專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管集成電路裝置、有源矩陣顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管集成電路裝置，另外涉及使用薄膜晶體管(FET)的有源矩陣液晶顯示裝置及它們的制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管集成電路裝置是在玻璃等的絕緣體基板或至少表面為絕緣體的基板之上，將相互連接多個(gè)薄膜晶體管及這些晶體管，或向電源及輸入輸出端子連接的配線層配置為單層或多層，構(gòu)成微處理器及系統(tǒng)LSI(Large scale integration)電路等的結(jié)構(gòu)。其實(shí)施例的一個(gè)中具有有源矩陣液晶顯示裝置及有機(jī)電致發(fā)光元件(electroluminescence)顯示裝置等的有源矩陣顯示裝置。有源矩陣顯示裝置基本上具有配置成矩陣狀的像素，與各像素對(duì)應(yīng)而配置成矩陣狀的作為與開(kāi)關(guān)元件而使用的薄膜晶體管(以下，簡(jiǎn)稱(chēng)為T(mén)FT)，構(gòu)成行列的矩陣的行方向的線及列方向的線。行方向的線作為將傳送寫(xiě)入信號(hào)的時(shí)間的掃描信號(hào)向各TFT的柵電極施加的掃描線而使用，列方向的線作為將與顯示圖像相應(yīng)的信號(hào)經(jīng)由TFT開(kāi)關(guān)提供各像素的信號(hào)線而使用。因此，信號(hào)線與TFT的源電極或漏電極中的一個(gè)連接，TFT的源電極或漏電極的另一個(gè)與像素電極連接。通過(guò)從掃描線向柵電極施加的時(shí)間信號(hào)TFT開(kāi)關(guān)連通向像素提供信號(hào)。這樣的有源矩陣顯示裝置根據(jù)像素的種類(lèi)分類(lèi)為有源矩陣液晶顯示裝置及有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置等。包含掃描線、信號(hào)線、TFT的基板整體被稱(chēng)為有源矩陣基板，在基板的表面，通過(guò)在減壓中的成膜及光刻法等的處理形成幾層的電路圖案。從降低顯示裝置的成本的觀點(diǎn)考慮，正在研究減少在減壓中的成膜工序及光刻法工序。
特別是將配線通過(guò)濺射成膜的工序，由于將全面成膜的配線材料通過(guò)光刻法加工，形成配線部，故蝕刻除去材料的大部分，為確保膜厚的均一性，會(huì)使用比基板面積大的材料指標(biāo)，故材料的利用率很低，成為有源矩陣基板的制造成本上升的主要原因。
為解決這樣的問(wèn)題，正在開(kāi)發(fā)通過(guò)印刷法僅在必要的部位形成配線提高材料的利用率的方法，例如，如特開(kāi)2002-026014號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)中所述，公開(kāi)了使用噴墨法，在規(guī)定的場(chǎng)所形成配線的方法。使用這樣的印刷法可減少減壓工序，降低顯示裝置的制造成本。
另一方面，在有源矩陣顯示裝置中，作為開(kāi)關(guān)元件工作的TFT元件廣泛使用柵電極形成在基板側(cè)的逆交錯(cuò)型。使用逆交錯(cuò)型TFT的顯示裝置如特開(kāi)2002-98994號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)2)所述那樣地形成。即，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，通過(guò)光刻法在玻璃基板之上形成柵電極，之后，進(jìn)行形成柵電極絕緣膜的處理。接著，作為半導(dǎo)體層層疊非晶態(tài)硅層及構(gòu)成接觸層的n+型非晶態(tài)硅層。與源電極及漏電極形成接觸的n+型非晶態(tài)硅層的分離，使用縫隙掩模使曝光量改變，調(diào)整顯影后的抗蝕劑的厚度后使用蝕刻的半色調(diào)曝光技術(shù)進(jìn)行。之后，剝離殘留的光致抗蝕劑，溝道部的鈍化膜形成通過(guò)CVD法進(jìn)行。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)2002-026014號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2特開(kāi)2002-98994號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3特開(kāi)2003-159315號(hào)說(shuō)明書(shū)專(zhuān)利文獻(xiàn)4特開(kāi)2002-324966號(hào)公報(bào)要使用噴墨法等的印刷法形成配線的情況下，如顯示裝置那樣描畫(huà)微細(xì)的的圖案時(shí)，如專(zhuān)利文獻(xiàn)1的記載，通過(guò)事先在不需要形成配線的部位形成疏水膜可形成在規(guī)定的位置收納配線墨的微細(xì)的圖案。但是，專(zhuān)利文獻(xiàn)1對(duì)于包含配線以外的活性化區(qū)域的有源矩陣TFT的應(yīng)用，則完全沒(méi)有公開(kāi)。
另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了，形成源電極、漏電極等的主要部分后，通過(guò)涂敷感光性丙烯系樹(shù)脂而平坦化。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2公開(kāi)了使用半色調(diào)法，形成源電極、漏電極的接觸部的方法。
但在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，對(duì)于將包含源電極、漏電極配線的主要部分平坦化則完全沒(méi)有記載。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2對(duì)于隨著顯示器的大型化，信號(hào)線上的信號(hào)損失及延遲的發(fā)生也沒(méi)有作出任何的研究。因此，可預(yù)測(cè)在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，產(chǎn)生信號(hào)不能充分地寫(xiě)入到像素像素的問(wèn)題。
