專利名稱：有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種如有機電致發(fā)光顯示裝置那樣的具備將多個象素排列成矩陣狀所構(gòu)成的顯示面板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，有機電致發(fā)光顯示器(以下稱為有機EL顯示器)的開發(fā)正在進行，例如，探討在移動電話機中使用有機EL顯示器。作為有機EL顯示器的驅(qū)動方式，公知有使用掃描電極與數(shù)據(jù)電極分時驅(qū)動的無源矩陣驅(qū)動式、和在1個垂直掃描期間內(nèi)維持各象素的發(fā)光的有源矩陣驅(qū)動式。
在有源驅(qū)動式的有機EL顯示器中，如圖51所示，在各象素52內(nèi)配備有機EL元件50、控制對有機EL元件50通電的驅(qū)動用晶體管TR2、根據(jù)利用掃描電極施加的掃描電壓SCAN而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管TR1、和根據(jù)該寫入用晶體管TR1為導(dǎo)通狀態(tài)而施加來自數(shù)據(jù)電極的數(shù)據(jù)電壓DATA的電容元件C，該電容元件C的輸出電壓被施加在驅(qū)動用晶體管TR2的柵極上。
首先，對各掃描電極依次施加電壓，使與同一掃描電極連接的多個寫入用晶體管TR2成為導(dǎo)通狀態(tài)，與該掃描同步，在各數(shù)據(jù)電極上施加數(shù)據(jù)電壓(輸入信號)。此時，由于寫入用晶體管TR1為導(dǎo)通狀態(tài)，故與該數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的電荷蓄積于電容元件C內(nèi)。接著，利用該電容元件C內(nèi)蓄積的電荷量決定驅(qū)動用晶體管TR2的動作狀態(tài)，驅(qū)動用晶體管TR2接通時，經(jīng)過該驅(qū)動用晶體管TR2，向有機EL元件50供給與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)大小的電流。其結(jié)果是，以與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的亮度點亮該有機EL元件50。該點亮狀態(tài)在1個垂直掃描期間內(nèi)被保持。
如上所述，在向有機EL元件50供給與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)大小的電流，以與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的亮度使該有機EL元件50點亮的模擬驅(qū)動方式的有機EL顯示器中，存在顯示不勻的問題。因此，提出了通過向有機EL元件50供給具有與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的占空比的脈沖電流而表現(xiàn)多灰度等級的數(shù)字驅(qū)動式的有機EL顯示器的方案(例如，參照日本特開平10-312173號公報)。
在數(shù)字驅(qū)動式的有機EL顯示器中，如圖53(a)所示，將作為1個畫面的顯示周期的1場(field)(或1幀)分割為多個(N)子場(sub field)(或子幀)SF，各子場SF由掃描期間與發(fā)光期間構(gòu)成。在這里，雖然1個場內(nèi)包含的掃描期間具有完全相同的長度，但發(fā)光期間以2的n次方(n＝0，1，2…N-1)的長度變化。在圖中所示的例子(N＝4)中，4個發(fā)光期間分別被設(shè)定為8、4、2、1的長度，利用各發(fā)光期間的接通/斷開，可以表現(xiàn)16級灰度。
在上述的子場驅(qū)動中，在各子場SF中，在掃描期間內(nèi)在構(gòu)成各象素的寫入用晶體管TR1上施加掃描電壓，向電容元件C內(nèi)寫入該子場的2值數(shù)據(jù)，在之后的發(fā)光期間內(nèi)由驅(qū)動用晶體管TR2根據(jù)2值數(shù)據(jù)向有機EL元件供給電流。
可是，在采用了上述子場驅(qū)動法的有機EL顯示器中，由于必須用1個場內(nèi)的每個子場進行全部水平掃描線的掃描，故存在伴隨多灰度化而需要進行高速掃描的問題或發(fā)生偽輪廓的問題。
因此，申請人提出如圖52所示的有機EL顯示裝置。在該有機EL顯示裝置中，各象素51具備有機EL元件50；根據(jù)輸入對柵極的接通/斷開空置信號，接通/斷開有機EL元件50的通電的驅(qū)動用晶體管TR2；在柵極上施加來自掃描驅(qū)動器的掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管TR1；根據(jù)寫入用晶體管TR1為導(dǎo)通狀態(tài)，從而施加來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓的電容元件C；和向正負(fù)一對的輸入端子供給從斜坡電壓產(chǎn)生電路供給的斜坡電壓與電容元件C的輸出電壓，并比較兩電壓的比較器9，比較器9的輸出信號向驅(qū)動用晶體管TR2的柵極供給。
在驅(qū)動用晶體管TR2的源極上連接電流供給線54，驅(qū)動用晶體管TR2的漏極與有機EL元件50連接。在寫入用晶體管TR1的其中一電極(例如源極)上連接上述數(shù)據(jù)驅(qū)動器，寫入用晶體管TR1的另一電極(例如漏極)與電容元件C的一端連接，同時，與比較器9的反相輸入端子連接。在比較器9的非反相輸入端子上連接上述斜坡電壓產(chǎn)生電路的輸出端子。
在上述有機EL顯示裝置中，如圖53(b)所示，1場期間被分割為前半的掃描期間與后半的發(fā)光期間。在掃描期間內(nèi)，在各水平線上，在構(gòu)成各象素51的寫入用晶體管TR1上施加來自掃描驅(qū)動器的掃描電壓，寫入用晶體管TR1為導(dǎo)通狀態(tài)，由此，來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓被施加在電容元件C上，該電壓作為電荷被蓄積。其結(jié)果是，對于構(gòu)成有機EL顯示裝置的全部象素，1場量的數(shù)據(jù)被設(shè)定。
斜坡電壓產(chǎn)生電路，如圖53(c)所示，在每1場期間內(nèi)，在前半的掃描期間內(nèi)維持高的電壓值，在后半的發(fā)光期間內(nèi)產(chǎn)生從低電壓值直線變化為高電壓值的斜坡電壓。在前半段的掃描期間內(nèi)，通過在比較器9的非反相輸入端子上施加斜坡電壓產(chǎn)生電路的高的電壓，比較器9的輸出與向反相輸入端子的輸入電壓無關(guān)，如圖53(d)所示，始終為高的值。
再有，在后半段的發(fā)光期間內(nèi)，通過在斜坡電壓產(chǎn)生電路的斜坡電壓被施加在比較器9的非反相輸入端子，同時電容元件C的輸出電壓(數(shù)據(jù)電壓)被施加在比較器9的反相輸入端子上，從而比較器9的輸出根據(jù)圖53(d)所示的兩電壓的比較結(jié)果，成為低值及高值的2個值。即，斜坡電壓在數(shù)據(jù)電壓以下的期間，比較器的輸出為低值，斜坡電壓在數(shù)據(jù)電壓以上的期間，比較器的輸出為高值。在這里，比較器的輸出為低值的期間的長度，與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比。
這樣，通過只在與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比期間使比較器9的輸出為低值，從而只有在該期間內(nèi)驅(qū)動用晶體管TR2接通，向有機EL元件50的通電為接通。其結(jié)果是，各象素51的有機EL元件50，在1場期間內(nèi)，只在與各象素51的數(shù)據(jù)電壓成正比的期間內(nèi)發(fā)光，由此實現(xiàn)多灰度等級的表現(xiàn)。
根據(jù)上述有機EL顯示裝置，由于在1場期間內(nèi)只進行1次掃描就可以進行多灰度等級表現(xiàn)，故不需要高速的掃描，當(dāng)然也不會發(fā)生偽輪廓?？墒?，即使在由圖52所示的象素51構(gòu)成的有機EL顯示裝置中，也不能避免在構(gòu)成比較器9的多個晶體管的特性上出現(xiàn)分散偏差，其結(jié)果是，比較器9成為低值的時間，即有機EL元件50內(nèi)流過電流的時間，不能正確地與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比，存在產(chǎn)生顯示不勻，圖像質(zhì)量劣化的問題。再有，在上述專利文獻(xiàn)2或?qū)＠墨I(xiàn)4所示的顯示裝置中，流過比較器的電流與流過有機EL元件的電流相比，為不能忽略的大小，存在消耗電力增大的問題。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的第一目的在于提供一種與構(gòu)成各象素的晶體管的特性上的分散偏差無關(guān)，顯示元件的通電時間準(zhǔn)確與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置。
另外，本發(fā)明的第二目的在于提供一種比以往還可以降低消耗電力的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置。
有關(guān)本發(fā)明的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，具備呈矩陣狀排列配置多個象素而構(gòu)成的顯示面板，在該顯示面板的各象素中配備接受電力供給后而發(fā)光的顯示元件；和根據(jù)從外部供給的數(shù)據(jù)電壓，控制1幀期間內(nèi)的各顯示元件的發(fā)光期間的控制電路。而且，構(gòu)成顯示面板的各象素的控制電路具備啟動對顯示元件通電用的第1控制元件；和停止對顯示元件通電用的第2控制元件。
在上述本發(fā)明的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置中，由于在顯示面板的各象素內(nèi)配備由啟動對顯示元件通電用的第1控制元件和停止對顯示元件通電用的第2控制元件，故在顯示面板的制造工序中，相同象素內(nèi)的2個控制元件可以利用相同的工序同時形成于極近的位置上。因此，在這些控制元件中，在特性上的分散偏差也同樣發(fā)生，即使第1控制元件為啟動對顯示元件通電而動作的時間出現(xiàn)偏離，但之后第2控制元件為停止對顯示元件通電而動作時間也向相同的方向偏離相同的時間。其結(jié)果是，在顯示元件中通電的時間，盡管兩控制元件在特性上存在分散偏差，也成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的時間。
再有，有關(guān)本發(fā)明的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，通過在呈矩陣狀排列配置多個象素而構(gòu)成的顯示面板上連接掃描驅(qū)動器與數(shù)據(jù)驅(qū)動器而構(gòu)成。顯示面板的各象素具備接受電流或電壓的供給后而發(fā)光的顯示元件；被施加來自掃描驅(qū)動器的掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入元件；根據(jù)寫入元件成為導(dǎo)通狀態(tài)，而被施加來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓，并保持該電壓的電壓保持裝置；根據(jù)接通/斷開控制信號的輸入，接通/斷開對上述顯示元件的通電的驅(qū)動元件；和利用具有給定變化率的斜坡電壓，將上述電壓保持裝置的輸出電壓進行脈沖寬度調(diào)制，控制上述驅(qū)動元件的接通/斷開的脈沖寬度調(diào)制控制裝置。并且上述脈沖寬度調(diào)制控制裝置具備接通上述驅(qū)動元件用的接通控制元件和斷開上述驅(qū)動元件用的斷開控制元件。
在具體的構(gòu)成中，上述接通控制元件利用與上述斜坡電壓對應(yīng)的電壓的施加進行動作，從而接通上述驅(qū)動元件；而上述斷開控制元件利用對應(yīng)于上述數(shù)據(jù)電壓與斜坡電壓之和的電壓的施加進行動作，從而斷開上述驅(qū)動元件?；蛘?，上述接通控制元件利用對應(yīng)于上述數(shù)據(jù)電壓與斜坡電壓之和的大小的電壓的施加進行動作，從而接通上述驅(qū)動元件；而上述斷開控制元件利用與上述斜坡電壓對應(yīng)的電壓的施加進行動作，從而斷開上述驅(qū)動元件。
