專利名稱：抗反射硬掩膜及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，更具體地說，本發(fā)明涉及抗反射硬掩膜組合物以及使用抗反射硬掩膜組合物處理半導(dǎo)體器件的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在微電子工業(yè)以及在其它涉及構(gòu)造微觀結(jié)構(gòu)例如微型電機(jī)和磁阻頭的工業(yè)中，需要進(jìn)一步減小結(jié)構(gòu)特征的尺寸。尤其是在微電子工業(yè)中，在微電子器件的尺寸正逐漸減小的同時(shí)，需要在給定晶片尺寸上提供更大量的電路。
有效的平版印刷技術(shù)對于減小結(jié)構(gòu)特征的尺寸是必需的。平版印刷技術(shù)不僅在所需基片上的直接成像方面影響微觀結(jié)構(gòu)的制造，而且在制備通常用于這種成像的掩膜方面影響微觀結(jié)構(gòu)的制造。
大多數(shù)的平版印刷方法均使用抗反射涂層(ARC)，以將圖像層如對輻射敏感的抗蝕劑材料層與底層之間的反射率降至最小，從而提高分辨率。然而，由于所述各層的類似元素組成，這些ARC材料使得圖像層具有較差的蝕刻選擇性。因此，在形成圖案后的ARC的蝕刻過程中，還消耗許多圖像層，所述的圖像層可能是在隨后的蝕刻步驟中另外的圖案化所需要的。
另外，對于某些平版印刷技術(shù)，所使用的對輻射敏感的抗蝕劑材料沒有為隨后的蝕刻步驟提供足以能夠?qū)⑺璧膱D案轉(zhuǎn)移到位于對輻射敏感的抗蝕劑材料下面的層內(nèi)的抗蝕性。在許多例子中，例如在使用超薄的對輻射敏感的抗蝕劑材料的情況下，在將要被蝕刻的底層較厚的情況下，在需要顯著的蝕刻深度的情況下，在需要將某些蝕刻劑用于給定底層的情況下，或者上述情況的任意組合情況下，使用硬掩膜層。硬掩膜層用作圖案化的對輻射敏感的抗蝕劑材料與將被圖案化的底層之間的中間層。硬掩膜層由圖案化的對輻射敏感的抗蝕劑材料層接收圖案，并且將該圖案轉(zhuǎn)移至底層。硬掩膜層應(yīng)該能夠承受轉(zhuǎn)移圖案所需的蝕刻過程。
雖然許多可用作ARC組合物的材料是已知的，但是仍需要對對輻射敏感的抗蝕劑材料、對硬掩膜層和對底層具有高蝕刻選擇性的改進(jìn)的ARC組合物。此外，許多已知的ARC難于涂覆到基材上，例如，涂覆這些ARC可能需要使用化學(xué)蒸氣沉積、物理蒸氣沉積、特殊的溶劑、高溫焙燒或上述方法的任意組合。
因此，希望能夠進(jìn)行具有高蝕刻選擇性和對多種蝕刻具有抗蝕性的平版印刷技術(shù)。這樣的平版印刷技術(shù)能夠生產(chǎn)出非常復(fù)雜的半導(dǎo)體器件。
發(fā)明概述本發(fā)明提供了抗反射硬掩膜組合物以及將該抗反射硬掩膜組合物用于加工半導(dǎo)體器件的技術(shù)。本發(fā)明的一個(gè)方面提供了用于平板印刷的抗反射硬掩膜層。該抗反射硬掩膜層包含含有至少一種生色團(tuán)部分和至少一種透明部分的碳硅烷聚合物主鏈和交聯(lián)組分。碳硅烷聚合物可以包含產(chǎn)酸劑、含SiO的單元和輔助交聯(lián)組分的任意組合。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了加工半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括如下步驟在基材上提供材料層；在該材料層上形成抗反射硬掩膜層?？狗瓷溆惭谀影兄辽僖环N生色團(tuán)部分和至少一種透明部分的碳硅烷聚合物主鏈和交聯(lián)組分。該方法可以還包括如下步驟在抗反射層上形成對輻射敏感的成像層；將對輻射敏感的成像層圖案式暴露于輻射中，由此在成像層中產(chǎn)生曝光區(qū)域的圖案；選擇性地除去部分對輻射敏感的成像層和抗反射硬掩膜層，以暴露出部分所述材料層；和蝕刻材料層暴露的部分，由此在基材上形成圖案化的材料特征。
參考下面的詳細(xì)說明和附圖，可以更完全地理解本發(fā)明以及本發(fā)明的更多特征和優(yōu)點(diǎn)。
附圖簡述

圖1是圖示按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案加工半導(dǎo)體器件的示范性技術(shù)的流程圖。
優(yōu)選實(shí)施方案的詳述本文公開了包含抗反射硬掩膜組合物(以下稱作“所述組合物”)的平版印刷結(jié)構(gòu)。所述組合物包含通式I的碳硅烷聚合物主鏈(其包含碳硅烷單元) 其中n≥1，x≥1，并且各R基團(tuán)是生色團(tuán)部分、透明部分或交聯(lián)組分。
碳硅烷聚合物主鏈通常包含飽和的碳-碳鍵，然而可以將不飽和的碳-碳鍵引入到碳硅烷聚合物主鏈中。將不飽和碳-碳鍵引入到碳硅烷聚合物主鏈中將在下面描述。
碳硅烷聚合物主鏈可以還包含含SiO的單元，其中SiO包含{R2SiO}、{RSiO1.5}和{SiO2}中的任何一種，其中R是有機(jī)基團(tuán)。包含含SiO的單元的典型碳硅烷聚合物主鏈可以如下所示 其中x≥1，y≥1，并且各R基團(tuán)是生色團(tuán)部分、透明部分或交聯(lián)組分。應(yīng)該指出，本文中所用的術(shù)語“聚合物”通常是指包含碳硅烷單元的碳硅烷聚合物主鏈和包含碳硅烷單元和含SiO單元的碳硅烷聚合物主鏈。
在其中碳硅烷聚合物主鏈包含含SiO單元的一個(gè)典型實(shí)施方案中，所述組合物含有的碳硅烷單元多于含SiO單元，從而確保所述組合物具有合適的硬掩膜性能(特別是當(dāng)?shù)讓又械娜魏我粚影趸飼r(shí))。含SiO單元可以選自硅氧烷結(jié)構(gòu)單元。所述抗反射硬掩膜層應(yīng)該具有可通過常規(guī)旋涂法形成層的溶液和成膜特性。
