專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是一種將所需圖案作用于基底的目標部分的裝置。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖裝置，例如掩模可用于產(chǎn)生對應于IC的一個單獨層的電路圖案，該圖案可以成像在具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(例如硅晶片)的目標部分上(例如包括一個或者多個管芯的部分)。一般地，單一的基底將包含依次曝光的相鄰目標部分的網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，其中通過將全部圖案一次曝光在目標部分上而輻射每一目標部分，還包括所謂的掃描器，其中通過投射光束沿給定的方向(“掃描”方向)掃描圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一目標部分。
光刻裝置包括參考框架，在本領(lǐng)域中也可將其稱為計量框架。參考框架為投影系統(tǒng)提供支撐。在某種類型的常規(guī)光刻裝置中，參考框架與由光刻裝置的其它部件引起的干擾分離，例如用于驅(qū)動分劃板和晶片臺的長和短沖程馬達。參考框架通常由具有低熱膨脹系數(shù)的材料制成，例如包括英瓦合金(Invar)的合金。直到現(xiàn)在，假定需要具有低熱膨脹系數(shù)的這種材料，以滿足參考框架的熱要求。不幸的是，這些材料是昂貴的，導致了高制造成本。此外，這些材料是有限供應的并且具有有限的可制造性。在供求動態(tài)市場的操作中，這些因素導致用于制備參考框架的不可接受的長訂貨至交貨時間。由于常規(guī)參考框架材料的次最佳可制造性，這種長訂貨至交貨時間也包括由于構(gòu)造參考框架需要的工時方面大的費用。由于參考框架的供求問題，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)不可能在上升期以充分高的產(chǎn)量提供參考框架，這樣損失了輸出，并且不可能在下降期減小輸出量，這樣成品必須保持在倉庫中。
US-A-6529264披露了用于連接光學系統(tǒng)的部件的框架，其包括設置于與組件框架相連的它們自己的法蘭頂部上的兩個鏡頭筒。該專利解決了這樣的問題，即相對較弱連接的光軸上某些點之間的移動導致成像性能損失。特別地，該專利解決了減少在框架中這些移動的問題。很明顯，框架由包括鋁和不銹鋼的材料制成。框架不構(gòu)成參考框架，但可以看作為投影光學組件的一部分，其中，它提供了改進該組件成像性能的作用。因此，該專利指出下列技術(shù)偏見，即由例如鋁之類的非低熱膨脹系數(shù)材料制成的光刻裝置的框架受到不利地影響光刻裝置性能的振動，并且其需要附加的解決方法。該專利暗示，由于受到振動，披露的框架不適于作為參考框架。在US-A-6529264中，所需的附加解決方法包括提供附加的框架。由于單獨較低的組件框架將是足夠的，因此提供附加框架產(chǎn)生了超定的構(gòu)造。為了克服由超定的機械問題，解決方案為使框架成為僅僅在有限方向上是剛性的單獨的部件，以及在兩個鏡頭筒通過組件框架彼此定位之后與其連接，如US-A-6529264中提出的。此外，也如US-A-6529264中提出的，超定的組件的熱動態(tài)問題將使框架部件的材料和組件框架部件的材料相同。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服與常規(guī)參考框架材料的供給相關(guān)聯(lián)的問題，而反過來不遇到性能問題。
依據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻裝置，其包括-用于提供輻射投射光束的照明系統(tǒng)；-用于支撐構(gòu)圖裝置的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖裝置用于給投射光束在其截面賦予圖案；-用于保持基底的基底臺；-用于將帶圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統(tǒng)；以及用于提供參考面的隔離的參考框架，相對于該參考面測量所述基底；其特征在于，所述參考框架包括具有高熱膨脹系數(shù)的材料。
通過提供包括具有高熱膨脹系數(shù)的材料的參考框架，更寬種類的材料可適用于參考框架。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如鋁或鋁合金材料的材料導致產(chǎn)品成本的明顯降低和訂貨至交貨時間的明顯減少。此外，本發(fā)明提供了額外的驚人的效果，即參考框架的動態(tài)性能等于或優(yōu)于由例如英瓦合金的常規(guī)材料制成的參考框架。通過排除必須用具有低熱膨脹系數(shù)的材料構(gòu)造參考框架以獲得需要的熱和熱動態(tài)性能的假設，發(fā)明人已經(jīng)基本上克服了技術(shù)偏見。
在優(yōu)選實施例中，所述參考框架支撐用于在基底曝光之前確定所述基底具體尺寸的測量系統(tǒng)和所述投影系統(tǒng)。
在優(yōu)選實施例中，所述熱膨脹系數(shù)大于約2.9×10-6/K。
令人意外的，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)具有大于約2.9×10-6/K的熱膨脹系數(shù)的材料提供了具有充分機械和熱穩(wěn)定性的參考框架。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)具有約為2.9×10-6/K的熱膨脹系數(shù)的SiSiC是滿足這些要求的材料。
在優(yōu)選實施例中，參考框架包括鋁、鋁合金、鈦、鐵、鑄鐵、鋼、不銹鋼、銅、陶瓷材料、混凝土、花岡巖、瓷器材料的任何一種或這些材料的組合，例如，在復合、夾層或?qū)訅航Y(jié)構(gòu)中。通過使用這些材料，減小了參考框架的制造成本。此外，提供了增加的設計自由度。使用更通用的材料導致在參考框架的設計更改和新的框架設計中所需的具有較少的機械開發(fā)的較少的技術(shù)生產(chǎn)資料。特別地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)例如鋁或鋁合金是特別動態(tài)穩(wěn)固的。
