專利名稱：于接觸形成中防止接觸孔寬度增加的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上系關(guān)于半導(dǎo)體裝置制造的領(lǐng)域。詳言之，本發(fā)明系在半導(dǎo)體芯片中中半導(dǎo)體裝置的接觸形成的領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
相關(guān)其它各事項(xiàng)，接觸系用以提供半導(dǎo)體芯片中的晶體管區(qū)域之間的連接和位于晶體管區(qū)域上方的互連接金屬層。為了達(dá)到高電路密度，這些通常有高縱橫比(aspect ratio)的接觸必須配置在半導(dǎo)體芯片中的小區(qū)域內(nèi)而不互相接觸，否則就會(huì)互相干擾。因此，在接觸形成中控制接觸孔洞的寬度以達(dá)到足夠小的接觸寬度是很重要的。
在習(xí)知的接觸工藝中，接觸孔一般由微影術(shù)所界定，并于氧化層中蝕刻，該等接觸孔能位于例如半導(dǎo)體芯片中的晶體管區(qū)域上。結(jié)果可在硅化物層上形成接觸孔，該硅化物層可連接到例如半導(dǎo)體芯片中的晶體管區(qū)域中的源極或汲極區(qū)域。接觸孔接著用包含譬如鈦金屬的阻擋層襯里，并填滿譬如鎢的金屬，而形成接觸。然而在阻擋層能沉積于接觸孔的側(cè)壁和沉積于位在接觸孔的底部的硅化物層之前，首先須移除在硅化物層上原本形成的氧化物層。在習(xí)知的接觸工藝中，通常系使用包含氬氣的噴濺蝕刻工藝來(lái)移除原有的氧化物層。
然而在噴濺蝕刻工藝中，除了原有的氧化物層外，亦蝕刻的后界定接觸孔的氧化層頂角部分，如此使得接觸孔頂部寬度增加。結(jié)果，接觸孔在充滿鎢后形成接觸，與最初圖案化的接觸孔寬度相比較，增加了所不期望的寬度。
因此，在此技術(shù)方面需要有一種方法能在半導(dǎo)體芯片中的晶體管區(qū)域上形成接觸，并于接觸形成期間避免不期望增加的接觸孔寬度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明系關(guān)于在接觸形成期間防止接觸孔寬度增加的方法。本發(fā)明提出并解決了對(duì)于在半導(dǎo)體芯片中的晶體管區(qū)域之上形成接觸，并防止于接觸形成期間產(chǎn)生不期望增加的接觸孔寬度的方法的技術(shù)方面需要。
依照一個(gè)范例實(shí)施例，一種在位于半導(dǎo)體芯片中的硅化物層上形成接觸的方法，包括步驟在接觸孔的側(cè)壁上和在位于接觸孔底部的自生氧化物層上沉積阻擋層，其中該側(cè)壁由介電層中的接觸孔所界定。例如，阻擋層可以是鈦/氮化鈦而介電層可以是PECVD氧化物。該沉積阻擋層于接觸孔的側(cè)壁和于自生氧化物層上的步驟能夠最優(yōu)化，而使得阻擋層在接觸孔頂部的厚度較在該接觸孔底部的厚度厚。
依照此范例實(shí)施例，本方法復(fù)包括移除阻擋層之一部分和位于在接觸孔底部的自生氧化物層，以暴露硅化物層的步驟。例如，能利用噴濺蝕刻工藝來(lái)移除阻擋層的該部分和位于接觸孔底部的自生氧化物層。接觸孔包含電接觸寬度，噴濺蝕刻工藝不會(huì)增加電接觸寬度。介電層包括位于鄰接接觸孔的項(xiàng)角區(qū)域，其中該介電層的頂角區(qū)域于移除阻擋層的一部分和位于在接觸孔底部的自生氧化物層步驟期間并未被蝕刻。對(duì)熟悉此項(xiàng)技術(shù)者而言于閱讀下列的詳細(xì)說(shuō)明及所附圖式后，對(duì)本發(fā)明的其它的特征與優(yōu)點(diǎn)將變得更容易了解。


圖1為對(duì)應(yīng)于依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的范例方法步驟流程圖。
圖2A顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)應(yīng)于圖1中流程圖的某些步驟，處理晶圓部分的剖面圖。
圖2B顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)應(yīng)于圖1中流程圖的某些步驟，處理晶圓部分的剖面圖。