在上述本發(fā)明的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置中，在1個畫面的顯示周期內(nèi)的掃描期間內(nèi)，通過在構(gòu)成各象素的寫入元件上施加來自掃描驅(qū)動器的掃描電壓，使寫入元件為導(dǎo)通狀態(tài)，從而在電壓保持裝置上施加來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓，以保持該電壓。另一方面，在1個畫面的顯示周期內(nèi)的發(fā)光期間內(nèi)，在脈沖寬度調(diào)制控制裝置上施加具有給定變化率的斜坡電壓，該脈沖寬度調(diào)制控制裝置利用上述斜坡電壓對電壓保持裝置的輸出電壓(數(shù)據(jù)電壓)進行脈沖寬度調(diào)制，與此相對，接通控制元件接通驅(qū)動元件后，在經(jīng)過了與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的期間的時刻，斷開控制元件將驅(qū)動元件斷開。其結(jié)果是，只在與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的期間內(nèi)使顯示元件通電。
在這里，由于成為一對的接通控制元件與斷開控制元件，存在于相同的象素內(nèi)并互相接近，并且也是利用相同的制造過程同時形成，特性的分散偏差(例如柵極-源極間的門限電平)同樣產(chǎn)生，即使該分散偏差導(dǎo)致接通控制元件接通驅(qū)動元件的時刻偏離，但之后斷開控制元件將驅(qū)動元件斷開的時刻也是在相同方向偏離相同的時間。因此，從接通控制元件接通驅(qū)動元件到斷開控制元件將驅(qū)動元件斷開的時間，盡管兩控制元件在特性存在分散偏差，也成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的時間。
另外，在本發(fā)明的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置中，在顯示面板的各象素中，配備啟動對顯示元件通電用的第1控制元件和停止對顯示元件通電用的第2控制元件，在使第1控制元件兼具顯示元件的驅(qū)動的構(gòu)成中，可以采用如下的具體構(gòu)成上述第1控制元件串聯(lián)地介于從應(yīng)向顯示元件供給電力的電源延伸的供電線中，在對顯示元件的通電開始時為接通，開始對顯示元件的通電；上述第2控制元件在對顯示元件的通電停止時為斷開，斷開第1控制元件，由此使對顯示元件的通電停止。
在此，在第1控制元件及第2控制元件分別由第1晶體管及第2晶體管構(gòu)成的情況下，由于第1晶體管完成驅(qū)動顯示元件用的驅(qū)動用晶體管的任務(wù)，故通過改變顯示元件的陰極電位，可以使第1晶體管在線性區(qū)域(非飽和區(qū)域)與飽和區(qū)域的任一個內(nèi)動作。即，在使驅(qū)動用晶體管于飽和區(qū)域內(nèi)動作的情況下，雖然該驅(qū)動用晶體管在特性上存在的分散偏差對顯示元件的通電時間造成大的影響，但若如上所述由第1晶體管構(gòu)成驅(qū)動用晶體管，則由于應(yīng)控制顯示元件的通電時間的第1晶體管與第2晶體管在特性上的分散偏差被抵消，故第1晶體管不僅可以在線性區(qū)域動作，也可以在飽和區(qū)域內(nèi)動作。
再有，由于上述第1控制元件串聯(lián)地介于從應(yīng)向顯示元件供給電力的電源延伸的供電線中，接通/斷開對顯示元件的通電，故來自電源的電流在通電接通時只在供電線中流動，可以避免無用電流的發(fā)生。
另外，在有關(guān)本發(fā)明的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置中，在各象素的控制電路中設(shè)置有啟動對顯示元件通電用的第1控制元件；停止對顯示元件通電用的第2控制元件；和通過根據(jù)發(fā)光開始時刻中顯示元件的其中一方的端子電壓來控制第1控制元件的接通時刻或第2控制元件的接通時刻，調(diào)整顯示元件的發(fā)光期間的發(fā)光期間調(diào)整裝置。
在此，發(fā)光期間調(diào)整裝置，在每一幀期間內(nèi)，在發(fā)光開始時刻中顯示元件的端子間電壓變大時延長顯示元件的發(fā)光期間，在該端子間電壓變小時縮短顯示元件的發(fā)光期間。其結(jié)果是，盡管顯示元件的溫度變化或時效引起特性上的變化，1幀內(nèi)的顯示元件的發(fā)光量也成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的大小，顯示元件在特性上的變化可以被吸收。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，由于盡管構(gòu)成各象素的多個晶體管在特性上存在分散偏差，對各象素的顯示元件設(shè)定與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的正確通電時間，故可以防止顯示不勻，可以得到高的圖像質(zhì)量。另外，根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，可以抑制無效電力的發(fā)生，達(dá)到節(jié)減消耗電力的目的。
圖1是表示本發(fā)明的有機EL顯示裝置的構(gòu)成框圖。
圖2是表示第1實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖3是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖4是表示第2實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖5是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖6是表示第2實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖7是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖8是表示第4實施例的動作的波形圖。
圖9是表示第5實施例的動作的波形圖。
圖10是表示第6實施例中的有機EL顯示裝置的構(gòu)成框圖。
圖11是表示第6實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖12是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖13是表示第7實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖14是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖15是表示第8實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖16是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖17是表示第9實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖18是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖19是表示第10實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖20是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖21是數(shù)據(jù)電壓變化了的情況下的同上的波形圖。
圖22是表示第11實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖23是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖24是表示第12實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖25是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖26是數(shù)據(jù)電壓變化時的同上的波形圖。
圖27是說明該電路構(gòu)成中有機EL元件的特性偏移時的修正動作的波形圖。
圖28是表示第13實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖29是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖30是表示第14實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖31是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖32是表示第15實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖33是表示第16實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖34是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖35是表示第17實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖36是表示第18實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖37是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖38是表示有機EL特性偏移時的同上動作的波形圖。
圖39是表示晶體管特性與有機EL特性的曲線圖。
圖40是表示第19實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖41是表示第20實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖42是表示第21實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖43是表示第22實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖44是表示第23實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖45是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖46是表示第24實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖47是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖48是表示第25實施例中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖49是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
圖50是表示斜坡電壓的各種波形圖。
圖51是表示以往的有機EL裝置中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖52是表示申請人提出的有機EL裝置中的象素的電路構(gòu)成圖。
圖53是表示該電路構(gòu)成的動作的波形圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖對于在有機EL顯示裝置中實施本發(fā)明的方式，具體進行說明。
(整體構(gòu)成)本發(fā)明的有機EL顯示器2，如圖1所示，構(gòu)成為在呈矩陣狀排列多個象素所構(gòu)成的顯示面板5上連接掃描驅(qū)動器3與數(shù)據(jù)驅(qū)動器4。從TV接收機等圖像源供給的圖像信號，向圖像信號處理電路6供給，施行圖像顯示所必需的信號處理，由此得到的RGB三原色的圖像信號向有機EL顯示器2的數(shù)據(jù)驅(qū)動器4供給。另外，從圖像信號處理電路6得到的水平同步信號Hsync及垂直同步信號Vsync向定時信號發(fā)生電路7供給，由此得到的定時信號向掃描驅(qū)動器3及數(shù)據(jù)驅(qū)動器4供給。
再有，從定時信號發(fā)生電路7得到的定時信號向斜坡電壓產(chǎn)生電路8供給，由此，生成有機EL顯示器2的驅(qū)動中使用的斜坡電壓，該斜坡電壓向顯示面板5的各象素供給。還有，從定時信號發(fā)生電路7得到的復(fù)位信號向顯示面板5的各象素供給。另外，圖1所示的各電路、各驅(qū)動器及有機EL顯示器與電源電路(圖示省略)連接。
(第1實施例)顯示面板5，呈矩陣狀排列圖2所示的電路構(gòu)成的象素51而構(gòu)成。各象素51具備有機EL元件50；根據(jù)對柵極輸入的接通/斷開控制信號，接通/斷開對有機EL元件50的通電的驅(qū)動用晶體管TR2；在柵極上施加來自上述掃描驅(qū)動器的掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管TR1；根據(jù)寫入用晶體管TR1成為導(dǎo)通狀態(tài)而被施加來自上述數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓的電容元件C1；和根據(jù)從上述斜坡電壓產(chǎn)生電路供給的斜坡電壓RAMP，對電容元件C1的輸出電壓施行脈沖寬度調(diào)制的脈沖寬度調(diào)制控制電路90。電容元件C1的兩端分別與寫入用晶體管TR1的漏極及斜坡電壓供給線連接。脈沖寬度調(diào)制控制電路90具備接通驅(qū)動用晶體管TR2用的接通控制用晶體管TR3和斷開驅(qū)動用晶體管TR2用的斷開控制用晶體管TR4。
