專利名稱：彩色電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及彩色電致發(fā)光顯示裝置，特別是具有像素陣列的有源矩陣顯示裝置，其中像素包括發(fā)光電致發(fā)光顯示元件和薄膜晶體管。更具體而言，本發(fā)明涉及一種彩色有源矩陣電致發(fā)光顯示裝置，其像素包括對(duì)顯示元件發(fā)射出的光作出響應(yīng)并用于控制顯示元件的激勵(lì)的感光元件。
采用電致發(fā)光、發(fā)光顯示元件的彩色矩陣顯示裝置是眾所周知的。顯示元件通常包括有機(jī)薄膜電致發(fā)光元件(OLED)，包含聚合物材料(PLED)或發(fā)光二極管(LED)。對(duì)于全色顯示器，陣列通常包括三組顯示元件分別發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的像素。
這種顯示裝置中的顯示元件是電流驅(qū)動(dòng)的，且常規(guī)的模擬驅(qū)動(dòng)方案涉及向顯示元件輸送可控電流。通常，設(shè)置電流源晶體管作為像素結(jié)構(gòu)的一部分，由提供給電流源晶體管的柵電壓決定通過電致發(fā)光(EL)顯示元件的電流。在尋址階段之后，存儲(chǔ)電容器保持該柵電壓。EP-A-0717446中描述了這種像素電路的一個(gè)例子。從而，每個(gè)像素包括EL顯示元件和相關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路具有通過行導(dǎo)線上的行尋址脈沖導(dǎo)通的尋址晶體管。當(dāng)尋址晶體管導(dǎo)通時(shí)，列導(dǎo)線上的數(shù)據(jù)電壓可被傳送到該像素的其余部分。特別是，尋址晶體管將列導(dǎo)線電壓提供給電流源，該電流源包括驅(qū)動(dòng)晶體管和與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連的存儲(chǔ)電容器。列數(shù)據(jù)電壓被提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，并且通過存儲(chǔ)電容器，即使在行尋址脈沖結(jié)束之后柵極也能保持該電壓。該電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管為p-溝道TFT(薄膜晶體管)，從而存儲(chǔ)電容器保持柵-源電壓固定。這導(dǎo)致固定的源-漏電流流過晶體管，從而提供像素的所需電流源操作。在它們的尋址之后，可以將像素激勵(lì)一擴(kuò)展的驅(qū)動(dòng)周期(長(zhǎng)達(dá)幀時(shí)間)，同時(shí)在尋址周期期間所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)決定隨后驅(qū)動(dòng)周期中像素的輸出水平。
在上面的基本像素電路中，LED材料的不同老化或劣化，導(dǎo)致顯示器上圖像質(zhì)量有差異。已經(jīng)提出了可補(bǔ)償LED材料的老化的改進(jìn)的電壓-尋址像素電路。這些電路包括對(duì)顯示元件的光輸出作出響應(yīng)、并根據(jù)光輸出泄漏存儲(chǔ)電容器上存儲(chǔ)的電荷的感光元件，從而控制像素初始尋址之后驅(qū)動(dòng)周期期間顯示元件的累積光輸出。在WO01/20591中詳細(xì)描述了這種像素結(jié)構(gòu)的例子。在一個(gè)實(shí)施例中，像素中的光電二極管將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器上的柵電壓放電，并且當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管上的柵電壓達(dá)到閾值電壓時(shí)，EL顯示元件停止發(fā)光，此時(shí)存儲(chǔ)電容器停止放電。電荷從光電二極管泄漏的速率是顯示元件輸出的函數(shù)，從而光電二極管用作感光反饋裝置。在另一實(shí)施例中，每個(gè)像素中包括光響應(yīng)TFT，實(shí)現(xiàn)類似的功能。在PCT專利申請(qǐng)IB03/03484(PHGB 020139)中描述了這種光反饋型像素電路的一種示例結(jié)構(gòu)，其中感光元件包括垂直結(jié)構(gòu)pin型光電二極管。在WO01/99191中描述了其中感光元件包括橫向柵控光敏薄膜器件(如橫向TFT或橫向柵控pin器件)的像素電路的一種示例結(jié)構(gòu)。
