gòu)為在陽(yáng)極(indium tin oxide；簡(jiǎn)稱ITO)上蒸鍍空穴傳輸層(hole-transporting layer)，接著蒸鍍發(fā)光層(emitting layer)，再蒸鍍電子傳輸層(electron-transporting layer)，最后于電子傳輸層上蒸鍍電極作為陰極。也有一些多層結(jié)構(gòu)元件，是將適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)材料蒸鍍于陽(yáng)極與空穴傳輸材料之間當(dāng)作空穴注入層(hole-injection layer)或是在陰極與電子傳輸材料之間當(dāng)作電子注入層(electron-injection layer)或是在發(fā)光層與電子傳輸材料之間當(dāng)作空穴阻擋層(hole-blocking layer)，藉以提高載流子注入效率，進(jìn)而達(dá)到降低驅(qū)動(dòng)電壓或增加載流子再結(jié)合機(jī)率等目的。
傳統(tǒng)使用的電子傳輸層為Alq3，其光、熱安定性俱佳，然而，根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)，此類有機(jī)金屬錯(cuò)合物在空穴過(guò)多的狀態(tài)下容易產(chǎn)生Alq3+，非常不穩(wěn)定，為極容易劣化的物質(zhì)，亦是導(dǎo)致元件壽命變短的元兇，另由于其電子傳輸速率(electron mobility)僅在10-7cm2V-1s-1左右，造成電子流傳遞能力較差、元件效率較低，因此，尋找取代Alq3的電子傳輸層材料，為有機(jī)電激發(fā)光元件邁向量產(chǎn)道路上刻不容緩的課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種光電元件，包括一至少包含二電極的電極組，以及一電子傳導(dǎo)層，設(shè)置于該電極組之間，其中該電子傳導(dǎo)層包含一有機(jī)雙極化合物與一含金屬的物質(zhì)，且該有機(jī)雙極化合物的電子及空穴遷移率大于10-7平方厘米/伏特·秒。
為使本發(fā)明的上述目的、特征能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。


圖1為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖2為本發(fā)明有機(jī)太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖3為本發(fā)明有機(jī)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
簡(jiǎn)單符號(hào)說(shuō)明10～有機(jī)發(fā)光二極管；12～陽(yáng)極；14～空穴注入層；16～空穴傳導(dǎo)層；18～發(fā)光層；20～電子傳導(dǎo)層；22～電子注入層；24～陰極；30～有機(jī)太陽(yáng)能電池；32～陽(yáng)極；34～電子傳導(dǎo)層；36～光電轉(zhuǎn)換層；38～陰極；40～有機(jī)薄膜晶體管；42～柵極；44～源/漏極；46～電子傳導(dǎo)層；48～有機(jī)半導(dǎo)體層。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種光電元件，包括一至少包含二電極的電極組，以及一電子傳導(dǎo)層，設(shè)置于電極組之間，其中電子傳導(dǎo)層包含一有機(jī)雙極化合物與一含金屬的物質(zhì)，且有機(jī)雙極化合物的電子及空穴遷移率大于10-7平方厘米/伏特·秒。
上述電子傳導(dǎo)層的厚度大體介于50～5000埃。電子傳導(dǎo)層中有機(jī)雙極化合物與含金屬物質(zhì)的體積比大體介于0.5∶99.5～99.5∶0.5，優(yōu)選比例為80∶20～50∶50。
有機(jī)雙極化合物可包括(anthracene)衍生物、芴(fluorene)衍生物、螺旋芴(spirofluorene)衍生物、芘(pyrene)衍生物、寡聚物或其混合物，其中(anthracene)衍生物可包括9，10-雙-(2-萘基)(9，10-di-(2-naphthyl)anthracene，ADN)、2-(第三丁基)-9，10-雙-(2-萘基)(2-(t-Butyl)-9，10-di(2-naphthyl)anthracene，TBADN)或2-(甲基)-9，10-雙-(2-萘基)(2-methyl-9，10-di(2-naphthyl)anthracene，MADN)。
