專利名稱：螺旋形電感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于各種電子電路單元或電子電路模塊等中的螺旋形電感器(spiral inductor)。
背景技術(shù)：
圖2是說明現(xiàn)有的螺旋形電感器的附圖，是現(xiàn)有的螺旋形電感器的平面圖。
下面，根據(jù)圖2說明現(xiàn)有的螺旋形電感器的結(jié)構(gòu)，在平板狀的絕緣基板51的一面?zhèn)龋O(shè)置由導(dǎo)電圖形形成的導(dǎo)體52，該導(dǎo)體52形成相鄰之間保持間隔53的方形的渦旋形狀(螺旋形)。
該導(dǎo)體52整體以一定的寬度(相同的寬度)形成，并且以從渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)的整體的間隔53具有相同尺寸的狀態(tài)，來配置導(dǎo)體52。
另外，在絕緣基板51的另一面?zhèn)?，設(shè)置布線圖形54，位于渦旋形狀內(nèi)端的導(dǎo)體52通過通孔(連接導(dǎo)體)與布線圖形54的一端連接。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，形成了現(xiàn)有的螺旋形電感器。(例如，參照專利文獻(xiàn)1日本特開平10-125860)已知具有這樣結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有螺旋形電感器，在絕緣基板51上的一定面積內(nèi)，以一定的寬度形成導(dǎo)體52，為了提高Q(Qualityfactor品質(zhì)因數(shù))，而使間隔53變窄。
但是，如果使間隔53變窄，則有時(shí)在相鄰的導(dǎo)體52之間產(chǎn)生的電容(容量)增加，自諧振頻率顯著降低，不能用于高頻電感器。
因此，以稍微擴(kuò)大間隔53的狀態(tài)來形成導(dǎo)體52，但是，由于渦旋形狀整體的間隔53大，因此相鄰的導(dǎo)體52之間的耦合變疏(粗)，從而電感減小，Q(Qualityfactor品質(zhì)因數(shù))降低。
現(xiàn)有的螺旋形電感器，由于具有一定寬度的導(dǎo)體52以相同的間隔53形成渦旋形狀，因此有這樣的問題由于相鄰的導(dǎo)體52之間的電容和耦合的關(guān)系，如果要提高Q，則自諧振頻率降低，如果提高自諧振頻率，則Q降低。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供極力抑制自諧振頻率的降低，并能提高Q的螺旋形電感器。
作為用于解決上述問題的第1解決方案，做成這樣的結(jié)構(gòu)具有平板狀的絕緣基板和導(dǎo)體，上述導(dǎo)體利用導(dǎo)電圖形在上述絕緣基板的至少一面?zhèn)刃纬?、在相鄰?dǎo)體之間保持間隔并配置成渦旋形狀、且具有一定寬度；上述渦旋形狀的內(nèi)側(cè)的上述間隔形成得比上述渦旋形狀的外側(cè)的上述間隔窄。
另外，作為第2解決方案，結(jié)構(gòu)為上述渦旋形狀形成方形。
另外，作為第3解決方案，結(jié)構(gòu)為上述渦旋形狀形成圓形。
另外，作為第4解決方案，結(jié)構(gòu)為上述間隔隨著從上述渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)，按照上述渦旋形狀的每一圈而變窄。
另外，作為第5解決方案，結(jié)構(gòu)為上述導(dǎo)體形成為直線部和彎曲部交替配置，隨著從上述渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)，使每個(gè)上述彎曲部的上述直線部的上述間隔變窄。
另外，作為第6解決方案，結(jié)構(gòu)為上述間隔隨著從上述渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)而逐漸變窄。
另外，作為第7解決方案，結(jié)構(gòu)為上述絕緣基板由氧化鋁構(gòu)成，并且上述導(dǎo)體由薄膜形成。
圖1是本發(fā)明的螺旋形電感器的平面圖。
圖2是現(xiàn)有的螺旋形電感器的平面圖。
具體實(shí)施例方式
對本發(fā)明的螺旋形電感器的附圖進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的螺旋形電感器的平面圖。
接下來，根據(jù)圖1說明本發(fā)明的螺旋形電感器的結(jié)構(gòu)，在氧化鋁等平板狀的絕緣基板1的一面?zhèn)?，設(shè)置由薄膜等構(gòu)成的導(dǎo)電圖形所形成導(dǎo)體2，該導(dǎo)體2形成為相鄰之間保持間隔D的方形(四邊形)的渦旋形狀。
