專利名稱：具有冷卻裝置的電感元件和該元件的應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于形成一個(gè)磁回路的電感元件，該電感元件具有至少一個(gè)金屬絲繞組和至少一個(gè)用于冷卻該金屬絲繞組的冷卻裝置。
一個(gè)電子鎮(zhèn)流器(EVG)在照明領(lǐng)域中作為電子變壓器和/或換流器使用。電子鎮(zhèn)流器具有至少一個(gè)電感元件。該電感元件例如是一個(gè)扼流線圈或者一個(gè)變壓器。該電感元件具有一個(gè)金屬絲繞組。該金屬絲繞組具有一個(gè)導(dǎo)電體的許多繞圈，用于通過在導(dǎo)體中流動(dòng)的電流產(chǎn)生一個(gè)磁通量。該金屬絲繞組也用于通過繞組中磁感應(yīng)的變化產(chǎn)生一個(gè)電壓。為了加大磁感應(yīng)、并為了減少漏磁損失，所述金屬絲繞組大多位于一個(gè)含有鐵磁材料的芯體上。所述鐵磁材料例如是一種鐵氧體。該芯體負(fù)責(zé)產(chǎn)生一個(gè)盡可能封閉的磁回路。
這些電子鎮(zhèn)流器越來越微型化。所述微型化尤其涉及電子鎮(zhèn)流器的一個(gè)電感元件。在一個(gè)相同的功率流量(Leistungsdurchsatz)條件下可以通過提高接通頻率實(shí)現(xiàn)一個(gè)電感元件的小結(jié)構(gòu)尺寸。但是提高接通頻率導(dǎo)致電損失增加，并由此降低電感元件的品質(zhì)Q。所述品質(zhì)是電感元件的一個(gè)電質(zhì)量的標(biāo)志。由于品質(zhì)降低，在電感元件越來越微型化時(shí)、尤其是在電感元件以一種高交流電壓運(yùn)行時(shí)導(dǎo)致一個(gè)不允許的高運(yùn)行溫度。
對(duì)于一個(gè)大變壓器形式的電感元件，例如一個(gè)用于冷卻所述金屬絲繞組的冷卻裝置利用一個(gè)借助于一種流體而運(yùn)行的冷卻回路來實(shí)現(xiàn)。這樣的解決方案對(duì)于一個(gè)已微型化的電感元件是不適合的。微型化的電感元件一般在空氣環(huán)境下運(yùn)行。這意味著，該元件的繞組僅僅通過環(huán)境空氣引起的對(duì)流進(jìn)行冷卻。但是這種冷卻形式可能不足以使運(yùn)行溫度降低到使電感元件的品質(zhì)滿足要求。
本發(fā)明的目的是，提供一個(gè)電感元件，它具有一個(gè)用于冷卻繞組的有效的冷卻裝置。
這個(gè)目的通過一個(gè)用于形成一個(gè)磁回路的電感元件得以實(shí)現(xiàn)，該電感元件具有至少一個(gè)金屬絲繞組和至少一個(gè)用于冷卻該金屬絲繞組的冷卻裝置。該電感元件的特征是，所述冷卻裝置具有至少一種含有至少一種聚合物材料和至少一種導(dǎo)熱的填料的復(fù)合材料。
所述復(fù)合材料最好由一種電絕緣的或者不良導(dǎo)電的聚合物材料組成，該聚合物材料具有一種導(dǎo)熱的且不良導(dǎo)電的填料。所述聚合物材料可以具有一種天然的和/或人造的聚合物。該天然聚合物例如是橡膠。人造聚合物例如是一種塑料。
所述聚合物材料在此作為復(fù)合材料的基材構(gòu)成一種基質(zhì)，在其中加入填料。在此可以存在多種填料。所述填料可以是粉狀或纖維狀的。一種填料顆粒的直徑可以在100nm至100μm的μm范圍中選擇。在此最好這樣選擇填料在聚合物材料中的填充率，使得超過一個(gè)凝結(jié)界限。在該凝結(jié)界限以下，各個(gè)填料顆粒接觸的可能性非常低。這將導(dǎo)致相對(duì)較低的單位導(dǎo)熱系數(shù)。如果超過凝結(jié)界限，那么填料顆粒就以相對(duì)較大的可能性進(jìn)行接觸。由此得到相對(duì)較高的復(fù)合材料單位導(dǎo)熱系數(shù)。
