專利名稱：微感測器的晶片結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是與晶片結(jié)構(gòu)有關(guān)，特別是指一種微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其是由二晶片對應(yīng)接合所構(gòu)成，且其打線區(qū)域外露，有利于后續(xù)打線制程的進(jìn)行。
背景技術(shù)：
一般現(xiàn)有的微感測器，以電容感測器為例，是可區(qū)分為單一晶片式感測器，以及由二晶片接合構(gòu)成的晶片接合式電容感測器，單晶片電容感測器雖然體積較小，但是制程方法較為繁復(fù)，尺寸設(shè)計(jì)上的彈性也較小，而晶片接合式電容感測器則可大幅簡化制程，并且提升設(shè)計(jì)的彈性以達(dá)到較佳的性能表現(xiàn)。
然而，請參閱圖1與圖2所示，晶片接合式電容感測器1在晶片接合的制程之后，往往將其打線區(qū)域2封閉于二晶片之間而造成后續(xù)打線制程進(jìn)行的困難，為了將電氣信號導(dǎo)出，通常必須利用蝕刻制程以制作一連通該打線區(qū)域2與外界的貫穿孔3，再形成一與該打線區(qū)域連接的沉積電極4，方能將電氣信號有效地導(dǎo)出。
其中，若使用異方性蝕刻制程來制作該貫穿孔3，如圖1所示，則必須較大的晶片面積，否則將影響晶片所能容納的元件數(shù)，若要減少使用面積，則必須改用高深寬比的感應(yīng)耦合電漿(Inductively CoupledPlasma，ICP)蝕刻或激光鉆孔制程，如圖2所示，但其制程成本過高，生產(chǎn)效率低，因此，該貫穿孔制程將導(dǎo)致制作成本的增加，且容易有缺陷發(fā)生。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其打線區(qū)域外露，有助于打線制程的進(jìn)行，且不需占用額外的晶片面積。
本實(shí)用新型的次一目的在于提供一種微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其制作程序簡便，僅需在晶片接合制程前，或晶片接合制程后增加一切割制程，具有高生產(chǎn)效率。
因此，為達(dá)成本實(shí)用新型的目的，本實(shí)用新型是提供一種微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于其是包含有一第一晶片，是具有一第一面，且該第一面的一側(cè)設(shè)有一打線區(qū)域；以及一第二晶片，是具有一第二面，而可對應(yīng)該第一面進(jìn)行接合；該第一晶片的長度小于第二晶片的長度或該第二晶片的長度小于第一晶片的長度；該二晶片接合后，該打線區(qū)域的一部或全部裸露在外。
其中該打線區(qū)域是為一電極的表面。
其中該第二晶片是經(jīng)過材料移除制程。
其中該第一晶片是主要包含有一基座，該第一面是為該基座的一側(cè)面。
其中該第一面還設(shè)有一電極、二金屬接點(diǎn)與復(fù)數(shù)個(gè)音孔。
其中該第二晶片是主要包含有一基座，該第二面是為該基座的一側(cè)面。
其中該第二面還設(shè)有一電極、二金屬接點(diǎn)與一振動(dòng)膜。
由此，本實(shí)用新型第一晶片的打線區(qū)域外露，將可達(dá)到后續(xù)封裝打線的便利，解決一般打線區(qū)域無法外露的問題。


為了詳細(xì)說明本實(shí)用新型的構(gòu)造及特點(diǎn)所在，茲舉以下的較佳實(shí)施例并配合圖式說明如后，其中圖1是一微感測器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是另一微感測器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型一實(shí)施例晶片接合后的結(jié)構(gòu)示意圖圖4是本實(shí)用新型一實(shí)施例切割完成的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
請參閱圖3與圖4所示，本實(shí)用新型所提供一種微感測器10的晶片結(jié)構(gòu)(本實(shí)施例是以微麥克風(fēng)為例)，其是包含有一第一晶片20，以及一位于該第一晶片20下方的第二晶片30，其中該第一晶片20是包含有一基座21，且該基座21的一側(cè)面是為一第一面22，該第一面22則設(shè)有一第一電極23、二金屬接點(diǎn)24與若干音孔25，其中，該第一電極23的表面即為一打線區(qū)域231。
