專利名稱：有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)及其檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及至少包括了控制用TFT和驅(qū)動(dòng)用TFT、還包括了電荷保持用電容器的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)及其檢查方法，特別是，涉及在使構(gòu)成像素的例如發(fā)光元件成膜以前，能夠容易地檢查上述TFT(薄膜晶體管)和電荷保持用電容器的功能是否正常的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)及其檢查方法。
背景技術(shù)：
使用了將發(fā)光元件排列成矩陣狀而構(gòu)成的顯示面板的顯示器的開發(fā)正廣泛地取得進(jìn)展。作為用于這樣的顯示面板的發(fā)光元件，使用有機(jī)材料作為發(fā)光層的有機(jī)EL(電致發(fā)光)元件正引人注目。通過使用可期待得到良好的發(fā)光特性的有機(jī)化合物作為EL元件的發(fā)光層，使得在實(shí)用方面可承受的高效率化和長(zhǎng)壽命化取得進(jìn)展，這也成為該種發(fā)光元件問世的背景。
作為使用了這種有機(jī)EL元件的顯示面板，提出了將EL元件僅排列成矩陣狀的簡(jiǎn)單矩陣型顯示面板和將由TFT構(gòu)成的有源元件加到排列成矩陣狀的每一EL元件的有源矩陣型顯示面板。后者的有源矩陣型顯示面板與前者的簡(jiǎn)單矩陣型顯示面板相比，可實(shí)現(xiàn)低功耗，還具備像素間的串?dāng)_少等的特性，特別適合于構(gòu)成大畫面的高精細(xì)度的顯示器。
圖1示出了與現(xiàn)有的有源矩陣型顯示裝置中的1個(gè)像素10對(duì)應(yīng)的最基本的電路結(jié)構(gòu)，這被稱之為電導(dǎo)控制方式。在圖1中，用N溝道構(gòu)成的控制用TFT(Tr1)的柵G與來(lái)自掃描驅(qū)動(dòng)器1的掃描線1a連接，其源S與來(lái)自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器2的數(shù)據(jù)線2a連接。另外，控制用TFT(Tr1)的漏D與由P溝道構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵G連接，同時(shí)與電荷保持用的電容器C1的一個(gè)端子連接。
然后，驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的源S與上述電容器C1的另一端子連接，同時(shí)與向作為發(fā)光元件的有機(jī)EL元件E1供給驅(qū)動(dòng)電流的陽(yáng)極一側(cè)電源(VHanod)連接。另外，驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏D與上述EL元件E1的陽(yáng)極連接，該EL元件的陰極與陰極一側(cè)電源(VLcath)連接。
在對(duì)圖1中的控制用TFT(Tr1)的柵經(jīng)掃描線1a供給導(dǎo)通控制電壓(選擇電壓)時(shí)，在控制用TFT(Tr1)中，與來(lái)自供給源的數(shù)據(jù)線2a的數(shù)據(jù)電壓(Vdata)對(duì)應(yīng)的電流從源流到漏。因此，在控制用TFT(Tr1)的柵施加導(dǎo)通電壓的期間，上述電容器C1被充電，其電壓被供給驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵。因此，在驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)中，使基于其柵電壓和源電壓的電流流過EL元件E1，驅(qū)動(dòng)EL元件使之發(fā)光。
另外，在控制用TFT(Tr1)的柵為關(guān)斷電壓時(shí)，雖然控制用TFT(Tr1)成為所謂的截止?fàn)顟B(tài)，控制用TFT(Tr1)的漏成為開放狀態(tài)，但依靠驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)蓄積于電容器C1中的電荷而保持柵電壓，直至下一次掃描，維持驅(qū)動(dòng)電流，也維持EL元件E1的發(fā)光。
上述結(jié)構(gòu)是示出了利用電導(dǎo)控制方式的1個(gè)像素10的連接結(jié)構(gòu)例的結(jié)構(gòu)，通過將該像素10的結(jié)構(gòu)在縱向和橫向排列多個(gè)，根據(jù)圖像信號(hào)控制各像素10點(diǎn)亮或熄滅，使影像再生。
可是，在這種有源矩陣型顯示面板中，各像素內(nèi)的TFT和電容器的缺陷成為像素缺陷。雖然現(xiàn)狀是在顯示面板內(nèi)生成若干缺陷是不得已的事，但這種缺陷數(shù)目一多，顯示品位就下降，作為商品是不合格的。
因此，在使上述TFT和電荷保持用的電容器在基板上形成的狀態(tài)，即，使作為發(fā)光元件的有機(jī)EL元件在上述基板上成膜以前的半成品的狀態(tài)下，如果能容易地檢查出上述TFT和電荷保持用的電容器的缺陷，則可改善顯示面板的成品率，其結(jié)果是，可對(duì)成本的削減作出貢獻(xiàn)。特別是，與每個(gè)像素用1個(gè)TFT即可的AM-LCD(有源矩陣型顯示裝置)相比，在每個(gè)像素必須有2個(gè)~4個(gè)以上TFT的AM-OEL(有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置)中，在上述半成品的狀態(tài)下的缺陷檢查就變得更加重要。
另一方面，在AM-LCD中，即使在處于上述半成品狀態(tài)的TFT基板狀態(tài)下，由于電荷保持用電容器成為像素用TFT(驅(qū)動(dòng)用TFT)的負(fù)載，所以在TFT基板狀態(tài)下的缺陷檢查就比較容易。然而，在AM-OEL中，在處于上述半成品狀態(tài)的TFT基板中，有機(jī)EL元件并不成膜，驅(qū)動(dòng)用TFT處于無(wú)負(fù)載狀態(tài)。因此，在這樣的狀態(tài)下，像素缺陷的檢查并不容易。
從而，為了檢查像素缺陷，在專利文獻(xiàn)1中提出了以探針觸及規(guī)定的像元電極等并測(cè)定其阻抗，因此，考慮到通過使導(dǎo)電針等同樣地與形成作為發(fā)光元件的上述EL元件的電極接觸，將負(fù)載與驅(qū)動(dòng)用TFT連接，進(jìn)行像素缺陷的檢查。
