專利名稱：平板顯示器以及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及平板顯示器，更具體涉及，一種有機發(fā)光顯示(OLED)器件以及其制造方法，其通過在薄膜晶體管(TFT)和電極(EL)元件之間的整個表面上獨立形成阻光層而改善了對比度。
背景技術(shù)：
圖1A是描述紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)單元像素的現(xiàn)有的有源矩陣有機發(fā)光顯示器件(AMOLED)的一部分100的頂視圖。圖1B是在圖1A所示的現(xiàn)有的AMOLED的一部分100中使用的單元像素140的頂視圖。
為了簡化圖1A，應(yīng)用于每個R、G、B單元像素的附圖標(biāo)記被只表示在R單元像素上。但是，應(yīng)相同地配置R、G、B單元像素。
參考圖1A和1B，由此描述的現(xiàn)有的AMOELD包括彼此絕緣并設(shè)置在一個方向上的多條柵線110；彼此絕緣并設(shè)置在交叉于柵線110的方向上的多條數(shù)據(jù)線120；彼此絕緣的、交叉于柵線110并與數(shù)據(jù)線120平行設(shè)置的多條電源線(power line)130；在由柵線110、數(shù)據(jù)線120、以及電源線130所圍住的區(qū)域中形成的多個像素部分140；以及設(shè)置在每個像素部分140中并具有開口155的多個像素電極150。
在每個顯示部分140中設(shè)置R、G和B單元像素，并且每個單元像素包括兩個晶體管160和180、電容器170以及具有像素電極150的EL元件。此外，還提供用于將像素電極150與驅(qū)動晶體管180的漏電極185連接起來的導(dǎo)通孔189。
開關(guān)晶體管160包括具有源/漏區(qū)(圖中未示出)的半導(dǎo)體層、連接到柵線110的柵電極163、以及通過接觸孔164和166分別連接到半導(dǎo)體層的源/漏區(qū)的源電極167和漏電極165(未示出)。此外，也提供用于將TFT 160與漏電極165連接起來的導(dǎo)通孔179。驅(qū)動晶體管180包括具有源/漏區(qū)(圖中未示出)的半導(dǎo)體層181、柵電極183、以及通過接觸孔184和186分別連接到半導(dǎo)體層181的源/漏區(qū)的源電極187和漏電極185(未示出)。
電容器170包括下電極171和上電極173。將下電極171通過接觸孔166連接到開關(guān)晶體管160的漏電極165，并且連接到驅(qū)動晶體管180的柵極183。將上電極173連接到同樣也連接到驅(qū)動晶體管180的源極187的電源線130上。通過導(dǎo)通孔189將像素電極150連接到驅(qū)動晶體管180的漏電極185。
圖2是對應(yīng)于圖1B中所示的驅(qū)動晶體管180、像素電極150以及電容器170的現(xiàn)有的有機發(fā)光OLED器件的部分剖視圖。
參考圖2，在絕緣襯底200上形成緩沖層210，并且在緩沖層210上形成具有源/漏區(qū)221和225的半導(dǎo)體層220。在柵絕緣層230上形成柵電極231和電容器的下電極237。通過接觸孔(未示出)將源/漏電極251和255連接到源/漏區(qū)221和225，并且將電容器的上電極257連接到每個源/漏電極251和255。在該示例中，將上電極257連接到形成在層間絕緣層240上的源電極251。
在襯底的整個表面上形成鈍化層260和平坦化層(planarization layer)265。將EL元件的下電極270(例如，像素電極)連接到源電極/漏電極251和255中的一個上。在該例中，通過形成在平坦化層265上的導(dǎo)通孔269將下電極270連接到漏電極255。像素定義(defining)層275具有暴露部分下電極270的開口279。在開口279中形成有機發(fā)射層280并且該有機發(fā)射層280接觸下電極270。在襯底的整個表面上形成上電極285。
具有上述結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有的有機發(fā)光OLED器件一般使用多晶硅薄膜TFT，并且當(dāng)EL元件發(fā)光時對比度降低。這種對比度的降低是由于離開OLED中的金屬材料(諸如，晶體管、電容器、引線等)的反射光所引起。特別在大面積暴露于外部光的移動顯示情況下，由于外部光的內(nèi)反射而導(dǎo)致的對比度急劇下降是嚴(yán)重的問題。