在有機EL顯示器2中，設(shè)置各象素51共用的高電位的電源VDD與低電位的電源VSS，在高電位的電源VDD上連接各象素51的驅(qū)動用晶體管TR2的源極。上述接通控制用晶體管TR3與斷開控制用晶體管TR4互相并聯(lián)地介于電源VDD與VSS之間，同時，一對晶體管TR5及TR6互相串聯(lián)地介入，兩晶體管的連接點B與驅(qū)動用晶體管TR2的柵極連接。
向接通控制用晶體管TR3的柵極供給斜坡電壓RAMP，向斷開控制用晶體管TR4的柵極供給電容元件C1的輸出電壓(數(shù)據(jù)電壓)。在電源VDD與晶體管TR5的柵極上分別連接電容元件C2的兩端，同時，分別連接復(fù)位用的晶體管TR7的源極與漏極，在該晶體管TR7的柵極上連接有復(fù)位信號線RESET。
在由上述象素51構(gòu)成的有機EL顯示裝置中，如圖3所示，通過掃描期間內(nèi)的掃描電壓SCAN的供給，接通寫入用晶體管TR1，在電容元件C1上蓄積了與數(shù)據(jù)電壓DATA(A點電壓)對應(yīng)的電荷后，通過使復(fù)位信號RESET從高值變?yōu)榈椭?，從而?fù)位用的晶體管TR7接通，電容元件C2的兩端被設(shè)置為高電位的電源電壓VDD。其結(jié)果是，晶體管TR5斷開。再有，在該時刻，其他的晶體管TR2、TR3、TR4及TR6全部斷開。
之后，在發(fā)光期間內(nèi)，斜坡電壓RAMP上升，與低電位的電源電壓VSS之差增大，若超過接通控制用晶體管TR3的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管TR3接通。由此，晶體管TR6導(dǎo)通，驅(qū)動用晶體管TR2的柵極電壓(B點電壓)下降，由此驅(qū)動用晶體管TR2導(dǎo)通。其結(jié)果是，電流從高電位的電源VDD流向有機EL元件50，開始發(fā)光。
然后，斜坡電壓進一步上升，由此A點電壓上升，與低電位的電源電壓VSS之差增大，若超過斷開控制用晶體管TR4的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管TR4接通，使晶體管TR6的柵極電壓下降。由此，晶體管TR6斷開。另外，與此同時，晶體管TR5接通，驅(qū)動用晶體管TR2的柵極電壓(B點電壓)上升。其結(jié)果是，驅(qū)動用晶體管TR2斷開，向有機EL元件50的通電停止，發(fā)光結(jié)束。
如上所述，有機EL元件50的發(fā)光結(jié)束時刻根據(jù)數(shù)據(jù)電壓的大小變化，從而發(fā)光時間與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比變化，實現(xiàn)多灰度等級表現(xiàn)。
在上述脈沖寬度調(diào)制控制電路90中，由于接通控制用晶體管TR3與斷開控制用晶體管TR4形成于同一象素51內(nèi)的互相接近的位置上，而且兩晶體管利用同一制造程序同時形成，故即使各晶體管的柵極-源極間的門限電平存在分散偏差，也會由于兩晶體管的分散偏差同樣發(fā)生，即使該分散偏差導(dǎo)致接通控制用晶體管TR3使驅(qū)動用晶體管TR2接通的時刻偏離，但之后斷開控制用晶體管TR4斷開驅(qū)動用晶體管TR2的時刻也向相同方向偏離相同時間。
因此，從接通控制用晶體管TR3接通驅(qū)動用晶體管TR2到斷開控制用晶體管TR4斷開驅(qū)動用晶體管TR2的時間，盡管兩晶體管TR3、TR4的門限電平存在分散偏差，也成為與數(shù)據(jù)電壓正確對應(yīng)的時間。
另外，一對晶體管TR5、TR6介于從高電位的電源VDD向低電位的電源VSS連接的信號線中，由于在掃描期間內(nèi)晶體管TR6為斷開狀態(tài)，晶體管TR5根據(jù)復(fù)位信號的供給而成為斷開，之后，在發(fā)光期間內(nèi)晶體管TR6從接通到斷開，同時，晶體管TR5成為接通，發(fā)光被停止，故在掃描期間及發(fā)光期間內(nèi)，一對晶體管TR5、TR6的至少一方為斷開，遮斷從高電位的電源VDD向低電位的電源VSS的電流通路。因此，沒有無用的電流從高電位的電源VDD流向低電位的電源VSS的情況，從而達(dá)到節(jié)減消耗電力的目的。
(第2實施例)如圖4所示，在各象素51的電路構(gòu)成中，脈沖寬度調(diào)制控制電路90，雖然具備接通驅(qū)動用晶體管TR2用的接通控制用晶體管TR3、斷開驅(qū)動用晶體管TR2用的斷開控制用晶體管TR4，但除了向接通控制用晶體管TR3的柵極供給電容元件C1的輸出電壓(數(shù)據(jù)電壓)，向斷開控制用晶體管TR4的柵極供給斜坡電壓RAMP方面，和相對晶體管TR5并聯(lián)連接電容元件C3方面以外，是與第1實施例相同的構(gòu)成。
在由象素51構(gòu)成的有機EL顯示裝置中，如圖5所示，在發(fā)光期間內(nèi)，斜坡電壓RAMP上升，隨此A點電壓上升，與低電位的電源電壓VSS之差增大，若超過接通控制用晶體管TR3的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管TR3接通。由此，晶體管TR6導(dǎo)通，驅(qū)動用晶體管TR2的柵極電壓(B點電壓)下降，由此驅(qū)動用晶體管TR2導(dǎo)通。其結(jié)果是，電流從高電位的電源VDD流向有機EL元件50，開始發(fā)光。
斜坡電壓進一步上升，與低電位的電源電壓VSS之差增大，若超過斷開控制用晶體管TR4的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管TR4導(dǎo)通，使晶體管TR6的柵極電壓下降。由此該晶體管TR6斷開。另外，與此同時，晶體管TR5接通，驅(qū)動用晶體管TR2的柵極電壓(B點電壓)上升。其結(jié)果是，驅(qū)動用晶體管TR2斷開，向有機EL元件50的通電被停止，發(fā)光結(jié)束。
如上所述，有機EL元件50的發(fā)光結(jié)束時刻根據(jù)數(shù)據(jù)電壓的大小變化，從而發(fā)光時間與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比變化，實現(xiàn)多灰度等級表現(xiàn)。
在上述脈沖寬度調(diào)制控制電路90中，也與第1實施例同樣，即使接通控制用晶體管TR3與斷開控制用晶體管TR4的柵極-源極間的門限電平存在分散偏差，也由于接通控制用晶體管TR3使驅(qū)動用晶體管TR2接通的時刻與之后的斷開控制用晶體管TR4斷開驅(qū)動用晶體管TR2的時刻向相同方向同樣偏離，從而驅(qū)動用晶體管TR2的接通時間，盡管兩晶體管TR3、TR4的門限電平存在分散偏差，也成為與數(shù)據(jù)電壓正確對應(yīng)的時間。
再有，一對晶體管TR5、TR6介于從高電位的電源VDD向低電位的電源VSS連接的信號線中，由于在掃描期間及發(fā)光期間內(nèi)，一對晶體管TR5、TR6的至少一方為斷開，斷路從高電位的電源VDD向低電位的電源VSS的電流通路，故沒有無用的電流從高電位的電源VDD流向低電位的電源VSS的情況，從而達(dá)到節(jié)減消耗電力的目的。
(第3實施例)如圖6所示，各象素51的脈沖寬度調(diào)制控制電路90具備接通驅(qū)動用晶體管TR2用的接通控制用晶體管TR3、斷開驅(qū)動用晶體管TR2用的斷開控制用晶體管TR4。在有機EL顯示器2中，設(shè)置各象素5 1共用的高電位的電源VDD與低電位的電源VSS，在高電位的電源VDD上連接各象素51的驅(qū)動用晶體管TR2的源極。接通控制用晶體管TR3與斷開控制用晶體管TR4互相并聯(lián)地介于電源VDD與VSS之間，，同時，晶體管TR5與電容元件C4互相串聯(lián)地介入，晶體管TR5與電容元件C4的連接點B，和驅(qū)動用晶體管TR2的柵極連接。
向接通控制用晶體管TR3的柵極供給斜坡電壓RAMP，向斷開控制用晶體管TR4的柵極供給電容元件C1的輸出電壓(數(shù)據(jù)電壓)。在高電位的電源VDD與晶體管TR5的柵極上分別連接電容元件C2的兩端，同時，分別連接復(fù)位用的晶體管TR7的源極與漏極，在該晶體管TR7的柵極上連接有復(fù)位信號線RESET。
再有，在高電位的電源VDD與電容元件C4的一端上分別連接復(fù)位用的晶體管TR8的源極與漏極，在該晶體管TR8的柵極上連接有復(fù)位信號線RESET。還有，在高電位的電源VDD與電容元件C4的另一端上分別連接復(fù)位用的晶體管TR9的源極與漏極，在該晶體管TR9的柵極上連接有復(fù)位信號線RESET。
在由上述象素51構(gòu)成的有機EL顯示裝置中，如圖7所示，利用掃描期間內(nèi)的掃描電壓SCAN的供給，接通寫入用晶體管TR1，在電容元件C1上蓄積了與數(shù)據(jù)電壓DATA(A點電壓)對應(yīng)的電荷后，通過使復(fù)位信號RESET從高值到低值，復(fù)位用的3個晶體管TR7、TR8及TR9接通，電容元件C2的兩端被設(shè)置為高電位VDD，同時，電容元件C4的兩端被設(shè)置為高電位的電源電壓VDD。其結(jié)果是，晶體管TR5斷開。再有，在該時刻，其他的晶體管TR2、TR3、TR4斷開。
然后，在發(fā)光期間內(nèi)，斜坡電壓RAMP上升，與低電位的電源電壓VSS之差增大，若超過接通控制用晶體管TR3的柵極-源極間的門限電壓Vth，則該晶體管TR3接通。由此電容元件C4兩端的電位下降，柵極電壓(B點電壓)的下降導(dǎo)致驅(qū)動用晶體管TR2導(dǎo)通。其結(jié)果是，電流從高電位的電源VDD流向有機EL元件50，開始發(fā)光。再有，晶體管TR5，利用電容元件C2將柵極電壓保持在高電位，仍然是斷開的狀態(tài)。
斜坡電壓進一步上升，隨此A點電壓上升，與低電位VSS之差增大，若超過斷開控制用晶體管TR4的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管TR4導(dǎo)通，使晶體管TR5的柵極電壓下降。由此該晶體管TR5接通。其結(jié)果是，驅(qū)動用晶體管TR2的柵極電壓(B點電壓)上升，該晶體管TR2斷開，向有機EL元件50的通電被停止，發(fā)光結(jié)束。
如上所述，有機EL元件50的發(fā)光結(jié)束時刻根據(jù)數(shù)據(jù)電壓的大小變化，從而發(fā)光時間與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比變化，實現(xiàn)多灰度等級表現(xiàn)。
在上述脈沖寬度調(diào)制控制電路90中，也與第1實施例及第2實施例同樣，即使接通控制用晶體管TR3與斷開控制用晶體管TR4的柵極-源極間的門限電平存在分散偏差，驅(qū)動用晶體管TR2的接通時間也成為與數(shù)據(jù)電壓正確對應(yīng)的時間。再有，由于電容元件C4介于從高電位的電源VDD向低電位的電源VSS連接的信號線中，故在掃描期間及發(fā)光期間內(nèi)，沒有無用的電流從高電位的電源VDD流向低電位的電源VSS的情況，從而達(dá)到節(jié)減消耗電力的目的。
(第4實施例)本實施例的各象素5 1的電路構(gòu)成，雖然與上述第1實施例、第2實施例或第3實施例是相同的，但如圖8所示，在發(fā)光期間的前半段與后半段2次產(chǎn)生斜坡電壓。由此，由于可以使發(fā)光分散在發(fā)光期間的前半段與后半段，故可以抑制R、G、B象素的發(fā)光時間的偏差所導(dǎo)致的光閃(高速移動物體的邊緣的顏色改變的現(xiàn)象)。
(第5實施例)本實施例的各象素51的電路構(gòu)成，雖然與上述第1實施例、第2實施例或第3實施例相同，但如圖9(a)～(c)所示，分別向三原色(R、G、B)的象素供給具有不同傾斜度的斜坡電壓。
根據(jù)該構(gòu)成，通過對每個R、G、B的象素改變斜坡電壓的傾斜度，可以不改變數(shù)據(jù)電壓就調(diào)整白平衡。另外，通過在每幀內(nèi)切換圖9(a)(b)(c)的3種模式，可以抑制R、G、B象素的發(fā)光時間的偏差所導(dǎo)致的光閃(高速移動物體的邊緣的顏色改變的現(xiàn)象)。
(第6實施例)本實施例的有機EL顯示裝置，如圖10所示，顯示面板5上連接恒流驅(qū)動器91，利用后述的電流編程電路使各象素的有機EL元件50內(nèi)流動的電流恒定，利用脈沖寬度調(diào)整控制電路，控制對有機EL元件50的通電。
在該有機EL顯示裝置中，在構(gòu)成各象素51的脈沖寬度調(diào)制控制電路90上，通過如圖11所示的電流編程電路92，連接有恒流驅(qū)動器91。脈沖寬度調(diào)制控制電路90具備接通電流接通用晶體管TR13用的接通控制用晶體管TR11和斷開構(gòu)成電流編程電路92的晶體管TR14用的斷開控制用晶體管TR12。在電源VDD上，通過構(gòu)成電流編程電路92的晶體管TR14，連接有電流接通用晶體管TR13。
在電源VDD與晶體管TR14的柵極上分別連接電容元件C11的兩端，同時，連接有斷開控制用晶體管TR12的源極及漏極。另外，在電源VDD與電流接通用晶體管TR13的柵極上分別連接電容元件C12的兩端，同時，連接有接通控制用晶體管TR11的源極及漏極。