所述填料是導(dǎo)熱的，且最好也是電絕緣的或不良導(dǎo)電的。這將使該電感元件也可以以一個(gè)相對(duì)較高的工作電壓運(yùn)行。例如所述工作電壓可以直到2000V。所述復(fù)合材料即使在這個(gè)數(shù)量級(jí)的工作電壓下也是耐擊穿的。一種陶瓷材料特別適合于作為能導(dǎo)熱的、同時(shí)電絕緣的或不良導(dǎo)電的填料。例如氧化鋁(Al2O3)是一種具有上述特性的陶瓷材料。
為了有效地排出在電感元件運(yùn)行時(shí)在所述金屬絲繞組中產(chǎn)生的熱量，所述冷卻裝置的復(fù)合材料最好直接與金屬絲繞組連接。通過傳熱排出金屬絲繞組中的熱量。
在一個(gè)特殊的實(shí)施例中，所述冷卻裝置具有至少一個(gè)含有復(fù)合材料的薄膜，該薄膜與所述金屬絲繞組處于直接的導(dǎo)熱接觸。該薄膜與金屬絲繞組這樣連接，使得可以產(chǎn)生一種從繞組向著薄膜的傳熱。所述薄膜與金屬絲繞組相互接觸。該薄膜的一個(gè)薄膜厚度(膜厚)為0.22mm。在此根據(jù)復(fù)合材料(聚合物材料的種類、填料的種類和填充度等)可以達(dá)到一個(gè)從0.15K/Wm到6.5K/Wm的單位導(dǎo)熱系數(shù)λ。盡管相對(duì)較薄的膜厚，在此也可以達(dá)到1kV至6kV的耐壓性。
為了保證通過冷卻裝置有效地排熱，尤其使用一個(gè)具有復(fù)合材料的軟薄膜。該薄膜可以塑性和/或彈性地變形。所述金屬絲繞組可以接近形狀配合連接地嵌入到薄膜中。在此一個(gè)在所述薄膜與金屬絲繞組之間的熱接觸面特別大，通過該接觸面產(chǎn)生導(dǎo)熱。
在一個(gè)特殊的改進(jìn)方案中，所述冷卻裝置具有至少一種澆注物料，該澆注物料具有至少另一種含有至少另一種聚合物材料和至少另一種導(dǎo)熱的填料的復(fù)合材料，并且該澆注物料與金屬絲繞組和/或薄膜處于直接的導(dǎo)熱接觸。所述復(fù)合材料和另一種復(fù)合材料可以是相同的或不同的。該復(fù)合材料和另一種復(fù)合材料的各個(gè)組分也可以是相同的或不同的。所述金屬絲繞組和/或薄膜部分地或完全地嵌入到具有另一種復(fù)合材料的澆注物料中。因?yàn)樗隽硪环N復(fù)合材料是能夠?qū)岬?、并且由于所述嵌入使得在澆注物料與金屬絲繞組或薄膜之間呈現(xiàn)一種幾乎完全的形狀配合連接，因此可以使金屬絲繞組和薄膜的熱量通過澆注物料非常有效地排出。通過使用所述澆注物料此外還在電感元件內(nèi)部導(dǎo)致一種均勻的溫度分布。該元件的金屬絲繞組被均勻地冷卻。這一點(diǎn)同樣有助于提高電感元件的品質(zhì)。
不僅對(duì)于薄膜而且對(duì)于澆注物料都能夠在該澆注物料、薄膜與金屬絲繞組之間存在中間空間(空心空間)，該中間空間充滿空氣并因此有助于澆注物料、薄膜與金屬絲繞組相互間的隔熱。由于所述中間空間使得不再能夠?qū)崿F(xiàn)有效的排熱。因此在一種特殊的改進(jìn)方案中，一個(gè)位于所述薄膜與金屬絲繞組之間的、和/或位于澆注物料與金屬絲繞組之間的中間空間具有一種用于對(duì)于該中間空間進(jìn)行熱跨接(thermische Ueberbrueckung)的導(dǎo)熱材料。該中間空間最好完全充滿導(dǎo)熱材料。這一點(diǎn)導(dǎo)致更好地從繞組中排熱。對(duì)此最好使用一種導(dǎo)熱材料，該導(dǎo)熱材料附加地也是電絕緣的。因此所述導(dǎo)熱材料尤其選自油、膏、蠟和/或粘接劑。通過這種導(dǎo)熱的、同時(shí)電絕緣的材料保證，即使在使用高工作電壓時(shí)也得到一種對(duì)此所需的耐壓性。