為解決該問(wèn)題，考慮通過(guò)增大配線的寬度或使配線的厚度變厚而減少配線電阻，縮小信號(hào)損失及延遲。但是，若增大配線寬度，則產(chǎn)生占據(jù)顯示器整體的顯示中有效的部分的面積減少、亮度低的問(wèn)題。另一方面，使配線的厚度變厚的方法，考慮如專(zhuān)利文獻(xiàn)1中所述地那樣通過(guò)由平坦化層覆蓋信號(hào)線之上，在該平坦化層表面不產(chǎn)生臺(tái)階。但是，伴隨著顯示器尺寸的大型化，配線的厚膜化有一定的限制。
本發(fā)明的發(fā)明者等，提出在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中，通過(guò)在基板表面形成透明膜，在該透明膜中選擇性地埋入配線部，使表面平坦化的技術(shù)。該技術(shù)，通過(guò)將形成在基板上的柵極配線的周邊由透明膜包圍，消除柵極配線與透明膜之間的臺(tái)階。在此，透明膜具有作為吸收柵極配線產(chǎn)生的臺(tái)階的平坦化層的功能。
但是，專(zhuān)利文獻(xiàn)3中僅謀求通過(guò)將直接形成在玻璃基板表面的柵極配線及柵電極埋入透明膜而使平面平坦化。對(duì)于將形成在該平坦化表面的TFT的源電極及漏電極部的表面平坦化則完全沒(méi)有公開(kāi)。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)3也完全沒(méi)有提到將源電極及漏電極、源極配線、漏極配線平坦化。
另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1～3的任一個(gè)中，都沒(méi)有指出由于源極配線及漏電極與其他的區(qū)域中產(chǎn)生的臺(tái)階而引起的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而發(fā)明的，其目的在于提供一種具有平坦配線的薄膜晶體管集成電路裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有平坦化的電極配線的有源矩陣顯示裝置。
另外，本發(fā)明的其他的目的在于提供一種適用噴墨印刷法等的印刷法、鍍敷法的薄膜晶體管的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，可得到一種薄膜晶體管集成電路裝置，其具有以矩陣狀配置在絕緣性基板之上的多個(gè)薄膜晶體管和連接這些薄膜晶體管的配線，其特征在于，具有包圍上述配線的平坦化層，上述配線的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上形成同一平面。在此，所述配線包含柵極配線及漏極配線，上述柵極配線與至少一個(gè)的上述薄膜晶體管的柵電極連接，上述源極配線與至少一個(gè)的上述薄膜晶體管的源電極連接，上述漏極配線與上述至少一個(gè)的上述薄膜晶體管的漏電極連接，上述平坦化層包圍上述源電極、上述漏電極、上述源極配線及上述漏極配線，上述源電極、上述漏電極、上述源極配線及上述漏極配線的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上形成同一平面。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，可得到一種有源矩陣顯示裝置，其具有以矩陣狀配置在絕緣性基板之上的多個(gè)薄膜晶體管和連接這些薄膜晶體管的配線，其特征在于，具有包圍上述配線的平坦化層，上述配線的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上形成同一平面。在此，上述配線包括柵極配線、源極配線及漏極配線，上述柵極配線構(gòu)成與上述薄膜晶體管的柵電極連接的掃描線，上述源極配線及上述漏極配線與上述薄膜晶體管的源電極及漏電極分別連接，上述源極配線及上述漏極配線的一側(cè)構(gòu)成向薄膜晶體管提供信號(hào)的信號(hào)線，同時(shí)另一側(cè)與像素電極連接，上述平坦化層包圍上述源電極、上述漏電極、上述源極配線及上述漏極配線，上述源電極、上述漏電極、上述源極配線及上述漏極配線的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上可形成同一平面。
根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，可得到一種薄膜晶體管集成電路裝置或有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有在絕緣性基板之上形成柵電極及柵極配線的工序；覆蓋上述柵電極與上述柵極配線而形成絕緣膜的工序；在該絕緣膜之上選擇性地形成半導(dǎo)體層的工序；在該半導(dǎo)體層之上形成平坦化層的工序；選擇性地除去該平坦化層的一部分而形成到達(dá)上述半導(dǎo)體層的槽的工序；在上述槽內(nèi)形成到達(dá)上述半導(dǎo)體層的配線部以使上述配線部的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上為同一表面的工序。在此，形成上述配線部的工序包括形成配線形成輔助層的工序和將配線材料填充到槽內(nèi)的工序，上述配線形成輔助層可為剝離層、催化層、疏水層中的任一個(gè)，優(yōu)選疏水層。疏水層通過(guò)在不需要形成配線的部位形成將配線材料精度良好地收納在規(guī)定位置，可形成良好的微細(xì)圖案。另外，剝離層也通過(guò)形成在不需要形成配線的部位，全面涂敷配線材料后，通過(guò)溶解及剝離該剝離層的藥液而除去，可僅將配線材料殘留在規(guī)定的位置。另外，上述平坦化層也可兼為上述配線形成輔助層。選擇性地形成上述半導(dǎo)體層的工序優(yōu)選包含以下的工序，即，形成第一半導(dǎo)體的層的工序；在上述第一半導(dǎo)體的層上層疊與上述第一半導(dǎo)體的導(dǎo)電率不同的第二半導(dǎo)體的層的工序；在第一半導(dǎo)體及第二半導(dǎo)體的層疊膜之上層疊光致抗蝕劑的工序；除去在上述光致抗蝕劑中事先決定的元件區(qū)域之上以外的部分的整個(gè)厚度與該元件區(qū)域內(nèi)的構(gòu)成溝道的區(qū)域上的部分的膜厚的一部分的工序；將殘留的光致抗蝕劑作為掩模選擇性地蝕刻除去上述第一及第二半導(dǎo)體層的層疊膜中上述元件區(qū)域以外的部分及構(gòu)成上述溝道的區(qū)域之上的上述第二半導(dǎo)體的層的工序；在上述第一半導(dǎo)體的層中構(gòu)成該溝道的區(qū)域選擇性地形成保護(hù)膜的工序。除去上述光致抗蝕劑的工序優(yōu)選包括以下的工序，即，調(diào)整曝光量使該光致抗蝕劑曝光以使構(gòu)成上述溝道的區(qū)域之上的光致抗蝕劑的殘留厚度比元件區(qū)域的其他的部分上的殘留膜厚薄的工序；將曝光的該光致抗蝕劑顯影，除去元件區(qū)域部以外的光致抗蝕劑得到圖案狀的光致抗蝕劑的工序，形成上述保護(hù)膜的工序中優(yōu)選，將在上述圖案狀的光致抗蝕劑中經(jīng)上述半導(dǎo)體的選擇性除去工序而殘留的部分作為掩模使用。另外，上述保護(hù)膜可由直接氮化法形成。