再有，電容元件C11與斷開控制用晶體管TR12的漏極的連接點通過晶體管TR15及TR16，與恒流驅(qū)動器91連接。還有，晶體管TR15與晶體管TR16的連接點與電流接通用晶體管TR13的漏極連接。電流接通晶體管TR13的柵極與接通控制用晶體管TR11的漏極的連接點，通過晶體管TR17，與電流接通用晶體管TR13和有機EL元件50的連接點連接，在該晶體管TR17的柵極上連接有復(fù)位信號線RESET。
在由上述象素51構(gòu)成的有機EL顯示裝置中，如圖12所示，首先根據(jù)復(fù)位期間中復(fù)位信號RESET的供給，晶體管TR17接通，電流接通用晶體管TR13斷開。再有，此時，晶體管TR1、TR11、TR12、TR14、TR15及TR16斷開。
接著，在掃描期間內(nèi)，利用掃描電壓SCAN的供給，寫入用晶體管TR1接通，在電容元件C1中蓄積與數(shù)據(jù)電壓DATA(A點電壓)對應(yīng)的電荷。另外，晶體管TR15及TR16接通，同時，電流編程電路92的晶體管TR14逐漸開始導(dǎo)通。其結(jié)果是，已被程序化的電流從電源VDD經(jīng)過晶體管TR14及TR16，開始流向電流驅(qū)動器91，最終確定晶體管TR14的柵極電壓。再有，在電容元件C11中蓄積與已被程序化的電流對應(yīng)的電荷。
然后，在發(fā)光期間內(nèi)，斜坡電壓RAMP下降，伴隨其下降，接通控制用晶體管TR11的柵極電壓下降，與電源電壓VDD之差增大，若超過接通控制用晶體管TR11的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管TR11接通。其結(jié)果是，電流接通用晶體管TR13接通，已被程序化的電流從電源VDD經(jīng)過晶體管TR14、TR13流向有機EL元件50，開始發(fā)光。
斜坡電壓進一步下降，與電源電壓VDD之差增大，若超過斷開控制用晶體管TR12的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管12接通，電流編程電路92的晶體管TR14斷開。其結(jié)果是，向有機EL元件50的通電被停止，發(fā)光結(jié)束。
如上所述，有機EL元件50的發(fā)光結(jié)束時刻根據(jù)數(shù)據(jù)電壓的大小變化，從而發(fā)光時間與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比變化，實現(xiàn)多灰度等級表現(xiàn)。
即使在上述脈沖寬度調(diào)制控制電路90中，盡管接通控制用晶體管TR11與斷開控制用晶體管TR12的柵極-源極間的門限電平存在分散偏差，向有機EL元件50的通電時間也成為與數(shù)據(jù)電壓正確對應(yīng)的時間。再有，由于來自電源VDD的電流只在與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的時間內(nèi)流過有機EL元件50，沒有無用的電流流過，故可以達(dá)到節(jié)減消耗電力的目的。
(第7實施例)如圖13所示，在各象素5 1的電路構(gòu)成中，脈沖寬度調(diào)制控制電路90，雖然具備接通控制用晶體管TR11與斷開控制用晶體管TR12，但除了向接通控制用晶體管TR11的柵極供給斜坡電壓RAMP，向斷開控制用晶體管TR12的柵極供給電容元件C1的輸出電壓(數(shù)據(jù)電壓)方面以外，是與第6實施例相同的構(gòu)成。
在由該象素51構(gòu)成的有機EL顯示裝置中，如圖14所示，在發(fā)光期間內(nèi)斜坡電壓RAMP下降，隨此接通控制用晶體管TR11的柵極電壓下降，與電源電壓VDD之差增大，若超過接通控制用晶體管TR11的柵極-源極間的門限電壓Vth，則該晶體管TR11接通。由此，電流接通用晶體管TR13導(dǎo)通。其結(jié)果是，電流從電源VDD經(jīng)過晶體管TR14、TR13流向有機EL元件50，開始發(fā)光。
斜坡電壓進一步降低，與電源電壓VDD之差增大，若超過斷開控制用晶體管TR12的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管TR12接通，電流編程電路92的晶體管TR14斷開。其結(jié)果是，向有機EL元件50的通電被停止，發(fā)光結(jié)束。
如上所述，有機EL元件50的發(fā)光結(jié)束時刻根據(jù)數(shù)據(jù)電壓的大小變化，從而發(fā)光時間與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比變化，實現(xiàn)多灰度等級表現(xiàn)。在上述脈沖寬度調(diào)制控制電路90中，向有機EL元件50的通電時間也成為與數(shù)據(jù)電壓正確對應(yīng)的時間。再有，由于來自電源VDD的電流只在與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的時間內(nèi)流過有機EL元件50，沒有無用的電流流過，故可以達(dá)到節(jié)減消耗電力的目的。
(第8實施例)本實施例如圖15所示，在各象素5 1的電路構(gòu)成中，在圖2所示的第1實施例的脈沖寬度調(diào)制控制電路90上連接了圖11所示的電路程序電路92，如圖1 6所示，可以進行與第1實施例相同的動作，可以控制對有機EL元件50的通電。
(第9實施例)在本實施例的有機EL顯示裝置中，如圖17所示，將互相接近的多個象素51a、51b、51c作為1個象素組，在其中一個象素51a的電路構(gòu)成中，置入脈沖寬度調(diào)制控制電路90，而在其他象素51b、51c的電路構(gòu)成中，只置入脈沖寬度調(diào)制控制電路90的一部分電路，而另一部分電路由同一象素組內(nèi)的象素51a、51b、51c共用。
置入上述1個象素51a內(nèi)的脈沖寬度調(diào)制控制電路90，具備接通驅(qū)動用晶體管TR2用的接通控制用晶體管TR11和斷開驅(qū)動用晶體管TR2用的斷開控制用晶體管TR12。另外，在該象素51a中，連接高電位的電源VDD、低電位的電源VSS，高電位的電源VDD通過驅(qū)動用晶體管TR2，與有機EL元件50連接。
上述接通控制用晶體管TR11與斷開控制用晶體管TR12互相并聯(lián)地介入2個電源VDD、VSS之間，同時電容元件C21與兩個晶體管TR21、TR22互相串聯(lián)地介入，斷開控制用晶體管TR12與電容元件C21的連接點B與驅(qū)動用晶體管TR2的柵極連接。另外，高電位的電源VDD通過晶體管TR23，與晶體管TR21的漏極連接，兩晶體管TR23、TR21的柵極上分別連接有第1復(fù)位信號線RST1。
再有，在晶體管TR22與低電位的電源VSS上，連接晶體管TR24的漏極及源極，在該晶體管TR24的柵極上連接有第2復(fù)位信號線RST2。向接通控制用晶體管TR11的柵極供給斜坡電壓RAMP，向斷開控制用晶體管TR12的柵極供給電容元件C1的輸出電壓(數(shù)據(jù)電壓)。
另一方面，在與上述象素51a相鄰的象素51b、51c中，只配備作為上述脈沖寬度調(diào)制控制電路90的構(gòu)成要素的斷開控制用晶體管TR12與電容元件C21，各象素的電容元件C21在低電位側(cè)互相連接。
在由上述象素51a、51b、51c構(gòu)成的有機EL顯示裝置中，如圖18所示，利用掃描期間內(nèi)的掃描電壓SCAN的供給，各象素的寫入用晶體管TR1接通，在電容元件C1上蓄積與數(shù)據(jù)電壓DATA(A點電壓)對應(yīng)的電荷，進行數(shù)據(jù)的寫入。再有，在該時刻，晶體管TR2、TR11、TR12、TR21、TR22、TR23及TR24全部斷開。
之后，在發(fā)光期間內(nèi)，斜坡電壓RAMP下降，與高電位VDD之差增大，若超過接通控制用晶體管TR11的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管TR11接通。由此，晶體管TR22接通的同時，晶體管TR21也接通，各象素所配備的電容元件C21兩端的電壓下降。其結(jié)果是，各象素的驅(qū)動用晶體管TR2接通，電流從高電位的電源VDD流向有機EL元件50，開始發(fā)光。
斜坡電壓進一步下降，隨此A點電壓下降，與高電位VDD之差增大，若超過斷開控制用晶體管TR12的柵極-源極間的門限電平Vth，則該晶體管TR12接通，B點電位上升。其結(jié)果是，驅(qū)動用晶體管TR2斷開，向有機EL元件50的通電被停止，發(fā)光結(jié)束。
接著，在復(fù)位期間內(nèi)，首先通過第1復(fù)位信號RST1從高值切換為低值，從而晶體管TR23接通的同時，晶體管TR21斷開，各象素的電容元件C21與晶體管TR21的連接點的電位上升，該電容元件C21的兩端被設(shè)置為高電位。
接下來，若斜坡電壓上升到高值，則接通控制用晶體管TR11與斷開控制用晶體管TR12斷開，接著通過使第2復(fù)位信號RST2只在一定時間內(nèi)為高值，從而晶體管TR24接通，晶體管TR22斷開。然后，通過使第1復(fù)位信號RST1為高值，晶體管TR23斷開。利用這種控制，可以在兩電源VDD、VSS之間不流過貫通電流。
根據(jù)上述有機EL顯示裝置，雖然在互相鄰近的多個象素51a、51b、51c內(nèi)的一個象素51a中配備脈沖寬度調(diào)制控制電路90的全部電路構(gòu)成，但由于在其他象素51b、51c中，可以只配備脈沖寬度調(diào)制控制電路90的一部分電路構(gòu)成，故作為顯示面板整體，可以減少晶體管的數(shù)目，由此可以達(dá)到提高顯示面板的開口率或成品率的目的。
(第10實施例)本實施例是省略上述第1實施例～第9實施例的驅(qū)動用晶體管，利用接通控制用晶體管(后述的第1晶體管)，進行有機EL元件50的驅(qū)動與接通控制兩方的實施例。
如圖19所示，在各象素5 1中，配備有有機EL元件50；柵極上被施加掃描電壓SCAN的P溝道型的寫入用晶體管TR1；根據(jù)該寫入用晶體管TR1為導(dǎo)通狀態(tài)，從而數(shù)據(jù)電壓DATA被施加，且保持該電壓的電容器C1；串聯(lián)地介于從電源VDD向有機EL元件50延伸的供電線55中，且在柵極電壓與電源電壓VDD之差超過給定的閾值Vth時接通的p溝道型的第1晶體管TR31；和在柵極電壓與電源電壓VDD之差超過給定的閾值Vth時接通，并斷開第1晶體管TR31的p溝道型的第2晶體管TR32。在第1晶體管TR31的柵極上施加和斜坡電壓RAMP與電容器輸出電壓之和對應(yīng)的電壓(A點電壓)，在第2晶體管TR32的柵極上施加斜坡電壓RAMP。
如圖20所示，在1幀前半段的掃描期間內(nèi)，若利用掃描電壓SCAN的施加導(dǎo)通寫入用晶體管TR1，則A點電位被設(shè)定為數(shù)據(jù)電壓，由此電容器C1被充電。之后，1幀的后半段的發(fā)光期間內(nèi)，若斜坡電壓RAMP逐漸下降，則隨此，A點電壓也以相同的下降率逐漸下降。由此，若電源電壓VDD與數(shù)據(jù)電壓之差超過第1晶體管TR31的閾值Vth，則第1晶體管TR31導(dǎo)通，開始從電源VDD向有機EL元件50的通電。其結(jié)果是，有機EL元件50內(nèi)流過的電流如圖20所示逐漸增大，有機EL元件50發(fā)光。
之后，若電源電壓VDD與數(shù)據(jù)電壓之差超過第2晶體管TR32的閾值Vth，則第2晶體管TR32導(dǎo)通，由此A點電位向電源電壓VDD上升，第1晶體管TR31斷開。其結(jié)果是，從電源VDD向有機EL元件50的通電被停止，有機EL元件50的發(fā)光停止。若到達(dá)1幀的結(jié)束時刻，則斜坡電壓恢復(fù)到原來的電壓，隨此A點電壓也恢復(fù)到原來的電壓，向下一幀的動作轉(zhuǎn)移。
圖21表示數(shù)據(jù)電壓變化時的各電壓的變化和有機EL元件50內(nèi)流過的電流變化。這樣，有機EL元件50的發(fā)光期間根據(jù)數(shù)據(jù)電壓的變化而變化，由此可以實現(xiàn)圖像的多灰度等級表現(xiàn)。在這里，例如，在第1晶體管TR31的閾值上存在正向的分散偏差時，如圖20及圖21中用虛線所示，雖然有機EL元件50的發(fā)光開始時期變遲，但由于有機EL元件50的發(fā)光停止時期也同樣推遲，故盡管兩晶體管TR31、TR32的閾值存在分散偏差，有機EL元件50的發(fā)光期間成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的相同長度。由此可以防止顯示不勻的發(fā)生，可以得到高的圖像質(zhì)量。
再有，通過改變有機EL元件50的陰極電位CV，可以使第1晶體管TR31在線性區(qū)域與飽和區(qū)域的任意一個內(nèi)動作，通過使第1晶體管TR31在線性區(qū)域內(nèi)動作，可以減少消耗電力，通過使第1晶體管TR31在飽和區(qū)域內(nèi)動作，可以不易受到溫度或時效的影響。