對于某些平板印刷應(yīng)用，特別是那些利用波長小于或等于157nm的應(yīng)用來說，可能需要將不飽和碳-碳鍵引入所述組合物，例如{R2Si{(CH)2}n}y或{R2Si{(C)2}n}z，其中n≥1且x＝0；y，z≥1或x，y，z≥1。某些含有不飽和碳-碳鍵的典型組合物具有以下構(gòu)型 所述組合物可以包含約50重量％(wt％)至約98wt％的聚合物，基于固體計(jì)。例如，所述組合物可以包含約70wt％至約80wt％的聚合物。
如上所述，各R基團(tuán)可以是生色團(tuán)部分、透明部分或交聯(lián)組分。碳硅烷聚合物主鏈本身對于所用的大多數(shù)波長通常是透明的。然而，可能需要引入對于成像輻射基本上是透明的含氟部分或含SiO單元。在某些情況下，多個(gè)部分和/或交聯(lián)組分可能存在于同一碳硅烷或含SiO單元中。例如，交聯(lián)組分和生色團(tuán)部分可能存在于同一碳硅烷單元中。
生色團(tuán)部分可以包含能夠接枝到具有適宜的輻射吸收特征的碳硅烷或含SiO單元上，并且不會(huì)不利地影響抗反射硬掩膜組合物或任何上面的對輻射敏感的層的性能的任何合適的生色團(tuán)部分。合適的生色團(tuán)部分包括但不限于苯基、類、芘類、熒蒽類、蒽酮類、二苯甲酮類、噻噸酮類和蒽類。還可以使用蒽衍生物，例如記載于Renner，US4,371,605“含有N-羥基酰胺和N-羥基酰亞胺磺酸酯的可光聚合的組合物”中的那些蒽衍生物，該專利公開的內(nèi)容通過引用結(jié)合在本申請中(例如，9-蒽甲醇對于248納米(nm)的平版印刷是優(yōu)選的生色團(tuán))。生色團(tuán)部分優(yōu)選不含氮，除了可能失活的氨基氮，例如在酚噻嗪中的氮。對于193nm的平版印刷，含有不飽和碳鍵，例如碳-碳雙鍵的非芳香族化合物也是適宜的生色團(tuán)。在不加入生色團(tuán)的情況下，高度交聯(lián)的碳硅烷在193nm處可能具有適宜的光學(xué)性能。對于157nm的平版印刷，含有飽和碳-碳鍵的化合物可以起生色團(tuán)的作用。
可以通過酸催化的O-烷基化或C-烷基化，例如通過Friedel-Crafts烷基化反應(yīng)，將生色團(tuán)部分化學(xué)連接到碳硅烷或含SiO單元上?；蛘?，可以通過酯化機(jī)理將生色團(tuán)部分連接到碳硅烷或含SiO單元上。在一個(gè)典型的實(shí)施方案中，約1％至約40％的碳硅烷和含SiO單元含有生色團(tuán)部分。生色團(tuán)部分在碳硅烷和含SiO單元上的連接點(diǎn)可以是芳基，例如羥基芐基或羥甲基芐基。或者，可以通過與存在的其它部分如醇類發(fā)生反應(yīng)，將生色團(tuán)部分連接到碳硅烷單元上。用于將生色團(tuán)部分連接到碳硅烷或含SiO單元上的反應(yīng)優(yōu)選包括醇(-OH)基團(tuán)的酯化作用。
透明部分可以根據(jù)所用的成像輻射的波長或特征而改變。在193nm或157nm平版印刷的情況下，所用的透明部分通常是不含不飽和碳-碳鍵的有機(jī)部分。為了實(shí)現(xiàn)所述組合物的需要的光學(xué)性能，小于或等于約50％的透明部分應(yīng)該含有不飽和碳-碳鍵，特別是在193nm平版印刷的情況下。在157nm平版印刷的情況下，透明部分可以含有氟碳取代基以提高透明度。此外，可能需要形成包含碳硅烷和含SiO單元的混合物的聚合物，以達(dá)到適合193nm和157nm平版印刷的光學(xué)透明度。可能需要平衡透明部分和生色團(tuán)部分的數(shù)目以提供能量吸收和抗反射的有利組合。
所述組合物還包含交聯(lián)組分。交聯(lián)組分可以在有或者沒有輔助交聯(lián)組分的情況下交聯(lián)所述組合物內(nèi)的碳硅烷聚合物。交聯(lián)反應(yīng)可以通過酸的產(chǎn)生，通過加熱或兩者，或者通過電子束照射進(jìn)行催化。
交聯(lián)組分包含負(fù)型光刻膠領(lǐng)域已知的、與所述組合物的其它組分相容的任何適宜的交聯(lián)基團(tuán)。所述交聯(lián)組分可以在產(chǎn)生的酸存在下交聯(lián)聚合物。產(chǎn)酸劑將在下面詳細(xì)描述。
適宜的交聯(lián)組分包括但不限于甘脲、醇、芳香醇、羥基芐基、苯酚、用于248nm平板印刷的羥甲基芐基、脂環(huán)族醇、脂肪醇、環(huán)己醇(cyclohexanoyl)、丙醇、非環(huán)狀醇、氟碳醇以及包含至少一種前述醇的組合物。芳香醇適用于248nm的平版印刷。脂環(huán)族醇和脂肪醇適用于193nm的平版印刷。其他合適的交聯(lián)組分包括乙烯基醚和環(huán)氧化物。
交聯(lián)組分還可以包含硅氫鍵、乙烯基或烯丙基或連接到硅上的烷氧基取代基?？山宦?lián)的碳硅烷的例子以及例如通式1的R基團(tuán)(作為交聯(lián)組分的一部分)的例子如下所示聚碳硅烷的例子 R＝甲基、乙基、乙酸酯 x＝90％，y＝10％R＝交聯(lián)組分的一部分的實(shí)例 R＝H，甲基SEN＝蒽按照本發(fā)明的教導(dǎo)，所述組合物可以包含約1wt％至約50wt％的交聯(lián)組分，基于固體計(jì)。例如，所述組合物可以包含約3wt％至約25wt％的交聯(lián)組分，基于固體計(jì)。