圖3為對(duì)應(yīng)于依照本發(fā)明的一實(shí)施例的范例方法步驟流程圖。
圖4A顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)應(yīng)于圖3中流程圖的某些步驟，處理晶圓部分的剖面圖。
圖4B顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)應(yīng)于圖3中流程圖的某些步驟，處理晶圓部分的剖面圖。
圖5為對(duì)應(yīng)于依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的范例方法步驟流程圖。
圖6A顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)應(yīng)于圖5中流程圖的某些步驟，處理晶圓部分的剖面圖。
圖6B顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)應(yīng)于圖5中流程圖的某些步驟，處理晶圓部分的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明系關(guān)于在半導(dǎo)體芯片中中于接觸形成期間防止接觸孔寬度增加的方法。下列的說(shuō)明包含關(guān)于施行本發(fā)明的特定信息。熟悉此項(xiàng)技術(shù)者將了解到可以許多與本申請(qǐng)案中所詳細(xì)討論方法不同的方法來(lái)實(shí)施本發(fā)明。而且，為了不致于模糊了本發(fā)明的焦點(diǎn)，并不討論本發(fā)明的某些特別詳細(xì)內(nèi)容。
于本申請(qǐng)案中各圖式以及其伴隨的詳細(xì)說(shuō)明僅系關(guān)于本發(fā)明的范例實(shí)施例。為了保持簡(jiǎn)潔，本發(fā)明的其它實(shí)施例于本申請(qǐng)案中并未詳細(xì)說(shuō)明，并且亦未由該等圖標(biāo)詳細(xì)顯示。
圖1顯示依照本發(fā)明的一實(shí)施例于半導(dǎo)體芯片中中晶體管區(qū)域上方形成接觸的范例方法流程圖。某些詳細(xì)說(shuō)明和特征對(duì)于熟悉此項(xiàng)技術(shù)者而言乃顯而易知，因此并未示出于流程圖100中。例如，一個(gè)步驟可由一個(gè)或多個(gè)次步驟組成，或可包含于此技術(shù)方面已知的特定的裝備或材料。指示于流程圖100中的步驟150和152可充分說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例，本發(fā)明的其它實(shí)施例可使用不同于流程圖100中所示的步驟。應(yīng)值得注意的是流程圖100中所示的工藝步驟系施行于晶圓上，于步驟150之前，該晶圓包括了形成于介電層中的接觸孔和在位于硅化物層上于接觸孔底部的自生氧化物層，其中介電層和硅化物層能位于基板的晶體管區(qū)域上(未顯示于任何圖中)。于圖2A和圖2B中的結(jié)構(gòu)250和252分別顯示了施行流程圖100的步驟150和152，于上述討論的結(jié)構(gòu)包括形成位于基板的晶體管區(qū)域之上的介電層中接觸孔結(jié)構(gòu)(未顯示于任何圖中)的結(jié)果。
茲參照?qǐng)D1中的步驟150和圖2A中的結(jié)構(gòu)250，于流程圖100的步驟150，阻擋層202沉積于介電層204之上、于接觸孔208的側(cè)壁206和207上、以及于位于接觸孔208底部212且亦位于硅化物層214上的自生氧化物層210上。如圖2A中所示，介電層204位于介電層216上，該介電層216位于基板(圖2A中未顯示)的晶體管區(qū)域上。介電層204能包括二氧化硅，該二氧化硅例如以電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝沉積。于本申請(qǐng)案中用PECVD工藝沉積的二氧化硅亦稱之為“PECVD”氧化物。自生氧化物層210位于接觸孔208底部212的硅化物層214上，并可包括熱生長(zhǎng)氧化物。