所述電感元件的冷卻裝置這樣構(gòu)成使得在電感元件工作時(shí)在金屬絲繞組中產(chǎn)生的熱量可以有效地向外排出。為此由冷卻裝置的復(fù)合材料繼續(xù)排出熱量。例如通過對(duì)流實(shí)現(xiàn)所述熱量的繼續(xù)排出。為此在具有復(fù)合材料的冷卻裝置旁邊導(dǎo)引一種流體，該流體可以接收熱量。該流體例如是一種液體或一種氣體或混合氣。
熱量的繼續(xù)排出最好通過傳熱實(shí)現(xiàn)。因此在一種特殊的改進(jìn)方案中，所述具有復(fù)合材料的薄膜和/或所述具有復(fù)合材料的澆注物料通過一種傳熱機(jī)構(gòu)導(dǎo)熱地與一個(gè)吸熱機(jī)構(gòu)連接。借助于所述吸熱機(jī)構(gòu)，負(fù)責(zé)在電感元件工作時(shí)在繞組、冷卻裝置與吸熱機(jī)構(gòu)之間存在盡可能小的溫度差。為此最好這樣構(gòu)成吸熱機(jī)構(gòu)使得它可以接收大的熱量。該吸熱機(jī)構(gòu)的熱容量是大的。也可以設(shè)想，吸熱機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)有效地排出熱量。該吸熱機(jī)構(gòu)例如是一個(gè)由一種材料制成的冷卻體，這種材料的特征是高的導(dǎo)熱性。為了保持熱量梯度，該冷卻體可以通過對(duì)流進(jìn)行冷卻。
所述電感元件最好是一個(gè)扼流線圈或者一個(gè)變壓器。一個(gè)扼流線圈對(duì)于直流電是通流的。而與此相反通過該扼流線圈限制交流電，該扼流線圈對(duì)于高頻電流具有一種高的電抗。所述變壓器由至少兩個(gè)金屬絲繞組組成。但是對(duì)變壓器也可以設(shè)置多于兩個(gè)的金屬絲繞組。也可以選擇由一個(gè)金屬絲繞組組成的變壓器，該金屬絲繞組通過一個(gè)電抽頭分成兩個(gè)部分。
按照本發(fā)明的第二觀點(diǎn)，在一個(gè)電子鎮(zhèn)流器中使用電感元件，其中將一個(gè)電輸入功率轉(zhuǎn)換成一個(gè)電輸出功率。輸入功率與輸出功率一般是不同的。在此該元件尤其以一個(gè)具有從包括100kHz至包括200MHz的范圍的頻率的交流電壓進(jìn)行工作。這個(gè)頻率范圍稱為高頻范圍。為了在高頻技術(shù)中應(yīng)用，該電感元件尤其具有一個(gè)由鐵磁芯材料制成的芯體，這種芯材料適合于高頻。例如該芯材料是一種具有一個(gè)約10MHz的極限頻率的M33芯材料形式的鐵氧體。這種芯材料具有錳和鋅。同樣可以設(shè)想一種K1，K6或K12芯材料。這些芯材料具有鎳和鋅。所述K6芯材料具有例如7MHz的極限頻率。
在高頻應(yīng)用方面，所述金屬絲繞組最好具有一個(gè)由許多相互電絕緣的單根導(dǎo)線組成的高頻絞線。一根絞線是一個(gè)由許多金屬絲線(單根導(dǎo)線)卷繞或編織的導(dǎo)線。在一根高頻絞線中，所述單根導(dǎo)線相互間絕緣，以便減少由于集膚效應(yīng)和渦流引起的損失。由此與一根具有不相互絕緣的單根導(dǎo)線的絞線相比，以相同的橫截面實(shí)現(xiàn)一個(gè)更低的高頻損失電阻。所述單根導(dǎo)線尤其具有至少一個(gè)由從包括10μm至包括50μm范圍中選擇出的單根導(dǎo)線直徑。尤其從包括10根至包括30根的范圍中選擇所述數(shù)量(Vielzahl)。例如10根和更多的單根導(dǎo)線組成一個(gè)高頻絞線。由此制成具有相對(duì)較大表面的、并由此具有相對(duì)較低的高頻損失電阻的金屬絲繞組。