通常在聚合物形成之前或之后，將交聯(lián)組分通過硅氫化反應(yīng)連接到碳硅烷和含SiO單元上。還可以通過硅鹵鍵與Grignard或有機(jī)鋰試劑的取代反應(yīng)將交聯(lián)組分引入到碳硅烷和含SiO單元上。這種取代反應(yīng)可以在聚合物形成之前或之后進(jìn)行。涉及碳硅烷和聚硅氧烷的硅氫化反應(yīng)I和II、硅鹵鍵與有機(jī)金屬試劑的反應(yīng)III和各種聚合反應(yīng)IV的例子如以下方案所示 R＝生色團(tuán)、透明基團(tuán)、交聯(lián)組分上述例子的詳細(xì)描述可以參見例如R.D.ARCHER，INORGANICAND ORGANOMETALLIC POLYMERS，54，76(2001)；M.A.BROOK，SILICON IN ORGANIC，ORGANOMETALLIC，ANDPOLYMER CHEMISTRY，256-367，400(2000)；M.Birot等，Comprehensive Chemistry of Polycarbosilane，Polysilazene，andPolycarbosilazene as Precursors for Ceramics，95 J.CHEM.REV.1443(1995)；L.V.Interrante等，Linear and Hyperbranched Polycarbosilaneswith Si-CH2-Si Bridging GroupsA Synthetic Platform for theConstruction of Novel Functional Polymeric Materials，12 APPL.ORGANOMETAL.CHEM.695(1998)；210 H.FREY等，TOPICS INCURRENT CHEMISTRY，101(2000)；E.D.Babich，Silacyclobutanesand Related Compounds (Ring-Opening Polymerization)，10POLYMERIC MATERIALS ENCYCLOPEDIA 7621-35(1996)，上述文獻(xiàn)公開的內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。
包含碳硅烷單元或碳硅烷和含SiO單元的混合物的碳硅烷聚合物在與任何交聯(lián)組分反應(yīng)之前的重均分子量大于或等于約500。例如，碳硅烷聚合物可具有約1,000至約10,000的重均分子量。
所述組合物可以包含輔助交聯(lián)組分。所述的輔助交聯(lián)組分優(yōu)選包含可以與碳硅烷聚合物反應(yīng)的化合物，二者的反應(yīng)被產(chǎn)生的酸催化，并且還可能被加熱催化。輔助交聯(lián)組分通常包含負(fù)型光刻膠領(lǐng)域已知的、與所述組合物的其它組分相容的任何輔助交聯(lián)劑。適宜的輔助交聯(lián)劑包括但不限于甘脲化合物，包括甲基醚化甘脲、丁基醚化甘脲、四甲氧基甲基甘脲、甲基丙基四甲氧基甲基甘脲、甲基苯基四甲氧基甲基甘脲；2，6-二(羥甲基)-對甲酚化合物；醚化的氨基樹脂，包括甲醇醚化三聚氰胺樹脂、N-甲氧基甲基-三聚氰胺、丁醇改性的三聚氰胺樹脂、N-丁氧基甲基-三聚氰胺；雙環(huán)氧化物；雙酚、雙酚-A以及包含至少一種前述的輔助交聯(lián)劑的組合物。
適宜的甘脲化合物包括POWDERLINKTM化合物，它是Cytecindustries的商標(biāo)。適宜的2，6-二(羥甲基)-對甲酚化合物包括記載于Masaaki，日本專利申請JP 1293339A2“Photoresist Compositions”中的那些，該專利公開的內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。適宜的甲基醚化甘脲和丁基醚化甘脲包括記載于Kirchmayr，加拿大專利1204547，“Curable Composition Based On an Acid-Curable Resin，and Processfor Curing this Resin”中的那些，該專利公開的內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。
所述組合物可以還包含產(chǎn)酸劑。所述產(chǎn)酸劑包含熱處理時(shí)釋放出酸的產(chǎn)酸基團(tuán)(熱產(chǎn)酸劑)。可以使用各種已知的熱產(chǎn)酸劑，其包括但不限于2，4，4，6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、甲苯磺酸2-硝基芐基酯、有機(jī)磺酸的其它烷基酯以及包含至少一種前述的熱產(chǎn)酸劑的組合物?；罨瘯r(shí)產(chǎn)生磺酸的化合物通常是適宜的，并且包括以下文獻(xiàn)所記載的熱活化的產(chǎn)酸劑Sinta等，US 5,886,102“AntireflectiveCoating Compositions”(以下稱作“Sinta”)和Pavelchek等，US5,939,236“Antireflective Coating Compositions ComprisingPhotoacid Generators”(以下稱作“Pavelchek”)，所述專利公開的內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。
對輻射敏感的產(chǎn)酸劑可以用作熱產(chǎn)酸劑的替代物或者與其相組合?？梢允褂每刮g劑領(lǐng)域通常已知的對輻射敏感的產(chǎn)酸劑，只要它們與所述組合物的組分相容。適宜的對輻射敏感的產(chǎn)酸劑包括Sinta和Pavelchek中所記載的那些。
當(dāng)使用對輻射敏感的產(chǎn)酸劑時(shí)，通過施加輻射以誘導(dǎo)產(chǎn)生催化交聯(lián)反應(yīng)的酸，可以降低交聯(lián)溫度。即使使用對輻射敏感的產(chǎn)酸劑，也可以對所述組合物進(jìn)行熱處理以加速交聯(lián)過程。例如，在生產(chǎn)線生產(chǎn)的情況下，加速交聯(lián)過程可能是有利的。
