專利名稱：薄的多半導(dǎo)體單元片封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及半導(dǎo)體制造，更特別地，涉及多半導(dǎo)體單元片組件的封裝。
背景技術(shù)：
便攜式電子設(shè)備，例如無(wú)線電話、尋呼機(jī)和個(gè)人電子助理(PDA)正變得越來(lái)越復(fù)雜，同時(shí)變得越來(lái)越小而輕。半導(dǎo)體芯片或單元片，例如微處理器單元片和存儲(chǔ)器單元片，用于便攜式電子設(shè)備中。典型地，單元片安裝在陶瓷或塑料封裝內(nèi)，該封裝提供支持、保護(hù)、單元片散熱和提供用于通電和信號(hào)分配的引線系統(tǒng)。
半導(dǎo)體封裝工業(yè)中有一種期望，就是使半導(dǎo)體封裝的外形(厚度)最小化從而便于移動(dòng)、無(wú)線和醫(yī)藥應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。當(dāng)前對(duì)于封裝的要求是具有亞毫米級(jí)別的外形。對(duì)于增加處理功率和速度的需求還產(chǎn)生了另一個(gè)要求，就是增加能夠配合到給定區(qū)域內(nèi)的單元片的數(shù)目(也就是提高單元片密度)和降低單元片之間電路的長(zhǎng)度。
對(duì)于增加單元片密度和降低路徑長(zhǎng)度的要求，一種已知的解決方法被稱作多芯片模塊(MCM)，其中大量的單元片堆疊在單個(gè)模制封裝內(nèi)。在封裝中，通過(guò)用絲線鍵合連接和/或反轉(zhuǎn)單元片(flip die)連接隔離各層/插入物(interposer)來(lái)分離各單元片，該絲線鍵合和/或反轉(zhuǎn)單元片連接用于將單元片電連接于一個(gè)共同的引線框。然而，該解決方法具有一些缺點(diǎn)。例如，具有堆疊單元片的封裝會(huì)至少部分地由于增加電連接的數(shù)目和需要在單元片之間設(shè)置絕緣層/插入物而使封裝組件變得復(fù)雜。如果在組件封裝期間產(chǎn)生任何缺陷，則整個(gè)封裝，包括芯片，將不可挽救。
MCM封裝的一個(gè)例子是美國(guó)專利No.6,452,278，其于2002年9月17日授予Vincent DiCaprio等。DiCaprio等描述了一種封裝，包括具有中心孔徑(central aperture)的基片。DiCaprio等進(jìn)一步描述了位于腔內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體單元片以提供薄的外形。
如本領(lǐng)域的人員會(huì)意識(shí)到的，返工一個(gè)具有多單元片的封裝殘品的成本比返工一個(gè)單單元片封裝殘品更高。為了使返工的成本最小，半導(dǎo)體制造采用“已知好單元片(Known Good Die)”(KGD)法則。一般而言，KGD法則是指由半導(dǎo)體單元片制造商提供的能夠帶來(lái)一定級(jí)別的可靠性保障從而使每個(gè)單元片的價(jià)格更高的單元片級(jí)別產(chǎn)品。MCM制造中的經(jīng)驗(yàn)法則(rule of thumb)是指，如果單個(gè)封裝中包含有任何給定類型的5個(gè)單元片或者有超過(guò)200個(gè)鍵合的器件，則它們應(yīng)當(dāng)是KGD。該法則從如下的工業(yè)經(jīng)驗(yàn)中發(fā)展而來(lái)，即在單元片級(jí)別上返工的成本與在電路板級(jí)別上替換殘次封裝部分的成本相比更高。當(dāng)用戶遇到殘次的MCM時(shí)，與替換單獨(dú)封裝的集成電路(IC)的成本相比，成本的影響會(huì)更嚴(yán)重。
因此，發(fā)明人意識(shí)到，人們需要半導(dǎo)體封裝具有更高的單元片密度(例如一個(gè)封裝內(nèi)有多于一個(gè)單元片)、薄的外形和平衡返工成本與獲得有保障KGD的成本。

發(fā)明內(nèi)容
上述和其它的要求被一種半導(dǎo)體單元片組件滿足，其包括多個(gè)單元片封裝，每一個(gè)包括一個(gè)具有多個(gè)圍繞中心區(qū)的引線的引線框，每個(gè)引線具有第一表面和從第一表面延伸的下設(shè)部分；一個(gè)位于中心區(qū)并電連接引線的半導(dǎo)體單元片，該半導(dǎo)體單元片的上面形成一個(gè)第一表面，該半導(dǎo)體單元片的第一表面與每個(gè)引線上形成的第一表面基本上共面；和一個(gè)位于中心區(qū)并覆蓋半導(dǎo)體單元片和一部分引線的密封劑(encapsulant)。引線的第一表面和半導(dǎo)體單元片的第一表面暴露出該密封劑，且半導(dǎo)體單元片的第一表面和引線的下設(shè)部分形成一個(gè)空腔。多個(gè)單元片封裝被堆疊成使密封劑的至少一部分位于堆疊中下一更高單元片封裝的空腔內(nèi)。