在優(yōu)選實施例中，參考框架包括固體塊的材料。通過提供以固體塊形式的參考框架，相對于可能包括需要焊接在一起的大量鑄件或板狀部件的常規(guī)參考框架，進一步改進了參考框架的可制造性。此外，固體塊提供了低的內(nèi)熱阻和高的熱容量。這導致僅僅來自動態(tài)熱負載變化的小溫度波動，并因此導致參考框架的小的熱漂移。在優(yōu)選實施例中，加工固體塊以形成所述參考框架。通過加工固體塊，避免了消耗時間和昂貴的焊接程序。
在優(yōu)選實施例中，參考框架配備有用于相對于參考框架控制投影系統(tǒng)溫度的熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)。通過提供這種熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)，提高了參考框架的長期熱穩(wěn)定性。此外，在參考框架和光學系統(tǒng)的熱漂移之后(例如由于服務、維護或安裝等引起的)，通過主動冷卻可以明顯降低達到所需性能的熱穩(wěn)定性。另一個優(yōu)點是提供有主動調(diào)節(jié)的參考框架的投影系統(tǒng)的改進的熱調(diào)節(jié)。
在優(yōu)選實施例中，參考框架配備高紅外反射表面。通過提供配備高紅外反射表面的參考框架，減小了污染風險，和/或可以增大紅外反射，和/或可以增大摩擦系數(shù)。特別地，可以提供以例如鎳的金屬材料的涂層形式的表面。
在優(yōu)選實施例中，參考框架由具有高比熱和/或高熱導率的材料制成。特別地，材料具有高于大約600J(kgK)的比熱和/或高于大約20W(mK)的熱導率。
通過提供具有高比熱和/或高熱導率材料的參考框架，提高了框架的熱穩(wěn)定性。
在一個實施例中，參考框架配有用于感測參考框架溫度的第一溫度傳感器。
在另一個實施例中，投影系統(tǒng)包括投影透鏡，其中所述投影透鏡配有用于感測所述投影透鏡溫度的第二溫度傳感器。
另一個實施例包括用于根據(jù)由第一和第二溫度傳感器中至少一個感測的溫度來熱調(diào)節(jié)參考框架和投影系統(tǒng)中至少一個的熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)。以這種方式可以補償短期和長期溫度波動。
在另一個實施例中，熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括用于控制傳輸至參考框架和投影透鏡中至少一個或從參考框架和投影透鏡中至少一個傳輸?shù)臒崃康目刂齐娐罚瑴囟日{(diào)節(jié)元件和熱傳輸系統(tǒng)，其中溫度調(diào)節(jié)元件調(diào)節(jié)通過所述熱傳輸系統(tǒng)傳輸?shù)臒崃浚渲袩醾鬏斚到y(tǒng)與參考框架和投影透鏡的至少一個熱接觸，用于傳輸熱量至所述參考框架和投影透鏡的至少一個或從所述參考框架和投影透鏡的至少一個傳輸熱量，其中控制電路設置為響應通過第一和第二溫度傳感器中至少一個感測的溫度，溫度調(diào)節(jié)元件響應控制電路并與熱傳輸系統(tǒng)熱接觸，從而在所述參考框架和所述投影透鏡的至少一個中達到設定溫度。以這種方式，提高了參考框架和投影透鏡的至少一個的溫度控制。
在另一個實施例中，控制電路設置為考慮通過第一溫度傳感器感測的溫度，以補償短期的環(huán)境溫度波動。以這種方式提高了裝置的熱穩(wěn)定性。
在另一個實施例，控制電路設置為考慮通過第二溫度傳感器感測的溫度，以補償長期的環(huán)境溫度波動。以這種方式進一步提高了裝置的熱穩(wěn)定性。
在另一個實施例中，熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括用于控制參考框架和投影透鏡的溫度的單個控制回路。以這種方式可以解決長期和短期環(huán)境溫度波動而不會明顯增加裝置的復雜性和成本。
在另一個實施例中，熱傳輸系統(tǒng)包括加熱和冷卻至所述設定溫度的調(diào)節(jié)流體。以這種方式，熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)提供裝置的多方面和有效的溫度控制。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種器件制造方法，其包括步驟-提供基底；-利用照明系統(tǒng)提供輻射的投射光束；-利用構(gòu)圖裝置來給投射光束在其橫截面中賦予圖案；以及-將帶圖案的輻射光束投射到基底的目標部分上，-利用隔離的參考框架提供參考面，相對于所述參考面測量基底；其特征在于，所述參考框架包括具有高熱膨脹系數(shù)的材料。
在本申請中，本發(fā)明的光刻裝置具體用于制造IC，但是應該理解，這里描述的光刻裝置可能具有其它應用，例如，它可用于制造集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導和檢測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語“晶片”或者“管芯”的使用應認為分別與更普通的術(shù)語“基底”或“目標部分”同義。在曝光之前或之后，可以在例如軌道(通常將抗蝕劑層施加于基底并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)或者計量工具或檢驗工具中對這里提到的基底進行處理。在可應用的地方，這里的披露可應用于這種和其他基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進行多次處理，因此這里所用的術(shù)語基底也可以指的是已經(jīng)包含多個已處理層的基底。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)和遠紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm的波長范圍)，以及粒子束，如離子束或電子束。
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”應廣義地解釋為能夠用于給投射光束在其截面中賦予圖案的裝置，從而在基底的目標部分中形成圖案。應該注意，賦予投射光束的圖案可以不與基底目標部分中的所需圖案精確一致。一般地，賦予投射光束的圖案與在目標部分中形成的器件如集成電路的特殊功能層相對應。