還有，由于第1晶體管TR31串聯(lián)地介于供電線55中，接通/斷開對有機EL元件50的通電，故來自電源VDD的電流只在供電線55中流動，可以避免無用電流的發(fā)生，由此可以達(dá)到節(jié)減消耗電力的目的。進而，寫入用晶體管TR1并未限于p溝道型，也可以由n溝道型或n溝道型與p溝道型的并列連接的CMOS開關(guān)構(gòu)成。
(第11實施例)如圖22所示，在各象素51中配備有P溝道型的寫入用晶體管TR1；根據(jù)該寫入用晶體管TR1為導(dǎo)通狀態(tài)，從而保持?jǐn)?shù)據(jù)電壓DATA的電容器C1；串聯(lián)地介于供電線55中，且在柵極電壓與電源電壓VDD之差超過給定的閾值Vth時接通的p溝道型的第1晶體管TR31；和在柵極電壓與電源電壓VDD之差超過給定的閾值Vth時接通，并斷開第1晶體管TR31的p溝道型的第2晶體管TR32。雖然其構(gòu)成與第10實施例相同，但在各象素51中，供給變化率不同的2種斜坡電壓RAMP1、RAMP2，電容器C1介于第1斜坡電壓RAMP1的供給線與A點之間，第2斜坡電壓RAMP2施加在第2晶體管TR32的柵極上。
如圖23所示，在發(fā)光期間內(nèi)，雖然A點電壓根據(jù)第1斜坡電壓RAMP1的降低而降低，但在電容器C1的電容小的情況下，A點電壓的下降率比第1斜坡電壓RAMP1的下降率還小。因此，形成其變化率與其A點電壓的變化率相同的第2斜坡電壓RAMP2，并施加在第2晶體管TR32的柵極上，由此得到與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的發(fā)光期間。
(第12實施例)如圖24所示，在象素51中，分別由n溝道型的晶體管構(gòu)成寫入用晶體管TR1、第1晶體管TR31及第2晶體管TR32。第1晶體管TR31及第2晶體管TR32以在柵極電壓與有機EL元件50的高電位側(cè)的端子電壓(B點電壓)之差超過閾值時接通的方式，相對B點進行連接，在第1晶體管TR31的柵極上施加和斜坡電壓RAMP與電容器的數(shù)據(jù)電壓之和對應(yīng)的電壓(A點電壓)，在第2晶體管TR32的柵極上施加斜坡電壓RAMP。
如圖25所示，在掃描期間內(nèi)，若利用掃描電壓SCAN的施加導(dǎo)通寫入用晶體管TR1，則A點電位被設(shè)定為數(shù)據(jù)電壓，由此電容器C1被充電。然后，在發(fā)光期間內(nèi)，若斜坡電壓RAMP逐漸上升，則隨此，A點電壓也以同樣的上升率逐漸上升。由此，若B點電壓與數(shù)據(jù)電壓之差超過第1晶體管TR31的閾值Vth，則第1晶體管TR31導(dǎo)通，開始從電源VDD向有機EL元件50的通電。其結(jié)果是，有機EL元件50內(nèi)流經(jīng)的電流如圖25所示逐漸增大，有機EL元件50發(fā)光。再有，在圖24所示的象素51的電路構(gòu)成中，伴隨有機EL元件50內(nèi)流動的電流增大，B點電位上升。
之后，若B點電壓與斜坡電壓RAMP之差超過第2晶體管TR32的閾值Vth，則第2晶體管TR32導(dǎo)通，由此A點電位向B點電位下降，第1晶體管TR31斷開。其結(jié)果是，從電源VDD向有機EL元件50的通電被停止，有機EL元件50的發(fā)光停止。若到達(dá)1幀的結(jié)束時刻，則斜坡電壓恢復(fù)到原來的電壓，隨此A點電壓也恢復(fù)到原來的電壓，向下一幀的動作轉(zhuǎn)移。
圖26表示數(shù)據(jù)電壓變化時的各電壓的變化和有機EL元件50內(nèi)流過的電流的變化。這樣，有機EL元件50的發(fā)光期間根據(jù)數(shù)據(jù)電壓的變化而變化，由此可以實現(xiàn)圖像的多灰度等級表現(xiàn)。在這里，例如，在第1晶體管TR31的閾值上存在正向的分散偏差時，如圖25及圖26中用虛線所示，雖然有機EL元件50的發(fā)光開始時期變遲，但由于有機EL元件50的發(fā)光停止時期也同樣推遲，故盡管兩晶體管TR31、TR32的閾值存在分散偏差，有機EL元件50的發(fā)光期間成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的長度。由此可以防止顯示不勻的發(fā)生，可以得到高的圖像質(zhì)量。
再有，根據(jù)圖24所示的象素51的電路構(gòu)成，有機EL元件50的特性根據(jù)溫度變化或時效而偏移，由此，例如即使如圖27中用箭頭表示的掃描期間內(nèi)的B點電位下降，也由于第2晶體管TR32的漏極與B點連接，故有機EL元件50內(nèi)流經(jīng)的電流的波形也只不過平行移動。因此，不會發(fā)生顯示不勻的情況。
(第13實施例)在圖28所示的象素51中，上述實施例中與B點連接的第2晶體管TR32的漏極與低電位的電源VSS連接。根據(jù)該電路構(gòu)成，如圖29所示，在發(fā)光期間內(nèi)，若電源電壓VSS與斜坡電壓RAMP之差超過第2晶體管TR32的閾值Vth，則第2晶體管TR32導(dǎo)通，第1晶體管31斷開。其結(jié)果是，從電源VDD向有機EL元件50的通電被停止，有機EL元件50的發(fā)光停止。
在該象素51中，如圖29中用虛線所示，盡管兩晶體管TR31、TR32的閾值存在分散偏差，有機EL元件50的發(fā)光期間也成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的長度。因此，即使兩晶體管TR31、TR32在特性上存在分散偏差，對有機EL元件50的通電時間也與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比，沒有產(chǎn)生顯示不勻的擔(dān)憂。再有，由于第1晶體管TR31串聯(lián)地介于供電線55中，接通/斷開對有機EL元件50的通電，故來自電源VDD的電流只在供電線55中流動，可以避免無用電流的發(fā)生。
(第14實施例)在圖30所示的象素51中，配備有在1幀期間的前半段施加掃描電壓SCAN并在1幀期間的后半段施加斜坡電壓RAMP2用的第1信號線56；和在1幀期間的前半段施加數(shù)據(jù)電壓DATA并在1幀期間的后半段施加斜坡電壓RAMP1用的第2信號線57。第1晶體管TR31串聯(lián)地介于供電線55中，第2信號線57通過電容器C1，連接在與第1晶體管TR31的柵極連接的A點上，同時，連接有第2晶體管TR32的漏極。在第2晶體管TR32的源極上連接有比與供電線55連接的第1電源VDD還高的第2電源VCC。另外，在第2晶體管TR32的柵極上連接有第1信號線56。
如圖31所示，在掃描期間內(nèi)，雖然A點電壓根據(jù)施加在第2信號線57上的各掃描線的數(shù)據(jù)電壓變化，但在從第1信號線56向第2晶體管TR32的柵極施加掃描電壓的時刻，利用第2晶體管TR32的導(dǎo)通，A點電壓確定為第2電源電壓VCC。在該時刻，向電容器C1，施加以電源電壓VCC為基準(zhǔn)而與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的電位差，該電位差與之后的A點電壓的變動無關(guān)，而被保持。
在發(fā)光期間內(nèi)，首先A點電壓被設(shè)定為與電容器C1所保持的電壓和斜坡電壓RAMP1之差對應(yīng)的電壓，然后根據(jù)斜坡電壓RAMP1的下降，A點電壓逐漸下降。由此，若電源電壓VDD與A點電壓之差超過第1晶體管TR31的閾值Vth，則第1晶體管TR31導(dǎo)通，開始從電源VDD向有機EL元件50的通電。其結(jié)果是，有機EL元件50內(nèi)流的電流逐漸增大，有機EL元件50發(fā)光。
然后，若第2電源電壓VCC與斜坡電壓RAMP2之差超過第2晶體管TR32的閾值Vth，則第2晶體管TR32導(dǎo)通，由此第1晶體管TR31斷開。其結(jié)果是，從電源VDD向有機EL元件50的通電被停止，有機EL元件50的發(fā)光停止。
在該象素51中，如圖31中虛線所示，盡管兩晶體管TR31、TR32的閾值存在分散偏差，有機EL元件50的發(fā)光期間也成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的長度。因此，即使兩晶體管TR31、TR32在特性上存在分散偏差，對有機EL元件50的通電時間也與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比，沒有產(chǎn)生顯示不勻的擔(dān)憂。再有，由于第1晶體管TR31串聯(lián)地介于供電線55中，接通/斷開對有機EL元件50的通電，故來自電源VDD的電流只在供電線55中流動，可以避免無用電流的發(fā)生。
(第15實施例)在圖32所示的象素51中，分別由n溝道型的晶體管構(gòu)成上述實施例的兩個p溝道型的晶體管TR1、TR2，可以實現(xiàn)完全相同的電路動作。
(第16實施例)在本實施例中，向通電開始用的第1晶體管TR31供給斜坡電壓，另一方面向通電停止用的第2晶體管TR32施加數(shù)據(jù)電壓，根據(jù)數(shù)據(jù)電壓控制通電停止時期。
如圖33所示，在各象素51中，配備有有機EL元件50；施加掃描電壓SCAN而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管TR1；根據(jù)該寫入用晶體管TR1為導(dǎo)通狀態(tài)，而施加數(shù)據(jù)電壓的第1電容器C2；串聯(lián)地介于從電源VDD與有機EL元件50連接的供電線55中的第1晶體管TR31；斷開第1晶體管TR31用的第2晶體管TR32；利用掃描電壓導(dǎo)通且在第1晶體管TR31的柵極上施加電源電壓的第3晶體管TR33；和介于第1晶體管TR31的柵極與斜坡電壓供給線之間的第2電容器C3。
第1晶體管的柵極，通過上述第2電容器C3，與斜坡電壓供給線連接，同時，通過第2晶體管TR32及第3晶體管TR33，與電源VDD連接。第2晶體管TR32的柵極通過第1電容器C2，與斜坡電壓供給線連接。另外，第3晶體管TR33的柵極與掃描電壓供給線連接。
在上述象素51中，如圖34所示，通過在掃描期間內(nèi)施加掃描電壓SCAN，若寫入用晶體管TR1與第3晶體管TR33導(dǎo)通，則第1電容器C2由數(shù)據(jù)電壓充電，其輸出端(A點)被設(shè)定為數(shù)據(jù)電壓，同時與第1晶體管TR31的柵極連接的B點被設(shè)定為電源電壓VDD。
在發(fā)光期間內(nèi)，斜坡電壓RAMP逐漸下降，隨此A點與B點電位也逐漸下降。然后，若電源電壓VDD與B點電壓之差超過第1晶體管TR31的閾值Vth，則第1晶體管TR31導(dǎo)通，對有機EL元件50的通電開始。之后，若電源電壓VDD與A點電壓之差超過第2晶體管TR32的閾值Vth，則第2晶體管TR32導(dǎo)通，B點電壓一直上升到電源電壓VDD。其結(jié)果是，第1晶體管TR31斷開，對有機EL元件50的通電被停止。
在上述象素51中，由于第2電容器C3介于斜坡電壓供給線與B點之間，故斜坡電壓RAMP與電源電壓VDD不會互相沖突。
在該象素51中，如圖34中虛線所示，盡管兩晶體管TR31、TR32的閾值存在分散偏差，有機EL元件50的發(fā)光期間也成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的長度。因此，對有機EL元件50的通電時間與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比，沒有產(chǎn)生顯示不勻的擔(dān)憂。再有，由于第1晶體管TR31串聯(lián)地介于供電線55中，接通/斷開對有機EL元件50的通電，故來自電源VDD的電流只在供電線55中流動，可以避免無用電流的發(fā)生。
(第17實施例)在圖35所示的實施例中，在比驅(qū)動用第1晶體管TR31之高電位(VDD)側(cè)配置有機EL元件50，將第1晶體管TR31及第2晶體管TR32的源極分別與低電位的電源VSS連接。在該實施例中，也與上述實施例同樣，可以防止顯示不勻的發(fā)生與無用的電力消耗。
(第18實施例)接下來說明的第18實施例～第24實施例，所具有的構(gòu)成是盡管有機EL元件的特性變化，也可以使顯示元件以與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的發(fā)光量發(fā)光。
在圖36所示的第18實施例中，在各象素51中配備有在1幀期間的前半段施加掃描電壓SCAN并在1幀期間的后半段施加高值的選擇電壓SEL用的第1信號線61；在1幀期間的前半段施加數(shù)據(jù)電壓DATA并在1幀期間的后半段施加第1斜坡電壓RAMP1用的第2信號線62；施加復(fù)位信號RST用的第3信號線63；和施加第2斜坡電壓RAMP2用的第4信號線64。
另外，在各象素51中，配備有有機EL元件50；寫入用晶體管TR1；根據(jù)該寫入用晶體管TR1為導(dǎo)通狀態(tài)而被施加來自第2信號線62的數(shù)據(jù)電壓DATA的電容器C1；介于從高電位的電源VDD向有機EL元件50連接的供電線6中的第1晶體管TR31；介于電容器C1的輸出端(B點)與有機EL元件50的一端(C點)之間的第2晶體管TR32；和介于電容器C2的輸出端(B點)與低電位的電源VSS之間的第3晶體管TR34。