在目前所提出的有源矩陣顯示裝置中，信號(hào)線、源電極及漏電極的表面與包圍它們的區(qū)域表面之間不可避免地產(chǎn)生臺(tái)階。為了不降低顯示裝置的亮度而減少配線電阻，希望增大配線的厚度(厚膜配線)，但配線的厚度增大則臺(tái)階也增大。在本發(fā)明中，平坦化層設(shè)置在包圍信號(hào)線、源電極及漏電極的區(qū)域上，吸收信號(hào)線、源電極及漏電極的表面與包圍它們的區(qū)域表面之間的臺(tái)階。在設(shè)置平坦化層的情況下，在信號(hào)線、源電極及漏電極與平坦化層之間也殘留若干的殘留臺(tái)階。根據(jù)本發(fā)明人的研究，得知?dú)埩襞_(tái)階小的情況下，對(duì)上層的配線的斷線、液晶的取向紊亂、有機(jī)電致發(fā)光元件的壽命劣化等的影響少。具體地說(shuō)，優(yōu)選大致小于或等于1μm，更加優(yōu)選小于或等于0.5μm。
因此，在本發(fā)明中，實(shí)質(zhì)上同一平面是指，信號(hào)線或源電極或者漏電極配線，源電極、及漏電極的各表面與平坦化層表面的臺(tái)階為小于或等于1μm，優(yōu)選小于或等于0.5μm的結(jié)構(gòu)。
因此，上述平坦化層優(yōu)選通過(guò)樹(shù)脂形成，該樹(shù)脂優(yōu)選由丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、氟樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂、脂環(huán)式烯烴樹(shù)脂以及環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的組中選擇的樹(shù)脂。另外，脂環(huán)式烯烴樹(shù)脂是指，具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂。平坦化層可以由感光性樹(shù)脂組成物形成，也可使用堿可溶性脂環(huán)式烯烴樹(shù)脂和含有感放射線成分的樹(shù)脂組成物形成。另外，上述平坦化層也可包含無(wú)機(jī)物。
另外，在本發(fā)明中，信號(hào)線等的配線、源電極及漏電極可含有有機(jī)物。
另外，本發(fā)明的上述絕緣性基板可由玻璃或塑料材料形成。
另外，本發(fā)明的裝置，可為液晶顯示裝置、有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置、CPU、及微處理器中的任一種。
在本發(fā)明的制造方法中，將上述配線材料填充到槽內(nèi)的工序，優(yōu)選通過(guò)濺射法、CVD法、鍍敷法、印刷法中的任一種來(lái)進(jìn)行。從充填位置的精度的觀點(diǎn)考慮，在上述印刷法中優(yōu)選噴墨印刷法或網(wǎng)格印刷法。
根據(jù)本發(fā)明的裝置，由于配線及源電極及漏電極的表面與包圍它們的平坦化層實(shí)質(zhì)上形成同一平面，故可不將平坦化層層疊在信號(hào)線上而得到平坦的配線結(jié)構(gòu)，可容易地得到厚膜配線。另外，由樹(shù)脂構(gòu)成上述平坦化層的情況下，可不需要CVD等的減壓工序而成膜，可降低裝置的制造成本。
另外，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可使用噴墨印刷法及網(wǎng)格印刷法等的印刷法或鍍敷法形成配線或源電極、漏電極，故可低成本且合格率良好地制造顯示裝置。
另外，根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣顯示裝置，成為不具有由于掃描線及柵極配線而產(chǎn)生的臺(tái)階形狀的平坦的結(jié)構(gòu)，故可得到顯示元件惡化少的良好的顯示。
本發(fā)明的有源矩陣顯示裝置中，在絕緣性基板之上至少在掃描線、信號(hào)線、該掃描線與信號(hào)線的交差部附近，柵電極與該掃描線連接，在該信號(hào)線上連接源電極或漏電極的薄膜晶體管的有源矩陣顯示裝置中，由于配線及源電極及漏電極的表面與包圍它們的平坦化層實(shí)質(zhì)上形成同一平面，故可不將平坦化層層疊在信號(hào)線上而可得到平坦的配線結(jié)構(gòu)，可容易地得到厚膜配線。另外，由樹(shù)脂構(gòu)成上述平坦化層的情況下，可不需要CVD等的減壓工序而成膜，可降低裝置的制造成本。
另一方面，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，信號(hào)線可在源電極、漏電極的形成中使用噴墨印刷法及網(wǎng)格印刷法等的印刷法或鍍敷法，故可低成本且合格率良好地制造顯示裝置。
另外，根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣顯示裝置，成為不具有由于掃描線及柵極配線而產(chǎn)生的臺(tái)階形狀的平坦的結(jié)構(gòu)，故可得到顯示元件惡化少的良好的顯示，同時(shí)，可將像素電極與源電極、漏極配線重疊，具有擴(kuò)大像素電極的效果。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1的有源矩陣顯示裝置的剖面圖；圖2(a)～(d)是用于按照工序順序說(shuō)明圖1所示的有源矩陣顯示裝置的制造方法(部分1)的剖面圖；圖3(a)～(d)是用于按照工序順序說(shuō)明圖1所示的有源矩陣顯示裝置的制造方法(部分2)的剖面圖；圖4是用于按照工序順序說(shuō)明圖1所示的有源矩陣顯示裝置的制造方法(部分3)的剖面圖；圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2的有源矩陣顯示裝置的剖面圖；圖6(a)～(b)是用于按照工序順序說(shuō)明圖5所示的有源矩陣顯示裝置的制造方法的一部分的剖面圖；圖7是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3的有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照

實(shí)施例。