構(gòu)圖裝置可以透射的或者反射的。構(gòu)圖裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列，以及可編程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二進制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。可編程反射鏡陣列的一個示例采用微小反射鏡的矩陣排列，每個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而沿不同的方向反射入射的輻射束；按照這種方式，對反射的光束進行構(gòu)圖。在構(gòu)圖裝置的每個示例中，支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的，并且可以確保構(gòu)圖裝置例如相對于投影系統(tǒng)位于所需的位置。這里任何術(shù)語“分劃板”或者“掩?！钡氖褂每梢哉J為與更普通的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”同義。
這里所用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學系統(tǒng)、反射光學系統(tǒng)，和反折射光學系統(tǒng)，如適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如使用浸液或使用真空。這里任何術(shù)語“透鏡”的使用可以認為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
照明系統(tǒng)還可以包括各種類型的光學部件，包括用于引導、成形或者控制輻射投射光束的折射、反射和反折射光學部件，這種部件在下文還可共同地或者單獨地稱作“透鏡”。
光刻裝置可以是具有兩個(二級)或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)的類型。在這種“多級式”裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。
光刻裝置也可以是這樣一種類型，其中基底浸入具有相對較高折射率的液體中，如水，從而填充投影系統(tǒng)的最后一個元件與基底之間的空間。浸液也可以應用于光刻裝置中的其他空間，例如，掩模與投影系統(tǒng)的第一個元件之間。浸液技術(shù)在本領(lǐng)域是公知的，用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。


現(xiàn)在僅僅通過例子的方式，參考

本發(fā)明的各個具體實施例，其中，對應的參考標記表示對應的部件，其中圖1表示依據(jù)本發(fā)明實施例的光刻裝置；圖2表示依據(jù)本發(fā)明另一實施例的光刻裝置的細節(jié)；圖3表示依據(jù)本發(fā)明的實施例的與基架分離的參考框架的頂視圖，示出了在參考框架上支撐的某些部件；圖4表示如圖3所示的與基架分離的參考框架的下視圖；圖5表示參考框架和投影透鏡以及熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)的細節(jié)；以及圖6-8示出了依據(jù)本發(fā)明的實施例獲得的結(jié)果。
具體實施例方式
圖1示意性地表示根據(jù)本發(fā)明一具體實施例的光刻裝置。該裝置包括-照明系統(tǒng)(照明器)IL，用于提供輻射(例如UV輻射或EUV輻射)的投射光束PB；-第一支持結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，用于支撐構(gòu)圖裝置(例如掩模)MA，并與用于將該構(gòu)圖裝置相對于物體PL精確定位的第一定位裝置PM連接；-基底臺(例如晶片臺)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與用于將基底相對于物體PL精確定位的第二定位裝置PW連接；以及-投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡)PL，用于將通過構(gòu)圖裝置MA賦予投射光束PB的圖案成像在基底W的目標部分C(例如包括一個或多個管芯)上。
如這里指出的，該裝置屬于透射型(例如采用透射掩模)。另外，該裝置可以屬于反射型(例如采用上面提到的一種類型的可編程反射鏡陣列)。
照明器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是獨立的機構(gòu)，例如當輻射源是準分子激光器時。在這種情況下，不認為輻射源是構(gòu)成光刻裝置的一部分，輻射光束借助于光束輸送系統(tǒng)BD從源SO傳輸?shù)秸彰髌鱅L，所述光束輸送系統(tǒng)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器。在其它情況下，輻射源可以是裝置的一體部分，例如當源是汞燈時。源SO和照明器IL，如果需要的話連同光束輸送系統(tǒng)BD可被稱作輻射系統(tǒng)。
照明器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于調(diào)節(jié)光束的角強度分布。一般地，至少可以調(diào)節(jié)在照明器光瞳面上強度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。此外，照明器IL一般包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。照明器提供調(diào)節(jié)的輻射光束，稱為投射光束PB，該光束在其橫截面上具有所需的均勻度和強度分布。
投射光束PB入射到保持在掩模臺MT上的掩模MA上。穿過掩模MA后，投射光束PB通過透鏡PL，該透鏡將光束聚焦在基底W的目標部分C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如干涉測量裝置)的輔助下，基底臺WT可以精確地移動，例如在光束PB的光路中定位不同的目標部分C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)將掩模MA相對光束PB的光路進行精確定位。一般地，借助于長沖程模塊(粗略定位)和短沖程模塊(精確定位)，可以實現(xiàn)目標臺MT和WT的移動，這兩個沖程模塊構(gòu)成定位裝置PM和PW的一部分。可是，在步進器(與掃描裝置相對)的情況下，掩模臺MT只與短沖程致動裝置連接，或者可以固定。掩模MA與基底W可以使用掩模對準標記M1、M2和基底對準標記P1、P2進行對準。