舉例而言，自生氧化物層210能夠具有10.0埃( )至50.0埃之間的厚度。阻擋層202能夠以此技術(shù)已知方式沉積于接觸孔208的側(cè)壁206和207上、在原有的氧化物層210之上、以及于介電層204上，并能夠包括鈦/氮化鈦(Ti/TiN)。于其它實(shí)施例中，阻擋層202可包括不同金屬的組合，或?yàn)檫m當(dāng)?shù)膯我唤饘?。于本?shí)施例中，沉積的阻擋層202可最優(yōu)化，而使得位于鄰接接觸孔208頂部的頂角區(qū)域222的阻擋層202的部分218具有較位于接觸孔208底部212的阻擋層202的部分219有較厚的厚度。結(jié)果，阻擋層202的部分218于后續(xù)的濺射蝕刻工藝期間提供介電層204的頂角區(qū)域222的充分的保護(hù)。接觸孔208的側(cè)壁206和207之間距離的接觸孔寬度220于本申請(qǐng)案中亦稱之為“電接觸寬度”。茲參照?qǐng)D2A，藉由結(jié)構(gòu)250而顯示流程圖100的步驟150的結(jié)果。繼續(xù)于圖1的步驟152和圖2B的結(jié)構(gòu)252，于流程圖100的步驟152，移除阻擋層202的部分219和位于接觸孔208的底部212的自生氧化物層210，以曝露硅化物層214。能藉由使用包含氬氣的噴濺蝕刻工藝來(lái)移除位于接觸孔208底部212的阻擋層202部分219和自生氧化物層210。噴濺蝕刻工藝亦移除位于側(cè)壁206和207頂部的阻擋層202部分。然而，因?yàn)樽钃鯇?02(圖2A中所示)的部分218具有充分厚度保護(hù)介電層204的頂角區(qū)域222，因此頂角區(qū)域222于濺射蝕刻工藝期間并不被蝕刻。結(jié)果，接觸孔寬度220于濺射蝕刻工藝期間并不增加。接觸孔208于后續(xù)的步驟中能填滿譬如鎢的金屬，以完成接觸形成。參照?qǐng)D2B，藉由結(jié)構(gòu)252而顯示流程圖100的步驟152。
因此，于圖1中本發(fā)明的實(shí)施例，藉由于施行濺射蝕刻工藝以移除自生氧化物層210之前形成阻擋層202，并最優(yōu)化形成的阻擋層202，本發(fā)明避免了蝕刻介電層204的頂角區(qū)域222。結(jié)果，本發(fā)明有利地完成了具有于接觸形成工藝期間不增加接觸孔寬度的接觸。
圖3顯示依照本發(fā)明的一實(shí)施例在晶圓的晶體管區(qū)域上形成接觸的范例方法流程圖。某些詳細(xì)說(shuō)明和特征對(duì)于熟悉此項(xiàng)技術(shù)者而言乃顯而易知，因此并未示出于流程圖300中。例如，一個(gè)步驟可由一個(gè)或多個(gè)次步驟組成，或可包含于此技術(shù)方面已知的特定的裝備或材料。指示于流程圖300中的步驟350和352可充分說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例，本發(fā)明的其它實(shí)施例可使用不同于流程圖300中所示的步驟。應(yīng)值得注意的是流程圖300中所示的工藝步驟系施行于晶圓上，于步驟350之前，該晶圓包括了形成于介電層中的接觸孔和在位于硅化物層上于接觸孔底部的自生氧化物層上的接觸孔，其中介電層和硅化物層能位于基板的晶體管區(qū)域上(于任何圖中未顯示)。于圖4A和圖4B中的結(jié)構(gòu)350和352分別顯示了施行流程圖300的步驟350和352，于上述討論的結(jié)構(gòu)包括形成于基板的晶體管區(qū)域上的介電層中接觸孔結(jié)構(gòu)(于任何圖中未顯示)的結(jié)果。
茲參照?qǐng)D3中的步驟350和圖4A中的結(jié)構(gòu)450，于流程圖300的步驟350，藉由使用反應(yīng)氫預(yù)清潔(reactive hydrogen pre-clean)430，移除于接觸孔408的底部412的自生氧化物層410。值得注意的是，雖然于步驟350移除了自生氧化物層410，但是自生氧化物層410顯示于圖4A中作為本發(fā)明所呈現(xiàn)實(shí)施例的較佳顯示。