為了防止由于外部光的反射所引起的對比度降低，通常地將昂貴的偏光鏡附著到顯示器件的前表面。這又導(dǎo)致了由于添加昂貴的偏光鏡而增加了制造成本的其它問題。而且，偏光鏡自身屏蔽了從有機發(fā)射層發(fā)出的光以致降低了透光度，從而導(dǎo)致急劇降低的亮度。
另一種現(xiàn)有的方法是形成在形成TFT和電容器的區(qū)域上的黑色矩陣，該黑色矩陣由鉻(Cr)/氧化鉻(CrOx)、或有機層等構(gòu)成。該方法明顯的缺陷在于形成黑色矩陣需要單獨的掩模處理，從而導(dǎo)致了復(fù)雜的制造處理。
關(guān)于AMOLED器件，韓國專利申請第2002-0005435和2001-0075075號中公開了使用轉(zhuǎn)變(transform)透明導(dǎo)電層的透光度的方法來形成黑色矩陣的方法。盡管在此公開的技術(shù)在底發(fā)射(bottom-emitting)AMOLED器件中增強了對比度并降低了外部光的反射，但是在頂發(fā)射(top-emitting)AMOLED器件中仍不能解決由外部光的反射所引起的問題。同樣，形成電容器的上電極的、用作源或漏電極的金屬層是高反射性的，并容易反射外部光。
但是，在頂發(fā)射AMOLED中使用金屬絕緣體混合層(MIHL，metal insulatorhybridlayer)形成黑色矩陣的另一情況下，由于MIHL中的金屬材料，不得不在像素之間單獨形成黑色矩陣。該方法顯著的缺陷是黑色矩陣不能完全屏蔽外部光，并且需要額外的掩模處理來在像素之間分隔黑色矩陣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種頂發(fā)射有機發(fā)光顯示器件(OLED)及其制造方法，該器件和方法能通過最小化外部光的反射改善對比度。
本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光顯示器件以及用于制造該器件的方法。在一個實施例中，該器件包括具有其上形成薄膜晶體管的絕緣襯底。該薄膜晶體管包括源電極和/或漏電極。鈍化層被形成在薄膜晶體管的至少一部分上的絕緣襯底上，并且具有形成在其中的導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔能電接觸源電極或漏電極。在導(dǎo)通孔中形成像素電極。在除了其對應(yīng)于像素電極的區(qū)域之外的鈍化層的整個上表面上形成阻光層。在除了其對應(yīng)于像素電極的區(qū)域之外的阻光層的上表面上形成平坦化層。


圖1A是現(xiàn)有的有源矩陣有機發(fā)光顯示(AMOLED)器件的一部分的頂視圖。
圖1B是在圖1A中所示的AMOLED器件的部分中所使用的單元像素的頂視圖。
圖2是現(xiàn)有的單元像素的剖面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例構(gòu)造的AMOLED器件的頂視圖。
圖4A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例構(gòu)造的AMOLED器件的剖面圖。
圖4B是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例構(gòu)造的AMOLED器件的剖面圖。
圖5A、5B、5C和5D是描述根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于制造有機發(fā)光顯示器件的方法的連續(xù)剖面圖。
圖6A、6B、6C和6D是描述根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的用于制造有機發(fā)光顯示器件的方法的連續(xù)剖面圖。
圖7A和7B是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的、在ALOMED器件中形成阻光層的示例附圖。
在附圖中，為清楚而放大了層的厚度和區(qū)域。
具體實施例方式
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例構(gòu)造的、一種ALOMED有機發(fā)光器件的一部分300的頂視圖，該圖描述了紅(R)、綠(G)、和藍(lán)(B)單元像素的配置。
如圖3所示，將彼此絕緣的多條柵線310設(shè)置在一個方向上；將彼此絕緣的多條數(shù)據(jù)線320設(shè)置在交叉于柵線310的方向上；將同樣彼此絕緣的并交叉于柵線310的多條電源線330設(shè)置為與數(shù)據(jù)線320平行，在由柵線310、數(shù)據(jù)線320以及電源線330界定(bind)的區(qū)域中形成多個像素部分340；以及多個像素電極350被設(shè)置在每個像素部分340中并具有開口355。為了簡化圖3A，應(yīng)用于每個R、G、B單元像素的附圖標(biāo)記只在R單元像素上被表示。而且，應(yīng)相同地配置R、G、B單位像素。