所示的裝置可以按照下面優(yōu)選的模式使用1.在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，賦予投射光束的整個圖案被一次投射到目標部分C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后基底臺WT沿X和/或Y方向移動，從而可以曝光不同的目標部分C。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，當賦予投射光束的圖案被投射到目標部分C時，同步掃描掩模臺MT和基底臺WT(即單次動態(tài)曝光)。晶片臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向通過投影系統(tǒng)PL的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次動態(tài)曝光中目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而掃描移動的長度確定目標部分的高度(沿掃描方向)。
3.在其他模式中，掩模臺MT基本保持不動，保持可編程構(gòu)圖裝置，當賦予投射光束的圖案投射到目標部分C上時，基底臺WT被移動或掃描。在該模式中，一般采用脈沖輻射源，并且在基底臺WT每次移動之后，或者在掃描期間兩個相繼的輻射脈沖之間根據(jù)需要更新可編程構(gòu)圖裝置。這種操作模式可以容易地應用于采用可編程構(gòu)圖裝置的無掩模光刻中，所述可編程構(gòu)圖裝置如上面提到的一種類型的可編程反射鏡陣列。
還可以采用上述所用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的模式。
在圖1中還示出兩個框架參考框架MF，也稱為所謂的“計量”框架，以及基架BF。參考框架MF提供一參考面，相對于該參考面來測量晶片，該框架與主裝置結(jié)構(gòu)機械地分離。通常，參考框架MF是動態(tài)和熱隔離的。特別是，參考框架MF與在圖1中示出的基架BF分離。參考框架MF支持靈敏元件，如干涉儀IF和其它位置傳感器。此外，根據(jù)特殊的光刻裝置，參考框架也可以支撐投影系統(tǒng)PL。另外，參考框架使在其上面支撐的那些元件與振動隔離。當參考框架MF支撐計量系統(tǒng)，如干涉儀IF，并且任選地也支持投影系統(tǒng)PL時，基架支持其它元件。特別是，基架BF支撐用于機械隔離參考框架MF和主裝置結(jié)構(gòu)的振動隔離系統(tǒng)VI。此外，并且任選地，基架也支撐其它元件，如包括長沖程馬達的晶片臺WT(未在圖1中示出)和分劃板臺MT。在一個實施例中，基架BF與制造底面接觸，或者不接觸。振動隔離系統(tǒng)VI能夠以例如空氣彈簧或其他等效系統(tǒng)，如磁系統(tǒng)，包括低剛性機械梁的機械系統(tǒng)，或以液體為基礎(chǔ)的系統(tǒng)來實現(xiàn)，該系統(tǒng)為具有低彈性系數(shù)的參考框架MF提供彈性支撐。在優(yōu)選實施例中，振動隔離系統(tǒng)置于基架BF和參考框架MF之間。注意，空氣彈簧適用于真空或大氣壓條件下工作的光刻裝置中。
參考框架MF能夠以例如重的臺子來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明，參考框架MF由具有高熱膨脹系數(shù)的材料制成。這種材料包括但不限于鋁、鋁合金、鈦、鐵、鑄鐵、鋼、不銹鋼、銅、陶瓷材料、混凝土、花崗巖、瓷料或這些材料的組合，例如在復合、夾層或?qū)訅航Y(jié)構(gòu)中。
表1示出了給出的一些合適的結(jié)構(gòu)材料的典型特性。此外，為了幫助比較，示出了對于常規(guī)材料的英瓦合金的相同特性的值。

表1進一步注意，鋁合金具有通常在23至24.5×10-6/K的范圍內(nèi)或附近的熱膨脹系數(shù)。
參考框架MF由單塊部件形成，換句話說為固體塊。它也可以是一塊的鑄件或加工件。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)按這種方式由鋁制成的參考框架MF例如具有與常規(guī)參考框架近似相同的質(zhì)量。這樣，特別容易實現(xiàn)該參考框架集成到光刻裝置中，特別是相對于它與振動隔離系統(tǒng)VI的分界面。此外，已驚人地發(fā)現(xiàn)，在參考框架周圍的溫度環(huán)境是穩(wěn)定的，其導致在幾分鐘內(nèi)對于5米產(chǎn)生預期的2納米的漂移，其匹配由例如英瓦合金的常規(guī)參考框架材料獲得的公差，所述常規(guī)材料與依據(jù)本發(fā)明考慮的那些材料相比具有較低的熱膨脹系數(shù)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由具有較高熱膨脹系數(shù)可料到顯示出稍差動態(tài)性能的材料制成的參考框架的動態(tài)性能，與預期的相反，顯示出在常規(guī)光刻裝置中所需的那些公差范圍內(nèi)的動態(tài)性能。此外，可以很容易地適應于重心，而對動態(tài)性能沒有明顯的影響。在可替代的實施例中，參考框架MF配置為比常規(guī)參考框架重。這可以通過例如增大其尺寸和/或通過選擇具有較高密度材料如鐵來實現(xiàn)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，盡管這種較重的參考框架需要重新校準振動隔離系統(tǒng)VI，但是它提供了改進參考框架MF動態(tài)性能的進一步的優(yōu)點。一種合適的材料是AA5083(A1-4.4Mg-0.7Mn-0.15Cr)型的鋁合金。需要注意，相對于AA5083或類似的合金，它具有非常低的內(nèi)應力級的優(yōu)點。這在加工成塊材料以形成參考框架MF方面和在參考框架的長期穩(wěn)定性方面提供了很多優(yōu)點。
可以理解，此外，也可以使用其它以鋁為基礎(chǔ)的合金。關(guān)于比熱和熱傳導率，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，比熱優(yōu)選高于大約600J(kgK)和/或熱傳導率優(yōu)選高于大約20W(mK)。