在一個(gè)實(shí)施例中，堆疊中頂單元片封裝的引線下設(shè)超過(guò)堆疊中較下面的一個(gè)單元片封裝的引線。在另一個(gè)實(shí)施例中，堆疊中單元片封裝的引線等長(zhǎng)。
封裝中至少一個(gè)單元片封裝的下設(shè)部分的下表面可以被焊接在封裝中相鄰單元片封裝下設(shè)部分的上表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，在堆疊封裝之前，將焊料球粘附在封裝的下設(shè)部分上。堆疊中的封裝可以在被焊接之前粘附在一起。密封劑的側(cè)面可以是錐形，且多個(gè)引線可以位于中心區(qū)的兩個(gè)或多個(gè)側(cè)面上。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，一種用于形成半導(dǎo)體單元片組件的方法，包括形成多個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體單元片封裝，包括提供具有多個(gè)圍繞中心區(qū)的引線的引線框，每個(gè)引線包括在上面形成的第一表面，在中心區(qū)設(shè)置一個(gè)半導(dǎo)體單元片，該半導(dǎo)體單元片具有在上面形成的第一表面，半導(dǎo)體單元片的第一表面與每個(gè)引線上形成的第一表面基本上共面，將半導(dǎo)體單元片電連接于引線，用密封劑覆蓋半導(dǎo)體單元片的一部分和引線的一部分，和將每個(gè)引線加工成形為包括一個(gè)第一表面和一個(gè)從第一表面延伸的下設(shè)表面，引線的第一表面與半導(dǎo)體單元片的第一表面暴露出密封劑，且半導(dǎo)體單元片的第一表面和引線的下設(shè)表面形成一個(gè)空腔。該方法進(jìn)一步包括堆疊多個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體單元片封裝，從而密封劑的至少一部分位于堆疊中下面一更高半導(dǎo)體單元片封裝的空腔內(nèi)；和電互連相應(yīng)堆疊半導(dǎo)體單元片封裝的引線。
堆疊中的封裝可以在被焊接之前粘附在一起。該粘附可以用例如粘著膠、粘著膜或粘著液加以執(zhí)行。密封劑的側(cè)面可以是錐形，并且多個(gè)引線可以位于中心區(qū)的兩個(gè)或多個(gè)側(cè)面上。
在一個(gè)實(shí)施例中，堆疊中頂半導(dǎo)體單元片封裝的引線下設(shè)超過(guò)堆疊中較下面的一個(gè)半導(dǎo)體單元片封裝的引線。在另一個(gè)實(shí)施例中，堆疊中單元片封裝的引線等長(zhǎng)。
電互連引線可以包括將封裝中至少一個(gè)單元片封裝的下設(shè)部分的下表面焊接在封裝中相鄰單元片封裝下設(shè)部分的上表面上?？梢栽诙询B封裝之前，將焊料球粘附在封裝的下設(shè)部分上。選擇地，焊接可以通過(guò)將引線浸漬在焊料槽中執(zhí)行。該方法可以進(jìn)一步包括在浸漬之前將堆疊中的封裝粘附在一起。
下面結(jié)合附圖和說(shuō)明闡述本發(fā)明一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)。本發(fā)明其它的特征、目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)從說(shuō)明書、附圖以及權(quán)利要求中將顯而易見。