于圖4A中，于結(jié)構(gòu)450中的介電層404和416、側(cè)壁406和407、接觸孔408、原有氧化層410、和硅化物層414，分別對(duì)應(yīng)于圖2A中于結(jié)構(gòu)250中的介電層204和216、側(cè)壁206和207、接觸孔208、原有氧化層210、和硅化物層214。于本實(shí)施例中，介電層404包括PECVD氧化物，該P(yáng)ECVD氧化物于沉積后可于退火工藝中變堅(jiān)固。因此，介電層404較包含于室溫?zé)嵘L(zhǎng)氧化硅的自生氧化物層410更堅(jiān)固。結(jié)果，當(dāng)原有的氧化物層410藉由反應(yīng)氫預(yù)清潔(亦即反應(yīng)氫預(yù)清潔430)而蝕刻掉(亦即，移除)時(shí)，并未蝕刻位于側(cè)壁406頂部介電層404的頂角區(qū)域422。因此，于施行反應(yīng)氫預(yù)清潔430后，接觸孔408的側(cè)壁406與407之間距離的接觸孔寬度420并未增加。接觸孔寬度420相似于圖2A中的接觸孔寬度220，并于本申請(qǐng)案中亦稱之為“電接觸寬度”。參照?qǐng)D4A，藉由結(jié)構(gòu)450而顯示流程圖300的步驟350的結(jié)果。
繼續(xù)于圖3中的步驟352和圖4B中的結(jié)構(gòu)452，于流程圖300的步驟352，阻擋層432沉積于接觸孔408的側(cè)壁406和407上、位于接觸孔408的底部412的硅化物層414上、和介電層404的上。能夠用于此技術(shù)方面已知方式來(lái)沉積阻擋層432，并能包括Ti/TiN。于其它的實(shí)施例中，阻擋層432可包括不同金屬的組合，或?yàn)檫m當(dāng)?shù)膯我唤饘?。接觸孔408于后續(xù)的步驟中能填滿譬如鎢的金屬，以完成接觸形成。參照?qǐng)D4B，藉由結(jié)構(gòu)452而顯示流程圖300步驟352的結(jié)果。
因此，于圖3中本發(fā)明的實(shí)施例，于沉積阻擋層于接觸孔的前，藉由使用反應(yīng)氫預(yù)清潔工藝以移除于接觸孔底部的自生氧化物層，故本發(fā)明有利地提供了具有于接觸形成工藝期間不增加接觸孔寬度的接觸。
圖5顯示依照本發(fā)明的實(shí)施例在晶圓晶體管區(qū)域上形成接觸的范例方法流程圖。某些詳細(xì)說(shuō)明和特征對(duì)于熟悉此項(xiàng)技術(shù)者而言乃顯而易知，因此并未示出于流程圖500中。例如，一個(gè)步驟可由一個(gè)或多個(gè)次步驟組成，或可包含于此技術(shù)方面已知的特定的裝備或材料。指示于流程圖500中的步驟550和552可充分說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例，本發(fā)明的其它實(shí)施例可使用不同于流程圖500中所示的步驟。應(yīng)值得注意的是流程圖500中所示的工藝步驟系施行于晶圓上，于步驟550之前，該晶圓包括了形成于介電層中的接觸孔和在位于硅化物層上于接觸孔的底部的原有硅化物層，其中介電層和硅化物層能位于基板的晶體管區(qū)域上(于任何圖中未顯示)。于圖6A和圖6B中的結(jié)構(gòu)550和552分別顯示了施行流程圖500的步驟550和552，于上述討論的結(jié)構(gòu)包括形成位于基板的晶體管區(qū)域之上的介電層中接觸孔結(jié)構(gòu)(于任何圖中未顯示)的結(jié)果。
茲參照?qǐng)D5中的步驟550和圖4A中的結(jié)構(gòu)450，于流程圖500的步驟550，阻擋層602沉積于接觸孔608的側(cè)壁606和607上、于接觸孔608底部612的自生氧化物層610上、和于介電層616上介電層604之上。圖5中的步驟550對(duì)應(yīng)于圖3中的步驟350。詳言之，圖6A中的結(jié)構(gòu)650中的阻擋層602、介電層604和616、側(cè)壁606和607、接觸孔608、自生氧化物層610、底部612、硅化物層614、部分618、部分619、接觸孔寬度620、以及頂角區(qū)域622分別對(duì)應(yīng)于圖2A中的阻擋層202、介電層204和216、側(cè)壁206和207、接觸孔208、自生氧化物層210、底部212、硅化物層214、部分218、部分219、接觸孔寬度220、以及頂角區(qū)域222。因此，相似于圖2A中的接觸孔寬度220，接觸孔寬度620于本申請(qǐng)案中亦稱之為“電接觸寬度”。相似于圖2A中的阻擋層202，阻擋層602的沉積于本實(shí)施例中能最優(yōu)化，而使得位于鄰接于接觸孔608頂部的頂角部分222的阻擋層602的部分618具有較之位于接觸孔608之底部612的阻擋層602的部分619有較厚的厚度。參照?qǐng)D6A，藉由結(jié)構(gòu)650顯示流程圖500的步驟550的結(jié)果。