在寫入用晶體管TR1上連接第1信號線61，該寫入用晶體管TR1的漏極，通過電容器C1，與第1晶體管TR31的柵極連接。另外，在第2晶體管TR312的柵極上連接第4信號線64，第3晶體管TR34的柵極上連接有第3信號線63。
如圖37所示，1幀被分割為掃描期間、發(fā)光期間與復(fù)位期間，在復(fù)位期間內(nèi)，首先第2斜坡電壓RAMP2垂直下降，由此第2晶體管TR32斷開。之后，復(fù)位信號RST成為高值，由此第3晶體管TR34接通，B點電位一直下降到電源電壓VSS。然后，第2斜坡電壓RAMP2垂直上升，由此第2晶體管TR32接通。其結(jié)果是，B點與C點連接，成為大致相同的電位。另外，在復(fù)位信號RST為高值的期間內(nèi)第1斜坡電壓RAMP1垂直下降。
在下一幀的掃描期間內(nèi)，若利用掃描電壓SCAN的施加而接通寫入用晶體管TR1，則寫入用晶體管TR1的輸出端(A點)的電位一直上升到數(shù)據(jù)電壓，隨此B點電位與C點的電位一直上升到有機EL元件50的發(fā)光開始電壓。在該時刻，由于第1晶體管TR31斷開，第2晶體管TR32接通，電容器C1中蓄積的電荷經(jīng)過第2晶體管TR32及有機EL元件50，流入陰極，故B點與C點的電位的上升，比A點電位的上升還小。另外，根據(jù)復(fù)位期間內(nèi)的復(fù)位動作，B點電位被設(shè)定為電源電壓VSS，由于不會比電源電壓VSS還下降，故在之后的掃描期間內(nèi)，通過使A點電位一直上升到數(shù)據(jù)電壓，可以使B點與C點的電位一直上升到有機EL元件的發(fā)光開始電壓。
在掃描期間的結(jié)束的同時，第2斜坡電壓RAMP2下降，由此第2晶體管TR32斷開。接著在發(fā)光期間內(nèi)，第1斜坡電壓RAMP1與第2斜坡電壓RAMP2開始上升。
由此，A點電位從數(shù)據(jù)電壓被切換為第1斜坡電壓RAMP1并上升，隨此B點電位上升。其結(jié)果是，若B點電位與C點的電位之差超過第1晶體管TR31的門限電平Vth，則第1晶體管TR31接通，開始向有機EL元件50的通電，有機EL元件50開始發(fā)光。
然后，通過第2斜坡電壓RAMP2的上升，若第2斜坡電壓RAMP2與C點的電位之差超過第2晶體管TR32的門限電平Vth，則第2晶體管TR32接通。由此第1晶體管TR31斷開，向有機EL元件50的通電被停止，有機EL元件50的發(fā)光結(jié)束。
在該象素51中，如圖37中虛線所示，盡管兩晶體管TR31、TR32的閾值存在分散偏差，有機EL元件50的發(fā)光期間也成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的長度。因此，對有機EL元件50的通電時間也與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比，沒有產(chǎn)生顯示不勻的擔(dān)憂。再有，由于第1晶體管TR31串聯(lián)地介于供電線6中，接通/斷開對有機EL元件50的通電，故來自電源VDD的電流只在供電線6中流動，可以避免無用電流的發(fā)生。
再有，根據(jù)本實施例，可以解決伴隨有機EL元件50的溫度變化或時效的問題。即，如圖39所示，有機E特性根據(jù)有機EL元件的溫度變化或時效偏移，其結(jié)果是動作點變化，發(fā)光量變化，但在本實施例中，如后所述，通過將掃描后的C點的電位(有機EL元件的發(fā)光開始時刻的端子電壓)反饋到有機EL元件50的通電時間，可以解決該問題。
圖38表示有機EL特性根據(jù)有機EL元件的溫度變化或時效而向右側(cè)偏移時的動作。如圖所示，雖然在掃描期間內(nèi)，利用掃描電壓SCAN的施加，A點電位一直上升到數(shù)據(jù)電壓，隨此B點電位與C點的電位上升少許，但根據(jù)有機EL特性的偏移，B點與C點的電位的上升量，比圖中箭頭所示的沒有上述特性偏移時(圖37)稍微大一些。
然后，在發(fā)光期間內(nèi)，第1斜坡電壓RAMP1與第2斜坡電壓RAMP2開始上升，若B點電位與C點的電位之差超過第1晶體管TR31的門限電平Vth，則第1晶體管TR31接通，向有機EL元件50的通電開始，有機EL元件50開始發(fā)光。此時，與沒有上述特性偏移時(圖37)相同。
之后，雖然根據(jù)第2斜坡電壓RAMP2的上升，第2斜坡電壓RAMP2與C點的電位之差超過第2晶體管TR32的門限電平Vth，第2晶體管TR32接通，但由于如上所述C點的電位比沒有特性偏移時還上升，故第2斜坡電壓RAMP2與C點的電位之差超過第2晶體管TR32的門限電平Vth的時刻，即有機EL元件50的發(fā)光結(jié)束時刻推遲。
如圖39所示，在有機EL特性根據(jù)有機EL元件的溫度變化或時效而向右側(cè)偏移的情況下，有機EL元件內(nèi)流動的電流如圖所示下降。因此，從有機EL元件的通電開始到通電結(jié)束的電流的變化，成為如圖38所示的緩慢的變化，峰值電流也成為低的值?？墒?，根據(jù)本實施例，由于如上所述，從有機EL元件的通電開始到通電結(jié)束的時間被延長，故1幀內(nèi)從通電開始到通電結(jié)束的有機EL元件的總發(fā)光量，盡管有機EL特性的偏移量，都是恒定的。在有機EL特性根據(jù)溫度變化偏移向左側(cè)的情況下也同樣，1幀內(nèi)從通電開始到通電結(jié)束的總發(fā)光量是恒定的。
(第19實施例)在圖40所示的象素51中，替換第18實施例的第3晶體管TR34，使二極管D介于電容器C1的輸出端與低電位的電源VSS之間，利用該二極管D可以阻止電容器C1的輸出端的電位下降到電源電壓VSS以下。利用本實施例也可以得到與第18實施例相同的效果。
(第20實施例)在圖41所示的象素51中，替換第18實施例的信號切換式的第1信號線61與第2信號線62，采用信號個別的信號線，追加施加第1斜坡電壓RAMP1用的專用的信號線65和施加選擇電壓SEL用的專用的信號線66。隨此，晶體管TR39介于寫入用晶體管TR1的漏極與第1斜坡電壓專用信號線65之間，該晶體管TR39的柵極與選擇電壓專用信號線66連接。
該象素51的動作與第18實施例相同，可以得到與第18實施例相同的效果。另外，由于根據(jù)采用了信號個別的專用信號線，在掃描電壓的施加后直接開始斜坡電壓的施加，故可以將1幀的幾乎全部期間作為發(fā)光期間利用。
(第21實施例)在本實施例中，如圖42所示，省略第18實施例中配備的復(fù)位用的電路構(gòu)成。雖然有機EL元件50在其結(jié)構(gòu)上具有電容成分，但本實施例是在有機EL元件50的電容比電容器C1的電容足夠大的情況下有效的實施例。這種情況下，由于相對A點電位，C點的電位變動小，故B點電位的下降量不會過大，由此，不需要抑制B點電位下降用的復(fù)位動作。
(第22實施例)在圖43所示的象素51中，取代第21實施例中的信號切換式的第1信號線61與第2信號線62，采用信號個別的信號線，追加施加斜坡電壓RAMP用的專用的信號線67和施加選擇電壓SEL用的專用的信號線66。隨此，晶體管TR39介于寫入用晶體管TR1的漏極與斜坡電壓專用信號線67之間，該晶體管TR39的柵極與選擇電壓專用信號線66連接。該象素51的動作與第21實施例相同，可以得到與第21實施例相同的效果。
(第23實施例)在本實施例中，如圖44所示，配備有在1幀期間的前半段施加數(shù)據(jù)電壓DATA并在1幀期間的后半段施加第1斜坡電壓RAMP1用的第1信號線71；在1幀期間的前半段施加掃描電壓SCAN并在1幀期間的后半段施加第2斜坡電壓RAMP2用的第2信號線72；施加高值的選擇電壓SEL用的第3信號線73；和施加復(fù)位信號RST用的第4信號線74。
在各象素51中配備有有機EL元件50；被施加來自第1信號線71的數(shù)據(jù)電壓DATA的電容器C1；介于從電源VDD向有機EL元件50連接的供電線6中的第1晶體管TR31；介于電容器C1的輸出端(B點)與有機EL元件50的一端(C點)之間的第2晶體管TR32；介于電源VDD與第1晶體管TR31之間的第3晶體管TR35；和介于電源VDD與B點之間的第4晶體管TR36。
在第1晶體管TR3 1的柵極上，通過電容器C1，連接第1信號線71，在第2晶體管TR32的柵極上連接第2信號線72，第3晶體管TR35的柵極上連接有第3信號線73。另外，在第4晶體管TR36的柵極上連接有第4信號線74。
如圖45所示，1幀被分割為掃描期間、發(fā)光期間與復(fù)位期間，在復(fù)位期間內(nèi)，首先第2斜坡電壓RAMP2垂直下降，由此第2晶體管TR32斷開。緊接之后，復(fù)位信號RST成為高值，由此第4晶體管TR36接通，B點電壓一直上升到電源電壓VDD。另外，第1斜坡電壓RAMP1下降。
在下一幀的掃描期間內(nèi)，若利用掃描電壓SCAN的施加接通第2晶體管TR32，則在A點電位一直上升到數(shù)據(jù)電壓，同時B點電位一直下降到C點的電位(有機EL元件的發(fā)光開始電壓)。
在發(fā)光期間內(nèi)，根據(jù)高值的選擇信號SEL，第3晶體管TR35接通。再有，第1斜坡電壓RAMP1與第2斜坡電壓RAMP2開始上升。由此，A點電位從數(shù)據(jù)切換為第1斜坡電壓RAMP1并上升，隨此B點電位上升。其結(jié)果是，若B點電位與C點電位之差超過第1晶體管TR31的門限電平Vth，則第1晶體管TR31接通，開始向有機EL元件50的通電，有機EL元件50開始發(fā)光。
然后，根據(jù)第2斜坡電壓RAMP2的上升，若第2斜坡電壓RAMP2與C點電位之差超過第2晶體管TR32的門限電平Vth，則第2晶體管TR32接通。由此，第1晶體管TR31斷開，向有機EL元件50的通電被停止，有機EL元件50的發(fā)光結(jié)束。
在該象素51中，如圖45中虛線所示，盡管第1以及第2晶體管TR31、TR32的閾值存在分散偏差，有機EL元件50的發(fā)光期間也成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的長度。因此，對有機EL元件50的通電時間與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比，沒有產(chǎn)生顯示不勻的擔(dān)憂。
再有，由于第1晶體管TR31串聯(lián)地介于供電線6中，接通/斷開對有機EL元件50的通電，故來自電源VDD的電流只在供電線6中流動，可以避免無用電流的發(fā)生。還有，即使有機EL特性根據(jù)有機EL元件50的溫度變化或時效而偏移，也由于掃描后的C點的電位被反饋到有機EL元件50的通電時間內(nèi)，故發(fā)光量不會變化。
(第24實施例)圖46所示的象素51，是利用個別的信號線分別供給數(shù)據(jù)電壓DATA、掃描電壓SCAN、選擇信號SEL、第1斜坡電壓RAMP1及第2斜坡電壓RAMP2，同時由p溝道型的晶體管構(gòu)成全部晶體管的元件。
在圖46所示的各象素51中，配備有柵極上被施加掃描電壓的寫入用晶體管TR1；與寫入用晶體管TR1的輸出端(A點)連接的電容器C 1；介于從電源VDD向有機EL元件50延伸的供電線6中的第1晶體管TR3 1；介于電源VDD與第1晶體管TR31的柵極之間的第2晶體管TR32；介于電容器C1的一端(B點)與有機EL元件50的一端(C點)之間的第3晶體管TR37；和在B點上施加第1斜坡電壓RAMP1用的第4晶體管TR38。
在第1晶體管TR31的柵極上連接有A點。另外，在第2晶體管TR32的柵極上施加第2斜坡電壓RAMP2，在第3晶體管TR37的柵極上施加掃描電壓SCAN，在第4晶體管TR38上施加在發(fā)光期間成為高值的選擇信號SEL。
如圖47所示，在掃描期間內(nèi)，若施加掃描電壓SCAN，則寫入用晶體管TR1接通，A點電位一直上升到數(shù)據(jù)電壓。另外，第3晶體管TR37接通，B點電位一直下降到C點的電位(有機EL元件的發(fā)光開始電壓)。
然后，在發(fā)光期間內(nèi)，利用選擇信號SEL的施加，第4晶體管TR38接通。再有，第1斜坡電壓RAMP1及第2斜坡電壓RAMP2開始下降，伴隨第1斜坡電壓RAMP1的下降，A點電位逐漸下降。其結(jié)果是，若A點電位與電源電壓VDD之差超過第1晶體管TR31的門限電平Vth，則第1晶體管TR31接通，開始對有機EL元件50的通電，有機EL元件50開始發(fā)光。
之后，若第2斜坡電壓RAMP2與電源電壓VDD之差超過第2晶體管TR32的門限電平Vth，則第2晶體管TR32接通。由此第1晶體管TR31斷開，對有機EL元件50的通電被停止，有機EL元件50的發(fā)光結(jié)束。而且，在發(fā)光期間結(jié)束時，第1斜坡電壓RAMP1上升，隨此B點電位上升。接著，第2斜坡電壓RAMP2上升，由此第2晶體管TR32斷開。
在該象素51中，盡管第1以及第2晶體管TR31、TR32的閾值存在分散偏差，有機EL元件50的發(fā)光期間成為與數(shù)據(jù)電壓對應(yīng)的長度。因此，對有機EL元件50的通電時間與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比，沒有產(chǎn)生顯示不勻的擔(dān)憂。