所述組合物可以包含約1wt％至約20wt％的產(chǎn)酸劑，基于固體計(jì)。例如，所述組合物可以包含約1wt％至約15wt％的產(chǎn)酸劑，基于固體計(jì)。
在某些情況下，交聯(lián)可以通過在成型氣氛中進(jìn)行焙燒來實(shí)現(xiàn)而沒有使用產(chǎn)酸劑或輔助交聯(lián)劑中的一種或兩種。在不使用產(chǎn)酸劑的情況下，利用電子束輻射代替加熱來實(shí)現(xiàn)交聯(lián)。
所述組合物可以與任何需要的抗蝕劑材料組合使用以形成平版印刷結(jié)構(gòu)。在一個(gè)典型的實(shí)施方案中，所述抗蝕劑材料可以用較短波長的紫外線，例如用波長約小于248m的紫外線，或者用電子束輻射成像。適宜的抗蝕劑材料記載于例如Bucchignano等，US 6,037,097，“E-beam Application to Mask Making Using New Improved KRSResist System”，該專利公開的內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。
在涂覆到需要的基材上之前，所述組合物通常包含溶劑。適宜的溶劑包括通常與抗蝕劑材料一起使用并且不會(huì)過度不利地影響所述組合物性能的溶劑。典型的溶劑包括但不限于丙二醇單甲基醚乙酸酯、環(huán)己酮和乳酸乙酯。
溶劑應(yīng)該以足以實(shí)現(xiàn)約5wt％至約20wt％的固含量的量存在于所述組合物中。較高的固含量制劑通常得到較厚的涂層。本發(fā)明的所述組合物可以還含有少量的輔助組分，例如堿性添加劑，這一點(diǎn)是本領(lǐng)域已知的。
本發(fā)明所提供的組合物具有足夠的存放期。此外，本發(fā)明所提供的組合物防止了與成像層的不利的相互作用，例如通過硬掩膜層的酸污染。
所述組合物可以通過利用常規(guī)方法混合碳硅烷聚合物、交聯(lián)組分和產(chǎn)酸劑以及任何其它需要的成分來制備。下面描述使用所述組合物形成抗反射硬掩膜層。
所述組合物特別適于與生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所用的平版印刷方法，例如使用193nm、157nm、x-射線、電子束或其它成像輻射的平版印刷方法共同使用。因此，在本文中進(jìn)一步公開的是加工半導(dǎo)體器件的方法，如圖1所示。
半導(dǎo)體的平版印刷涂布通常包括將圖案轉(zhuǎn)移到在半導(dǎo)體基材上的材料層上，如圖1的步驟102所示。所述的材料層可以是導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體材料、磁性材料、絕緣材料、金屬、介電材料或包含至少一種前述材料的組合，這取決于生產(chǎn)過程的階段和最終產(chǎn)品所需的材料。
本發(fā)明的組合物可以通過旋涂法在所述材料層上形成抗反射硬掩膜層，如圖1的步驟104所示，然后焙燒以實(shí)現(xiàn)交聯(lián)并除去溶劑。在一個(gè)典型的實(shí)施方案中，焙燒在小于或等于約250攝氏度(℃)的溫度下進(jìn)行。例如，焙燒可以在約150℃至約220℃的溫度下進(jìn)行。焙燒的持續(xù)時(shí)間可以根據(jù)所述層的厚度和焙燒溫度而改變。
在另一個(gè)典型的實(shí)施方案中，焙燒可以在成型氣氛中在約250℃至約400℃的溫度下進(jìn)行。在另一個(gè)實(shí)施方案中，焙燒被電子束照射所代替。
由所述組合物形成的抗反射硬掩膜層的厚度可以根據(jù)需要的功能而改變。對于典型的應(yīng)用，抗反射硬掩膜層的厚度是約0.03微米(μm)至約5μm。
所述抗反射硬掩膜層可以以與常規(guī)的旋涂玻璃材料相類似的方式用作介電材料。所述抗反射硬掩膜層可以防止橫向蝕刻，并且甚至在通常與有機(jī)抗反射層有關(guān)的厚度下也可以用作硬掩膜層。
所述抗反射硬掩膜層優(yōu)選直接涂覆到待形成圖案的材料層上。然后如圖1的步驟106所示，可以將對輻射敏感的成像層直接或間接地形成在所述抗反射硬掩膜層上。
可以使用旋涂技術(shù)涂布所述對輻射敏感的成像層。然后可以加熱具有所述材料層、抗反射硬掩膜層和對輻射敏感的成像層的基材，即曝光前焙燒，以除去溶劑并且改善對輻射敏感的成像層的內(nèi)聚力。對輻射敏感的成像層應(yīng)該盡可能地薄，同時(shí)仍然基本上均勻并且足以承受隨后的處理，例如活性離子蝕刻，以將平版印刷的圖案轉(zhuǎn)移到下面的材料層上。曝光前焙燒的持續(xù)時(shí)間可以是約10秒鐘至約900秒鐘。例如，曝光前焙燒的持續(xù)時(shí)間可以是約15秒鐘至約60秒鐘。曝光前焙燒的溫度可以根據(jù)對輻射敏感的成像層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度而改變。
除去溶劑后，將對輻射敏感的成像層按圖案暴露于需要的輻射，例如波長小于或等于約200nm的紫外線，即193nm的紫外線，如圖1的步驟108所示。當(dāng)使用掃描粒子束如電子束時(shí)，圖案式曝光可以通過使粒子束掃描通過半導(dǎo)體器件和按照需要的圖案選擇性地應(yīng)用粒子束來實(shí)現(xiàn)。然而，一般地，當(dāng)使用波狀輻射，例如193nm的紫外線時(shí)，圖案式曝光通過置于對輻射敏感的成像層上的掩膜來進(jìn)行。對于193nm的紫外線，總曝光能量可以小于或等于約100毫焦耳/平方厘米(毫焦耳/cm2)。例如，總曝光能量可以小于或等于約50毫焦耳/cm2，例如約15毫焦耳/cm2至約30毫焦耳/cm2。
圖案式曝光后，對輻射敏感的成像層通常被焙燒，例如曝光后焙燒，從而進(jìn)一步完成酸催化的反應(yīng)并且提高曝光后的圖案的對比度。曝光后焙燒在約60℃至約175℃的溫度下進(jìn)行。例如，曝光后焙燒可以在約90℃至約160℃的溫度下進(jìn)行。曝光后焙燒優(yōu)選進(jìn)行約30秒鐘至約300秒鐘的時(shí)間。