每個像素部分340具有R、G或B單元像素。如圖1B中所示，每個單元像素可以具有包括像素電極350、電容器、以及兩個晶體管的EL元件，或者將每個單元像素以各種其它方式來實現(xiàn)。在示例性的實施例中，像素電極350是包括反射層和如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電層的疊層(stacked layer)，其中所述反射層由高反射性的諸如鋁(AL)或鈦(Ti)的金屬或金屬合金構(gòu)成。在該實施例中，附圖標(biāo)記389表示用于將驅(qū)動晶體管(未示出)與像素電極350連接起來的導(dǎo)通孔。
在本發(fā)明的實施例中，提供了一種還包括阻光層360的有機發(fā)光顯示器件，其中在除了其對應(yīng)于像素電極的部分之外的襯底的整個表面上形成該阻光層360。由于在除了對應(yīng)于像素電極350的區(qū)域之外的襯底的整個表面上形成該阻光層360，所以阻光層360可完全屏蔽(shield)外部光。換句話說，因為阻光層360形成在平坦化層下的整個襯底表面上并與形成在平坦化層上的導(dǎo)通孔389隔離，而且因為在平坦化層上形成具有反射層的像素電極350，因此阻光層360可完全屏蔽外部光。
圖4A顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例構(gòu)造的AMOLED器件的剖視圖并描述該AMOLED器件的具有電容器、晶體管以及連接到晶體管的EL元件的部分。
參考圖4A，在絕緣襯底400上形成緩沖層410。在緩沖層410上形成具有源/漏區(qū)421和425的半導(dǎo)體層420，并且在柵絕緣層430上形成柵電極431和電容器的下電極437。在層間絕緣層440上，形成源/漏電極451和455，該源/漏電極451和455通過導(dǎo)通孔(未示出)連接到源/漏區(qū)421和425。將電容器的上電極457連接到源/漏電極451和455中的一個上。在該示例中，將上電極457連接到源電極451。
在襯底的整個表面上形成鈍化層460，在鈍化層460上形成阻光層490，以及在阻光層490上形成平坦化層465。貫穿阻光層490和平坦化層465形成導(dǎo)通孔469，以便暴露與鈍化層460相接觸形成的漏電極455。并且，形成阻光屏蔽467，該阻光屏蔽467從平坦化層465經(jīng)過阻光層490和鈍化層460基本環(huán)形地并垂直向下地延伸，以便封入(enclose)導(dǎo)通孔469，由此將導(dǎo)通孔469與阻光層490和鈍化層460分隔開。在該方式中，通過定義圖形467將阻光層490與導(dǎo)通孔469分隔開并與下電極470絕緣。另外，在一個實施例中，在EL元件和TFT之間的整個表面(層)上形成阻光層490。
通過貫穿平坦化層465形成的導(dǎo)通孔469將作為EL元件的像素電極的下電極470連接到漏電極455。形成其中具有用來暴露下電極470的一部分的開口479的像素定義層475。在開口479中形成有機發(fā)射層480以接觸下電極470。在襯底的整個表面上形成上電極485。
在一個示例性實施例中，阻光層490是由金屬絕緣體混合層(MIHL)構(gòu)成的薄膜層，該金屬絕緣體混合層具有金屬材料的濃度梯度和透明絕緣材料的濃度梯度，諸如氮化物層或氧化物層。該MIHL可具有金屬材料的濃度梯度，諸如氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)，以及透明導(dǎo)電材料的濃度梯度，如氧化銦錫(ITO)?；蛘撸韫鈱?90可具有有機絕緣層的濃度梯度，諸如，但不限于Cr、CrOx、或者碳黑。形成薄膜，以便金屬材料的濃度向鈍化層460逐漸增加而透明材料的濃度向平坦化層465逐漸增加。
利用形成平坦化層465的絕緣材料來填充貫穿阻光層490和鈍化層460的以閉合溝槽形狀形成的阻光屏蔽467，以便，如果阻光層490由導(dǎo)電材料構(gòu)成，則將阻光層490與導(dǎo)通孔469分隔開。以這種方式，由于通過阻光屏蔽467將阻光層490與形成在導(dǎo)通孔469中的像素電極(例如，下電極470)分隔開，因此防止了像素電極470的短路。
由于在除了其對應(yīng)于導(dǎo)通孔469的并被其圍繞的區(qū)域之外的襯底的整個表面上形成阻光層490，以及由于具有反射層的像素電極是阻光屏蔽467，因此通過襯底的整個表面可屏蔽所有的外部光。