在一種特殊的改進(jìn)方案中，使用一個(gè)直到2000V的交流電壓。已經(jīng)證實(shí)，借助于所述間隙即使在具有頻率為幾兆赫的幾百伏電壓時(shí)也能夠?qū)崿F(xiàn)一種高品質(zhì)。這能夠使所述電感元件微型化，并且盡管如此也可實(shí)現(xiàn)一個(gè)在高品質(zhì)和低內(nèi)損的情況下的高的功率流量。因此該電感元件也可以稱為一個(gè)微型化的HF-HV(高頻高壓)元件。
所述電感元件也可以在一個(gè)啟動(dòng)變壓器中，用于點(diǎn)燃一個(gè)放電燈。為了點(diǎn)燃所述放電燈，使該放電燈通過一個(gè)具有高交流電壓(起始電壓)的電路進(jìn)行控制。因此在另一改進(jìn)方案中使用一個(gè)電壓脈沖，它具有一個(gè)直至40kV的交流電壓。該電感元件通過這個(gè)高交流電壓在幾μm(點(diǎn)火持續(xù)時(shí)間)以內(nèi)瞬時(shí)地進(jìn)行控制。
總之，本發(fā)明具有下列主要優(yōu)點(diǎn)-借助于冷卻裝置可以有效地排出在電感元件工作時(shí)在金屬絲繞組中產(chǎn)生的熱量。通過有效地排出所述熱量，導(dǎo)致金屬絲繞組相對(duì)微小的溫升。該微小的溫升導(dǎo)致在金屬絲繞組中相對(duì)微小的電阻增加。由此實(shí)現(xiàn)一種與一個(gè)未冷卻的金屬絲繞組相比更高的電感元件品質(zhì)。
-通過使用所述澆注物料，此外還在電感元件內(nèi)部導(dǎo)致一種均勻的溫度分布。該元件的金屬絲繞組被均勻地冷卻。這同樣有助于提高電感元件的品質(zhì)。
-由于有效的冷卻，即使在高頻應(yīng)用的情況下也可以使用一個(gè)具有高的功率流量的微型化的電感元件。
下面借助于多個(gè)實(shí)施例和附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明。該附圖是示意圖并且未以真實(shí)比例示出。


圖1至3分別以側(cè)面橫截面圖示出一個(gè)具有一個(gè)冷卻裝置的電感元件，圖4以一個(gè)側(cè)面橫截面圖示出一個(gè)具有冷卻裝置的電感元件的局部圖，圖5從側(cè)面示出一個(gè)電感元件，圖6a和6b俯視地并在沿著截切線I-I的橫截面圖中示出電感元件芯體的一個(gè)RM結(jié)構(gòu)形狀。
所述電感元件1是一個(gè)HF-HV(高頻高壓)變壓器(圖5)。該元件1具有一個(gè)金屬絲繞組3和一個(gè)芯體4。該金屬絲繞組通過一個(gè)繞組軸線12表示，沿著該繞組軸線纏繞金屬絲繞組3的導(dǎo)線。該金屬絲繞組3是一個(gè)具有30根單根導(dǎo)線的高頻絞線14。一個(gè)單根導(dǎo)線的導(dǎo)線直徑約為30μm。所述芯體4是一個(gè)鐵氧體芯并由一種M33芯體材料所制成。該芯體具有一個(gè)RM6芯體形狀(圖6a和6b)。該芯體是一個(gè)E形芯體與一個(gè)具有一個(gè)中心孔15的缽形芯體的組合物。該芯體4具有一個(gè)芯體中心間隙7，它圍繞中心孔15設(shè)置在金屬絲繞組3的內(nèi)部部位10中。另兩個(gè)間隙8在金屬絲繞組3的外部部位11中分別設(shè)置在芯體4的芯側(cè)腿6之一中。所有三個(gè)間隙7和8都是空氣間隙。該間隙7和8的間隙寬度基本等寬地分別約為3mm。
所述芯體基本上對(duì)稱。它由兩個(gè)與鏡面13鏡像對(duì)稱設(shè)置的部分5組成，該部分相互對(duì)置地設(shè)置在間隙7和8旁邊并通過間隙寬度9相互間隔距離。所述鏡面13位于三個(gè)間隙7和8中。通過這種結(jié)構(gòu)不僅使芯體4而且也使金屬絲繞組3基本對(duì)稱地設(shè)置。由此得到一個(gè)電感元件，它基本上對(duì)于鏡面13是對(duì)稱的。