實(shí)施例1參照?qǐng)D1說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1的有源矩陣液晶顯示裝置。圖1是本實(shí)施例1的有源矩陣液晶顯示裝置的剖面的概略圖，圖中所示的液晶顯示裝置具有有源矩陣基板(以下稱(chēng)為矩陣基板)100和經(jīng)由液晶150而與該矩陣基板100相對(duì)配置的薄膜基板200。其中，矩陣基板100具有玻璃基板10、設(shè)置在玻璃基板10之上的掃描線11以及由未圖示的部分與該掃描線11連接的柵電極12。進(jìn)而，在掃描線11和柵電極12之上形成柵極絕緣膜13，該柵極絕緣膜13的薄膜晶體管(TFT)形成區(qū)域上形成有第一半導(dǎo)體層14和第二半導(dǎo)體層15。其中，第二半導(dǎo)體層15由與第一半導(dǎo)體層14導(dǎo)電率不同的半導(dǎo)體形成，而界定隔著分離區(qū)域相互隔離而設(shè)置的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。
源極區(qū)域上形成源電極16，該源電極16與信號(hào)線17連接。在漏極區(qū)域上形成漏電極18。該漏電極18與漏極配線19連接。在此，柵電極12設(shè)置在形成在玻璃基板10之上的掃描線11和信號(hào)線17的交叉部分附近。通過(guò)在信號(hào)線17上連接源電極16(或漏電極18)，從而形成TFT。
進(jìn)而，覆蓋信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19而形成層間絕緣膜22，該層間絕緣膜22之上形成與漏極配線19電連接的像素電極24，像素電極24和層間絕緣膜22之上形成取向膜26，由此，構(gòu)成有源矩陣基板100。
另一方面，薄膜基板200由相對(duì)玻璃基板40、濾色器41、黑矩陣42以及取向膜43構(gòu)成。薄膜基板200的結(jié)構(gòu)與通常使用的結(jié)構(gòu)相同，在此其說(shuō)明省略。
圖1所示的本發(fā)明的實(shí)施例1的液晶顯示裝置其特征在于，包圍信號(hào)線17、源電極16、漏極配線19和漏電極19的周?chē)O(shè)置平坦化層30。圖示例中，分離源極區(qū)域和漏極區(qū)域的分離區(qū)域(或者溝道區(qū)域)上也形成平坦化層32。這些平坦化層30和32與源電極16、漏極配線19及漏電極18實(shí)際上形成同一平面。
圖示例中，通過(guò)在形成平坦化層30和32而得到的平面之上經(jīng)由層間絕緣膜22而配置像素電極24。平坦化層30和32由于能夠在由它們形成的槽中填充配線前體，將配線形成在規(guī)定的位置，所以形成稱(chēng)為配線形成輔助層。
在此，平坦化層30、32可包含無(wú)機(jī)物，但最好由樹(shù)脂形成。作為形成平坦化層30、32的樹(shù)脂可使用由丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、氟樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂、脂環(huán)式烯烴樹(shù)脂以及環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的組中選擇的樹(shù)脂。另外，形成平坦化層30、32的樹(shù)脂可以是感光性樹(shù)脂組成物，這時(shí)最好使用堿可溶性脂環(huán)式烯烴樹(shù)脂和含有感放射線成分的樹(shù)脂組成物。另外，形成平坦化層30、32的樹(shù)脂可使用透明或不透明的。另外，信號(hào)線17、源電極16、漏電極18以及漏電極19可含有有機(jī)物。
參照?qǐng)D2～4說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1的有源矩陣液晶顯示裝置的制造方法。首先，如圖2(a)所示，由光刻在玻璃基板10之上連續(xù)形成掃描線和柵電極12(在此，僅圖示掃描線上連接的柵電極12)。柵電極12的厚度(從而掃描線的配線厚度)形成0.2μm。
接著，如圖2(b)所示，通過(guò)采用微波激勵(lì)等離子體的等離子體CVD法用SiH4氣體、H2氣體、N2氣體和Ar氣體將氮化硅膜(SiN2膜)作為柵極絕緣膜13成膜。也可用通常的高頻激勵(lì)等離子體成膜SiN2膜，但通過(guò)使用微波激勵(lì)等離子體，可在更低溫下成膜SiN2膜。成膜溫度為300℃，膜厚為0.2μm。
進(jìn)而，通過(guò)采用微波激勵(lì)等離子體的等離子體CVD法，作為第一半導(dǎo)體層14使用非晶硅層，作為第二半導(dǎo)體層15采用n+型非晶硅層依次成膜。非晶硅層14使用SiH4氣體，n+型非晶硅層15使用SiH4氣體和PH3氣體、Ar氣體，以300℃的溫度成膜(圖2(c))。
接著，由旋涂法在整個(gè)面上涂敷正性光致抗蝕劑，以100℃、1分鐘在熱板上干燥除去溶劑。接著，用g線步進(jìn)曝光機(jī)以36mJ/cm2的能量劑量進(jìn)行曝光。曝光時(shí)，在元件區(qū)域上殘留光致抗蝕劑而形成非曝光部，并用狹縫掩模調(diào)節(jié)曝光量，以使相當(dāng)于定位于元件區(qū)域內(nèi)部的溝道區(qū)域的部分上的光致抗蝕劑的膜厚變薄。用2.38％的TMAH溶液進(jìn)行70秒鐘攪拌顯影，結(jié)果，得到如圖2(d)所示的形狀的光致抗蝕劑膜35。即，如圖2(d)所示，形成在元件區(qū)域上厚、在溝道區(qū)域上薄的光致抗蝕劑膜35。
接著，用等離子體蝕刻裝置，進(jìn)行n+型非晶硅層15、非晶硅層14的蝕刻。這時(shí)，光致抗蝕劑膜35也被蝕刻一些，膜厚減少，所以光致抗蝕劑膜35中溝道區(qū)域上的膜厚薄的抗蝕劑膜部分被蝕刻除去，n+型非晶硅層15也被蝕刻。只是，非晶硅層14殘留在溝道區(qū)域。
另一方面，在元件區(qū)域部分以外，n+型非晶硅層15和非晶硅層14兩者的膜整體被蝕刻除去，在溝道區(qū)域之上的n+型非晶硅層15被蝕刻除去的時(shí)刻，結(jié)束蝕刻，則得到圖3(a)所示的結(jié)構(gòu)。該狀態(tài)下，從圖3(a)也可明確，在源電極16和漏電極18分別形成在其上的n+型非晶硅層15的區(qū)域之上殘留光致抗蝕劑膜35。