通過這種設(shè)置，顯示元件產(chǎn)生與EL顯示元件效率和老化補(bǔ)償無關(guān)的光輸出。此外，該像素電路還能補(bǔ)償為像素供電的載流線中發(fā)生的電壓降效應(yīng)。參考D.A.Fish等人的文章“A comparison of pixelcircuits for Active Matrix Polymer/Organic LED Displays”(32.1，SID 02 Digest，2002年5月)。
這種技術(shù)在改善顯示器質(zhì)量方面是有效的，從而不均勻性減小。不過，發(fā)現(xiàn)所實(shí)現(xiàn)的顯示質(zhì)量的問題依然明顯，特別是不同顏色像素顯示出不同性能的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種使用上述類型像素電路的改進(jìn)的彩色顯示裝置，該顯示裝置減少了上述問題。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面，提供一種包括顯示像素陣列的彩色有源矩陣電致發(fā)光顯示裝置，每個(gè)像素包括電致發(fā)光顯示元件；用于驅(qū)動(dòng)電流流過該顯示元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；存儲(chǔ)電容器，存儲(chǔ)用于尋址所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓；放電光敏元件，用于根據(jù)顯示元件的光輸出將存儲(chǔ)電容器放電；其中該陣列包括其顯示元件分別發(fā)射紅色、綠色和藍(lán)色光的紅、綠和藍(lán)像素組，其中紅像素組的放電光敏元件包括垂直pin光電二極管，藍(lán)像素組的放電光敏元件包括橫向光敏薄膜器件。
這種顯示裝置提供對(duì)于所有像素顏色波長(zhǎng)都顯著改善的像素靈敏度，改進(jìn)了對(duì)于所有顏色像素的劣化的校正。本發(fā)明源于以下認(rèn)識(shí)在已知裝置中陣列的所有像素內(nèi)使用相同種類的光敏元件，不能可靠地提供所期望的改進(jìn)，并且對(duì)于不同顏色的像素可能導(dǎo)致不同結(jié)果。這些差異是由所采用的光敏元件的光譜性質(zhì)引起的，更具體而言，由其對(duì)于不同顏色光的響應(yīng)效率的差異引起的。橫向柵控光敏器件(如TFT)工作于紅光下時(shí)的效率比工作于藍(lán)光或綠光下時(shí)的低，這是由于其使用薄膜層的原因，因此在使用這種器件的顯示裝置中紅色像素的操作特性不同于藍(lán)色和綠色像素的操作特性。另一方面，垂直pin二極管結(jié)構(gòu)包括相當(dāng)厚的結(jié)構(gòu)，并且對(duì)于紅光具有良好的響應(yīng)。不過，這些器件趨于對(duì)藍(lán)光的響應(yīng)表現(xiàn)出較差的效率。這是因?yàn)樵谶@些器件中，藍(lán)光趨于在包括p接觸層的頂面區(qū)域(假設(shè)該區(qū)域設(shè)置成面對(duì)從其接收光的顯示元件的電致發(fā)光發(fā)光層)中被吸收，從而對(duì)于光電流沒有貢獻(xiàn)。因此，可以想到采用這種光敏元件的顯示裝置中藍(lán)像素的性能與紅和綠像素不同，并且由于光電二極管對(duì)光的效率降低，使其老化有增大的趨勢(shì)。
由于pin光電二極管對(duì)于綠光的響應(yīng)特性趨于更好，從而在綠像素組中也優(yōu)選使用垂直pin光敏元件而非橫向類型。
從而，通過根據(jù)像素操作時(shí)光的顏色，為像素選用適當(dāng)種類的光敏元件，可增強(qiáng)與顏色有關(guān)的光敏性，并顯著改善顯示裝置性能。
橫向薄膜光敏器件可以為柵控器件，如橫向TFT或柵控橫向光電二極管器件，或者為非柵控器件，如橫向光電二極管或光敏電阻器。在對(duì)柵極進(jìn)行控制以確保使器件保持在其截止?fàn)顟B(tài)的某些像素電路中，柵控類器件是有益的。
現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的彩色有源矩陣電致發(fā)光顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例。例如，參照附圖，在附圖中