進(jìn)行曝光后焙燒后，通過使對輻射敏感的成像層與堿性溶液(其選擇性地溶解并除去對輻射敏感的成像層的暴露于輻射的區(qū)域)接觸，得到(例如顯影得到)具有需要的圖案的對輻射敏感的成像層，如圖1的步驟110所示。適宜的堿性溶液，例如顯影劑包括氫氧化四甲基銨的水溶液。然后通常干燥所形成的平版印刷結(jié)構(gòu)，以除去任何殘留的來自顯影劑的溶劑。
然后利用已知的技術(shù)，通過用四氟甲烷(CF4)或其它適宜的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻，將需要的對輻射敏感的成像層的圖案轉(zhuǎn)移到抗反射硬掩膜層的曝光部分。然后可以將抗反射硬掩膜層的所述部分除去，如圖1的步驟110所示。
然后如圖1的步驟112所示，可以利用與所述材料相適應(yīng)的蝕刻劑蝕刻需要形成圖案的暴露的下面材料層。例如，當(dāng)所述材料層包含金屬例如鉻(Cr)時(shí)，氯/氧組合(Cl2/O2)可以用作干蝕刻劑。
一旦將圖案轉(zhuǎn)移到下面的材料層上，可以利用常規(guī)的剝離技術(shù)除去任何殘留的對輻射敏感的成像層和抗反射硬掩膜層。如果抗輻射硬掩膜層被嚴(yán)格用作硬掩膜層，則可以利用四氟甲烷/氧(CF4/O2)等離子體除去所述組合物。
所述抗反射硬掩膜和所形成的平版印刷結(jié)構(gòu)可以用于在基材上形成圖案化的特征，例如金屬線路、接觸孔或通孔、絕緣部分，包括用于電容器結(jié)構(gòu)的波紋凹槽或淺凹槽隔離部分以及集成電路器件的設(shè)計(jì)中可能使用的任何其它結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的教導(dǎo)可用于產(chǎn)生氧化物、氮化物、多晶硅或鉻的圖案化材料層。
其中可以使用本發(fā)明的組合物的通用平版印刷方法的例子公開于Douglas，US 4,855,017，“Trench Etch Process for a Single-Wafer RIEDry Etch Reactor”；Bronner等，US 5,362,663，“Method of FormingDouble Well Substrate Plate Trench DRAM Cell Array”；Akiba等，US 5,429,710，“Dry Etching Method”；Nulty，US 5,562,801，“Methodof Etching an Oxide Layer”；Golden等，US 5,618,751，“Method ofMaking Single-Step Trenches Using Resist Fill Recess”；Chan等，US5,744,376，“Method of Manufacturing Copper Interconnect With TopBarrier Layer”；Yew等，US 5,801,094，“Dual Damascene Process”；Kornblit，US 5,948,570，“Process for Dry Lithographic Etching”，上述專利公開的內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。圖案轉(zhuǎn)移方法的其它例子記載于W.MOREAU，SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY，PRINCIPLES，PRACTICES，AND MATERIALS，ch.12-13(1998)，該文獻(xiàn)公開的內(nèi)容通過引用結(jié)合在本文中。雖然在本文中描述、引用了示例性的平版印刷方法，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不應(yīng)該局限于任何特殊的平版印刷技術(shù)或器件結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明還公開了圖案化的平版印刷結(jié)構(gòu)。所述圖案化的平版印刷結(jié)構(gòu)包含基材；基材上的材料層；材料層上的圖案化的抗反射硬掩膜層，所述圖案化的抗反射硬掩膜層包含所述組合物；和抗反射硬掩膜層上的圖案化的對輻射敏感的成像層。
盡管本文已經(jīng)描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施方案，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于這些明確的實(shí)施方案，并且在不偏離本發(fā)明的范圍或精神實(shí)質(zhì)的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)行各種其它改變和改進(jìn)。提供下列實(shí)施例以舉例說明本發(fā)明的范圍和精神。因?yàn)榻o出這些實(shí)施例僅是為了說明的目的，所以其中體現(xiàn)的本發(fā)明不應(yīng)該限于此。
實(shí)施例實(shí)施例1制備包含含有10％烯丙基的聚氫碳硅烷-共聚-烯丙基氫碳硅烷(AHPCS)和二甲氧基聚碳硅烷(DMPCS)(其得自Starfire Systems，Watervliet，NY)的抗反射硬掩膜層。聚碳甲基硅烷(polycarbomethylsilane)、環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷均得自Aldrich Chemical Company，Inc.