當(dāng)聯(lián)系附圖閱讀優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明時(shí)，本發(fā)明的上述和其它的特征將變得顯而易見，其中圖1A是包含引線框和載體(carrier)的半導(dǎo)體單元片封裝的支持結(jié)構(gòu)的平面圖；圖1B是圖1A半導(dǎo)體單元片封裝支持結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖；圖2A是其中粘附了半導(dǎo)體單元片的圖1A支持結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2B是圖2A半導(dǎo)體單元片支持結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖；圖3A是圖解模制操作的圖2A支持結(jié)構(gòu)的平面圖；圖3B是圖3A半導(dǎo)體單元片封裝的側(cè)視剖面圖；圖4A是圖解除去支持結(jié)構(gòu)載體部分的圖3A支持結(jié)構(gòu)的平面圖；圖4B是圖4A半導(dǎo)體單元片封裝的側(cè)視剖面圖；圖5A是圖解形成引線框指(finger)的圖4A支持結(jié)構(gòu)的平面圖；圖5B是圖5A半導(dǎo)體單元片封裝的側(cè)視剖面圖；圖6A和6B圖解了本發(fā)明半導(dǎo)體單元片封裝一個(gè)實(shí)施例的示例特征；圖7圖解了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例構(gòu)建的示例多半導(dǎo)體單元片組件；
圖8圖解了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例構(gòu)建的示例多半導(dǎo)體單元片組件；圖9圖解了一個(gè)根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例構(gòu)建的示例多半導(dǎo)體單元片組件。
上述不同附圖中的類似標(biāo)記元件趨向于表示相同的元件，但在說(shuō)明書中并不提到全部的附圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A和1B圖解了位于載體20，例如薄帶或疊片，上的多個(gè)互連引線框10。在一個(gè)實(shí)施例中，載體20是聚酰亞胺或其它塑料材料制成的薄帶。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，每個(gè)引線框10被配置成圍繞中心區(qū)12布置的多個(gè)引線11。在圖示實(shí)施例中，每個(gè)引線框10包括5個(gè)布置在中心區(qū)12四側(cè)的每一側(cè)上的引線11。然而應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，引線11的數(shù)目和位置可以根據(jù)具體的應(yīng)用加以修改。例如，引線框10可以包括兩組位于中心區(qū)12相對(duì)側(cè)上的引線?；ミB的引線框10可以用任何合適導(dǎo)體的薄片加以形成，并且優(yōu)選的是銅或銅基合金。銅基合金是指含重量百分比超過(guò)50％的銅的材料。
如圖2A和2B所示，多個(gè)半導(dǎo)體單元片30位于引線框10的中心區(qū)12內(nèi)。每個(gè)單元片30包括一個(gè)上表面32和一個(gè)下表面34。載體20支持單元片30的下表面34。應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，多個(gè)半導(dǎo)體單元片30的每一個(gè)都位于中心區(qū)12內(nèi)，從而每個(gè)單元片30的下表面34與引線框10的下表面14共面。
布線40從每個(gè)單元片30的上表面32鍵合到相應(yīng)的引線11上，從而使單元片30電耦連引線框10。例如，絲線鍵合的執(zhí)行可以利用超聲波鍵合，其中組合施加壓力和超聲振蕩脈沖串(ultrasonicvibration burst)來(lái)形成冶金冷焊接；利用熱壓縮鍵合，其中組合施加壓力和高溫來(lái)形成焊接；或者利用熱聲鍵合(thermosonic bonding)，其中組合施加壓力、高溫和超聲波振蕩脈沖串來(lái)形成焊接。鍵合中使用的絲線類型優(yōu)選地由金、金基合金、鋁或鋁基合金構(gòu)成。作為絲線鍵合的替代，可以使用帶自動(dòng)鍵合(tape automated bonding)(TAB)。
如圖3A和3B所示，通過(guò)例如填充相應(yīng)的中心區(qū)12在單元片30、絲線40和絲線鍵合位點(diǎn)的每一個(gè)上面獨(dú)立地模制一個(gè)密封劑(模制化合物)50，從而密封劑50基本上包圍每一個(gè)單元片30。密封劑50可以用任何傳統(tǒng)的技術(shù)施加，例如轉(zhuǎn)移(transfer)或注射模制處理。密封劑50還可以是一個(gè)低溫?zé)岵Ａ?fù)合物。在一個(gè)實(shí)施例中，密封劑50的側(cè)面是錐形的。