圖1為根據(jù)本發(fā)明的彩色有源矩陣電致發(fā)光顯示裝置一個(gè)實(shí)施例的一部分的簡(jiǎn)化示意圖；圖2表示圖1的裝置中一種顏色的典型像素的等效電路；圖3表示圖1的裝置中另一種顏色的典型像素的等效電路；圖4所示的曲線圖表示第一和第二種光敏元件的性能特性；以及圖5和6分別示意地表示圖2和3的像素中使用的第一和第二種光敏元件的剖面示例結(jié)構(gòu)。
可以理解附圖僅是示意性的，并未依照比例繪出。在附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似部件。
參照?qǐng)D1，彩色有源矩陣電致發(fā)光顯示裝置包括具有規(guī)則間隔的顯示像素(用方塊10表示)的行和列矩陣陣列的面板，每個(gè)顯示像素包括顯示元件和控制流過該顯示元件的電流的相關(guān)驅(qū)動(dòng)裝置，并位于相交的行(選擇)12與列(數(shù)據(jù))14尋址導(dǎo)線或線路組之間的各交叉處。此處為了簡(jiǎn)單僅表示出幾個(gè)像素。由包括連接各導(dǎo)線組端部的行掃描驅(qū)動(dòng)電路16和列數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路18的外圍驅(qū)動(dòng)電路，通過尋址導(dǎo)線組尋址像素10。在操作時(shí)，在一幀周期內(nèi)，利用電路16施加給相關(guān)行導(dǎo)線12的選擇信號(hào)依次尋址每行像素，以便根據(jù)電路18并行地提供給列導(dǎo)線的相應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)，為該行像素加載相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)，該數(shù)據(jù)信號(hào)決定尋址周期后的幀周期內(nèi)它們各自的顯示輸出。在尋址每行時(shí)，由電路18適當(dāng)?shù)赝捷斔蛿?shù)據(jù)信號(hào)。
每個(gè)像素10包括具有一對(duì)電極的發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示元件20，在該對(duì)電極之間設(shè)有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光材料的活性層。在該特定實(shí)施例中，所述材料包括聚合物L(fēng)ED材料，當(dāng)然可使用其它有機(jī)電致發(fā)光材料，如低分子量材料。該陣列的顯示元件與相關(guān)的有源矩陣電路一起設(shè)置在絕緣基板的表面上。基板是透明材料，例如玻璃，并且最靠近基板的各顯示元件20的電極由諸如ITO的透明導(dǎo)電材料形成，從而使電致發(fā)光層產(chǎn)生的光透過這些電極和基板，使得可由處于基板另一側(cè)的觀察者看到?？商鎿Q地，可以將像素設(shè)置成遠(yuǎn)離基板發(fā)射光。
像素陣列包括三組像素，其EL顯示元件分別發(fā)射三種不同顏色的光，即紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)光，將不同顏色的像素構(gòu)成相應(yīng)的列。
每個(gè)像素包括實(shí)施光學(xué)反饋控制技術(shù)的驅(qū)動(dòng)電路，在此情形中如WO01/20591中所述，引用其作為參考并將其披露的內(nèi)容引作參考。該電路包括對(duì)操作時(shí)涉及的像素的EL顯示元件發(fā)射的光作出響應(yīng)的放電光敏元件。不過，與上述公開文獻(xiàn)中所描述的顯示裝置不同，根據(jù)本發(fā)明，圖1的顯示裝置根據(jù)陣列中不同顏色的像素使用不同種類的光敏元件。
圖2表示陣列中一個(gè)典型像素的驅(qū)動(dòng)電路，該像素是產(chǎn)生紅或綠色光輸出的像素之一，并且該驅(qū)動(dòng)電路提供電壓尋址操作。在相同行中所有像素共享的電源線32與公共地線34之間，EL顯示元件20與驅(qū)動(dòng)晶體管22串聯(lián)連接，公共地線34包括陣列中所有顯示元件20共用的陰極層。驅(qū)動(dòng)電路包括尋址晶體管(TFT)26，該尋址晶體管通過施加給行導(dǎo)線12的行尋址脈沖而導(dǎo)通。在被導(dǎo)通時(shí)，列導(dǎo)線14上的數(shù)據(jù)電壓可被傳遞到該像素電路的其余部分。特別是，尋址晶體管26將列導(dǎo)線電壓輸送給電流源15，電流源15包括連接于晶體管22的柵結(jié)點(diǎn)與電源線32之間的驅(qū)動(dòng)晶體管22和存儲(chǔ)電容器24。從而該列電壓提供給驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極，通過存儲(chǔ)電容器24，即使在行尋址脈沖結(jié)束之后柵極也能保持該電壓。此處驅(qū)動(dòng)晶體管22為p-溝道薄膜晶體管TFT，從而使電容器24保持柵-源電壓固定。這導(dǎo)致固定的源-漏電流流過晶體管22，從而提供所需的像素的電流源操作。