含金屬的物質(zhì)可包括金屬、無(wú)機(jī)金屬鹽、有機(jī)金屬鹽或其混合物，其中金屬可包括堿金屬、堿土金屬或其混合物，無(wú)機(jī)金屬鹽的陽(yáng)離子可包括鋰離子、鈉離子、鉀離子、銫離子、鎂離子、鈣離子、鋇離子或其混合物，無(wú)機(jī)金屬鹽的陰離子可包括氧離子、氟離子、氯離子、溴離子、碘離子、硝酸根離子或其混合物，有機(jī)金屬鹽的陽(yáng)離子可包括鋰離子、鈉離子、鉀離子、銫離子、鎂離子、鈣離子、鋇離子或其混合物，以及有機(jī)金屬鹽的陰離子可包括碳數(shù)30以下的脂肪族或芳香族有機(jī)陰離子、碳酸根離子、醋酸根離子或其混合物。
本發(fā)明提供了一種全新的電子傳導(dǎo)層結(jié)構(gòu)，其為雙極性(bi-polar)材料與含金屬物質(zhì)的混合組成，其中雙極性材料的電子、空穴遷移率均需在1*10-7平方厘米/伏特·秒以上，以如此結(jié)構(gòu)制成的光電元件，其效能及壽命皆可有所提升。
雙極性材料對(duì)電子、空穴均極穩(wěn)定，所以用雙極化合物作成的元件，可避免傳統(tǒng)以Alq3為電子傳導(dǎo)層制成的元件會(huì)有Alq3+造成壽命較短的問(wèn)題，因而其壽命可較為安定，另外，當(dāng)本發(fā)明采用較高電子遷移率的雙極性材料為電子傳導(dǎo)層時(shí)，亦可有效降低元件操作電壓、提升發(fā)光效率，而含金屬物質(zhì)的摻混則可有效降低電子從電極注入的能障，使電子注入能力提升，進(jìn)一步增進(jìn)元件效能。
若本發(fā)明的光電元件為有機(jī)發(fā)光二極管時(shí)，其結(jié)構(gòu)除包含一陽(yáng)極與一陰極的電極組及電子傳導(dǎo)層外，尚可包括如空穴注入層、空穴傳導(dǎo)層、發(fā)光層或電子注入層等?？昭ㄗ⑷雽涌蔀榉?xì)渚酆衔?、紫質(zhì)(porphyrin)衍生物或摻雜p-型摻質(zhì)的雙胺(p-doped diamine)衍生物，而紫質(zhì)衍生物可為金屬苯二甲素(metallophthalocyanine)衍生物，例如為酞菁銅(copper phthalocyanine)。
空穴傳導(dǎo)層可為雙胺聚合物，而雙胺衍生物可為N，N’-bis(1-naphyl)-N，N’-diphenyl-1，1’-biphenyl-4，4’-diamine(NPB)、N，N’-Diphenyl-N，N’-bis(3-methylphenyl)-(1，1’-biphenyl)-4，4’-diamine(TPD)、2T-NATA或其衍生物，且空穴傳導(dǎo)層的厚度大體介于50～5000埃。發(fā)光層可為由熒光發(fā)光材、磷光發(fā)光材或其組合物所形成的單層或多層結(jié)構(gòu)，其厚度大體介于50～2000埃。電子注入層可為堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物、堿金屬氧化物或金屬碳酸化合物，例如為氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈉(NaF)、氟化鈣(CaF2)、氧化鋰(Li2O)、氧化銫(Cs2O)、氧化鈉(Na2O)、碳酸鋰(Li2CO3)、碳酸銫(Cs2CO3)或碳酸鈉(Na2CO3)，且電子注入層的厚度大體介于5～500埃。
上述陰極與陽(yáng)極中至少一者須為一透明電極，另一者可為透明或不透明電極，此即表示電極組的材料可相同或不同，其可選自由金屬、透明氧化物或其組合物所形成的單層或多層結(jié)構(gòu)，其中金屬可為鋁、鈣、銀、鎳、鉻、鈦、鎂或其合金，透明氧化物可為氧化銦錫(ITO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅(ZnO)、氮化銦(InN)或氧化錫(SnO2)。
請(qǐng)參閱圖1，說(shuō)明本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管10的詳細(xì)構(gòu)成，有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)10至少包括一陽(yáng)極12、一空穴注入層14、一空穴傳導(dǎo)層16、一發(fā)光層18、一電子傳導(dǎo)層20、一電子注入層22以及一陰極24，其中電子傳導(dǎo)層20由有機(jī)雙極化合物與含金屬的物質(zhì)所組成。
若本發(fā)明的光電元件為有機(jī)太陽(yáng)能電池30時(shí)，其結(jié)構(gòu)除上述電極組(32、38)及電子傳導(dǎo)層34外，還包括一光電轉(zhuǎn)換層36，設(shè)置于電極組(32、38)之間，如圖2所示。
此外，若本發(fā)明的光電元件為有機(jī)薄膜晶體管40時(shí)，其結(jié)構(gòu)包括一柵極42、一源/漏極44、一電子傳導(dǎo)層46以及一有機(jī)半導(dǎo)體層48，其中電子傳導(dǎo)層46與有機(jī)半導(dǎo)體層48設(shè)置于柵極42與源/漏極44之間，如圖3所示。