接著，該狀態(tài)下，用Ar氣體、N2氣體以及H2氣體，進(jìn)行微波激勵(lì)等離子體處理，溝道部的非晶硅14表面上直接形成氮化膜36(圖3(b))。使用一般的高頻等離子體也能夠形成氮化膜36，但最好使用微波激勵(lì)等離子體。這是因?yàn)橛捎诳僧a(chǎn)生電子溫度低的等離子體，所以不會(huì)對(duì)溝道部帶來(lái)等離子體導(dǎo)致的損傷而形成氮化膜36。另外，由CVD法也可形成氮化膜36，但是使用CVD法的情況下，由于源電極和漏電極區(qū)域上也形成氮化膜，之后需進(jìn)行除去源電極和漏電極區(qū)域上的氮化膜的工序。因此，如圖所示，最好通過(guò)用Ar氣體、N2氣體和H2氣體，進(jìn)行微波激勵(lì)等離子體處理，來(lái)直接形成氮化膜36。這時(shí)，如圖所示，在元件區(qū)域的端部，在非晶硅層14和15的側(cè)面也直接形成氮化膜36。
接著，源電極區(qū)域和漏電極區(qū)域上殘留的光致抗蝕劑膜35(圖3(b))，通過(guò)實(shí)施氧等離子體拋光后，由抗蝕劑剝離液等除去，得到圖3(c)所示的形狀。
接著，通過(guò)涂敷感光性透明樹(shù)脂膜前驅(qū)體(感光性樹(shù)脂組成物)，使用用于形成圖1所示的信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19的光致掩模，進(jìn)行曝光、顯影、堅(jiān)膜，來(lái)如圖3(d)所示，從溝道區(qū)域之上到源電極漏電極區(qū)域的溝道區(qū)域側(cè)的端部上形成由透明樹(shù)脂形成的配線形成輔助層32。這時(shí)，如圖1所示，在需包圍信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19的區(qū)域上也形成配線形成輔助層30。通過(guò)這些配線形成輔助層30和32的形成，而由配線形成輔助層30和32包圍，如圖3(d)所示，在需形成信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19的區(qū)域上殘留槽38。如上述所明示地，在圖示的例子中，作為配線形成輔助層30和32使用透明的感光性樹(shù)脂組成物。
在這樣的槽38上可用噴墨印刷法等印刷法及鍍敷法形成信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19。
配線寬度微細(xì)的情況下，為提高精度，可在透明樹(shù)脂層(配線形成輔助層)30、32的表面上進(jìn)行具有疏水性的處理。具體地例如，使用采用NF3的氟類(lèi)氣體的等離子體將表面進(jìn)行氟類(lèi)處理，或在樹(shù)脂的堅(jiān)膜前將用氟類(lèi)甲硅烷基化劑浸泡樹(shù)脂前驅(qū)體。接著，用噴墨印刷法等的印刷法及鍍敷法，將配線前驅(qū)體填充到上述槽38中。配線形成方法從墨的有效利用的觀點(diǎn)看最好采用噴墨法，但也可采用絲網(wǎng)印刷法等。本實(shí)施例中，作為配線前驅(qū)體使用與專(zhuān)利文獻(xiàn)4(特開(kāi)2002-324966號(hào)公報(bào))公開(kāi)的同樣的銀膏墨來(lái)形成配線。這時(shí)，填充配線前驅(qū)體后，以250度的溫度進(jìn)行30分鐘的燒結(jié)，形成信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19(圖4及圖1)。
這樣，形成信號(hào)線17、源電極16、漏電極18及漏極配線19的表面與配線形成輔助層30、32的表面實(shí)質(zhì)上為形成同一平面的TFT。
接著，在實(shí)質(zhì)上形成同一平面的信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19、配線形成輔助層30、32上成膜層間絕緣膜32(參照?qǐng)D1)。作為該層間絕緣膜22，與配線形成輔助層30、32同樣，可使用感光性透明樹(shù)脂。這樣，感光性透明樹(shù)脂作為層間絕緣膜22成膜的情況下，對(duì)該感光性透明樹(shù)脂進(jìn)行曝光、顯影，從而可形成從像素電極24到TFT電極(在此是漏極配線19)的接觸孔。接著，在露出的整個(gè)表面上，將ITO(indium tinoxide)進(jìn)行濺射成膜，對(duì)其構(gòu)圖，從而作為像素電極24。另外，也可代替ITO使用SnO2等透明導(dǎo)電膜材料。該表面上作為液晶的取向膜26形成聚酰亞胺膜，在與相對(duì)的過(guò)濾基板200之間夾著液晶150，從而得到有源矩陣液晶顯示裝置。
根據(jù)本實(shí)施例1的有源矩陣液晶顯示裝置，信號(hào)線17、源電極16、漏電極18、漏極配線19和配線形成輔助層30、32實(shí)質(zhì)上形成同一平面，所以可得到液晶的取向紊亂少的高質(zhì)量的顯示。
實(shí)施例2參照?qǐng)D5說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2的有源矩陣液晶顯示裝置。圖5中，對(duì)與圖1所示的液晶顯示裝置對(duì)應(yīng)的部分賦予同一附圖標(biāo)記。圖5所示的有源矩陣液晶顯示裝置中，玻璃基板10上形成的掃描線11和柵電極12埋設(shè)在絕緣膜45內(nèi)這一點(diǎn)上與圖1所示的液晶顯示裝置不同，結(jié)果，掃描線11、柵電極12和絕緣膜45實(shí)質(zhì)上也形成同一平面，柵極絕緣膜13與該平坦化的表面同樣形成。
圖5中，掃描線11和信號(hào)線17的交叉部分附近的掃描線11上連接?xùn)烹姌O12(未圖示)，柵極絕緣膜13上的信號(hào)線17連接源電極16或漏電極18，由此形成向薄膜晶體管(TFT)的配線連接。
進(jìn)而，與圖1同樣，包圍信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19而形成平坦化層30、32，信號(hào)線17、源電極16、漏電極18、漏極配線19和配線形成輔助層30、32實(shí)質(zhì)上形成同一平面。在該平面上經(jīng)由層間絕緣膜22配置像素電極24，構(gòu)成有源矩陣基板，與薄膜基板200之間夾著液晶150，構(gòu)成液晶顯示裝置。另外，在圖5中，在將源極區(qū)域和漏極區(qū)域分離的分離區(qū)域上也形成平坦化層32，但該分離區(qū)域的臺(tái)階比其他部分的臺(tái)階低0.1到0.2μm，所以也可不設(shè)置平坦化層32。