實(shí)施例2制劑A，膜形成將聚合物AHPCS溶于2-庚酮溶劑，以固體基計(jì)的相對于溶劑的濃度為約10wt％至約20wt％。通過在3000轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)的轉(zhuǎn)速下旋涂60秒鐘，將制劑A旋涂到200毫米(mm)的硅晶片上，然后在200℃及惰性氮?dú)饬飨聼岚灞簾?分鐘并且在400℃及惰性氮?dú)饬飨聽t內(nèi)固化1小時(shí)，來產(chǎn)生厚度為約200nm至約400nm的膜。在200℃固化的碳硅烷聚合物膜的盧瑟福反散射能譜法(RBS)分析顯示出下面的元素組成硅23.9±2原子％、碳25.9±3原子％、氫44.9±2原子％、氧5.3±3原子％。在400℃固化的聚碳硅烷聚合物膜的RBS分析顯示出下面的元素組成硅22.5±2原子％、碳29.7±3原子％、氫40.0±2原子％、氧7.8±3原子％。
實(shí)施例3制劑B，膜形成將聚合物聚碳甲基硅烷溶于2-庚酮溶劑，以固體基計(jì)的相對于溶劑的濃度為約10wt％至約20wt％。通過在3000rpm的轉(zhuǎn)速下旋涂60秒鐘，將制劑B旋涂到200毫米的硅晶片上，然后在200℃及惰性氮?dú)饬飨聼岚灞簾?分鐘，來產(chǎn)生厚度為約200nm至約400nm的膜。然后用得自AlliedSignal Electron Vision Group的ElectronCureTM-200M裝置，通過曝光將所述的膜用電子束固化。在25千伏(kV)下用2毫安(mA)進(jìn)行曝光約20分鐘。對于每個(gè)晶片，劑量都精確到2000微庫侖/平方厘米(μC/cm2)。在所述裝置上每次的最大劑量是250(微庫侖)μC。將晶片曝光8次，每次用250μC。
實(shí)施例4制劑C，膜形成將聚合物DMPCS溶于PGMEA溶劑，相對于溶劑的濃度為20wt％。加入熱產(chǎn)酸劑硝基芐基丁基甲苯磺酸酯，相對于聚合物的濃度為5wt％。通過在3000rpm的轉(zhuǎn)速下旋涂60秒鐘，將該制劑旋涂到200mm的硅晶片上，然后在200℃下熱板焙燒2分鐘，來產(chǎn)生厚度為200nm的膜。
實(shí)施例5制劑D將前體二甲氧基聚碳硅烷(DMPCS)、環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷以0.45∶0.45∶0.1的摩爾比率混合。將總重1克(g)的該混合物溶于4g Dowanol PM(Aldrich Chemical Company，Inc.的產(chǎn)品)和1g 1當(dāng)量(n)的鹽酸中。將該溶液攪拌1小時(shí)并過濾。通過在3000rpm的轉(zhuǎn)速下旋涂60秒鐘，該制劑旋涂到200毫米(mm)的硅晶片上，然后在200℃下熱板焙燒2分鐘，產(chǎn)生厚度為300nm的膜。所述硅倍半氧烷(Silsesquioxane)/碳硅烷共聚物膜的RBS分析顯示出下面的元素組成硅11.7±2原子％、氧19.8±2原子％、碳27.7±2原子％、氫40.1±2原子％、氯0.7±2原子％。
實(shí)施例6光學(xué)性能利用n&k Technology，Inc.生產(chǎn)的n&k Analyzer測定光學(xué)常數(shù)(在193nm下的折射率(n)和消光系數(shù)(k))。
對于193nm輻射，所述膜的光學(xué)性能如下
對于157nm輻射，所述膜的光學(xué)性能如下
實(shí)施例7193nm平版印刷和蝕刻所述抗反射硬掩膜層將實(shí)施例1和實(shí)施例4所述的抗反射硬掩膜層用于平版印刷。在固化的抗反射硬掩膜層上旋涂丙烯酸基光刻膠(Sumitomo，JSR的產(chǎn)品)的層，至厚度為約250nm。將所述對輻射敏感的成像層在130℃下焙燒60秒鐘。然后使用0.6 NA 193nm Nikon Steper，用常規(guī)的和環(huán)形的照射，利用APSM光柵，使對輻射敏感的成像層成像。進(jìn)行圖案化曝光后，將對輻射敏感的成像層在130℃下焙燒60秒鐘。然后使用購買的顯影劑(0.26M TMAH)將圖像顯影。所形成的圖案顯示了113.75nm和122.5nm的線和間隔圖案。
然后使用TEL DRM裝置，通過20秒鐘的氟碳基蝕刻，將圖案轉(zhuǎn)移到抗反射硬掩膜層上。對輻射敏感的成像層和硬掩膜層之間的蝕刻選擇性超過3∶1。
利用在TEL DRM裝置上進(jìn)行的氟碳基氧化物蝕刻，可以測定存在于抗反射硬掩膜層和含氧化物的材料層之間的膜間蝕刻選擇性實(shí)施例1的聚合物膜是5∶1，實(shí)施例4的聚合物膜是3∶1。合并的蝕刻選擇性將給出圖案從氧化物轉(zhuǎn)移到有機(jī)抗蝕劑材料上的大于6∶1的總蝕刻選擇性。
實(shí)施例8所有下面的反應(yīng)均在惰性氣氛下采用標(biāo)準(zhǔn)的Schlenk技術(shù)進(jìn)行。無水甲苯、烯丙基縮水甘油基醚和聚碳甲基硅烷(MeH-PCS)購買自Aldrich Chemical Company，Inc.，并且買來后直接使用而未經(jīng)處理。Karstedt’s Catalyst購買自Gelest，Tullytown，PA，而二甲基二硅雜環(huán)丁烷(MeH-DSCB)購買自Starfire Systems，Watervliet，NY。四甲基二硅雜環(huán)丁烷(Me2-DSCB)按照Aldrich Chemical Company，Inc的方法合成。利用n&k Technology，Inc.生產(chǎn)的n&k Analyzer測定光學(xué)常數(shù)(在193nm下的折射率(n)和消光系數(shù)(k))。
MeH-DSCB與烯丙基縮水甘油基醚(AGE)的硅氫化將MeH-DSCB(2.95g，25.4毫摩爾(mmol))和AGE(7.25g，623.6mmol)置于50毫升(mL)的Schlenk燒瓶中，并通過兩次冷凍/融化循環(huán)進(jìn)行脫氣。加入無水甲苯(15mL)，然后加入10微升(μL)Karstedt’s Catalyst，并且將反應(yīng)物在室溫下攪拌18小時(shí)。加入兩匙硅膠并將反應(yīng)物在室溫下繼續(xù)攪拌8小時(shí)。過濾，然后在減壓下除去揮發(fā)性組分，得到MeGP-DSCB(甲基-環(huán)氧丙氧丙基二硅雜環(huán)丁烷)(67％的分離收率)。1H NMR(400兆赫茲(MHz)，CDCl3)0.05(m，2H，Si(Me)(CH2R)CH2Si)，0.28(m，3H，Si(Me)(CH2R)CH2Si)，0.73(m，2H，Si(Me)(CH2CH2R)CH2Si)，1.70(m，2H，Si(Me)(CH2CH2R)CH2Si)，2.65(m，1H，GP)，2.83(m，1H，PGE)，3.19(m，1H，GP)，3.45(br，1H，GP)，3.78(br，1H，PGE)。