請(qǐng)續(xù)參閱圖1，說(shuō)明本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管的制作，首先，提供一陽(yáng)極12，之后，依序蒸鍍空穴注入層14、空穴傳導(dǎo)層16、發(fā)光層18、電子傳導(dǎo)層20、電子注入層22與陰極24，進(jìn)行封裝后，即完成此元件制作。
以下藉由多個(gè)實(shí)施例以更進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的特征及優(yōu)點(diǎn)。
實(shí)施例比較例1請(qǐng)參閱圖1，說(shuō)明一有機(jī)發(fā)光二極管(元件A)的制作，首先，于一基板上，提供一氧化銦錫(Indium tin oxide；簡(jiǎn)稱ITO)陽(yáng)極12并以紫外線臭氧處理之，接者，在ITO陽(yáng)極12上蒸鍍酞菁銅(copper phthalocyanine)作為一空穴注入層14，之后，在空穴注入層14上蒸鍍NPB(4，4’-bis[N-(naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl)作為一空穴傳導(dǎo)層16，接著，在空穴傳導(dǎo)層16上蒸鍍一綠光發(fā)光層(light emitting layer)18，之后，在發(fā)光層18上蒸鍍Alq3(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(III))作為一電子傳導(dǎo)層20，接著，在電子傳導(dǎo)層20上蒸鍍氟化鋰(LiF)作為一電子注入層22，最后，在電子注入層22上鍍上鋁(Al)金屬作為一陰極24，進(jìn)行封裝后，即完成一有機(jī)發(fā)光二極管10的制作。
實(shí)施例1請(qǐng)參閱圖1，說(shuō)明本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管(元件B)的制作，首先，于一基板上，提供一氧化銦錫(Indium tin oxide；簡(jiǎn)稱ITO)陽(yáng)極12并以紫外線臭氧處理之，接者，在ITO陽(yáng)極12上蒸鍍酞菁銅(copper phthalocyanine)作為一空穴注入層14，之后，在空穴注入層14上蒸鍍NPB(4，4’-bis[N-(naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl)作為一空穴傳導(dǎo)層16，接著，在空穴傳導(dǎo)層16上蒸鍍一綠光發(fā)光層(light emitting layer)18，之后，在發(fā)光層18上以共蒸鍍的方式蒸鍍2-(甲基)-9，10-雙-(2-萘基)(2-methyl-9，10-di(2-naphthyl)anthracene，MADN)與氟化銫(CsF)作為一電子傳導(dǎo)層20，其中MADN與氟化銫的體積比為0.8∶0.2，接著，在電子傳導(dǎo)層20上蒸鍍氟化鋰(LiF)作為一電子注入層22，最后，在電子注入層22上鍍上鋁(Al)金屬作為一陰極24，進(jìn)行封裝后，即完成本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管10的制作。
比較例2請(qǐng)參閱圖1，說(shuō)明一有機(jī)發(fā)光二極管(元件C)的制作，首先，于一基板上，提供一氧化銦錫(Indium tin oxide；簡(jiǎn)稱ITO)陽(yáng)極12并以紫外線臭氧處理之，接者，在ITO陽(yáng)極12上蒸鍍酞菁銅(copper phthalocyanine)作為一空穴注入層14，之后，在空穴注入層14上蒸鍍NPB(4，4’-bis[N-(naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl)作為一空穴傳導(dǎo)層16，接著，在空穴傳導(dǎo)層16上蒸鍍一紅光發(fā)光層(light emitting layer)18，之后，在發(fā)光層18上蒸鍍Alq3(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(III))作為一電子傳導(dǎo)層20，接著，在電子傳導(dǎo)層20上蒸鍍氟化鋰(LiF)作為一電子注入層22，最后，在電子注入層22上鍍上鋁(Al)金屬作為一陰極24，進(jìn)行封裝后，即完成一有機(jī)發(fā)光二極管10的制作。