任選地，冷卻系統(tǒng)可以結(jié)合于參考框架MF中或參考框架MF上以提高熱穩(wěn)定性。流體冷卻系統(tǒng)，例如水或空氣冷卻可以用于冷卻參考結(jié)構(gòu)。依據(jù)那些實施例，其中，投影系統(tǒng)PL由參考框架MF支撐，冷卻系統(tǒng)可以適于在參考框架中或在參考框架上以額外地冷卻投影系統(tǒng)。特別是，冷卻系統(tǒng)提供了長期穩(wěn)定性，并提供了在熱漂移之后很短的恢復時間(例如，作為在服務、維護、安裝等之后的經(jīng)驗)。
圖2表示依據(jù)本發(fā)明另一實施例的光刻裝置的細節(jié)。特別是，圖2示出了適用于雙掃描光刻裝置中的參考框架MF。雙掃描裝置允許在曝光之前在一個基底W1的測量位置2處進行測量，而在不同的基底W2的曝光位置4處進行曝光。在基底W1位于測量位置2中時，提供包括第一Z-反射鏡ZM1的第一干涉儀IF1，以產(chǎn)生基底的“基底圖”，也就是干涉儀IF1給基底表面的輪廓繪圖，從而可以補償在基底表面中的曝光階段的失真?；譝2處于曝光位置4時，包括第二Z-反射鏡ZM2的第二干涉儀IF2確保如實地再現(xiàn)在基底W2的測量階段中產(chǎn)生的“基底圖”。在該具體實施例中，參考框架MF支撐計量系統(tǒng)IF和投影系統(tǒng)PL。在特定的光刻裝置中，參考框架MF可以包括第一參考框架部分和第二參考框架部分，提供測量功能性的部件安裝在該第一參考框架部分上，提供曝光測量功能性的部件安裝在該第二參考框架部分上。然后通常例如通過螺栓連接在一起或螺栓連接至附加的安裝框架來安裝這兩個框架部分。在這些實施例中，參考框架包括多于一個框架部分，每個框架部分可以分別配備其自己的振動隔離系統(tǒng)。另外，可以提供單個的振動隔離系統(tǒng)。圖2進一步示出了熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)WC的示例，例如，冷卻系統(tǒng)，特別是在參考框架MF中形成的水冷卻系統(tǒng)WC。如示出的，參考框架MF配備有在框架結(jié)構(gòu)內(nèi)的輸送管，經(jīng)入口6將冷卻液體引入框架結(jié)構(gòu)內(nèi)，并通過出口8使冷卻液體離開框架結(jié)構(gòu)。輸送管形成為提供循環(huán)冷卻，其圍繞分別與測量位置2和曝光位置4相對設置的參考框架MF的部分。冷卻系統(tǒng)包括一個或多個冷卻回路。在圖2示出的具體實施例中，示出了兩個冷卻回路。在可替代的實施例中，可以通過一個冷卻回路提供冷卻。在一個具體實施例中，一個單獨的冷卻回路可以向投影透鏡PL和參考框架MF提供冷卻流體。圖2中示出的其余部件與相對于圖1示出和描述的那些部件相對應，在這里不再做進一步的描述。
圖3表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的與基架分離的參考框架的頂視圖，其示出了在參考框架MF上支撐的某些部件。特別地，圖3更詳細地示出了關(guān)于參考框架MF和基架BF之間的隔離關(guān)系，并更加詳細地描述了參考框架MF和其上安裝的那些部件。
在圖3中示出的具體實施例中，參考框架MF包括第一部分3和第二部分5，其中第一和第二部分分別由第一和第二個塊加工而成。另外，它們也可以澆鑄而成。第一和第二部分3、5彼此合作，以形成參考框架MF。特別地，第一部分用于支撐尤其是用于執(zhí)行測量階段和曝光階段的那些元件。這些部件例如投影透鏡PL、在測量位置處感測基底水平面的水平傳感器模塊LS、評估在測量位置處基底的對準的對準模塊AL。其他部件可以安裝在參考框架MF的下面。參照圖4描述和示出這些部件。在圖3中示出的實施例中，第二部分5支撐用于隔離參考框架MF和基架BF的振動隔離系統(tǒng)VI。它是以橋的形式，其中，橋支架部分7，8置于第一部分3上。延伸橋的長度的部分10由橋支架部分7，8支撐。在延伸部分10的相對端9是振動隔離系統(tǒng)支撐部分9。圖3中構(gòu)成振動隔離系統(tǒng)VI的空氣彈簧AM置于部分9和基架BF之間。通過橋5，將通過空氣彈簧AM提供的來自基架BF的振動隔離傳輸至安裝在第一部分3上的部件。在圖3中示出的實施例中，提供了三個空氣彈簧在橋部分的任一端各有一個，第三個(沒有在圖3中示出，在但圖4中示出)在參考框架MF第一部分的縱向方向上的相對端處置于參考框架MF和基架BF之間。然而本發(fā)明不局限于該方面，并且可以理解，關(guān)于系統(tǒng)的特性和系統(tǒng)部件的數(shù)量和布置，能夠以多種可替代方式實現(xiàn)振動隔離系統(tǒng)VI。
在圖3中示出的實施例的替代實施例中，參考框架MF由單個的部件組成，其中將上面關(guān)于第一和第二部分描述的功能性結(jié)合成一個單獨的部分。
也如圖3所示，參考框架具有高紅外反射表面CO。通過向參考框架外表面的至少一部分作用涂層可以獲得該表面。涂層覆蓋參考框架的表面。它可以覆蓋至少一部分參考框架MF的表面。該涂層是例如鎳的金屬材料?？商娲?，可以通過拋光或表面處理參考框架MF的表面來形成高紅外反射表面。
圖4表示與如圖3所示基架BF分離的參考框架MF的下視圖。特別地，示出了安裝于參考框架下面的那些部件。這些部件包括設置為在測量位置2處起作用的干涉儀IF1和設置為在曝光位置4處起作用的干涉儀IF2。與這些干涉儀IF1、IF2中每一個相關(guān)聯(lián)的分別是相關(guān)的Z-反射鏡ZM1、ZM2。同時在測量位置2處示出的是用于支撐基底W的基底卡盤SC。一旦已經(jīng)進行測量階段，基底卡盤SC就從與測量位置2對準的位置移動至相對于曝光位置4的對準位置。如先前提到的，在一個實施例中，提供兩個基底卡盤，將各自的基底支撐在所述基底卡盤上。這兩個卡盤相對于彼此定位和移動，使第一基底可以在測量位置2處進行測量，同時使第二基底可以在曝光位置4處進行曝光。這樣布置增加了通過光刻裝置的基底的生產(chǎn)量。
此外，圖4示出了由于在參考框架MF的第一部分3的一部分和基架BF之間提供的另一個空氣彈簧AM，參考框架MF相對于基架BF的振動隔離。也可以看出，它是安裝在第二部分5和基架BF之間的空氣彈簧AM中之一。