為了實(shí)現(xiàn)一個(gè)相對(duì)較高的HF-HV變壓器品質(zhì)，對(duì)金屬絲繞組3進(jìn)行冷卻。為此存在一個(gè)用于冷卻金屬絲繞組3的冷卻裝置20。該冷卻裝置20具有一個(gè)帶有一種導(dǎo)熱的復(fù)合材料的薄膜21。該復(fù)合材料的基本材料是一種導(dǎo)熱且不良導(dǎo)電的聚合物材料。在聚合物材料中加入一種具有高導(dǎo)熱且低導(dǎo)電性的填料。該薄膜21具有一個(gè)約0.22mm的膜厚。單位導(dǎo)熱系數(shù)λ約為4K/Wm。電耐壓性達(dá)約6kV。
所述金屬絲繞組3的高頻絞線14和薄膜21圍繞一個(gè)匹配于RM6芯體形狀的繞組體30進(jìn)行纏繞。在此該薄膜21和金屬絲繞組3這樣圍繞繞組體30設(shè)置使金屬絲繞組3的高頻絞線14和薄膜21從繞組體30開始在徑向上交替纏繞(圖1和2)。所使用的薄膜21用作為金屬絲繞組3的高頻絞線14的中間絕緣層。由此得到一個(gè)離開金屬絲繞組3在徑向上有效的排熱路徑24。沿著排熱路徑24有效地排出在電感元件工作時(shí)在高頻絞線14中產(chǎn)生的熱量。
按照一個(gè)對(duì)此可替換的實(shí)施方式，所述金屬絲繞組3的高頻絞線14和多個(gè)薄膜21分別本身徑向地對(duì)準(zhǔn)繞組體30(圖3)。由此實(shí)現(xiàn)一個(gè)多室解決方案，它也稱為盤形繞組。在此通過排熱路徑24也負(fù)責(zé)有效地排熱。
為了繼續(xù)排出熱量，將電感元件1或電感元件1的冷卻裝置20加入到一個(gè)具有另一種能導(dǎo)熱的復(fù)合材料的澆注物料22(圖1和3)中。澆注物料22導(dǎo)熱地直接與金屬絲繞組3的一部分接觸。這意味著，通過金屬絲繞組3的高頻絞線14與薄膜21之間的熱接觸面可以將熱量通過傳熱而排出。為了有效地排出熱量，使?jié)沧⑽锪?2與吸熱機(jī)構(gòu)25通過傳熱導(dǎo)熱地連接。所述吸熱機(jī)構(gòu)25是一個(gè)由一種高導(dǎo)熱材料制成的板。由此在電感元件工作時(shí)在金屬絲繞組3與吸熱機(jī)構(gòu)25之間產(chǎn)生相對(duì)小的溫差。
對(duì)于澆注物料22也可以選擇通過一個(gè)具有相對(duì)較高導(dǎo)熱系數(shù)的排熱飛邊26繼續(xù)排熱(圖2)。排熱飛邊26通過一個(gè)具有相對(duì)較高的導(dǎo)熱系數(shù)的間隔陶瓷28與薄膜21連接，通過該導(dǎo)熱飛邊使薄膜21或金屬絲繞組3的熱量繼續(xù)朝著吸熱機(jī)構(gòu)25方向排出。
不僅在澆注物料22的情況下、而且在薄膜21的情況下可以存在中間空間27，該中間空間減少金屬絲繞組3以其冷卻的效率。按照另一實(shí)施方式使這些中間空間27通過一種導(dǎo)熱的且電絕緣的或?qū)щ姴涣嫉母嗵畛洹?br> 權(quán)利要求
1.用于形成一個(gè)磁回路的電感元件(1)，該電感元件具有至少一個(gè)金屬絲繞組(3)和至少一個(gè)用于冷卻該金屬絲繞組(3)的冷卻裝置(20)，其特征在于，所述冷卻裝置(20)具有至少一種含有至少一種聚合物材料和至少一種導(dǎo)熱的填料的復(fù)合材料。
2.如權(quán)利要求1所述的元件，其中，所述冷卻裝置(20)具有至少一個(gè)含有所述復(fù)合材料的薄膜(21)，該薄膜與所述金屬絲繞組處于直接的導(dǎo)熱接觸。
3.如權(quán)利要求1或2所述的元件，其中，所述冷卻裝置(20)具有至少一種澆注物料(22)，該澆注物料具有至少另一種含有至少另一種聚合物材料和至少另一種導(dǎo)熱的填料的復(fù)合材料，并且該澆注物料與金屬絲繞組(3)和/或薄膜(21)處于直接的導(dǎo)熱接觸。