該第二晶片30是包含有一基座31，該基座31的一側(cè)面則為一第二面32，而該第二面則設(shè)有一第二電極33、二金屬接點(diǎn)34與一振動(dòng)膜35。(由于該二晶片20、30的詳細(xì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)非本實(shí)用新型的重點(diǎn)，在此不予贅述。)因此，該第一晶片20與該第二晶片30是可以其第一面22與第二面32對應(yīng)進(jìn)行接合，同時(shí)完成該第一電極23與該第二電極33，以及該等金屬接點(diǎn)24、34的電氣連接。
接合完成的結(jié)構(gòu)如圖3所示，可明顯看出該第一晶片20的打線區(qū)域231是內(nèi)藏于該二晶片20、30之間，勢必不利于后續(xù)打線制程的進(jìn)行，不僅制作上有困難，更容易導(dǎo)致缺陷的發(fā)生。
為解決此一問題，該第二晶片30對應(yīng)該打線區(qū)域231的一側(cè)是可進(jìn)行硅基材的部分移除，移除后的晶片結(jié)構(gòu)請參閱圖4所示，由此，該打線區(qū)域231是顯露于外，因而有助于后續(xù)打線制程的進(jìn)行。
再請參閱圖5所示，本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例微感測器40的晶片結(jié)構(gòu)，其是同樣包含有一第一晶片41與一第二晶片42，其中該第二晶片42靠近該第一晶片41打線區(qū)域43的一側(cè)是經(jīng)過部分切割，同樣可使打線區(qū)域43外露，達(dá)成本實(shí)用新型的目的。
本實(shí)用新型微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其打線區(qū)域外露，進(jìn)而有利于后續(xù)制程的進(jìn)行，制程上亦十分便捷。
權(quán)利要求1.一種微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于其是包含有一第一晶片，是具有一第一面，且該第一面的一側(cè)設(shè)有一打線區(qū)域；以及一第二晶片，是具有一第二面，而可對應(yīng)該第一面進(jìn)行接合；該第一晶片的長度小于第二晶片的長度或該第二晶片的長度小于第一晶片的長度；該二晶片接合后，該打線區(qū)域的一部或全部裸露在外。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該打線區(qū)域是為一電極的表面。
3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的微戚測器的晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二晶片是經(jīng)過材料移除制程。
4.依據(jù)權(quán)利要求1所述的微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一晶片是主要包含有一基座，該第一面是為該基座的一側(cè)面。
5.依據(jù)權(quán)利要求4所述的微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一面還設(shè)有一電極、二金屬接點(diǎn)與復(fù)數(shù)個(gè)音孔。
6.依據(jù)權(quán)利要求1所述的微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二晶片是主要包含有一基座，該第二面是為該基座的一側(cè)面。
7.依據(jù)權(quán)利要求6所述的微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二面還設(shè)有一電極、二金屬接點(diǎn)與一振動(dòng)膜。
專利摘要本實(shí)用新型是一種微感測器的晶片結(jié)構(gòu)，其包含有一第一晶片與一第二晶片，該第一晶片是具有一第一面，且該第一面的一側(cè)設(shè)有一打線區(qū)域，該第二晶片則具有一第二面以對應(yīng)該第一面進(jìn)行接合，且該二晶片接合之后，該打線區(qū)域的一部或全部是裸露于外，有利于后續(xù)打線制程的進(jìn)行。
文檔編號H01L23/00GK2694482SQ200420051119
公開日2005年4月20日 申請日期2004年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月9日
發(fā)明者李志成, 邢泰剛, 魏文杰, 何鴻鈞, 邱瑞易 申請人:美律實(shí)業(yè)股份有限公司