期望投影透鏡PL、參考框架MF、干涉儀IF和其它傳感器的溫度控制位于千分之一絕對溫度級及其之下。對于參考框架MF由例如鋁的材料制成，期望溫度控制是0.1mK/5分鐘的數(shù)量級。進一步期望投影透鏡PL、參考框架MF、干涉儀IF和其它傳感器的環(huán)境的溫度穩(wěn)定性是在30mK的數(shù)量級。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)常規(guī)的光刻裝置不能提供這種溫度控制。
在常規(guī)的光刻裝置中，僅在投影系統(tǒng)上配備溫度傳感器。僅僅這種透鏡傳感器用于熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)的溫度設置點的確定，所述系統(tǒng)用于在透鏡回路水箱(LCWC)和馬達回路水路(MCWC)中提供水，并在空氣控制箱(ACC)中提供空氣。由于長時間恒定和由于透鏡的熱隔離，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)透鏡對于環(huán)境溫度波動不靈敏。另一方面，參考框架MF和其它溫度關(guān)鍵部件是更加靈敏的。因此，通過感測參考框架MF以及投影透鏡的溫度，可以檢測和解決長期和短期的波動。在本發(fā)明的一個實施例中，例如鋁的材料的參考框架MF具有高的熱膨脹系數(shù)，參考框架MF例如可以使用水調(diào)節(jié)系統(tǒng)進行熱調(diào)節(jié)。在另一個實施例中，用調(diào)節(jié)投影系統(tǒng)，特別是調(diào)節(jié)投影透鏡的相同的水來調(diào)節(jié)參考框架MF。由于鋁參考框架MF比常規(guī)的參考框架對周圍溫度波動更敏感，所以為了補償短期的周圍溫度波動，例如，致動器的作用或蓋子的開啟和關(guān)閉，感測參考框架MF的溫度，并且優(yōu)選將感測的溫度用于補償短期周圍溫度波動的溫度控制算法中。在另一個實施例中，使用例如置于投影透鏡上的傳感器感測投影系統(tǒng)PL的溫度，感測的溫度優(yōu)選與參考框架的溫度結(jié)合用于長期周圍溫度波動的補償控制算法中。期望對裝置的長期溫度進行控制，由于其溫度，特別是，投影系統(tǒng)的溫度優(yōu)選在操作溫度下保持穩(wěn)定。典型的操作溫度在22攝氏度左右。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，可以在單獨的控制回路中控制長期和短期的溫度波動，如下面詳細描述的。
圖5表示參考框架MF、投影透鏡PL以及熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)20的細節(jié)。通過控制溫度，特別是參考框架MF和投影透鏡PL的溫度，提高了光刻裝置的熱穩(wěn)定性。特別地，通過控制例如鋁的材料的具有高熱膨脹系數(shù)的參考框架的溫度，提高了框架的熱穩(wěn)定性。由于鋁參考框架MF比由英瓦合金制成的常規(guī)參考框架對周圍環(huán)境波動更敏感。
在圖5中，控制回路用于調(diào)節(jié)參考框架MF和投影透鏡PL中至少一個的溫度。在該實施例中，為了感測參考框架MF的溫度，配備至少一個第一溫度傳感器21。為了感測投影透鏡PL的溫度，在投影透鏡PL上配備另外的第二個溫度傳感器22。溫度傳感器可以包括其阻抗取決于溫度的裝置。為了根據(jù)第一和第二溫度傳感器21、22中至少一個感測的溫度來控制參考框架MF和投影透鏡PL中至少一個的溫度，配備熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)20。在一個實施例中，基于第一和第二溫度傳感器21、22感測的溫度來控制參考框架MF和投影透鏡PL的溫度。熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)20包括一控制電路24，用于控制傳輸?shù)絽⒖伎蚣躆F和投影透鏡PL中至少一個的熱量或從參考框架MF和投影透鏡PL中至少一個傳輸?shù)臒崃俊Ｅ鋫湟粶囟日{(diào)節(jié)元件26。溫度調(diào)節(jié)元件26設置為加熱和/或冷卻在熱傳輸系統(tǒng)中傳輸?shù)牧黧w?？刂齐娐?4置于溫度傳感器21、22和溫度調(diào)節(jié)元件之間。控制電路24設置為調(diào)節(jié)加熱量，從而朝設定溫度的方向調(diào)節(jié)感測溫度?？刂齐娐?4向溫度調(diào)節(jié)元件26提供控制信號，以根據(jù)該控制信號控制加熱器和/或冷卻器。熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)20進一步包括熱傳輸系統(tǒng)28、30、32、34、36、38。溫度調(diào)節(jié)元件26設置為使之與熱傳輸系統(tǒng)28、30、32、34、36、38熱接觸。溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)26調(diào)節(jié)通過熱傳輸系統(tǒng)28、30、32、34、36、38傳輸?shù)臒崃?。熱傳輸系統(tǒng)28、30、32、34、36、38進一步設置為使之與參考框架MF和投影透鏡PL中至少一個熱接觸，用以將熱量傳輸至參考框架MF和投影透鏡PL中的至少一個或從參考框架MF和投影透鏡PL中的至少一個傳輸熱量。特別地，熱傳輸系統(tǒng)28、30、32、34、36、38包括用于向參考框架MF和投影透鏡PL提供調(diào)節(jié)介質(zhì)34的供給輸送管28、36、38。該調(diào)節(jié)介質(zhì)可以是流體，例如水。供給輸送管28、36、38設置為貫穿參考框架MF和投影透鏡PL的一部分。特別地，供給輸送管38包括形成于參考框架MF中的封閉的通道，供給輸送管36包括形成于投影透鏡或投影系統(tǒng)PL中的封閉的通道。封閉的通道36、38設置為在參考框架MF和投影透鏡PL內(nèi)延伸，從而使它們不會影響這些元件的功能性。在供給輸送管28、36、38中配備循環(huán)泵30。除了溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)26的冷卻元件或可替代地，可以配備溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)26上游的冷卻元件(未示出)，其設置為除去調(diào)節(jié)介質(zhì)34中的余熱。在圖5中，示出了一個第一和第二溫度傳感器21、22。在另一個實施例中，提供了多個第一溫度傳感器和多個第二溫度傳感器。在這種情況下，平均控制電路確定和調(diào)節(jié)平均感測的溫度。利用調(diào)節(jié)量冷卻調(diào)節(jié)介質(zhì)34，而不是加熱調(diào)節(jié)介質(zhì)。在圖5中，調(diào)節(jié)介質(zhì)34順序地流經(jīng)參考框架MF和投影透鏡PL，在可替代的實施例中，這種流動也可以朝向參考框架MF和投影透鏡PL是平行的。在可替代的實施例中，可以調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)介質(zhì)34的流速，以控制通過熱傳輸系統(tǒng)傳輸?shù)臒崃?。在另一個可替代實施例中，不再包括如圖5所示的封閉的供給輸送管28，供給輸送管28可以包括通過其引入新的調(diào)節(jié)介質(zhì)的開放管道。熱傳輸系統(tǒng)不需要通過該系統(tǒng)循環(huán)調(diào)節(jié)介質(zhì)。