專利第2506840號(hào)公報(bào)(第2欄15行以下和圖6)可是，像上述那樣，在像素缺陷的檢查工序中，在進(jìn)行使導(dǎo)電針等與形成作為發(fā)光元件的上述EL元件的電極接觸那樣的操作時(shí)，使上述電極損傷等以招致發(fā)光元件的缺陷的可能性增大，因而是不理想的。另外，還考慮到通過使檢查用電極與形成發(fā)光元件的電極接近，在兩電極之間形成電容器，采用在非接觸狀態(tài)下對(duì)驅(qū)動(dòng)用TFT給予負(fù)載的方法，但兩電極之間的間隙調(diào)整極難，在實(shí)用上可兼采用此法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了消除上述問題而進(jìn)行的，是通過例如在半成品的狀態(tài)下，使之在基板上形成檢查用虛擬負(fù)載并利用此負(fù)載，提供了可執(zhí)行上述TFT和電荷保持用電容器的缺陷檢查的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)及其檢查方法的課題。
為了解決上述課題而進(jìn)行的本發(fā)明的第1實(shí)施例的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)是如第1方面中所述，至少包括了根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與檢查用線連接。
另外，本發(fā)明的第2實(shí)施例的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)是如第2方面中所述，至少包括了根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵連接。
此外，本發(fā)明的第3實(shí)施例和第4實(shí)施例的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)是如第3方面中所述，至少包括了根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與上述控制用TFT的源或柵連接。
另一方面，為了解決上述課題而進(jìn)行的本發(fā)明的第1實(shí)施例的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法是如第4方面中所述，至少包括根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器、檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與檢查用線連接而成的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于執(zhí)行使上述控制用TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)的步驟；以及既使上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵電壓、源電壓、檢查用線的線電壓中的某一種或2種以上相對(duì)地發(fā)生變化、又測(cè)定流過上述檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟。
另外，本發(fā)明的第2實(shí)施例的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法是如第8方面中所述，至少包括根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器、檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵連接而成的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于執(zhí)行使上述控制用TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)的步驟；以及既使上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵電壓或源電壓中的某一種或2種相對(duì)地發(fā)生變化、又測(cè)定流過上述檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟。
此外，本發(fā)明的第3實(shí)施例和第4實(shí)施例的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法是如第12方面中所述，至少包括根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器、檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與上述控制用TFT的源或柵連接而成的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于執(zhí)行使上述控制用TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)的步驟；以及既使上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵電壓、源電壓或檢查用虛擬負(fù)載的另一端的電壓中的某一種或2種以上相對(duì)地發(fā)生變化、又測(cè)定流過上述檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟。而且，在本發(fā)明的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法中，如第13方面中所述，檢查用虛擬負(fù)載被處理成在執(zhí)行測(cè)定流過該檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟后，形成高阻抗的狀態(tài)。


圖1是示出了與現(xiàn)有的有源矩陣型顯示裝置中的1個(gè)像素對(duì)應(yīng)的基本的電路結(jié)構(gòu)的連線圖。
圖2是示出了本發(fā)明的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的第1實(shí)施例的連線圖。