繼續(xù)圖5中的步驟552和圖6B中的結(jié)構(gòu)652，于流程圖500的步驟552，同步濺射蝕刻/沉積工藝以移除位于接觸孔608底部612的硅化物層614上的自生氧化物層610。于此同步濺射蝕刻/沉積工藝中，使用氬氣于濺射蝕刻，及可使用例如濺射沉積技術(shù)將Ti/TiN沉積于接觸孔608的側(cè)壁606和底部612。同步濺射蝕刻/沉積工藝能使用適當(dāng)?shù)臑R射蝕刻/沉積率，而能蝕刻掉(亦即，移除)自生氧化物層610。舉例而言，可選擇氬氣和Ti/TiN分子的比例，以達(dá)成1.0至2.0之間的濺射蝕刻/沉積比。因此，藉由使用濺射蝕刻/沉積比大于1.0，本實(shí)施例藉由沉積Ti/TiN回到接觸孔608的側(cè)壁606和607，而達(dá)到移除自生氧化物層610，并同時(shí)保護(hù)介電層604的頂角區(qū)域622。接觸孔608于后續(xù)步驟能填滿譬如鎢的金屬，而完成接觸形成。參照?qǐng)D6B，藉由結(jié)構(gòu)652而說(shuō)明流程圖500步驟552的結(jié)果。
因此，于圖5中本發(fā)明的實(shí)施例中，藉由使用同步濺射蝕刻/沉積工藝，本發(fā)明達(dá)成移除位于硅化物層之上且接觸孔底部處的自生氧化物層，并同時(shí)防止于接觸形成期間不期望的接觸孔寬度增加。
因此，如上的討論，于圖1、3、5中本發(fā)明的實(shí)施例中，藉由適當(dāng)?shù)剡x擇用于噴濺蝕刻和阻擋層沉積工藝的序列和技術(shù)，本發(fā)明達(dá)成移除接觸孔底部處的自生氧化物層，并同時(shí)防止于接觸形成期間不期望的接觸孔寬度增加。反之，習(xí)知的接觸形成工藝，在阻擋層沉積之前使用氬噴濺蝕刻移除自生氧化物層，得到不期望的接觸孔寬度增加。
從上述的本發(fā)明的范例實(shí)施例，很顯然的可使用各種技術(shù)來(lái)執(zhí)行本發(fā)明的概念而不會(huì)偏離本發(fā)明的范圍。而且，雖然已特別參照某些實(shí)施例而說(shuō)明本發(fā)明，但是熟悉此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解到，該等實(shí)施例于形式和細(xì)部上可作各種改變，而不會(huì)偏離本發(fā)明的精神和范圍。所說(shuō)明的范例實(shí)施例于所有相關(guān)方面系為描述性，而不是用為限制性。亦應(yīng)了解到本發(fā)明并不限于此處所描述的特別范例實(shí)施例，而是能夠作許多的再配置、修飾、和替代，且不會(huì)偏離本發(fā)明的范圍。
因此，如上說(shuō)明于接觸形成期間可防止接觸孔寬度增加的方法。
權(quán)利要求
1.一種在位于半導(dǎo)體芯片中的硅化物層(214)上形成接觸的方法，該方法包括以下步驟在接觸孔(208)的側(cè)壁(206、207)上以及在位于該接觸孔(208)底部的自生氧化物層(210)上沉積(150)阻擋層(202)，該側(cè)壁(206、207)由介電層(204)中的該接觸孔(208)所界定；移除(152)該阻擋層(202)的一部分(219)和位于該接觸孔(208)底部的該自生氧化物層(210)，以暴露該硅化物層(214)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中移除(152)該阻擋層(202)的一部分(219)和位于該接觸孔(208)底部的該自生氧化物層(210)的該步驟包括利用濺射蝕刻工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該介電層(204)包括鄰接該接觸孔(208)的頂角區(qū)域(222)，其中該介電層(204)的該頂角區(qū)域(222)于移除(152)該阻擋層(202)的一部分(219)和位于該接觸孔(208)底部的該自生氧化物層(210)的該步驟期間并未被蝕刻。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該接觸孔(208)具有電接觸寬度(220)，其中該電接觸寬度(220)并不被該濺射蝕刻工藝所增大。