圖4B是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例構(gòu)造的、包括電容器、TFT、以及連接到TFT的EL元件的AMOLED有機發(fā)光器件的一部分的剖視圖。
除了只貫穿阻光層490形成用于將導(dǎo)通孔與阻光層490隔開的阻光屏蔽467之外，圖4B的AMOLED器件的部分反映圖4A中描述的AMOLED的部分。在該實施例中，在襯底的整個表面上形成阻光層490的效果與參考圖4A描述的實施例的情況相同。
圖5A、5B、5C和5D是描述根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造AMOLED器件的方法的連續(xù)剖視圖。由于在此描述的所有方法中制造源/漏電極的工藝與那些用于形成現(xiàn)有的源/漏電極的工藝相同，因此下面的描述將從制造鈍化層的工藝開始。
參考圖5A，在絕緣襯底500的層間絕緣層510上形成源/漏電極520之后，在絕緣襯底500上連續(xù)形成鈍化層530和阻光層540。此后，形成光敏層圖形550以便可以暴露其上形成導(dǎo)通孔和阻光屏蔽的阻光層540的一部分。
參考圖5B，通過使用作為掩模的光敏層圖形550(圖5A)蝕刻暴露的阻光層540，首先形成用來暴露源/漏電極520的導(dǎo)通孔561。以相同形式，形成與阻光層540和鈍化層530接觸的阻光屏蔽565。此后除去光敏層圖形550。
參考圖5C，在襯底的整個表面上形成平坦化層570。然后形成光敏層圖形555以暴露對應(yīng)于先前形成的導(dǎo)通孔561的平坦化層570的區(qū)域。
參考圖5D，通過使用作為掩模的光敏層圖形555蝕刻暴露的平坦化層570，貫穿鈍化層530、阻光層540以及平坦化層570形成用來暴露源/漏電極520的導(dǎo)通孔571。在除去光敏層圖形555后，在平坦化層570上形成下電極580并通過導(dǎo)通孔571將該下電極580連接到源/漏電極520。
當(dāng)如上所述在襯底的整個表面上形成阻光層540并且不提供阻光屏蔽時，通過導(dǎo)通孔571將下電極580電連接到阻光層540而發(fā)生短路。但是，在本發(fā)明中，通過用平坦化材料(planarization layer)570填充的阻光屏蔽565將導(dǎo)通孔571與阻光層490隔開，從而在下電極580和阻光層540之間不發(fā)生短路。
而且，在本發(fā)明的實施例中，當(dāng)在鈍化層530和平坦化層570中形成導(dǎo)通孔571時，通過幾乎同時形成阻光屏蔽565而省略額外的掩模工藝。在現(xiàn)有的AMOLED使用平坦化層的情況下，在鈍化層530上形成平坦化層以便克服其上形成TFT的襯底500(此后稱作TFT襯底)的級梯差異(step difference)。為了增強在TFT襯底和密封襯底(圖中未示出)之間的粘著性，除去一部分平坦化層以便TFT襯底與密封襯底密封。因此在鈍化層上形成平坦化層的現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中，需要兩種掩模處理。一種是形成導(dǎo)通孔的處理，另一種是將平坦化層密封到密封襯底所使用的用于除去平坦化層區(qū)域的工藝。
然而，在本發(fā)明的實施例中，通過蝕刻阻光層和鈍化層首先形成導(dǎo)通孔和阻光屏蔽之后，在用于形成鈍化層中的導(dǎo)通孔的處理期間蝕刻平坦化層。結(jié)果，不需要用于形成阻光屏蔽的額外掩模工藝。
圖6A、6B、6C和6D是描述根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的用于制造AMOLED器件的方法的連續(xù)剖面圖。
參考圖6A，在絕緣襯底600的層間絕緣層610上形成源/漏電極620后，連續(xù)形成鈍化層630和阻光層640。此后，在阻光層640上形成光敏層圖形650。在這種情況下，構(gòu)造光敏層650以便暴露將形成導(dǎo)通孔的阻光層640的第一部分位于將形成阻光屏蔽的第二部分之內(nèi)。使用半色調(diào)掩模(halftonemask)690完成該結(jié)構(gòu)，在該網(wǎng)線掩模中在對應(yīng)導(dǎo)通孔的部分上形成透明圖形695，在對應(yīng)阻光屏蔽的部分上形成半透明圖形693，并在剩余部分上形成屏蔽圖形691。
參考圖6B，通過使用作為掩模的光敏層圖形650來蝕刻暴露的阻光層640貫穿接觸阻光層640和鈍化層630首先形成用于暴露源/漏電極520的導(dǎo)通孔661，而幾乎同時在阻光層640上形成阻光屏蔽665。然后除去光敏層圖形650。