再有，由于第1晶體管TR31串聯(lián)地介于供電線6中，接通/斷開對有機EL元件50的通電，故來自電源VDD的電流只在供電線6中流動，可以避免無用電流的發(fā)生。還有，即使有機EL特性根據(jù)有機EL元件50的溫度變化或時效而偏移，也由于掃描后的C點的電位被反饋到有機EL元件50的通電時間內(nèi)，故發(fā)光量不會變化。
(第25實施例)在本實施例中，省略了圖24所示第12實施例的第2晶體管TR32。如圖48所示，各象素51分別具備n溝道型的寫入用晶體管TR1及驅(qū)動用晶體管TR30、和根據(jù)寫入用晶體管TR1成為導(dǎo)通狀態(tài)而被施加數(shù)據(jù)電壓的電容器C1，該電容器C1介于與寫入用晶體管TR1的漏極連接的A點和斜坡電壓供給線之間，A點與驅(qū)動用晶體管TR30的柵極連接。在寫入用晶體管TR1的柵極上施加掃描電壓SCAN。驅(qū)動用晶體管TR30，串聯(lián)地介于供電線55中，且在柵極電壓與有機EL元件50的高電位側(cè)的端子電壓(B點電壓)之差超過給定的閾值時接通。
如圖49所示，在掃描期間內(nèi)，若根據(jù)掃描電壓SCAN的施加，寫入用晶體管TR1導(dǎo)通，則A點電位被設(shè)定為數(shù)據(jù)電壓，由此電容器C1被充電。
然后，在發(fā)光期間內(nèi)，若斜坡電壓RAMP1逐漸上升，則隨此A點電壓也以相同的上升率逐漸上升。由此，若B點電壓與A點電壓之差超過驅(qū)動用晶體管TR30的閾值Vth，則驅(qū)動用晶體管TR30導(dǎo)通，開始從電源VDD向有機EL元件50的通電。結(jié)果，有機EL元件50內(nèi)流過的電流增大，有機EL元件50發(fā)光。再有，伴隨有機EL元件50內(nèi)流經(jīng)的電流的增大，B點電位上升。
之后，在幀的結(jié)束時刻，若斜坡電壓下降到原來的電壓，則與此對應(yīng)，A點電壓也向原來的電壓下降，由此驅(qū)動用晶體管TR30斷開。結(jié)果，從電源VDD向有機EL元件50的通電被停止，有機EL元件50的發(fā)光停止。
在上述象素51的電路構(gòu)成中，雖然由驅(qū)動用晶體管TR30根據(jù)數(shù)據(jù)電壓控制發(fā)光開始時期，但由于發(fā)光停止時期被固定在幀的結(jié)束時刻，故若驅(qū)動用晶體管TR30在特性上存在分散偏差，則對有機EL元件50的通電時間與數(shù)據(jù)電壓的大小不成正比，且存在產(chǎn)生顯示不勻的擔(dān)憂。
可是，在圖48所示的象素51中，例如若通過只在驅(qū)動用晶體管TR30中流過電流，在驅(qū)動用晶體管TR30的閾值Vth與B點電位之間實現(xiàn)反比關(guān)系，即，若驅(qū)動用晶體管TR30的閾值Vth增大則B點電位下降，若驅(qū)動用晶體管TR30的閾值Vth減小則B點電位上升的反比關(guān)系，則如圖49中用虛線所示，即使驅(qū)動用晶體管TR30在閾值Vth上存在分散偏差，但若數(shù)據(jù)電壓是相同的，則B點電壓與A點電壓之差超過驅(qū)動用晶體管TR30的閾值Vth的時刻幾乎不會產(chǎn)生差別。因此，即使驅(qū)動用晶體管TR30在特性上存在分散偏差，對有機EL元件50的通電時間也與數(shù)據(jù)電壓的大小成正比，沒有產(chǎn)生顯示不勻的擔(dān)憂。
在上述各實施例中，雖然對顯示元件是電流驅(qū)動元件的情況進行了說明，但也可以取代電流驅(qū)動元件，采用電壓驅(qū)動元件，這種情況下，可以省略第1實施例～第9實施例的驅(qū)動用晶體管TR2。再有，當(dāng)可以用晶體管的寄生電容或布線電容代用時，可以省略電容器C2、C3、C12及C22。還有，在第1～第5實施例中，復(fù)位信號的施加只要在發(fā)光期間以外，可以自由設(shè)定其時刻或期間。
另外，作為斜坡電壓，并未限于如圖50(a)(b)所示，在整個發(fā)光期間內(nèi)均勻遞增或遞減的波形，例如在圖24～圖27所示的第12實施例、圖36～圖45所示的第18實施例～第23實施例中，也可以采用在發(fā)光期間的前半段遞增或遞減，在發(fā)光期間的后半段維持恒定電壓的波形。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，具備呈矩陣狀排列配置多個象素所構(gòu)成的顯示面板，在該顯示面板的各象素中配備有接受電力供給后而發(fā)光的顯示元件、和根據(jù)由外部供給的數(shù)據(jù)電壓控制1幀期間內(nèi)的各顯示元件的發(fā)光期間的控制電路，其特征在于構(gòu)成顯示面板的各象素的控制電路具備用于啟動對顯示元件通電的第1控制元件、和用于停止對顯示元件通電的第2控制元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在第1控制元件與第2控制元件的控制端子上，施加在1幀期間的至少一部分內(nèi)遞增或遞減的電壓，由此控制兩控制元件的動作。
3.一種有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，是在呈矩陣狀排列配置多個象素所構(gòu)成的顯示面板上，連接掃描驅(qū)動器與數(shù)據(jù)驅(qū)動器而構(gòu)成的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于顯示面板的各象素具備接受電流或電壓供給后而發(fā)光的顯示元件；被施加來自掃描驅(qū)動器的掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入元件；在寫入元件成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電壓保持裝置；根據(jù)接通/斷開控制信號的輸入，接通/斷開對所述顯示元件通電的驅(qū)動元件；接通所述驅(qū)動元件用的接通控制元件；斷開所述驅(qū)動元件用的斷開控制元件；和根據(jù)所述電壓保持裝置的輸出電壓，控制所述接通控制元件的接通動作或斷開控制元件的斷開動作的時間的控制裝置。
4.一種有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，是在呈矩陣狀排列配置多個象素所構(gòu)成的顯示面板上，連接掃描驅(qū)動器與數(shù)據(jù)驅(qū)動器而構(gòu)成的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于顯示面板的各象素具備接受電流或電壓供給后而發(fā)光的顯示元件；被施加來自掃描驅(qū)動器的掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入元件；在寫入元件成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電壓保持裝置；根據(jù)接通/斷開控制信號的輸入，接通/斷開對所述顯示元件通電的驅(qū)動元件；和斷開所述驅(qū)動元件用的斷開控制元件，并且在由互相鄰近的多個象素構(gòu)成的每個象素組中設(shè)置有接通各象素的驅(qū)動元件用的接通控制元件；和根據(jù)各象素的電壓保持裝置的輸出電壓，控制所述斷開控制元件的斷開動作的時間的控制裝置。
5.一種有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，是在呈矩陣狀排列配置多個象素所構(gòu)成的顯示面板上，連接掃描驅(qū)動器與數(shù)據(jù)驅(qū)動器而構(gòu)成的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于顯示面板的各象素具備接受電流或電壓供給后而發(fā)光的顯示元件；被施加來自掃描驅(qū)動器的掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入元件；在寫入元件成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電壓保持裝置；根據(jù)接通/斷開控制信號的輸入，接通/斷開對所述顯示元件通電的驅(qū)動元件；和接通所述驅(qū)動元件用的接通控制元件，并且在由互相鄰近的多個象素構(gòu)成的每個象素組中設(shè)置有斷開各象素的驅(qū)動元件用的斷開控制元件；和根據(jù)各象素的電壓保持裝置的輸出電壓，控制所述接通控制元件的接通動作的時間的控制裝置。
6.一種有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于通過在呈矩陣狀排列配置多個象素所構(gòu)成的顯示面板上連接掃描驅(qū)動器與數(shù)據(jù)驅(qū)動器而構(gòu)成，顯示面板的各象素具備接受電流或電壓的供給后而發(fā)光的顯示元件；被施加來自掃描驅(qū)動器的掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入元件；在寫入元件成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電壓保持裝置；根據(jù)接通/斷開控制信號的輸入，接通/斷開對所述顯示元件通電的驅(qū)動元件；和利用具有給定變化率的斜坡電壓，將所述電壓保持裝置的輸出電壓進行脈沖寬度調(diào)制，控制所述驅(qū)動元件的接通/斷開的脈沖寬度調(diào)制控制裝置，所述脈沖寬度調(diào)制控制裝置具備接通所述驅(qū)動元件用的接通控制元件、和斷開所述驅(qū)動元件用的斷開控制元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于所述接通控制元件，通過施加與所述斜坡電壓對應(yīng)的電壓而動作，從而接通所述驅(qū)動元件，所述斷開控制元件，通過施加與所述數(shù)據(jù)電壓及斜坡電壓之和對應(yīng)的電壓而動作，從而斷開所述驅(qū)動元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于所述接通控制元件，通過施加與所述數(shù)據(jù)電壓及斜坡電壓之和的大小對應(yīng)的電壓而動作，從而接通所述驅(qū)動元件，所述斷開控制元件，通過施加與所述斜坡電壓的大小對應(yīng)的電壓而動作，從而斷開所述驅(qū)動元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在連接應(yīng)向顯示元件供給電流的高電位的電源、與成為接通控制元件及斷開控制元件的動作基準(zhǔn)的低電位的電源的信號線中，介入用于將從高電位的電源流向低電位的電源的電流遮斷的元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于顯示面板的各象素具備對顯示元件中流過的電流進行編程用的電流編程電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于所述第1控制元件串聯(lián)地介于從應(yīng)向顯示元件供給電力的電源延伸的供電線中，在對顯示元件的通電開始時接通，啟動對顯示元件通電，所述第2控制元件在對顯示元件的通電結(jié)束時接通，斷開第1控制元件，由此結(jié)束對顯示元件通電。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在顯示面板的各象素的控制電路中配備有被施加掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入元件；在寫入元件成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電壓保持裝置；和利用具有給定變化率的斜坡電壓，將所述電壓保持裝置的輸出電壓進行脈沖寬度調(diào)制，控制所述第1控制元件及第2控制元件的接通/斷開的脈沖寬度調(diào)制控制裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在顯示面板的各象素的控制電路中配備被施加掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管；和在該寫入用晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電容器，所述第1控制元件由串聯(lián)地介于所述供電線中且當(dāng)施加在柵極上的電壓與電源電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的第1晶體管構(gòu)成，所述第2控制元件由當(dāng)施加在柵極上的電壓與電源電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的第2晶體管構(gòu)成，在所述第1晶體管的柵極上施加與具有給定變化率的斜坡電壓及電容器的輸出電壓之和對應(yīng)的電壓，在所述第2晶體管的柵極上施加所述斜坡電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在顯示面板的各象素的控制電路中配備被施加掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管；和在該寫入用晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