本實(shí)施例2中，掃描線11和柵電極12作為埋入配線。該配線可由噴墨法形成。在此，參照?qǐng)D6說(shuō)明形成柵電極12(以及與其連接的掃描線等的配線)的方法。首先，在玻璃基板10的表面上由旋涂法等手法形成1μm厚度的具有感光性的感光性透明樹(shù)脂膜作為上述的絕緣膜45。作為絕緣膜45使用感光性透明樹(shù)脂膜的情況下，可將該感光性透明樹(shù)脂膜作為光致抗蝕膜利用。接著，用活性放射線選擇性對(duì)感光性透明樹(shù)脂膜(即絕緣膜45)進(jìn)行曝光顯影及除去、堅(jiān)膜，而如圖6(a)所示在感光性透明樹(shù)脂膜上形成槽52。配線寬度微細(xì)的情況下，為提高印刷精度，可在上述感光性透明樹(shù)脂膜的表面進(jìn)行具有疏水性能的處理。具體地例如，使用采用NF3等的氟類(lèi)氣體的等離子體將表面進(jìn)行氟類(lèi)處理，或在樹(shù)脂的堅(jiān)膜前將樹(shù)脂前驅(qū)體用氟類(lèi)甲硅烷基化劑浸泡。
接著，用噴墨印刷法等的印刷法及鍍敷法，將配線前驅(qū)體填充到上述槽中。配線形成方法從墨的有效利用的觀點(diǎn)看最好采用噴墨法，但也可采用絲網(wǎng)印刷法等。本實(shí)施例中，作為配線前驅(qū)體使用與專(zhuān)利文獻(xiàn)2公開(kāi)的同樣的銀膏墨來(lái)形成配線。填充配線前驅(qū)體后，以250度的溫度進(jìn)行30分鐘的燒結(jié)，形成掃描線和柵電極(圖6(b))。
后面用與實(shí)施例1所述的方法相同的方法完成有源矩陣液晶顯示裝置。
該實(shí)施例2由于是消除掃描線11和柵電極12引起的臺(tái)階而平坦化的結(jié)構(gòu)，因此可得到液晶150的取向不良少的良好顯示。進(jìn)而，柵電極12與絕緣膜45(圖6中感光性透明樹(shù)脂膜)實(shí)質(zhì)上形成同一平面，所以柵極絕緣膜13不形成臺(tái)階，而可形成制造合格率劣化和絕緣不良少的良好的TFT。
實(shí)施例3本發(fā)明的實(shí)施例3中，由與實(shí)施例1和2使用的方法相同的方法形成有源矩陣液晶顯示裝置。圖7是表示形成的有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖，說(shuō)明上對(duì)具有與圖1和圖5同等功能的部分以相同的附圖標(biāo)記表示。圖7所示的有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置具有形成在玻璃基板10上的掃描線11和柵電極12，圖示的掃描線11和柵電極12與圖5同樣埋設(shè)在絕緣膜45內(nèi)。作為該絕緣膜45，如參照?qǐng)D6所說(shuō)明的那樣，可使用透明感光性樹(shù)脂。
進(jìn)而，在圖示的例子中，在形成平坦表面的掃描線11、柵電極12以及絕緣膜45之上形成柵極絕緣膜13，同時(shí)，第一和第二半導(dǎo)體層14和15、源電極和漏電極16、18、漏極配線19以及信號(hào)線17形成在柵極絕緣膜13之上。
圖示的有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置包含具有與信號(hào)線17連接的源電極16(也可是漏電極18，這時(shí)源電極經(jīng)由源極配線與像素電極連接)的薄膜晶體管。在圖示的例子中，包圍信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19而形成平坦化層30、32，該信號(hào)線17、源電極18和漏極配線19與平坦化層30、32實(shí)質(zhì)上形成同一平面。該平面之上經(jīng)由層間絕緣膜22而配置由ITO構(gòu)成的像素電極24，在像素電極24和對(duì)電極60之間夾著有機(jī)電致發(fā)光元件層62，而構(gòu)成有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置。在圖示的例子中，對(duì)電極60由保護(hù)膜64覆蓋。
至于像素電極24的形成，由于與實(shí)施例1和2相同，所以在此主要說(shuō)明關(guān)于有機(jī)電致發(fā)光元件層62的形成方法。像素電極24的形成方法若概括地說(shuō)，由于掃描線11、柵極配線12、絕緣膜45實(shí)質(zhì)上形成同一平面，且信號(hào)線17和源電極、漏電極配線16、18也分別與平坦化層30和32實(shí)質(zhì)上形成同一平面，所以可得到像素電極24的面上沒(méi)有臺(tái)階的平坦的基板。
有機(jī)電致發(fā)光元件層62含有空穴輸送層66、發(fā)光層67、電子輸送層68，關(guān)于該結(jié)構(gòu)不作特別限定，即使使用公知的任意材料，也能夠得到本發(fā)明的作用效果。在此，空穴輸送層66高效地進(jìn)行向發(fā)光層67移動(dòng)空穴，并且抑制來(lái)自電極60的電子超過(guò)發(fā)光層67向透明導(dǎo)電性電極側(cè)移動(dòng)，具有提高發(fā)光層67的電子和空穴的復(fù)合效率的作用。作為構(gòu)成空穴輸送層66的材料不作特別限定，但例如可使用1，1-雙(4-二-對(duì)氨基苯基)環(huán)戊烷、咔唑及其衍生物、三苯基胺及其衍生物等。發(fā)光層67不作特別限定，可使用含有摻雜劑(ド一パント)的喹啉酚鋁配位化合物、DPVi聯(lián)苯等。根據(jù)用途，可層疊赤、綠、青的發(fā)光體使用，另外在顯示裝置等中，可將赤、綠、青的發(fā)光體配置成矩陣狀使用。作為電子輸送層68可使用silole衍生物、環(huán)戊二烯衍生物等。
在本實(shí)施例3中，在ITO像素電極24之上順次層疊空穴輸送層66、發(fā)光層67、電子輸送層68。其次，由蒸鍍法成膜Al，作為對(duì)電極60。接著，由等離子體CVD法堆積SiNx來(lái)作為保護(hù)膜64。
像素電極24的材料、對(duì)電極60的材料、保護(hù)膜64的材料不限定于上述內(nèi)容，考慮到功函數(shù)等，能夠充分發(fā)揮有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置的性能的材料即可。這樣，完成本實(shí)施例3的有源矩陣液晶顯示裝置。該結(jié)構(gòu)中，掃描線11和柵電極12上不具有臺(tái)階，信號(hào)線17、源電極16、漏電極18和漏極配線19的臺(tái)階引起的臺(tái)階也不在有機(jī)電致發(fā)光元件層62發(fā)生而形成平坦的結(jié)構(gòu)，所以有機(jī)電致發(fā)光元件層的電場(chǎng)的局部集中等可被緩和，得到發(fā)光壽命長(zhǎng)的顯示裝置。進(jìn)而，柵電極12與由透明樹(shù)脂形成的絕緣膜45實(shí)質(zhì)上形成同一平面，所以柵電極絕緣膜13上不形成臺(tái)階，而形成制造合格率劣化和絕緣不良少的良好的TFT。