參考圖6C，在襯底的整個表面上形成平坦化層670之后，形成光敏層圖形655以暴露對應(yīng)起先形成的導(dǎo)通孔661的平坦化層670的一部分。
參考圖6D，通過使用作為掩模的光敏層圖形655來蝕刻暴露的平坦化層670接觸貫穿鈍化層630、阻光層640以及平坦化層670而最終形成用于暴露源/漏電極620的導(dǎo)通孔671。在除去光敏層圖形655后，通過導(dǎo)通孔671形成連接到源/漏電極620的下電極680。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，通過在阻光層640上形成的阻光屏蔽565將導(dǎo)通孔671與阻光層690隔開，以便防止下電極和阻光層之間的短路。而且，當(dāng)形成導(dǎo)通孔671時，通過形成阻光屏蔽可省略額外的掩模工藝。
圖7A和7B表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的阻光層和阻光屏蔽之間的關(guān)系的附圖。
參考圖7A和7B，在除了導(dǎo)通孔789外的襯底的整個表面(像素部分740)上形成阻光屏蔽760。另外，在溝槽形周圍和封閉的導(dǎo)通孔789中形成光屏蔽。除了在此描述的阻光屏蔽，將導(dǎo)通孔與阻光層隔開的任何圖形都在本發(fā)明權(quán)利要求的精神和范圍中。
雖然使用示例性實施例解釋在此描述的本發(fā)明，但是在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求的精神和范圍下可改進(jìn)發(fā)明。
本申請要求以下優(yōu)先權(quán)韓國專利申請第2003-54795號，申請日2003年8月7日，這里引用其公開內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光顯示器件，包括其上形成有薄膜晶體管的絕緣襯底，所述薄膜晶體管具有至少一個源電極和漏電極；在所述薄膜晶體管的至少一部分上的絕緣襯底上形成的鈍化層，該鈍化層具有形成于其中的導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔將漏電極電耦合到像素電極；在除了對應(yīng)于像素電極的區(qū)域之外的鈍化層的整個上表面上形成的阻光層；以及在除了對應(yīng)于像素電極的阻光層的區(qū)域之外的阻光層的上表面上形成的平坦化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光顯示器件，其中平坦化層還包括阻光屏蔽，該阻光屏蔽被形成在導(dǎo)通孔的至少一側(cè)上并且從平坦化層的下表面向下延伸進(jìn)入其中形成的并且從阻光層的上側(cè)延伸到該阻光層的下側(cè)的至少一個凹槽中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的發(fā)光顯示器件，其中所述阻光屏蔽由形成平坦化層的材料組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的發(fā)光顯示器件，其中所述阻光屏蔽還從阻光層的下側(cè)向下延伸進(jìn)入其中形成的并從鈍化層的上側(cè)延伸到該鈍化層的下側(cè)的至少一個凹槽中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光顯示器件，其中所述阻光層是薄膜金屬絕緣體混合層，該金屬絕緣體混合層具有金屬材料的濃度梯度以及透明材料的濃度梯度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的發(fā)光顯示器件，其中金屬材料的濃度梯度向鈍化層增加，以及其中透明材料的濃度梯度向平坦化層增加。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光顯示器件，其中透明材料是透明絕緣材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光顯示器件，其中透明絕緣材料是氮化物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光顯示器件，其中透明絕緣材料是氧化物層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光顯示器件，其中透明材料是透明導(dǎo)電材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)光顯示器件，其中透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫或者氧化銦鋅。