電容器，所述第1控制元件由串聯(lián)地介于所述供電線中且當(dāng)施加在柵極上的電壓與電源電壓或顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的第1晶體管構(gòu)成，所述第2控制元件由當(dāng)施加在柵極上的電壓與電源電壓或顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的第2晶體管構(gòu)成，在所述第1晶體管的柵極上施加與具有給定變化率的第1斜坡電壓及電容器的輸出電壓之和對應(yīng)的電壓，在所述第2晶體管的柵極上施加具有給定變化率的第2斜坡電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在顯示面板的各象素的控制電路中配備被施加掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管；和在該寫入用晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電容器，所述第1控制元件由串聯(lián)地介于所述供電線中且當(dāng)施加在柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的第1晶體管構(gòu)成，所述第2控制元件由當(dāng)施加在柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的第2晶體管構(gòu)成，在所述第1晶體管的柵極上施加與具有給定變化率的斜坡電壓及電容器的輸出電壓之和對應(yīng)的電壓，在所述第2晶體管的柵極上施加所述斜坡電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在顯示面板的各象素的控制電路中配備被施加掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管；和在該寫入用晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電容器，所述第1控制元件由串聯(lián)地介于所述供電線中且當(dāng)施加在柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的第1晶體管構(gòu)成，所述第2控制元件由當(dāng)施加在柵極上的電壓與給定的恒定電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的第2晶體管構(gòu)成，在所述第1晶體管的柵極上施加與具有給定變化率的第1斜坡電壓及電容器的輸出電壓之和對應(yīng)的電壓，在所述第2晶體管的柵極上施加所述斜坡電壓。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在顯示面板的各象素的控制電路中配備在1幀期間的前半段施加掃描電壓并在1幀期間的后半段施加第1斜坡電壓用的第1信號線；和在1幀期間的前半段施加數(shù)據(jù)電壓并在1幀期間的后半段施加第2斜坡電壓用第2信號線，所述第1控制元件由串聯(lián)地介于所述供電線中且當(dāng)施加在柵極上的電壓與電源電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的第1晶體管構(gòu)成，所述第2控制元件由當(dāng)施加在柵極上的電壓與給定的恒定電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的第2晶體管構(gòu)成，第1晶體管的柵極通過電容器，與所述第2信號線連接，第2晶體管的柵極與所述第1信號線連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在顯示面板的各象素的控制電路中配備在1幀期間的前半段施加掃描電壓并在1幀期間的后半段施加第1斜坡電壓用的第1信號線；和在1幀期間的前半段施加數(shù)據(jù)電壓并在1幀期間的后半段施加第2斜坡電壓用第2信號線，所述第1控制元件由串聯(lián)地介于所述供電線中且當(dāng)施加在柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的第1晶體管構(gòu)成，所述第2控制元件由當(dāng)施加在柵極上的電壓與給定的恒定電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的第2晶體管構(gòu)成，第1晶體管的柵極通過電容器，與所述第2信號線連接，第2晶體管的柵極與所述第1信號線連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在構(gòu)成顯示面板的各象素的控制電路中配備被施加掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管；在寫入用晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的第1電容器；在施加于柵極上的電壓與電源電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的作為所述第1控制元件的第1晶體管；在施加于柵極上的電壓與電源電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的作為所述第2控制元件的第2晶體管；和利用掃描電壓的施加而導(dǎo)通，并在第1晶體管的柵極上施加電源電壓的第3晶體管，在第1晶體管的柵極上施加與具有給定變化率的斜坡電壓對應(yīng)的電壓，在所述第2晶體管的柵極上施加與所述斜坡電壓及第1電容器的輸出電壓之和對應(yīng)的電壓，所述第1晶體管的柵極通過第2電容器，與施加所述斜坡電壓用的信號線連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在構(gòu)成顯示面板的各象素的控制電路中，設(shè)置有通過根據(jù)發(fā)光開始時刻中顯示元件的一方端子電壓控制第1控制元件的接通時刻或第2控制元件的接通時刻，來調(diào)整顯示元件的發(fā)光期間的發(fā)光期間調(diào)整裝置。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于發(fā)光期間調(diào)整裝置，在發(fā)光開始時刻中顯示元件的端子間電壓增大時延長顯示元件的發(fā)光期間，在該端子間電壓減小時縮短顯示元件的發(fā)光期間。
22.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在構(gòu)成顯示面板的各象素的控制電路中，配備利用掃描電壓的施加而導(dǎo)通，并讓數(shù)據(jù)電壓通過的寫入用晶體管；在施加于柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的作為所述第1控制元件的第1晶體管；在施加于柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的作為所述第2控制元件的第2晶體管；介于寫入用晶體管與第1晶體管之間的電容器；和阻止該電容器的第1晶體管側(cè)的端子電壓成為給定電位以下的電壓控制裝置，在第1晶體管的柵極上施加與第1斜坡電壓及數(shù)據(jù)電壓之差對應(yīng)的電壓，在第2晶體管的柵極上施加第2斜坡電壓。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于所述電壓控制裝置，由利用復(fù)位電壓的施加而導(dǎo)通，且將所述電容器的第1晶體管側(cè)的端子，與具有施加于顯示元件的一方端子上的電源電壓和顯示元件的發(fā)光開始電壓之間的電壓的電源連接的第3晶體管構(gòu)成。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于所述電壓控制裝置由所述電容器的第1晶體管側(cè)的端子上連接的二極管構(gòu)成。
25.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在構(gòu)成顯示面板的各象素的控制電路中，配備利用掃描電壓的施加而導(dǎo)通，并使數(shù)據(jù)電壓通過的寫入用晶體管；在施加于柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的作為所述第1控制元件的第1晶體管；在施加于柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的作為所述第2控制元件的第2晶體管；和介于寫入用晶體管與第1晶體管之間的電容器，在第1晶體管的柵極上施加與第1斜坡電壓及數(shù)據(jù)電壓之差對應(yīng)的電壓，在第2晶體管的柵極上施加第2斜坡電壓，顯示元件具有比所述電容器還大的電容值。
26.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在構(gòu)成顯示面板的各象素的控制電路中，配備在施加于柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的作為所述第1控制元件的第1晶體管；在施加于柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的作為所述第2控制元件的第2晶體管；一方端子與數(shù)據(jù)電壓供給線連接，同時另一方端子與第2晶體管連接的電容器；只在1幀內(nèi)的發(fā)光期間內(nèi)導(dǎo)通，向第1晶體管供給電源電壓的第3晶體管；和利用復(fù)位信號的施加而導(dǎo)通，并將所述電容器的另一方端子與電源連接的第4晶體管，在第1晶體管的柵極上施加與第1斜坡電壓及數(shù)據(jù)電壓之差對應(yīng)的電壓，在第2晶體管的柵極上施加第2斜坡電壓。
27.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其特征在于在構(gòu)成顯示面板的各象素的控制電路中，配備利用掃描電壓的施加而導(dǎo)通，并讓數(shù)據(jù)電壓通過的寫入用晶體管；在施加于柵極上的電壓與電源電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的作為所述第1控制元件的第1晶體管；在施加于柵極上的電壓與電源電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)并且將第1晶體管斷開的作為所述第2控制元件的第2晶體管；一端與寫入用晶體管的輸出端連接的電容器；利用掃描電壓的施加而導(dǎo)通，并將所述電容器的另一端連接在顯示元件的一端上的第3晶體管；和在發(fā)光期間內(nèi)導(dǎo)通且在所述電容器的另一端上施加第1斜坡電壓的第4晶體管，第1晶體管的柵極與所述電容器的一端連接，第2晶體管的柵極上連接有第2斜坡電壓的供給線。
28.一種有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，具備呈矩陣狀排列配置多個象素所構(gòu)成的顯示面板，在該顯示面板的各象素中配備有接受電力供給后而發(fā)光的顯示元件、和根據(jù)從外部供給的數(shù)據(jù)電壓控制1幀期間內(nèi)的各顯示元件的發(fā)光期間的控制電路，其特征在于在構(gòu)成顯示面板的各象素的控制電路中具備被施加掃描電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管；在該寫入用晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)下施加數(shù)據(jù)電壓并保持該電壓的電容器，和串聯(lián)地介于向顯示元件供給電力的供電線中，且當(dāng)施加在柵極上的電壓與顯示元件的一方端子電壓之差超過給定閾值時成接通狀態(tài)的驅(qū)動用晶體管，在驅(qū)動用晶體管的柵極上施加與具有給定變化率的斜坡電壓及電容器的輸出電壓之和對應(yīng)的電壓。
全文摘要
一種有源矩陣驅(qū)動式顯示裝置，其中的各象素(51)具備有機EL元件(50)；接通/斷開對有機EL元件(50)的通電的驅(qū)動用晶體管(TR2)；施加掃描電壓后而成為導(dǎo)通狀態(tài)的寫入用晶體管(TR1)；通過寫入用晶體管(TR1)成為導(dǎo)通狀態(tài)而被施加數(shù)據(jù)電壓的電容元件(C1)；和通過利用斜坡電壓將電容元件(C1)的輸出電壓進行脈沖寬度調(diào)制，接通/斷開控制驅(qū)動用晶體管(TR2)的脈沖寬度調(diào)制控制電路(90)。該脈沖寬度調(diào)制控制電路(90)具備接通控制用晶體管(TR3)和斷開控制用晶體管(TR4)。
文檔編號H01L51/50GK1517964SQ200410002709
公開日2004年8月4日 申請日期2004年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月20日
發(fā)明者山下敦弘, 野口幸宏, 宏 申請人:三洋電機株式會社