本實(shí)施例3中，構(gòu)成底部發(fā)光型的有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置，但頂部發(fā)光型也可得到同樣的效果，另外，有機(jī)電致發(fā)光元件層62的構(gòu)成順序可任意變更，也可得到同樣效果。本實(shí)施例中作為有機(jī)電致發(fā)光元件層62的形成方法采用蒸鍍法，但是根據(jù)材料的特性而可用噴墨法等印刷法得到本發(fā)明的效果。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明可適用于含有TFT的有源矩陣液晶顯示裝置、有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置，特別是可構(gòu)成需要大型化的顯示裝置。進(jìn)而，本發(fā)明不限定于有源矩陣顯示裝置，一般也可適用于使用薄膜晶體管構(gòu)成CPU、微處理器、系統(tǒng)LSI等的薄膜晶體管集成電路裝置。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣顯示裝置，其具有以矩陣狀配置在絕緣性基板之上的多個(gè)薄膜晶體管和連接這些薄膜晶體管的配線，其特征在于，具有包圍上述配線的平坦化層，上述配線的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上形成同一平面。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣顯示裝置，其特征在于，上述配線包括柵極配線、源極配線及漏極配線，上述柵極配線構(gòu)成與上述薄膜晶體管的柵電極連接的掃描線，上述源極配線及上述漏極配線與上述薄膜晶體管的源電極及漏電極分別連接，上述源極配線及上述漏極配線的一側(cè)構(gòu)成向薄膜晶體管提供信號(hào)的信號(hào)線，同時(shí)另一側(cè)與像素電極連接，上述平坦化層包圍上述源電極、上述漏電極、上述源極配線及上述漏極配線，上述源電極、上述漏電極、上述源極配線及上述漏極配線的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上形成同一平面。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣顯示裝置，其特征在于，上述平坦化層通過(guò)樹(shù)脂形成。
4.如權(quán)利要求3所述的有源矩陣顯示裝置，其特征在于，上述平坦化層通過(guò)感光性樹(shù)脂組成物形成。
5.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣顯示裝置，其特征在于，上述平坦化層包含無(wú)機(jī)物。
6.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣顯示裝置，其特征在于，上述平坦化層使用堿可溶性脂環(huán)式烯烴樹(shù)脂及含有感放射線成分的樹(shù)脂組成物而形成。
7.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣顯示裝置，其特征在于，上述源電極、上述漏電極、上述源極配線及上述漏極配線均含有有機(jī)物。
8.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣顯示裝置，其特征在于，上述絕緣性基板由透明材料形成。
9.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣液顯示裝置，其特征在于，上述絕緣性基板是表面由絕緣物質(zhì)覆蓋的基板。
10.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣顯示裝置，其特征在于，上述顯示裝置是液晶顯示裝置。
11.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣顯示裝置，其特征在于，上述顯示裝置是有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置。
12.一種有源矩陣液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有在絕緣性基板之上形成柵電極及柵極配線的工序；覆蓋上述柵電極與上述柵極配線而形成絕緣膜的工序；在該絕緣膜之上選擇性地形成半導(dǎo)體層的工序；在該半導(dǎo)體層之上形成平坦化層的工序；選擇性地除去該平坦化層的一部分而形成到達(dá)上述半導(dǎo)體層的槽的工序；在上述槽內(nèi)形成到達(dá)上述半導(dǎo)體層的配線部以使上述配線部的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上為同一表面的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成上述配線部的工序包含形成配線形成輔助層的工序和將配線材料填充到槽內(nèi)的工序。
14.如權(quán)利要求13所述的有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，上述配線形成輔助層為剝離層、催化層、疏水層中的任一個(gè)。
15.如權(quán)利要求13所述的有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述平坦化層兼為所述配線形成輔助層。
16.如權(quán)利要求12所述的有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，選擇性地形成上述半導(dǎo)體層的工序包含形成第一半導(dǎo)體的層的工序；在上述第一半導(dǎo)體的層上層疊與上述第一半導(dǎo)體的導(dǎo)電率不同的第二半導(dǎo)體的層的工序；在第一半導(dǎo)體及第二半導(dǎo)體的層疊膜之上層疊光致抗蝕劑的工序；除去在上述光致抗蝕劑中事先決定的元件區(qū)域之上以外的部分的整個(gè)厚度與該元件區(qū)域內(nèi)的構(gòu)成溝道的區(qū)域上的部分的膜厚的一部分的工序；將殘留的光致抗蝕劑作為掩模選擇性地蝕刻除去上述第一及第二半導(dǎo)體層的層疊膜中上述元件區(qū)域以外的部分及構(gòu)成上述溝道的區(qū)域之上的上述第二半導(dǎo)體的層的工序；在上述第一半導(dǎo)體的層中構(gòu)成該溝道的區(qū)域選擇性地形成保護(hù)膜的工序。