為了補(bǔ)償LED材料的老化效應(yīng)，像素驅(qū)動(dòng)電路中包含的放電光敏元件27對(duì)顯示元件20的光輸出作出響應(yīng)，并響應(yīng)于該光輸出泄漏存儲(chǔ)電容器24上所存儲(chǔ)的電荷，從而控制尋址之后的周期期間顯示元件的累積光輸出。此處，光敏元件27包括在晶體管22的柵結(jié)點(diǎn)與線32之間與存儲(chǔ)電容器24并聯(lián)連接的垂直結(jié)構(gòu)pin光電二極管40，其陰極與線32連接，從而被施加反偏壓。由于響應(yīng)于光輸入產(chǎn)生的光電流，光敏元件使存儲(chǔ)在電容器24上的柵電壓放電，且當(dāng)該柵電壓達(dá)到晶體管22的閾值電壓電平時(shí)，EL顯示元件20將不再發(fā)光。電荷從元件27泄漏的速率是顯示元件光輸出的函數(shù)，從而該元件起到光敏反饋裝置的作用。
圖3表示陣列中一個(gè)典型的藍(lán)色像素的驅(qū)動(dòng)電路。該像素電路類似于圖2，不過此處放電光敏元件27包括橫向柵控光敏薄膜器件42。本實(shí)施例中的器件42包括與TFT26和22形式類似且同時(shí)制造的橫向結(jié)構(gòu)薄膜晶體管(TFT)。不過，與TFT22不同的是，TFT42是n-溝道器件。在線32與TFT22的柵結(jié)點(diǎn)之間，該TFT42的載流源電極和漏電極跨接在存儲(chǔ)電容器24上。TFT42的柵極同TFT22與顯示元件20的陽極之間的結(jié)點(diǎn)相連。
如同圖2像素的光電二極管40那樣，將TFT42設(shè)置成，使其暴露于工作時(shí)的顯示元件20發(fā)射出的光，并對(duì)該光作出響應(yīng)，以泄漏存儲(chǔ)電容器24上所存儲(chǔ)的電荷，以便控制像素尋址階段之后的周期期間顯示元件20的累積光輸出。與線32耦合的TFT42的漏結(jié)點(diǎn)被施加反偏壓并是感光的，從而入射在其上的來自顯示元件20的光導(dǎo)致在TFT42中產(chǎn)生與顯示元件的瞬時(shí)光輸出大小近似線性成比例的小光電流。將TFT42的柵極如此偏置其電壓相對(duì)于TFT22的柵結(jié)點(diǎn)為零或負(fù)，并且相對(duì)于線32為負(fù)，從而使其保持截止(非導(dǎo)電)狀態(tài)。因而，TFT42按照反向偏置光電二極管的方式僅僅起到泄漏器件的作用，如同圖4電路結(jié)構(gòu)的光電二極管40一樣。在引作參考的WO01/99191中描述了在光控EL像素電路中這種柵控光敏薄膜器件的使用以及構(gòu)成方式。
對(duì)于圖2和3的像素電路，存儲(chǔ)電容器24上存儲(chǔ)電荷的放電速率是顯示元件20的光輸出的函數(shù)?？捎上率浇平o出在這種驅(qū)動(dòng)電路的光學(xué)反饋控制下，顯示元件20的累積光輸出LT近似為L(zhǎng)T=CsnPD(V(o)-VT)]]>其中nPD為光敏元件27的效率，Cs為存儲(chǔ)電容器24的電容，V(o)為驅(qū)動(dòng)TFT22的初始柵-源電壓，VT為驅(qū)動(dòng)TFT22的閾值電壓。從而，光輸出與顯示元件效率無關(guān)，因而可實(shí)現(xiàn)對(duì)老化的補(bǔ)償。
光敏元件27的效率取決于其處理的光的顏色。在這方面，柵控橫向薄膜器件42在光譜的紅色區(qū)域中趨于表現(xiàn)較差的效率，因?yàn)槠溆杀∧咏M成。另一方面，相對(duì)較厚的垂直pin光電二極管能以相對(duì)較高的效率對(duì)紅光作出響應(yīng)。不過，這些器件對(duì)藍(lán)光的響應(yīng)較差，這主要是由于在表面區(qū)域(即，接收入射光的p(或n)接觸層)中藍(lán)光被很大程度地吸收，在此處其對(duì)所產(chǎn)生的光電流沒有貢獻(xiàn)。