比較例3請(qǐng)參閱圖1，說(shuō)明一有機(jī)發(fā)光二極管(元件D)的制作，首先，于一基板上，提供一氧化銦錫(Indium tin oxide；簡(jiǎn)稱ITO)陽(yáng)極12并以紫外線臭氧處理之，接者，在ITO陽(yáng)極12上蒸鍍酞菁銅(copper phthalocyanine)作為一空穴注入層14，之后，在空穴注入層14上蒸鍍NPB(4，4’-bis[N-(naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl)作為一空穴傳導(dǎo)層16，接著，在空穴傳導(dǎo)層16上蒸鍍一藍(lán)光發(fā)光層(light emitting layer)18，之后，在發(fā)光層18上蒸鍍Alq3(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(III))作為一電子傳導(dǎo)層20，接著，在電子傳導(dǎo)層20上蒸鍍氟化鋰(LiF)作為一電子注入層22，最后，在電子注入層22上鍍上鋁(Al)金屬作為一陰極24，進(jìn)行封裝后，即完成一有機(jī)發(fā)光二極管10的制作。
實(shí)施例2請(qǐng)參閱圖1，說(shuō)明本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管(元件E)的制作，首先，于一基板上，提供一氧化銦錫(Indium tin oxide；簡(jiǎn)稱ITO)陽(yáng)極12并以紫外線臭氧處理之，接者，在ITO陽(yáng)極12上蒸鍍酞菁銅(copper phthalocyanine)作為一空穴注入層14，之后，在空穴注入層14上蒸鍍NPB(4，4’-bis[N-(naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl)作為一空穴傳導(dǎo)層16，接著，在空穴傳導(dǎo)層16上蒸鍍一紅光發(fā)光層(light emitting layer)18，之后，在發(fā)光層18上以共蒸鍍的方式蒸鍍2-(甲基)-9，10-雙-(2-萘基)(2-methyl-9，10-di(2-naphthyl)anthracene，MADN)與氟化銫(CsF)作為一電子傳導(dǎo)層20，其中MADN與氟化銫的體積比為0.8∶0.2，接著，在電子傳導(dǎo)層20上蒸鍍氟化鋰(LiF)作為一電子注入層22，最后，在電子注入層22上鍍上鋁(Al)金屬作為一陰極24，進(jìn)行封裝后，即完成本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管10的制作。
實(shí)施例3請(qǐng)參閱圖1，說(shuō)明本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管(元件F)的制作，首先，于一基板上，提供一氧化銦錫(Indium tin oxide；簡(jiǎn)稱ITO)陽(yáng)極12并以紫外線臭氧處理之，接者，在ITO陽(yáng)極12上蒸鍍酞菁銅(copper phthalocyanine)作為一空穴注入層14，之后，在空穴注入層14上蒸鍍NPB(4，4’-bis[N-(naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl)作為一空穴傳導(dǎo)層16，接著，在空穴傳導(dǎo)層16上蒸鍍一藍(lán)光發(fā)光層(light emitting layer)18，之后，在發(fā)光層18上以共蒸鍍的方式蒸鍍2-(甲基)-9，10-雙-(2-萘基)(2-methyl-9，10-di(2-naphthyl)anthracene，MADN)與氟化銫(CsF)作為一電子傳導(dǎo)層20，其中MADN與氟化銫的體積比為0.8∶0.2，接著，在電子傳導(dǎo)層20上蒸鍍氟化鋰(LiF)作為一電子注入層22，最后，在電子注入層22上鍍上鋁(Al)金屬作為一陰極24，進(jìn)行封裝后，即完成本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管10的制作。
上述有機(jī)電發(fā)光二極管的元件效能比較，列于下表1。
表1元件效能比較

由表1可看出，本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管(元件B、E與F)與現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光二極管(元件A、C與D)相比，在相同亮度下明顯具有較低的元件操作電壓與較高的發(fā)光效率。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種光電元件，包括一電極組，包括至少二電極；以及一電子傳導(dǎo)層，設(shè)置于該電極組之間，其中該電子傳導(dǎo)層包含一有機(jī)雙極化合物與一含金屬的物質(zhì)，且該有機(jī)雙極化合物的電子及空穴遷移率大于10-7平方厘米/伏特·秒。