一旦密封劑50被施加到引線框10，便可以除去載體20。圖4A和4B圖解了該除去操作。當(dāng)完成時(shí)，每個(gè)單元片30通過(guò)密封劑50懸置在引線框10的中心區(qū)12內(nèi)。每個(gè)單元片30的上表面32和每個(gè)引線11的一部分都被包封，而每個(gè)單元片30的下表面34和每個(gè)引線的下表面14則暴露。
除去載體20，引線框10的互連部分被切割從而使各個(gè)半導(dǎo)體單元片封裝被切單。執(zhí)行封裝切單可以通過(guò)單元片沖壓、用刀片切鋸、水噴、激光等。圖5A和5B圖解了切單的半導(dǎo)體單元片封裝，如100總體地顯示的。如圖5A和5B所示，引線11成形為“類S形”從而包含下設(shè)部分(down set portion)101。例如，引線可以在切單之后通過(guò)彎曲或其他的形式構(gòu)建成“類S形”。引線11從由單元片30的下表面34形成的表面向下延伸，從而在單元片30下面提供一個(gè)空腔，如102總體地顯示的。一旦切單，可以根據(jù)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)處理測(cè)試和老化(burned-in)封裝100從而保證KGD可靠性。優(yōu)選地，封裝100在如下所述地堆疊成單元片組件之前進(jìn)行檢驗(yàn)。封裝100可以在接觸11的任意暴露表面上電連接一個(gè)外電路，例如印刷電路板或者另一個(gè)半導(dǎo)體器件封裝。
圖6A和6B圖解了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例構(gòu)建的半導(dǎo)體單元片封裝100的一個(gè)實(shí)施例。三個(gè)示例性尺寸被標(biāo)記為“A”、“B”和“C”，并例證了封裝100的厚度。如圖所示，封裝100的創(chuàng)新配置便于形成具有薄外形的堆疊多半導(dǎo)體單元片封裝。
例如，圖7圖解了五(5)半導(dǎo)體單元片組件200，其中分別組裝了分層的單元片封裝210、220、230、240和250。應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，每個(gè)單元片封裝210、220、230、240和250都與單元片封裝100相同，只是相應(yīng)引線11的尺寸A不同，從而提供更低級(jí)別的封裝。如圖7所示，在組裝單元片封裝200時(shí)，下一單元片封裝的被包封部分位于由組件200中下一更高堆疊單元片封裝形成的空腔102內(nèi)。例如，單元片封裝210被組裝成其包封的單元片30和布線40(共同指示于214)位于單元片封裝220的空腔102內(nèi)，單元片封裝220被組裝成其包封的單元片和布線224位于單元片封裝230的空腔內(nèi)102內(nèi)，單元片封裝230被組裝成其包封的單元片和布線234位于單元片封裝240的空腔內(nèi)102內(nèi)，且單元片封裝240被組裝成其包封的單元片和布線244位于單元片封裝250的空腔內(nèi)102內(nèi)。在堆疊單元片封裝210、220、230、240和250之后，通過(guò)焊接或類似的方法電連接相應(yīng)的引線11。焊接的執(zhí)行可以使用，例如粘附于引線11的焊料球，或者通過(guò)將引線11浸漬在焊料浴槽(solder bath)內(nèi)。
應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，組件200的相對(duì)厚度通過(guò)連續(xù)系列的A、B和C的測(cè)量或者相關(guān)單元片封裝210-250的B和C尺寸加以計(jì)算，如下第一層-單元片封裝210，厚度＝A+B+C；加第二層-單元片封裝220，厚度＝B+C(因?yàn)槌叽鏏已經(jīng)被下面的層計(jì)算進(jìn)去)；加第三層-單元片封裝230，厚度＝B+C；加第四層-單元片封裝240，厚度＝B+C；加第五層-單元片封裝250，厚度＝B+C。
因此，相對(duì)于單元片組件200，所示組裝的堆疊單元片封裝，其外形比其中每個(gè)單元片封裝簡(jiǎn)單地組裝在下面一級(jí)單元片封裝上面的堆疊單元片封裝更薄。