甲基-環(huán)氧丙氧丙基-聚碳硅烷(MeGP-PCS)的合成MeGP-DSCB的開環(huán)聚合將MeGP-DSCB(1.00g，2.91mmol)置于Schlenk試管內(nèi)，并通過兩次冷凍/融化循環(huán)進(jìn)行脫氣。加入無水甲苯(15mL)，然后加入5μLKarstedt’s Catalyst。輕微放熱后，將反應(yīng)物在75℃下加熱過夜。在甲醇中于-78℃沉淀，并除去殘余溶劑，得到MeGP-PCS(50％分離收率)。1H NMR(400MHz，CDCl3)-0.23(m，Si(Me)(R)CH2SiMe(R’))，0.11(m，Si(Me)(R)CH2SiMe(R’))，0.52(m，Si(Me)(CH2CH2R)CH2Si)，1.62(m，Si(Me)(CH2CH2R)CH2Si)，2.65(m，GP)，2.83(m，GP)，3.19(m，PGE)，3.44(br，GP)，3.78(br，GP)。Mn＝3483，PDI＝2.91。
(MeGP-共聚-Me2)PCS的合成Me2-DSCB和MeGP-DSCB的共聚將MeGP-DSCB(0.5g，1.45mmol)和Me2-DSCB(0.21g，1.45mmol)置于Schlenk試管內(nèi)，并通過兩次冷凍/融化循環(huán)進(jìn)行脫氣。加入無水甲苯(15mL)，然后加入5μL Karstedt’s Catalyst。在輕微放熱后，將反應(yīng)物在75℃下加熱過夜。在甲醇中于-78℃沉淀，并除去殘余溶劑，得到粘稠液體狀的(MeGP-共聚-Me2)PCS(33％分離收率)。1H NMR(400MHz，CDCl3)-0.23(m，Si(Me)(R)CH2SiMe(R’))，0.16(m，Si(Me)(R)CH2SiMe(R’))，0.55(m，Si(Me)(CH2CH2R)CH2Si)，1.65(m，Si(Me)(CH2CH2R)CH2Si)，2.65(m，GP)，2.83(m，GP)，3.19(m，GP)，3.44(br，GP)，3.77(br，GP)。光學(xué)性能(193nm)n＝1.681，k＝0.032。

支化的MeGP-PCS的合成MeH-PCS的硅氫化將MeHPCS(分子量(mw)＝800，2.00g)和AGE(8.80g，77.2mmol)在燒瓶中混合，并通過兩次冷凍/融化循環(huán)進(jìn)行脫氣。加入無水甲苯(15mL)，然后加入H2PtCl6(約5μL 0.1摩爾/升(M)的異丙醇溶液)。將反應(yīng)物在95℃下加熱過夜。在冷甲醇(-78℃)中沉淀，然后除去上層溶劑，得到所需要的MeGP-PCS(68％分離收率，18％接枝率)。1H NMR(400MHz，CDCl3)0.043-0.146(br，Si(Me)(CH2R)CH2Si)，1.56(br，2H，Si(Me)(CH2CH2R)CH2Si)，2.58(br，1H，GP)，2.77(br，1H，GP)，3.12(br，1H，GP)，3.39(br，1H，GP)，3.69(br，1H，GP)。GPCMn＝1900，PDI＝1.8。
用于旋涂的制劑將MeGPPCS溶于PGMEA，使得基于固體計(jì)的相對于溶劑的濃度為10wt％。加入叔丁基苯基二苯基硫鎓全氟丁烷磺酸鹽(TAG)，使TAG的含量相對于聚合物是2.5wt％。加入表面活性劑(FC430)至1500份/百萬(ppm)，相對于總質(zhì)量計(jì)。在3000rpm下旋涂40秒鐘，將厚度為215nm的膜旋涂到25mm的晶片上，然后在110℃下焙燒60秒鐘。光學(xué)性能(193nm)n＝1.674，k＝0.025。通過將晶片在220℃下焙燒60秒鐘來實(shí)現(xiàn)交聯(lián)，形成不溶于任何溶劑的膜。
將(MeGP-共聚-Me2)PCS共聚物溶于PGMEA，使得基于固體計(jì)的相對于溶劑的濃度為10wt％。加入TAG(叔丁基苯基二苯基硫鎓全氟丁烷磺酸鹽)，使TAG的含量相對于聚合物是2.5wt％。加入表面活性劑(FC430)至1500ppm，相對于總質(zhì)量計(jì)。在3000rpm下旋涂40秒鐘，將厚度為300nm的膜旋涂到25mm的晶片上，然后在110℃下焙燒60秒鐘。光學(xué)性能(193nm)n＝1.681，k＝0.032。通過在220℃下加熱60秒鐘來進(jìn)行交聯(lián)。
將支化的MeGPPCS溶于PGMEA，使得基于固體計(jì)的相對于溶劑的濃度為10wt％。加入TAG(叔丁基苯基二苯基硫鎓全氟丁烷磺酸鹽)，使TAG的含量相對于聚合物是2.5wt％。加入表面活性劑(FC430)至1500ppm，相對于總質(zhì)量計(jì)。在3000rpm下旋涂40秒鐘，將厚度為118nm的膜旋涂到25mm的晶片上，然后在110℃下焙燒60秒鐘。通過在220℃下加熱60秒鐘來進(jìn)行交聯(lián)。光學(xué)性能(193nm)n＝1.750，k＝0.084。
權(quán)利要求
1.一種用于平版印刷的抗反射硬掩膜層，其包含包含至少一種生色團(tuán)部分和至少一種透明部分的碳硅烷聚合物主鏈；和交聯(lián)組分。
2.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其中碳硅烷聚合物主鏈包含含SiO單元。
3.權(quán)利要求2所述的抗反射硬掩膜層，其中碳硅烷聚合物主鏈包含的碳硅烷單元多于含SiO單元。
4.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其還包含輔助交聯(lián)組分。
5.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其中碳硅烷聚合物主鏈包含不飽和碳-碳鍵。
6.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其中碳硅烷聚合物主鏈包含飽和碳-碳鍵。
7.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其包含約50wt％至約98wt％的碳硅烷聚合物主鏈，基于固體計(jì)。
8.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其包含約70wt％至約80wt％的碳硅烷聚合物主鏈，基于固體計(jì)。
9.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其中各生色團(tuán)部分包含選自苯基、類、芘類、熒蒽類、蒽酮類、二苯甲酮類、噻噸酮類、蒽類、蒽衍生物、9-蒽甲醇、酚噻嗪、含有不飽和碳-碳雙鍵的非芳香族化合物、含有飽和碳-碳鍵的化合物的部分以及包含至少一種前述部分的組合物。