5.一種在位于半導(dǎo)體芯片的硅化物層(414)上形成接觸的方法，該方法包括以下步驟通過(guò)使用反應(yīng)氫預(yù)清潔工藝(430)而移除(350)位于接觸孔(408)底部的該硅化物層(414)上的自生氧化物層(410)，該側(cè)壁(406、407)由介電層(404)中的該接觸孔(408)所界定，該介電層(404)具有鄰接該接觸孔(408)的頂角區(qū)域(422)；沉積(352)阻擋層(432)于該接觸孔(408)的該側(cè)壁(406、407)上和該硅化物層(414)之上。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該反應(yīng)氫預(yù)清潔工藝(430)并不蝕刻該介電層(404)的該頂角區(qū)域(422)。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該接觸孔(408)具有電接觸寬度(420)，其中該電接觸寬度(420)并不被該反應(yīng)氫預(yù)清潔工藝(430)所增大。
8.一種在位于半導(dǎo)體芯片的硅化物層(614)上形成接觸的方法，該方法包括以下步驟在接觸孔(608)的側(cè)壁(606、607)上以及在位于該接觸孔(608)底部的自生氧化物層(610)上沉積(550)阻擋層(602)，該側(cè)壁(606、607)由介電層(604)中的該接觸孔(608)所界定，該自生氧化物層(610)位于該硅化物層(614)上；通過(guò)使用濺射蝕刻/沉積工藝移除(552)位于該接觸孔(608)底部的該硅化物層(614)上的該自生氧化物層(610)。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中移除(552)位于該接觸孔(608)底部的該硅化物層(614)上的該自生氧化物層(610)的該步驟包括同步濺射蝕刻該阻擋層(602)和該自生氧化物層(610)，并沉積鈦/氮化鈦于該阻擋層(602)上。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該接觸孔(608)具有電接觸寬度(620)，其中該電接觸寬度(620)并不被該濺射蝕刻/沉積工藝所增大。
全文摘要
依照一個(gè)范例實(shí)施例，一種在半導(dǎo)體芯片中的硅化物層(214)之上形成接觸的方法，包括步驟在接觸孔(208)側(cè)壁(206、207)上和在位于接觸孔(208)底部的自生氧化物層(210)上沉積阻擋層(202)，其中該側(cè)壁(206、207)由介電層(204)中的接觸孔(208)所界定。該沉積(150)阻擋層(202)于接觸孔(208)的側(cè)壁(206、207)和于自生氧化物層(210)上的步驟(150)能夠最優(yōu)化，而使得阻擋層(202)在接觸孔(208)的頂部具有較在該接觸孔(208)的底部厚的厚度。依照此范例實(shí)施例，本方法復(fù)包括移除(152)阻擋層(202)的一部分(219)和位于在接觸孔(208)底部的自生氧化物層(210)，以暴露硅化物層(214)的步驟。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1883045SQ200480033777
公開(kāi)日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月8日
發(fā)明者D·M·霍珀, H·木下, C·吳 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司