圖8圖解了五(5)半導(dǎo)體單元片組件300，其根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例加以組裝，分別具有分層的單元片封裝310、320、330、340和350。單元片封裝310、320、330、340和350與圖5A和5B的單元片封裝相同。如圖8所示，單元片封裝310、320、330、340和350的引線11具有相似的尺寸，例如每個(gè)引線11的尺寸A(引線11的高度)相同。在圖8的實(shí)施例中，以及本文說(shuō)明的任何其他的實(shí)施例中，單元片封裝310、320、330、340和350在連接引線11之前可以按照分層的方式鍵合在一起，利用粘合劑，例如氰基丙烯酸鹽粘合劑或類似物，或者無(wú)支持帶粘合劑(unsupported tape adhesive)。粘合劑可以處于粘合劑糊、粘合劑膜或粘合劑液的形式。
在本實(shí)施例中，粘著鍵合的單元片封裝310、320、330、340和350通過(guò)將粘著鍵合的封裝310、320、330、340和350浸漬在高溫焊料浴槽中從而使引線11通過(guò)它們之間保留的焊接劑鍵合在一起加以電互連，如314總體地顯示的。如圖8所示，焊接劑314有效地封閉單元片封裝310、320、330、340和350的空腔102。應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，單元片組件300的相對(duì)厚度能夠如單元片組件200中說(shuō)明的加以計(jì)算。
圖9圖解了五(5)半導(dǎo)體單元片組件400，其根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例加以組裝，分別具有分層的單元片封裝410、420、430、440和450。與圖8的組件300相同，單元片封裝410、420、430、440和450的引線11具有類似的高度，例如尺寸A，且單元片封裝410、420、430、440和450與圖5A和5B的單元片封裝相同。在本實(shí)施例中，分層的單元片封裝410、420、430、440和450通過(guò)熔化單元片封裝410、420、430、440和450的引線11之間的高溫焊料球414加以電互連。在切單封裝之后，優(yōu)選地在堆疊封裝之前，焊料球414可以粘附到每個(gè)封裝引線11的下設(shè)部分101上。在堆疊封裝之后，焊料球414可以被熔化并冷卻以結(jié)合相鄰的引線11。如圖9所示，焊料球414有效地封閉了各個(gè)單元片封裝420、430、440和450的空腔102。應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，單元片組件400的相對(duì)厚度可以如單元片組件200中說(shuō)明的加以計(jì)算。
還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，圖1A-5B示例地描述了組裝堆疊半導(dǎo)體封裝的各個(gè)階段，如圖7、8和9所示。
在本文描述的每個(gè)實(shí)施例中，引線11的配置允許堆疊多個(gè)封裝從而提供更高的芯片密度，同時(shí)保持薄的組件外形。與在共同的模制封裝中采用堆疊單元片來(lái)減小堆疊外形從而增加芯片密度的傳統(tǒng)方法相比，本發(fā)明的堆疊封裝降低了組裝封裝的復(fù)雜性同時(shí)提供了類似的堆疊外形和芯片密度。復(fù)雜性的降低至少部分地由于消除了共同封裝中單元片之間的隔離層/插入物，它們?cè)谙惹凹夹g(shù)配置中是必須使用的。進(jìn)一步，本發(fā)明的封裝提供了從上、下或側(cè)面進(jìn)行檢驗(yàn)的能力。如果發(fā)現(xiàn)任何一個(gè)封裝有缺陷，則拋棄該單獨(dú)的封裝及其芯片，從而降低了與先前技術(shù)相關(guān)的浪費(fèi)，先前技術(shù)封裝需要除去共同封裝中的多個(gè)芯片。本發(fā)明提供了更小外形的封裝，其可以單獨(dú)使用或者可以在需要增加芯片密度時(shí)被堆疊使用。
盡管聯(lián)系優(yōu)選實(shí)施例說(shuō)明和例證的本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以顯而易見地進(jìn)行許多的改變和修飾，并不背離本發(fā)明的精神和范圍。例如并如上所述，本發(fā)明的技術(shù)并不趨向于限制于任何具體數(shù)目的堆疊單元片封裝布置，例如上面詳細(xì)說(shuō)明的5單元片封裝布置。也就是說(shuō)，應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，本發(fā)明的方面可以等價(jià)地應(yīng)用于其他需要更薄外形的半導(dǎo)體布置中。