另外，絕緣基板1也可以使用氧化鋁以外的絕緣基板，并且，導(dǎo)體2也可以用薄膜以外的印刷等方法形成。
該導(dǎo)體2整體以一定的寬度(相同的寬度)形成，并且，間隔D形成為隨著從渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)而變窄。
另外，渦旋形狀內(nèi)側(cè)的間隔D也可以比渦旋形狀外側(cè)的間隔D窄。
另外，渦旋形狀的導(dǎo)體2形成為彎曲部2b和直線部2a交替配置，并且，隨著從渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)，使每個(gè)彎曲部2b的直線部2a的間隔D變窄。
即，如圖1所示，與位于最外側(cè)的直線部2a的間隔d1相比較，經(jīng)第1彎曲部2b而延伸的第2直線部2a的間隔d2變窄，并且，與第2直線部2a的間隔d2相比較，經(jīng)第2彎曲部2b而延伸的第3直線部2a的間隔d3變窄。
這樣，直線部2a的間隔d1～d5隨著直線部2a從渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)而順次變窄。
另外，在絕緣基板1的另一面?zhèn)?，設(shè)有布線圖形3，位于渦旋形狀內(nèi)端的導(dǎo)體2通過通孔(連接導(dǎo)體)與布線圖形3的一端連接。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，形成了本發(fā)明的螺旋形電感器。
具有這樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的螺旋形電感器，在絕緣基板1上的一定面積內(nèi)，以一定的寬度形成導(dǎo)體2，由于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的間隔d5形成得比渦旋形狀外側(cè)的間隔d1窄，因此導(dǎo)體2間的耦合變密，并且，位于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體2，與現(xiàn)在相比卷繞直徑變大。
其結(jié)果是，由于若導(dǎo)體2之間的耦合變密，則卷繞直徑變大，因此內(nèi)側(cè)部分的電感成倍地變大，這樣，可以提高Q(Qualityfactor品質(zhì)因數(shù))。
另外，在本發(fā)明的螺旋形電感器中，渦旋形狀內(nèi)側(cè)的間隔d5比渦旋形狀外側(cè)的間隔d1變窄，其結(jié)果是位于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體2之間的電容增加，但是由于比位于渦旋形狀外側(cè)的導(dǎo)體2的長度短很多，因此可以減少整個(gè)導(dǎo)體2之間產(chǎn)生的電容的增加，并可以減少自諧振頻率的降低。
另外，由于導(dǎo)體2的寬度是一定的，因此螺旋形電感器的阻抗在輸入側(cè)和輸出側(cè)相同，在濾波器電路中使用時(shí)，不需要與連接電路的阻抗匹配。
另外，在上述實(shí)施例中，是以由四邊形構(gòu)成的方形渦旋形狀進(jìn)行的說明，但也可以使用由三角形或五邊形構(gòu)成的方形渦旋形狀。
另外，在上述實(shí)施例中，是以方形的渦旋形狀進(jìn)行的說明，但也可以使用圓形的渦旋形狀，此時(shí)，渦旋形狀內(nèi)側(cè)的間隔形成得比渦旋形狀外側(cè)的間隔窄，或者，間隔也可以隨著渦旋形狀從外側(cè)到內(nèi)側(cè)而逐漸變窄。
另外，方形或者圓形的渦旋形狀的間隔也可以隨著從渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)，渦旋形狀的每一圈都變窄。
另外，從位于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體2的引出，也可以在導(dǎo)體2上設(shè)置絕緣層，并在該絕緣層上形成引出導(dǎo)體。
本發(fā)明具有以下效果本發(fā)明的螺旋形電感器具有平板狀的絕緣基板和具備一定寬度的導(dǎo)體，該導(dǎo)體在該絕緣基板的至少一面?zhèn)扔蓪?dǎo)電圖形形成、且相鄰導(dǎo)體之間保持間隔地配置成渦旋形狀，渦旋形狀內(nèi)側(cè)的間隔形成得比渦旋形狀外側(cè)的間隔窄，因此位于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體的卷繞直徑變大，并且，導(dǎo)體間的耦合變密，電感變大，其結(jié)果是可以提高Q(Qualityfactor品質(zhì)因數(shù))。