17.如權(quán)利要求16所述的有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，除去上述光致抗蝕劑的工序包括調(diào)整曝光量使該光致抗蝕劑曝光以使構(gòu)成上述溝道的區(qū)域之上的光致抗蝕劑的殘留厚度比元件區(qū)域的其他的部分上的殘留膜厚薄的工序；將曝光的該光致抗蝕劑顯影，除去元件區(qū)域部以外的光致抗蝕劑得到圖案狀的光致抗蝕劑的工序，形成上述保護(hù)膜的工序中，將在上述圖案狀的光致抗蝕劑中經(jīng)上述半導(dǎo)體的選擇性除去工序而殘留的部分作為掩模使用。
18.如權(quán)利要求16所述的有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成上述保護(hù)膜的工序采用直接氮化法。
19.如權(quán)利要求12所述的有源矩陣液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，將上述配線材料充填在槽內(nèi)的工序通過(guò)濺射法、CVD法、鍍敷法、印刷法中的任一種來(lái)進(jìn)行。
20.如權(quán)利要求12所述的有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，上述印刷法是噴墨印刷法或絲網(wǎng)印刷法。
21.如權(quán)利要求12～20任一項(xiàng)中所述的有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，上述顯示裝置是液晶顯示裝置。
22.如權(quán)利要求12～20任一項(xiàng)中所述的有源矩陣顯示裝置的制造方法，其特征在于，上述顯示裝置是有機(jī)電致發(fā)光元件顯示裝置。
23.一種薄膜晶體管集成電路裝置，其具有形成在絕緣性基板之上的多個(gè)薄膜晶體管和與這些薄膜晶體管連接的配線，其特征在于，具有包圍上述配線的平坦化層，上述配線的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上形成同一平面。
24.如權(quán)利要求23所述的薄膜晶體管集成電路裝置，其特征在于，所述配線包含柵極配線及漏極配線，上述柵極配線與至少一個(gè)的上述薄膜晶體管的柵電極連接，上述源極配線與至少一個(gè)的上述薄膜晶體管的源電極連接，上述漏極配線與上述至少一個(gè)的上述薄膜晶體管的漏電極連接，上述平坦化層包圍上述源電極、上述漏電極、上述源極配線及上述漏極配線，上述源電極、上述漏電極、上述源極配線及上述漏極配線的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上形成同一平面。
25.如權(quán)利要求24所述的薄膜晶體管集成電路裝置，其特征在于，包圍所述薄膜晶體管的柵電極及上述柵極配線而設(shè)置絕緣膜，上述薄膜晶體管的柵電極、上述柵極配線及上述絕緣膜實(shí)質(zhì)上形成同一平坦的表面，上述薄膜晶體管的柵極絕緣膜形成在上述平坦的表面之上。
26.一種薄膜晶體管集成電路裝置的制造方法，其特征在于，具有在絕緣性基板之上形成柵電極和柵極配線的工序；覆蓋上述柵電極與上述柵極配線而形成絕緣膜的工序；在該絕緣膜之上選擇性地形成半導(dǎo)體層的工序；在該半導(dǎo)體層之上形成平坦化層的工序；選擇性地除去該平坦化層的一部分而形成到達(dá)上述半導(dǎo)體層的槽的工序；在上述槽內(nèi)形成到達(dá)上述半導(dǎo)體層的配線部以使上述配線部的表面與上述平坦化層的表面實(shí)質(zhì)上為同一表面的工序。
27.如權(quán)利要求26所述的有源矩陣液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成上述配線部的工序包含形成配線形成輔助層的工序和將配線材料填充到槽內(nèi)的工序。
28.如權(quán)利要求27所述的有源矩陣液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，上述配線形成輔助層為剝離層、催化層、疏水層中的任一個(gè)。
29.如權(quán)利要求27所述的有源矩陣液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，上述平坦化層兼為上述配線形成輔助層。
30.如權(quán)利要求26所述的有源矩陣液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，選擇性地形成上述半導(dǎo)體層的工序包含形成第一半導(dǎo)體的層的工序；在上述第一半導(dǎo)體的層上層疊與上述第一半導(dǎo)體的導(dǎo)電率不同的第二半導(dǎo)體的層的工序；在第一半導(dǎo)體及第二半導(dǎo)體的層疊膜之上層疊光致抗蝕劑的工序；除去在上述光致抗蝕劑中事先決定的元件區(qū)域之上以外的部分的整個(gè)厚度與該元件區(qū)域內(nèi)的構(gòu)成溝道的區(qū)域上的部分的膜厚的一部分的工序；將殘留的光致抗蝕劑作為掩模選擇性地蝕刻除去上述第一及第二半導(dǎo)體層的層疊膜中上述元件區(qū)域以外的部分及構(gòu)成上述溝道的區(qū)域之上的上述第二半導(dǎo)體的層的工序；在上述第一半導(dǎo)體的層中構(gòu)成該溝道的區(qū)域選擇性地形成保護(hù)膜的工序。
31.如權(quán)利要求30所述的有源矩陣液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，除去上述光致抗蝕劑的工序包括調(diào)整曝光量使該光致抗蝕劑曝光以使構(gòu)成上述溝道區(qū)域之上的光致抗蝕劑的殘留厚度比元件區(qū)域的其他的部分上的殘留膜厚薄的工序；將曝光的該光致抗蝕劑顯影，除去元件區(qū)域部以外的光致抗蝕劑而得到圖案狀的光致抗蝕劑的工序，形成上述保護(hù)膜的工序中，將上述圖案狀的光致抗蝕劑中經(jīng)上述半導(dǎo)體的選擇性除去工序而殘留的部分作為掩模使用。
全文摘要
一種有源矩陣顯示裝置，包圍源極配線、漏極配線及信號(hào)線而形成平坦化層，使源極配線、漏極配線及信號(hào)線實(shí)質(zhì)上與平坦化層形成同一平面。
文檔編號(hào)H01L21/77GK1886770SQ20048003496
公開(kāi)日2006年12月27日 申請(qǐng)日期2004年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月28日
發(fā)明者大見(jiàn)忠弘, 森本明大, 鈴木輝彥, 加藤丈佳 申請(qǐng)人:日本瑞翁株式會(huì)社, 大見(jiàn)忠弘