4.如權(quán)利要求3所述的元件，其中，一個(gè)存在于薄膜(21)與金屬絲繞組(3)之間的、和/或存在于澆注物料(22)與金屬絲繞組(3)之間的中間空間(27)具有一種用于對(duì)于中間空間(27)進(jìn)行熱跨接的導(dǎo)熱材料。
5.如權(quán)利要求4所述的元件，其中，所述導(dǎo)熱材料選自油、膏、蠟和/或粘接劑。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的元件，其中，所述具有復(fù)合材料的薄膜(21)和/或所述具有另一復(fù)合材料的澆注物料(22)通過一種傳熱機(jī)構(gòu)導(dǎo)熱地與一個(gè)吸熱機(jī)構(gòu)(25)連接。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的元件，其中，存在一個(gè)具有一種適用于高頻的鐵磁芯材的芯體。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的元件，其中，所述金屬絲繞組(3)具有一種高頻絞線(14)，該高頻絞線具有許多相互電絕緣的單根導(dǎo)線。
9.如權(quán)利要求8所述的元件，其中，所述單根導(dǎo)線具有至少一個(gè)從包括10μm至包括50μm范圍中選擇的單根導(dǎo)線直徑。
10.如權(quán)利要求6或9所述的元件，其中，從包括10根至包括30根的范圍中選擇數(shù)量。
11.如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的元件，其中，所述元件是一個(gè)扼流線圈或一個(gè)變壓器。
12.在一個(gè)電子鎮(zhèn)流器中對(duì)于一個(gè)如權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的元件的應(yīng)用，其中，將一個(gè)電輸入功率轉(zhuǎn)換成一個(gè)電輸出功率。
13.如權(quán)利要求12所述的應(yīng)用，其中，所述元件以一種具有從包括100kHz至包括200MHz范圍的頻率的交流電壓進(jìn)行工作。
14.如權(quán)利要求12或13所述的應(yīng)用，其中，使用一種直到2000V的交流電壓。
15.如權(quán)利要求13或14所述的應(yīng)用，其中，使用一種電壓脈沖，它具有一個(gè)直至40kV的交流電壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于形成一個(gè)磁回路的電感元件(1)，該元件具有至少一個(gè)金屬絲繞組(3)和至少一個(gè)用于冷卻該金屬絲繞組的冷卻裝置(20)。該電感元件的特征是，所述冷卻裝置具有至少一種含有至少一種聚合物材料和至少一種導(dǎo)熱的填料的復(fù)合材料。借助于所述冷卻裝置可以有效地排出在電感元件工作時(shí)在金屬絲繞組中產(chǎn)生的熱量。在一種高頻應(yīng)用中，對(duì)于電感元件尤其使用一個(gè)具有一個(gè)高頻絞線的金屬絲繞組和一個(gè)具有一個(gè)適合于高頻的芯材的芯體。由此實(shí)現(xiàn)一個(gè)微型化的電感元件，它即使在高的功率流量時(shí)也具有一個(gè)高的品質(zhì)Q，并由此具有低的電損失。該電感元件使用在照明領(lǐng)域中的一個(gè)所謂的電子鎮(zhèn)流器(EVG)中。
文檔編號(hào)H01F27/22GK1839450SQ200480020622
公開日2006年9月27日 申請(qǐng)日期2004年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月18日
發(fā)明者M·洪斯伯格-里德爾, J·奧托, E·沃爾夫?qū)?申請(qǐng)人:電燈專利信托有限公司