10.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其中碳硅烷聚合物主鏈對于一個(gè)或多個(gè)波長的輻射是透明的。
11.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其中各透明部分對于157納米的輻射是透明的。
12.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其中給定數(shù)目的所述至少一種透明部分包含有機(jī)部分。
13.權(quán)利要求12所述的抗反射硬掩膜層，其中給定數(shù)目的所述至少一種透明部分包含氟碳取代基。
14.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其中交聯(lián)組分包含選自甘脲、醇類、芳香醇、羥基芐基、酚、羥甲基芐基、脂環(huán)族醇、脂肪醇、環(huán)己醇、丙醇、非環(huán)狀醇類、氟碳醇類、乙烯基醚、環(huán)氧化物的交聯(lián)基團(tuán)以及包含至少一種前述交聯(lián)基團(tuán)的組合物。
15.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其包含約1wt％至約50wt％的交聯(lián)組分，基于固體計(jì)。
16.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其包含約3wt％至約25wt％的交聯(lián)組分，基于固體計(jì)。
17.權(quán)利要求4所述的抗反射硬掩膜層，其中輔助交聯(lián)組分包含選自甘脲、甲基醚化甘脲、丁基醚化甘脲、四甲氧基甲基甘脲、甲基丙基四甲氧基甲基甘脲、甲基苯基四甲氧基甲基甘脲、2，6-二(羥甲基)-對甲酚、醚化的氨基樹脂、甲醇醚化三聚氰胺樹脂、N-甲氧基甲基-三聚氰胺、丁醇改性的三聚氰胺樹脂、N-丁氧基甲基-三聚氰胺、雙環(huán)氧化物、雙酚、雙酚-A的輔助交聯(lián)基團(tuán)以及包含至少一種前述的輔助交聯(lián)基團(tuán)的組合物。
18.權(quán)利要求1所述的抗反射硬掩膜層，其還包含產(chǎn)酸劑。
19.權(quán)利要求18所述的抗反射硬掩膜層，其中產(chǎn)酸劑包含選自2，4，4，6-四溴環(huán)己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯、有機(jī)磺酸的烷基酯的產(chǎn)酸基團(tuán)以及包含至少一種前述的產(chǎn)酸基團(tuán)的組合物。
20.權(quán)利要求18所述的抗反射硬掩膜層，其中產(chǎn)酸劑包含熱產(chǎn)酸劑。
21.權(quán)利要求18所述的抗反射硬掩膜層，其包含約1wt％至約20wt％的產(chǎn)酸劑，基于固體計(jì)。
22.權(quán)利要求18所述的抗反射硬掩膜層，其包含約1wt％至約15wt％的產(chǎn)酸劑，基于固體計(jì)。
23.一種平版印刷結(jié)構(gòu)，其包含基材；基材上的材料層；材料層上的抗反射硬掩膜層，該抗反射硬掩膜層包含包含至少一種生色團(tuán)部分和至少一種透明部分的碳硅烷聚合物主鏈；交聯(lián)組分；和在抗反射硬掩膜層上的對輻射敏感的成像層。
24.一種加工半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括如下步驟在基材上提供材料層；在所述材料層上形成抗反射硬掩膜層，抗反射硬掩膜層包含含有至少一種生色團(tuán)部分和至少一種透明部分的碳硅烷聚合物主鏈；和交聯(lián)組分。
25.權(quán)利要求24所述的方法，其中抗反射硬掩膜層還包含產(chǎn)酸劑。
26.權(quán)利要求24所述的方法，其中碳硅烷聚合物主鏈包含含SiO單元。
27.權(quán)利要求24所述的方法，其還包括如下步驟在抗反射硬掩膜層上形成對輻射敏感的成像層；將對輻射敏感的成像層圖案式暴露于輻射中，由此在成像層中產(chǎn)生曝光區(qū)域的圖案；選擇性地除去部分對輻射敏感的成像層和抗反射硬掩膜層，以暴露出部分所述材料層；和蝕刻所述材料層暴露的部分，由此在基材上形成圖案化的材料特征。
28.權(quán)利要求27所述的方法，其還包括從材料層上除去殘留的對輻射敏感的成像層和抗反射硬掩膜層的步驟。
29.權(quán)利要求27所述的方法，其中所述的輻射是波長小于或等于約200納米的紫外線。
30.權(quán)利要求27所述的方法，其中所述的輻射是電子束輻射。
31.權(quán)利要求24所述的方法，其中所述的材料層包含選自導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體材料、磁性材料、絕緣材料、金屬、介電材料的材料，以及包含至少一種前述材料的組合物。
32.權(quán)利要求24所述的方法，其中所述的材料層包含氧化物、氮化物、多晶硅和鉻中的至少一種。
33.權(quán)利要求24所述的方法，其中抗反射硬掩膜層的厚度為約0.03微米至約5微米。
34.權(quán)利要求24所述的方法，其中形成步驟包括焙燒抗反射硬掩膜層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了抗反射硬掩膜組合物以及將該抗反射硬掩膜組合物用于加工半導(dǎo)體器件的技術(shù)。本發(fā)明的一個(gè)方面提供了用于平板印刷的抗反射硬掩膜層?？狗瓷溆惭谀影兄辽僖环N生色團(tuán)部分和至少一種透明部分的碳硅烷聚合物主鏈和交聯(lián)組分。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供了加工半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括如下步驟在基材上提供材料層；在材料層上形成抗反射硬掩膜層。所述抗反射硬掩膜層包含含有至少一種生色團(tuán)部分和至少一種透明部分的碳硅烷聚合物主鏈和交聯(lián)組分。
文檔編號H01L21/3213GK1585097SQ20041004938
公開日2005年2月23日 申請日期2004年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月22日
發(fā)明者K·巴比馳, E·黃, A·P·馬赫羅瓦拉, D·R·梅德羅斯, D·皮菲福爾, K·坦姆普勒 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司