另外，由于與渦旋形狀外側(cè)的間隔相比，渦旋形狀內(nèi)側(cè)的間隔變窄，因此導(dǎo)體間的電容增加，但是位于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體的長度比位于渦旋形狀外側(cè)的導(dǎo)體長度短，因此可以減少導(dǎo)體間產(chǎn)生的電容的增加，可以減少自諧振頻率的降低。
另外，由于渦旋形狀形成方形，因此可以提高導(dǎo)體的長度和間隔的精度，從而能得到阻抗精度高的螺旋形電感器。
另外，由于渦旋形狀形成圓形，因此所占面積變小，從而能得到小型的螺旋形電感器。
另外，隨著從渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)，渦旋形狀的每一圈，都使間隔變窄，因此位于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體，可以使卷繞直徑進(jìn)一步變大，從而可以進(jìn)一步提高Q。
另外，導(dǎo)體形成為直線部和彎曲部交替配置，隨著從渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)，使每個(gè)彎曲部的直線部的間隔變窄，因此位于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體，可以進(jìn)一步增大卷繞直徑，從而可以進(jìn)一步提高Q。
另外，隨著渦旋形狀從外側(cè)到內(nèi)側(cè)，間隔逐漸變窄，因此位于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體，可以進(jìn)一步增大卷繞直徑，從而可進(jìn)一步提高Q。
另外，絕緣基板由氧化鋁構(gòu)成，并且，導(dǎo)體由薄膜形成，因此可以提供精度良好的螺旋形電感器。
權(quán)利要求
1.一種螺旋形電感器，其特征在于具有平板狀的絕緣基板和導(dǎo)體，上述導(dǎo)體利用導(dǎo)電圖形在上述絕緣基板的至少一面?zhèn)刃纬?、在相鄰?dǎo)體之間保持間隔并配置成渦旋形狀、且具有一定寬度；上述渦旋形狀的內(nèi)側(cè)的上述間隔形成得比上述渦旋形狀的外側(cè)的上述間隔窄。
2.如權(quán)利要求1所述的螺旋形電感器，其特征在于上述渦旋形狀形成方形。
3.如權(quán)利要求1所述的螺旋形電感器，其特征在于上述渦旋形狀形成圓形。
4.如權(quán)利要求1所述的螺旋形電感器，其特征在于上述間隔隨著從上述渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)按照上述渦旋形狀的每一圈而變窄。
5.如權(quán)利要求2所述的螺旋形電感器，其特征在于上述導(dǎo)體形成為直線部和彎曲部交替配置，隨著從上述渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)，使每個(gè)上述彎曲部的上述直線部的上述間隔變窄。
6.如權(quán)利要求3所述的螺旋形電感器，其特征在于上述間隔隨著從上述渦旋形狀的外側(cè)到內(nèi)側(cè)而使逐漸變窄。
7.如權(quán)利要求1所述的螺旋形電感器，其特征在于上述絕緣基板由氧化鋁構(gòu)成，而且上述導(dǎo)體由薄膜形成。
全文摘要
提供能極力抑制自諧振頻率的降低，并能提高Q的螺旋形電感器。本發(fā)明的螺旋形電感器具有平板狀的絕緣基板(1)，以及在該絕緣基板(1)的至少一面?zhèn)刃纬蓪?dǎo)電圖形、在彼此間保持間隔(D)并配置成螺旋狀、具有一定寬度的導(dǎo)體(2)；由于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的間隔(d5)形成得比渦旋形狀外側(cè)的間隔(d1)窄，因此位于渦旋形狀內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體(2)，在卷繞直徑變大的同時(shí)，導(dǎo)體間的耦合變密，電感變大，其結(jié)果是可以提高Q(Qualityfactor品質(zhì)因數(shù))。
文檔編號H01F17/00GK1577645SQ20041006371
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月14日
發(fā)明者植田和彥 申請人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社