特別地，控制電路24設置為對第一和第二溫度傳感器21、22中至少一個感測的溫度進行響應，溫度調(diào)節(jié)元件26響應于控制電路24，并與熱傳輸系統(tǒng)28、30、32、34、36、38熱接觸，從而在參考框架MF和投影透鏡PL的至少一個中到達設定溫度。在另外一個特定實施例中，控制電路20設置為考慮由第一溫度傳感器21感測的溫度，以補償短期的周圍溫度波動。以這種方式，可以補償短期溫度波動，例如致動器的影響，蓋的開啟和關(guān)閉。特別地，對作用于參考框架上的短期周圍溫度影響進行補償，以防止框架和傳感器的短期熱漂移。在另一個實施例中，控制電路20設置為考慮通過第二溫度傳感器22感測的溫度，以補償長期的周圍溫度波動。以這種方式，將溫度，特別是投影透鏡PL的溫度保持在恒定的溫度，由于為了一致的成像質(zhì)量，期望將投影透鏡PL保持于恒定的參考溫度。特別地，可將透鏡保持于例如22攝氏度的參考溫度。在一個實施例中，在單獨的控制回路中獲得對短期和長期波動的補償。在另一個實施例中，熱傳輸系統(tǒng)28、30、32、34、36、38傳輸熱量至參考框架MF和投影透鏡PL或從參考框架MF和投影透鏡PL傳輸熱量。以這種方式，參考框架MF和投影透鏡PL都保持在預定的設置溫度，而基本上不增加光刻裝置的控制的復雜性。在一個實施例中，氣體供應，例如空氣吹淋器向投影透鏡PL和基底W之間的位置提供氣體，其中供給該位置的氣體的溫度由所述調(diào)節(jié)流體的溫度來確定。由于空氣吹淋器溫度由例如通過供給輸送管36提供的透鏡冷卸水來確定，因此獲得了更加熱穩(wěn)定的總系統(tǒng)。
圖6-8示出了依據(jù)本發(fā)明的實施例獲得的結(jié)果。在圖6-8中，軌跡60是透鏡溫度(CtLnsTempFM)，軌跡61是透鏡冷卻水的設定點的溫度(CtLcsSetp)，軌跡62是在測量側(cè)的參考框架的溫度(CtMfMeasTemp)，軌跡63是在曝光側(cè)的參考框架的溫度(CtMfExpTemp)。
圖6示出了依據(jù)本發(fā)明的實施例獲得的實驗結(jié)果，其中參考框架MF是鋁。特別地，在圖6中使用透鏡傳感器22獲得溫度恢復，并在基底W的曝光過程中使用參考框架MF傳感器21?？梢钥闯觯谠摐y量中沒有校正透鏡PL的長期漂移。在優(yōu)選實施例中，在控制算法中使用感測參考框架MF溫度的傳感器21和感測投影透鏡PL溫度的傳感器22，以阻止在圖6中觀察到的長期透鏡溫度漂移。
圖7示出了在圖6中示出的結(jié)果的細節(jié)。特別是，圖7示出了在曝光階段附近的結(jié)果。可以看到對短期試驗偏移的校正。在大約20.00h開始曝光，導致大約20mk的周圍溫度的增加，這導致LCW設定點的溫度降低。在大約10.00h，蓋從電子箱移開，導致環(huán)境氣體突然減少。這可以通過設定點溫度突然增加的控制來解決。如圖7所示，可以看出參考框架MF的溫度保持穩(wěn)定。
圖8表示出了如圖6所述的結(jié)果的細節(jié)。特別地，圖8表示出了在參考框架MF溫度處放大的實驗結(jié)果?？梢钥闯觯谒袝r間，溫度波動都在0.1mK的數(shù)量級，其對應于1nm的測量誤差，除了移開蓋時。可以理解，蓋的移開被認為是例外的情況。甚至在這種情況下，在圖8中示出的結(jié)果也表示出對于這種動作的恢復是非常快速的。
盡管在上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的各個具體實施例，但是可以理解，本發(fā)明可以按照不同于上面描述的方式實施。說明書不意味著限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種光刻裝置，其包括-用于提供輻射投射光束的照明系統(tǒng)；-用于支撐構(gòu)圖裝置的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖裝置用于對投射光束在其截面中賦予圖案；-用于保持基底的基底臺；-用于將帶圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統(tǒng)；以及用于提供參考面的隔離的參考框架，相對于該參考面測量所述基底；其特征在于所述參考框架包括具有高熱膨脹系數(shù)的材料。
2.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述參考框架支撐用于在基底曝光之前確定所述基底的具體尺寸的測量系統(tǒng)。
3.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述參考框架支撐所述投影系統(tǒng)。
4.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述熱膨脹系數(shù)大于約2.9×10-6/K。
5.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述參考框架包括鋁、鋁合金、鈦、鐵、鑄鐵、鋼、不銹鋼、銅、陶瓷材料、混凝土、花岡巖、瓷器材料的任何一種或這些材料的組合，例如，在復合、夾層或?qū)訅航Y(jié)構(gòu)中。
6.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述參考框架包括固體塊的材料。
7.依據(jù)權(quán)利要求6的光刻裝置，其中加工所述固體塊以形成所述參考框架。
8.依據(jù)權(quán)利要求7的光刻裝置，其中所述參考框架包括第一和第二部分。