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光顯示器件，其中阻光層是薄膜金屬絕緣體混合層，該金屬絕緣體混合層具有有機絕緣材料的濃度梯度以及透明材料的濃度梯度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的發(fā)光顯示器件，其中有機絕緣材料是從Cr、CrOx、以及碳黑組成的組中選擇出來的。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的發(fā)光顯示器件，其中透明材料是透明導(dǎo)電材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光顯示器件，其中透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫或者氧化銦鋅。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光顯示器件，還包括在絕緣襯底的表面上形成的電極元件，該電極元件包括下電極、有機發(fā)射層以及覆蓋有機發(fā)射層的上電極，其中有機發(fā)射層接觸下電極，和其中下電極包括反射層并被連接到源或漏電極中的一個上。
17.根據(jù)權(quán)利要求17的發(fā)光顯示器件，其中平坦化層還包括在導(dǎo)通孔的至少一側(cè)上形成的阻光屏蔽，并且該阻光屏蔽從平坦化層的下表面向下延伸進(jìn)入其中形成的并從阻光層的上側(cè)延伸到該阻光層的下側(cè)的至少一個凹槽中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的發(fā)光顯示器件，其中阻光屏蔽由形成平坦化層的材料組成。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的發(fā)光顯示器件，其中阻光屏蔽還從阻光層的下側(cè)向下延伸進(jìn)入其中形成的并從鈍化層的上側(cè)延伸到鈍化層的下側(cè)的至少一個凹槽中。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的發(fā)光顯示器件，其中阻光層是薄膜金屬絕緣體混合層，該薄膜金屬絕緣體混合層具有金屬材料的濃度梯度和透明材料的濃度梯度。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的發(fā)光顯示器件，其中金屬材料的濃度梯度向鈍化層增加，以及其中透明材料的濃度梯度向平坦化層增加。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的發(fā)光顯示器件，其中透明材料是透明絕緣材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的發(fā)光顯示器件，其中透明絕緣材料是氮化物層。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的發(fā)光顯示器件，其中透明絕緣材料是氧化物層。
25.根據(jù)權(quán)利要求22的發(fā)光顯示器件，其中透明材料是透明導(dǎo)電材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求22的發(fā)光顯示器件，其中透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫或者氧化銦鋅。
27.根據(jù)權(quán)利要求16的發(fā)光顯示器件，其中阻光層是薄膜金屬絕緣體混合層，該薄膜金屬絕緣體混合層具有有機絕緣材料的濃度梯度和透明材料的濃度梯度。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的發(fā)光顯示器件，其中有機絕緣材料選自Cr、CrOx、以及碳黑構(gòu)成的組。
29.根據(jù)權(quán)利要求27的發(fā)光顯示器件，其中透明材料是透明導(dǎo)電材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求29的發(fā)光顯示器件，其中透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫或者氧化銦鋅。