因此，由附加權(quán)利要求提出的本發(fā)明并不僅限于上述說(shuō)明的精確細(xì)節(jié)，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的改變和修飾趨向于包含在由附加權(quán)利要求提出的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體單元片組件(200，300，400)，包括多個(gè)單元片封裝(100)，每一個(gè)包括引線框(10)，其具有多個(gè)圍繞中心區(qū)(12)的引線(11)，每個(gè)引線(11)具有第一表面(14)和從第一表面(14)延伸的下設(shè)部分(101)，半導(dǎo)體單元片(30)，其位于中心區(qū)(12)內(nèi)并電連接于引線(11)，該半導(dǎo)體單元片(30)具有形成在其上的第一表面(34)，半導(dǎo)體單元片(30)的第一表面(34)與在每個(gè)引線(11)上形成的第一表面(14)基本上共面，以及密封劑(50)，其位于中心區(qū)(12)內(nèi)并覆蓋半導(dǎo)體單元片(30)和一部分引線(11)，引線(11)的第一表面(14)和半導(dǎo)體單元片(30)的第一表面(34)從密封劑(50)中暴露，且半導(dǎo)體單元片(30)的第一表面(34)和引線(11)的下設(shè)部分(101)形成空腔(102)；其中多個(gè)單元片封裝(100)堆疊成使密封劑(50)的至少一部分位于堆疊中下一更高單元片封裝(100)的空腔(102)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體單元片組件(200)，其中該堆疊中頂單元片封裝(100)的引線(11)比該堆疊中較下面一單元片封裝(100)的引線(11)更加向下設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體單元片組件(300、400)，其中該堆疊中每個(gè)單元片封裝(100)的引線(11)等長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體單元片組件(300、400)，其中該堆疊中至少一個(gè)單元片封裝(100)的下設(shè)部分(101)的下表面焊接于該堆疊中相鄰單元片封裝(100)下設(shè)部分的上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體單元片組件(400)，其中在堆疊封裝(100)之前，焊料球(414)被粘附于該封裝(100)的下設(shè)部分(101)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體單元片組件(300、400)，其中該堆疊中的封裝(100)在被焊接之前粘附在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體單元片組件(200、300、400)，其中密封劑(50)的側(cè)面為錐形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體單元片組件(200、300、400)，其中多個(gè)引線(11)位于中心區(qū)(12)的兩側(cè)或多側(cè)上。
9.一種用于形成半導(dǎo)體單元片組件(200、300、400)的方法，該方法包括形成多個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體單元片封裝(100)，其包括提供引線框(10)，其具有多個(gè)圍繞中心區(qū)(12)的引線(11)，每個(gè)引線(11)包括在上面形成的第一表面(14)，將半導(dǎo)體單元片(30)布置在中心區(qū)(12)內(nèi)，該半導(dǎo)體單元片(30)具有在上面形成的第一表面(34)，該半導(dǎo)體單元片(30)的第一表面(34)與在每個(gè)引線(11)上形成的第一表面(14)基本上共面，將半導(dǎo)體單元片(30)電連接到引線(11)，用密封劑(50)覆蓋半導(dǎo)體單元片(30)的一部分和引線(11)的一部分，以及成形每個(gè)引線(11)，以包括第一表面(14)和從第一表面(14)延伸的下設(shè)部分(101)，引線的第一表面(14)和半導(dǎo)體單元片(30)第一表面(14)從密封劑(50)中暴露，且半導(dǎo)體單元片(30)第一表面(34)和引線(11)的下設(shè)部分(101)形成一個(gè)空腔(102)；堆疊多個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體單元片封裝(100)從而使密封劑(50)的至少一部分位于該堆疊中下一個(gè)更高半導(dǎo)體單元片封裝(100)的空腔(102)內(nèi)；以及電互連所堆疊半導(dǎo)體單元片封裝(100)的相應(yīng)引線(11)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中該堆疊中頂單元片封裝(100)的引線(11)比該堆疊中較下面一單元片封裝(100)的引線(11)更加向下設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中該堆疊中每個(gè)單元片封裝(100)的引線(11)等長(zhǎng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中電互連包括將堆疊中至少一個(gè)單元片封裝(100)的下設(shè)部分(101)的下表面焊接于堆疊中相鄰單元片封裝(100)下設(shè)部分的上表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括在堆疊半導(dǎo)體單元片封裝(100)之前，將焊料球(414)粘附于半導(dǎo)體單元片封裝(100)的下設(shè)部分(101)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括將引線(11)浸漬在焊料浴槽中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，進(jìn)一步包括在被焊接之前將堆疊中的半導(dǎo)體單元片封裝(100)粘附在一起。
16.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中密封劑(50)的側(cè)面為錐形。
17.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中多個(gè)引線(11)位于中心區(qū)(12)的兩側(cè)或多側(cè)上。
18.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，進(jìn)一步包括在電互連之前將該堆疊中的半導(dǎo)體單元片封裝粘附在一起。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于形成具有薄外形的多半導(dǎo)體單元片組件(200，300，400)的方法和裝置。該半導(dǎo)體單元片組件(200，300，400)包括多個(gè)單元片封裝(100)，其中每個(gè)單元片封裝(100)包括一個(gè)具有多個(gè)引線(11)的引線框(10)，每個(gè)引線具有從第一表面(14)延伸的下設(shè)部分(101)。該半導(dǎo)體單元片(30)位于引線框(10)的中心區(qū)(12)內(nèi)，并電連接于引線(11)。密封劑(50)位于中心區(qū)(12)內(nèi)并覆蓋半導(dǎo)體單元片(30)和一部分引線(11)。引線(11)的第一表面(14)和半導(dǎo)體單元片(30)的第一表面(34)基本上共面并暴露出密封劑(50)。半導(dǎo)體單元片(30)的第一表面(34)和引線的下設(shè)部分(101)形成空腔(102)。半導(dǎo)體單元片封裝(200，300，400)堆疊成密封劑(50)的至少一部分位于堆疊中下一更高半導(dǎo)體單元片封裝(200，300，400)的空腔內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L23/16GK1748304SQ200480003473
公開日2006年3月15日 申請(qǐng)日期2004年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月4日
發(fā)明者弗蘭克·J·加斯凱, 丹尼爾·K·勞 申請(qǐng)人:先進(jìn)互連技術(shù)有限公司