因此，對(duì)于不同顏色的像素，通過使用不同種類的光敏元件，在發(fā)藍(lán)光的像素中使用橫向柵控薄膜器件42，在發(fā)紅和綠光的像素中使用垂直pin光電二極管，光敏元件的效率根據(jù)其處理的像素顏色被適當(dāng)選擇，與陣列中的所有像素都使用相同種類光敏元件的情形相比，對(duì)于所有顏色像素的性能而言，產(chǎn)生明顯改善的結(jié)果。
在圖4中用曲線圖說明不同顏色像素使用不同種類光敏元件的好處，在圖4中用曲線A表示活性硅層厚度(即TFT42的n-i-n或(p-i-p)半導(dǎo)體層的厚度)約為0.04μm的橫向TFT光敏器件的量子效率QE與波長(zhǎng)λ的關(guān)系，用曲線B表示i區(qū)域?qū)雍穸葹榇蠹s1μm的垂直pin光電二極管的量子效率QE與波長(zhǎng)λ的關(guān)系。R、G和B表示像素發(fā)射出的紅、綠和藍(lán)光的近似波長(zhǎng)。如從圖可以看出，垂直pin元件的量子效率的峰值處于紅與綠光波長(zhǎng)之間，而橫向TFT的量子效率在藍(lán)光波長(zhǎng)附近更高，比光電二極管元件在該波長(zhǎng)處獲得的量子效率要高得多。此外該曲線圖中虛線C和D所示為，在薄膜厚度大約1μm的情形中，在硅薄膜中(如橫向TFT或垂直pin光電二極管的i層中)對(duì)不同波長(zhǎng)λ的光的吸收，曲線D。
圖5和6分別示意地表示圖1顯示裝置的像素中使用的垂直pin光電二極管40和橫向柵控薄膜器件(TFT)的結(jié)構(gòu)的示例。
參照?qǐng)D5，光電二極管40設(shè)置在基板50上，基板50可以為顯示裝置的玻璃基板或設(shè)置在該基板上的絕緣層，并且制造在金屬層52上，該金屬層52提供與該元件的底部電極的接觸。光電二極管元件包括由相繼沉積且垂直層疊的薄膜氫化非晶硅(子)層形成的p-i-n結(jié)構(gòu)，最下層54包括n摻雜材料，直接形成在金屬層52上面，p摻雜層55為最上層。p層55被例如ITO透明導(dǎo)電層57覆蓋。除層57的主要部分之外，該光電二極管結(jié)構(gòu)被絕緣層58圍繞，從而箭頭L所示的輸入光能進(jìn)入光電二極管結(jié)構(gòu)。利用上金屬層60的相應(yīng)部分實(shí)現(xiàn)與光電二極管的電連接，所述相應(yīng)部分與ITO層57接觸并通過絕緣層58中形成的開口與下金屬層52接觸。通常，光電二極管結(jié)構(gòu)的中間本征i層54的厚度為大約0.2到1.5μm，上部p層55的厚度為大約5到20nm。僅i層54中的光吸收產(chǎn)生光電流。藍(lán)光在上部p層55中被很大程度地吸收。
參照?qǐng)D6，TFT形式的橫向柵控光敏薄膜器件42設(shè)置在基板50上，并包括多晶硅沉積薄膜層62，該薄膜層通過在其端部區(qū)域進(jìn)行適當(dāng)n型摻雜而形成以便產(chǎn)生橫向分隔的源區(qū)63和漏區(qū)64，本征半導(dǎo)體區(qū)域65處于區(qū)域63與64之間。在半導(dǎo)體層62上設(shè)置柵絕緣層66，并在覆蓋本征區(qū)65的層62上形成透明導(dǎo)電材料(如ITO)的柵電極67。由延伸通過柵絕緣層65的金屬層部分68和69提供與源極63和漏極64的電連接。通常對(duì)于這種橫向TFT結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體層52的厚度為大約40nm。在這種厚度下，實(shí)際上入射在本征區(qū)65上的所有藍(lán)光都被吸收，同時(shí)相對(duì)較少的紅光和綠光被吸收。
元件42的TFT結(jié)構(gòu)可改為使用氫化非晶硅材料形成。
對(duì)使用這種光敏元件的像素結(jié)構(gòu)以及像素陣列制造方法的更詳細(xì)描述，可參考上述提到的WO01/99191，其涉及使用橫向柵控光敏薄膜元件的像素；和PCT專利申請(qǐng)IB03/03484，該專利涉及具有利用垂直非晶硅pin光電二極管以及多晶硅TFT的像素的裝置。
對(duì)于上述裝置，像素陣列可包括與其它三組發(fā)出不同波長(zhǎng)的光的另一組或多組像素。所述另一組像素的像素電路的光敏元件對(duì)于該波長(zhǎng)具有最適宜的靈敏性。
盡管在上述實(shí)施例中，對(duì)于藍(lán)像素使用n型TFT形式的柵控橫向光敏薄膜器件，不過可知為了實(shí)現(xiàn)這一目的，可使用其它柵控橫向光敏薄膜器件，例如p型TFT(具有橫向p-i-p結(jié)構(gòu))，或柵控橫向光電二極管(具有橫向p-i-n結(jié)構(gòu))，或者非柵控橫向光敏薄膜器件，如橫向光電二極管器件或橫向光敏電阻器器件。