31.一種發(fā)光顯示器件，包括在其上形成具有源電極和漏電極的薄膜晶體管的絕緣襯底；在襯底的整個表面上形成的第一絕緣層；在第一絕緣層上形成的第二絕緣層；在第一絕緣層和第二絕緣層上形成的用來暴露第一電極的導(dǎo)通孔；具有形成在第二絕緣層上的下電極、有機薄膜層和上電極的電極元件，其中有機薄膜層接觸下電極；在下電極下形成的阻光屏蔽；以及在第一絕緣層的整個表面上形成的，并通過阻光屏蔽與導(dǎo)通孔隔開的阻光層。
32.根據(jù)權(quán)利要求31的發(fā)光顯示器件，其中第一電極是源電極或者漏電極中的一個。
33.根據(jù)權(quán)利要求31的發(fā)光顯示器件，其中阻光屏蔽從阻光層的表面向外延伸。
34.根據(jù)權(quán)利要求32的發(fā)光顯示器件，其中阻光屏蔽接觸一部分阻光層和一部分鈍化層這兩者。
35.根據(jù)權(quán)利要求32的發(fā)光顯示器件，其中阻光屏蔽具有將阻光層與在導(dǎo)通孔中形成的一部分下電極相隔開的溝槽圖形。
36.根據(jù)權(quán)利要求32的發(fā)光顯示器件，其中在下電極下的溝槽圖形中形成阻光屏蔽以封閉導(dǎo)通孔。
37.根據(jù)權(quán)利要求31的發(fā)光顯示器件，其中阻光層是薄膜金屬絕緣體混合層，該薄膜金屬絕緣體混合層具有金屬材料的濃度梯度和透明材料的濃度梯度。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的發(fā)光顯示器件，其中第一絕緣層是鈍化層，以及其中第二絕緣層是平坦化層。
39.根據(jù)權(quán)利要求38的有機發(fā)光顯示器件，其中金屬材料的濃度梯度向鈍化層增加，以及其中透明材料的濃度梯度向平坦化層增加。
40.根據(jù)權(quán)利要求39的發(fā)光顯示器件，其中透明材料是透明絕緣材料。
41.根據(jù)權(quán)利要求40的發(fā)光顯示器件，其中透明絕緣材料是氮化物層。
42.根據(jù)權(quán)利要求40的發(fā)光顯示器件，其中透明絕緣材料是氧化物層。
43.根據(jù)權(quán)利要求40的發(fā)光顯示器件，其中透明材料是透明導(dǎo)電材料。
44.根據(jù)權(quán)利要求43的發(fā)光顯示器件，其中透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫或者氧化銦鋅。
45.根據(jù)權(quán)利要求31的發(fā)光顯示器件，其中阻光層是薄膜金屬絕緣體混合層，該薄膜金屬絕緣體混合層具有有機絕緣材料的濃度梯度和透明材料的濃度梯度。
46.根據(jù)權(quán)利要求45的發(fā)光顯示器件，其中有機絕緣材料選自Cr、CrOx、以及碳黑構(gòu)成的組。
47.根據(jù)權(quán)利要求45的發(fā)光顯示器件，其中透明材料是透明導(dǎo)電材料。
48.根據(jù)權(quán)利要求47的發(fā)光顯示器件，其中透明導(dǎo)電材料是氧化銦錫或者氧化銦鋅。
49.一種制造平板顯示器的方法，包括在襯底的整個表面上形成鈍化層；在鈍化層的整個表面上形成阻光層；在阻光層上形成掩模層，該掩模層具有對應(yīng)于導(dǎo)通孔和阻光屏蔽凹槽的一個或多個區(qū)域；以及蝕刻阻光層和鈍化層，以便在其中形成第一導(dǎo)通孔和阻光屏蔽凹槽，其中導(dǎo)通孔和阻光屏蔽凹槽兩者都暴露阻光層。
50.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還包括在阻光層的整個表面上形成第二絕緣層，該第二絕緣層包括導(dǎo)通孔和阻光屏蔽凹槽；在第二絕緣層上形成第二掩模層，該第二掩模層包括對應(yīng)于導(dǎo)通孔的區(qū)域；以及蝕刻對應(yīng)于導(dǎo)通孔的區(qū)域。
51.根據(jù)權(quán)利要求50的方法，還包括在導(dǎo)通孔中形成像素電極，通過導(dǎo)通孔將該像素電極連接到第一電極。
全文摘要
本發(fā)明的發(fā)光顯示器件包括具有其上形成薄膜晶體管的絕緣襯底。該薄膜晶體管包括源電極和/或漏電極。在薄膜晶體管的至少一部分上的絕緣襯底上形成鈍化層，并且該鈍化層具有形成于其中的導(dǎo)通孔，該導(dǎo)通孔電接觸源電極或者漏電極。在導(dǎo)通孔中形成像素電極。在除了對應(yīng)于像素電極的區(qū)域之外的鈍化層的整個上表面上形成阻光層。在除了對應(yīng)于像素電極的區(qū)域之外的阻光層的上表面上形成平坦化層。
文檔編號H01L27/32GK1604702SQ200410092128
公開日2005年4月6日 申請日期2004年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月7日
發(fā)明者樸商一, 具在本, 李憲貞 申請人:三星Sdi株式會社