9.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述參考框架配有用于相對于所述參考框架控制所述投影系統(tǒng)的溫度的熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
10.依據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，其中所述熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)利用調(diào)節(jié)流體來調(diào)節(jié)所述參考框架和所述投影透鏡。
11.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述參考框架配備高紅外反射表面。
12.依據(jù)權(quán)利要求11的光刻裝置，其中所述表面提供有例如鎳的金屬涂層。
13.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述參考框架由具有高比熱和/或高熱導率的材料制成。
14.依據(jù)權(quán)利要求13的光刻裝置，其中所述比熱高于大約600J(kgK)和/或所述熱導率高于大約20W(mK)。
15.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述裝置進一步包括為所述參考框架，所述第一和所述第二部分中至少一個而提供的至少一個振動隔離系統(tǒng)，用于分別使所述參考框架，所述第一部分和所述第二部分中的至少一個與所述裝置產(chǎn)生的振動隔離。
16.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述裝置進一步包括用于支撐所述振動隔離系統(tǒng)的基架。
17.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述參考框架配備用于感測所述參考框架溫度的第一溫度傳感器。
18.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述投影系統(tǒng)包括投影透鏡，其中所述投影透鏡配備用于感測所述投影透鏡溫度的第二溫度傳感器。
19.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，包括用于根據(jù)所述第一和第二溫度傳感器中至少一個感測的溫度來熱調(diào)節(jié)所述參考框架和所述投影系統(tǒng)中至少一個的熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
20.當從屬于權(quán)利要求17或18中的任一權(quán)利要求時，依據(jù)權(quán)利要求18的光刻裝置，其中所述熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括用于控制傳輸至所述參考框架和投影透鏡中至少一個或從所述參考框架和投影透鏡中至少一個傳輸?shù)臒崃康目刂齐娐?，溫度調(diào)節(jié)元件和熱傳輸系統(tǒng)，其中溫度調(diào)節(jié)元件調(diào)節(jié)通過所述熱傳輸系統(tǒng)傳輸?shù)臒崃?，其中所述熱傳輸系統(tǒng)與所述參考框架和所述投影透鏡的至少一個熱接觸，用于傳輸熱量至所述參考框架和投影透鏡的至少一個或從所述參考框架和投影透鏡的至少一個傳輸熱量，其中所述控制電路設置為響應通過所述第一和第二溫度傳感器中至少一個感測的溫度，所述溫度調(diào)節(jié)元件響應所述控制電路并與所述熱傳輸系統(tǒng)熱接觸，從而在所述參考框架和所述投影透鏡的至少一個中達到設定溫度。
21.依據(jù)權(quán)利要求20的光刻裝置，其中所述控制電路設置為考慮通過所述第一溫度傳感器感測的溫度，以補償短期環(huán)境溫度波動。
22.依據(jù)權(quán)利要求20或21的光刻裝置，其中所述控制電路設置為考慮通過所述第二溫度傳感器感測的溫度，以補償長期環(huán)境溫度波動。
23.依據(jù)權(quán)利要求20至22中任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述熱傳輸系統(tǒng)將熱傳輸?shù)剿鰠⒖伎蚣芎退鐾队巴哥R或從所述參考框架和所述投影透鏡傳輸熱。
24.依據(jù)權(quán)利要求20至23中任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括用于控制所述參考框架和所述投影透鏡溫度的單個控制回路。
25.依據(jù)權(quán)利要求20至24中任一權(quán)利要求所述的光刻裝置，其中所述熱傳輸系統(tǒng)包括加熱或冷卻至所述設定溫度的調(diào)節(jié)流體。
26.依據(jù)權(quán)利要求25所述的光刻裝置，包括用于向所述投影系統(tǒng)和所述基底之間的位置提供氣體的氣體供應裝置，其中供給該位置的氣體的溫度由所述調(diào)節(jié)流體的溫度決定。
27.依據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的參考框架。
28.一種器件制造方法，其包括步驟-提供基底；-利用照明系統(tǒng)提供輻射的投射光束；-利用構(gòu)圖裝置給投射光束在其截面中賦予圖案；以及-將帶圖案的輻射光束投射到基底的目標部分上，-利用隔離的參考框架提供參考面，相對于所述參考面測量基底；其特征在于所述參考框架包括具有高熱膨脹系數(shù)的材料。
全文摘要
提供的光刻裝置包括用于保持基底W的基底臺WT，用于將帶圖案的光束投射至基底W的目標部分之上的投影系統(tǒng)PL，以及用于提供參考表面的隔離參考框架MF，相對于該參考框架測量基底W，其中，參考框架MF包括具有高熱膨脹系數(shù)的材料。
文檔編號H01L21/027GK1617048SQ20041009471
公開日2005年5月18日 申請日期2004年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月13日
發(fā)明者P·R·巴特拉, W·J·博西, J·J·庫伊特, C·C·M·魯伊坦, B·A·J·魯?shù)峡诵菀了? M·坦布霍梅, F·米格徹布林克 申請人:Asml荷蘭有限公司