對(duì)于垂直pin光電二極管40而言，可知該器件的結(jié)構(gòu)與基板的層位關(guān)系可以是任意的，這取決于電路的極性。同樣，對(duì)于使用橫向光敏器件的像素電路，可反轉(zhuǎn)電路的極性，在此情形中可使用p型TFT。
通過閱讀本說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可以想到其它變型。這些變型可能涉及有源矩陣電致發(fā)光顯示裝置領(lǐng)域中眾所周知的其它特征和用于其中的部件，并且可取代或者添加到此處已經(jīng)描述的特征。盡管在本申請(qǐng)中將權(quán)利要求表述為特征的具體組合，不過應(yīng)當(dāng)理解本申請(qǐng)披露的范圍也明確或者隱含地包括此處所披露的任何新穎特征或者特征的任何新穎組合或者其任何概括，而無論與目前任何權(quán)利要求中要求保護(hù)的是否涉及相同發(fā)明，或者是否解決任何或所有與本發(fā)明所解決的相同的技術(shù)問題。從而申請(qǐng)人提醒在本申請(qǐng)或者源于其的任何進(jìn)一步申請(qǐng)的審查過程中，可以為這些特征和/或這些特征的組合要求新權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種包括顯示像素(10)陣列的彩色有源矩陣電致發(fā)光顯示裝置，每個(gè)像素包括電致發(fā)光顯示元件(20)；用于驅(qū)動(dòng)電流流過該顯示元件的驅(qū)動(dòng)晶體管(22)；存儲(chǔ)電容器(24)，存儲(chǔ)用于尋址所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓；放電光敏元件(40，42)，根據(jù)所述顯示元件的光輸出將存儲(chǔ)電容器放電；其中所述陣列包括其顯示元件分別發(fā)射紅、綠和藍(lán)色光的紅、綠和藍(lán)像素組，并且其中所述紅像素組的放電光敏元件(40)包括垂直pin光電二極管，所述藍(lán)像素組的放電光敏元件(42)包括橫向光敏薄膜器件。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述綠像素組的放電光敏元件(40)包括垂直pin光電二極管。
3.如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中所述橫向光敏薄膜器件(42)包括柵控薄膜器件。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述橫向光敏薄膜器件(42)包括橫向薄膜晶體管。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述橫向柵控光敏器件包括橫向光電二極管器件。
全文摘要
一種彩色有源矩陣電致發(fā)光(EL)顯示裝置，具有包括紅、綠和藍(lán)發(fā)光像素組的像素(10)陣列，每個(gè)像素包括EL顯示元件(20)、用于驅(qū)動(dòng)電流流過該顯示元件的驅(qū)動(dòng)晶體管(22)、存儲(chǔ)用于尋址該驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓的存儲(chǔ)電容器(24)、以及根據(jù)顯示元件的光輸出將存儲(chǔ)電容器放電的放電光敏元件(40，42)。藍(lán)像素組中的放電光敏元件(42)包括橫向光敏薄膜器件，如橫向薄膜晶體管或者柵控或非柵控橫向光電二極管器件，而紅像素組，并且優(yōu)選綠像素組中的放電光敏元件(40)也包括垂直pin光電二極管(40)。通過這種方式選擇光敏元件使得與顏色有關(guān)的光靈敏度增強(qiáng)，從而提高顯示裝置性能。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1802683SQ200480016024
公開日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2004年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月11日
發(fā)明者N·D·楊 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司