2.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該有機(jī)雙極化合物與該含金屬的物質(zhì)的體積比大體介于0.5∶99.5～99.5∶0.5。
3.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該有機(jī)雙極化合物與該含金屬的物質(zhì)的體積比大體介于80∶20～50∶50。
4.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該有機(jī)雙極化合物擇自(anthracene)衍生物、芴(fluorene)衍生物、螺旋芴(spirofluorene)衍生物、芘(pyrene)衍生物、寡聚物及其混合物所組成的族群。
5.如權(quán)利要求4所述的光電元件，其中該(anthracene)衍生物包括9，10-雙-(2-萘基)(9，10-di-(2-naphthyl)anthracene，ADN)、2-(第三丁基)-9，10-雙-(2-萘基)(2-(t-Butyl)-9，10-di(2-naphthyl)anthracene，TBADN)或2-(甲基)-9，10-雙-(2-萘基)(2-methyl-9，10-di(2-naphthyl)anthracene，MADN)。
6.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該含金屬的物質(zhì)擇自金屬、無(wú)機(jī)金屬鹽、有機(jī)金屬鹽及其混合物所組成的族群。
7.如權(quán)利要求6所述的光電元件，其中該金屬擇自堿金屬、堿土金屬及其混合物所組成的族群。
8.如權(quán)利要求6所述的光電元件，其中該無(wú)機(jī)金屬鹽的陽(yáng)離子擇自鋰離子、鈉離子、鉀離子、銫離子、鎂離子、鈣離子、鋇離子及其混合物所組成的族群。
9.如權(quán)利要求6所述的光電元件，其中該無(wú)機(jī)金屬鹽的陰離子擇自氧離子、氟離子、氯離子、溴離子、碘離子、硝酸根離子及其混合物所組成的族群。
10.如權(quán)利要求6所述的光電元件，其中該有機(jī)金屬鹽的陽(yáng)離子擇自鋰離子、鈉離子、鉀離子、銫離子、鎂離子、鈣離子、鋇離子及其混合物所組成的族群。
11.如權(quán)利要求6所述的光電元件，其中該有機(jī)金屬鹽的陰離子擇自碳數(shù)30以下的脂肪族或芳香族有機(jī)陰離子、碳酸根離子、醋酸根離子及其混合物所組成的族群。
12.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該光電元件為有機(jī)發(fā)光二極管，該電極組包括一陰極與一陽(yáng)極，該有機(jī)發(fā)光二極管還包括一發(fā)光層，設(shè)置于該陽(yáng)極與該電子傳導(dǎo)層之間。
13.如權(quán)利要求12所述的光電元件，其中該陰極與該陽(yáng)極由金屬、透明氧化物或其組合物所形成的單層或多層結(jié)構(gòu)，且該陰極與該陽(yáng)極的至少一者為一透明電極。
14.如權(quán)利要求12所述的光電元件，其中該發(fā)光層由熒光發(fā)光材、磷光發(fā)光材或其組合物所形成的單層或多層結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該光電元件為有機(jī)太陽(yáng)能電池，還包括一光電轉(zhuǎn)換層，設(shè)置于該電極組之間。
16.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該光電元件為有機(jī)薄膜晶體管，該電極組包括一柵極與一源/漏極，該有機(jī)薄膜晶體管還包括一有機(jī)半導(dǎo)體層，設(shè)置于該柵極與該源/漏極之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光電元件，包括一至少包含二電極的電極組，以及一電子傳導(dǎo)層，設(shè)置于該電極組之間，其中該電子傳導(dǎo)層包含一有機(jī)雙極化合物與一含金屬的物質(zhì)，且該有機(jī)雙極化合物的電子及空穴遷移率大于10
文檔編號(hào)H01L31/04GK1645641SQ20051005162
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2005年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月8日
發(fā)明者李重君 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司