圖3是示出了圖2所示的結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)用TFT的工作的特性圖。
圖4是示出了本發(fā)明的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的第2實(shí)施例的連線圖。
圖5是示出了圖4所示的結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)用TFT的工作的特性圖。
圖6是示出了本發(fā)明的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的第3實(shí)施例的連線圖。
圖7是示出了同一結(jié)構(gòu)的第4實(shí)施例的連線圖。
圖8是示出將本發(fā)明應(yīng)用于以可對(duì)EL元件有效地施加反向偏置電壓的方式構(gòu)成的像素結(jié)構(gòu)的例子的連線圖。
圖9是示出將本發(fā)明應(yīng)用于SES方式的像素結(jié)構(gòu)的例子的連線圖。
圖10是示出將本發(fā)明應(yīng)用于電流編程方式的像素結(jié)構(gòu)的例子的連線圖。
圖11是示出將本發(fā)明應(yīng)用于閾值電壓校正方式的像素結(jié)構(gòu)的例子的連線圖。
圖12是示出將本發(fā)明應(yīng)用于電壓編程方式的像素結(jié)構(gòu)的例子的連線圖。
圖13是示出將本發(fā)明應(yīng)用于電流鏡方式的像素結(jié)構(gòu)的例子的連線圖。
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)圖示的實(shí)施例說明本發(fā)明的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)及其檢查方法。再有，在以下的說明中，用同一符號(hào)表示與已經(jīng)說明過的圖1中所示的各部分相當(dāng)?shù)牟糠郑詫?duì)各種功能和工作就適當(dāng)?shù)厥÷缘粽f明了。
首先，圖2是示出了本發(fā)明的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的第1實(shí)施例的圖。在該圖2所示的形態(tài)示出了與圖1所示的例子同樣地稱之為電導(dǎo)控制方式的電路結(jié)構(gòu)。而且，圖2所示的狀態(tài)表示出有機(jī)EL元件E1成膜以前的半成品的狀態(tài)。
在圖2所示的第1實(shí)施例中，形成這樣的結(jié)構(gòu)檢查用虛擬負(fù)載W的一端與作為驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的電流輸出端子的漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載W的另一端與檢查用線3連接。即，在與圖1所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較后，得知新配備了檢查用虛擬負(fù)載W和檢查用線3。而且，如后面所述，通過在檢查用線3與陰極一側(cè)電源(VLcath)之間插入電流測(cè)定裝置，測(cè)定流過虛擬負(fù)載W的電流值，檢查各TFT(Tr1、Tr2)和電荷保持用電容器C1的功能是否正常。即，在本實(shí)施例中，經(jīng)檢查用線3測(cè)定流過虛擬負(fù)載W的電流值。
這里，在考察上述電導(dǎo)控制方式的電路結(jié)構(gòu)中的各部分的電位時(shí)，為了首先驅(qū)動(dòng)EL元件E1使之發(fā)光，15V左右的電位差是必要的。而且，為了用相對(duì)于基準(zhǔn)電位(地電位)盡可能低的電壓實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)工作，在實(shí)用上，設(shè)定EL元件的陽(yáng)極一側(cè)電源(VHanod)例如為10V，EL元件的陰極一側(cè)電源(VLcath)例如為-5V等，以此進(jìn)行設(shè)計(jì)。
在上述電壓設(shè)定條件下，在考慮到對(duì)控制驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)通斷所需的驅(qū)動(dòng)用TFT的柵電壓時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)用TFT為P溝道型，為使之處于關(guān)斷狀態(tài)，最低需要10V的電位。另外，為使驅(qū)動(dòng)用TFT導(dǎo)通，可施加比上述的10V低得多的電位，例如地電位(＝0V)進(jìn)行控制。因此，按照上述條件，分別設(shè)定供給控制用TFT(Tr1)的源的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓Vdata在作為高電平電位時(shí)為VHdata＝10V，在作為低電平電位時(shí)為VLdata＝0V。
另一方面，由于控制用TFT(Tr1)為N溝道型，為了將上述VHdata和VLdata有選擇地供給驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵，必須將至少2V的閾值電壓加到VHdata＝10V后的12V的控制(選擇)電壓供給控制用TFT(Tr1)的柵。另外，在非掃描時(shí)，通過對(duì)控制用TFT(Tr1)的柵施加例如地電位(＝10V)，可使該控制用TFT處于關(guān)斷狀態(tài)。
根據(jù)以上的考察，在圖2所示的實(shí)施例中，為了對(duì)像素功能進(jìn)行檢查，首先，對(duì)掃描線1a施加可使控制用TFT(Tr1)處于導(dǎo)通狀態(tài)的電位，即上述的12V。在該狀態(tài)下，在使數(shù)據(jù)線2a的電位從10V(＝VHanod)緩慢降低(使之掃描)時(shí)，驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)緩慢移至導(dǎo)通狀態(tài)。再有，圖3示出驅(qū)動(dòng)用TFT緩慢移至導(dǎo)通狀態(tài)的情形。
即，圖3所示的橫軸示出施加到數(shù)據(jù)線2a(控制用TFT的源)的電位，隨著向左方向移動(dòng)，示出了以Vdata表示的電位從10V降低的狀態(tài)。另外，圖3所示的縱軸示出從驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏經(jīng)虛擬負(fù)載W和檢查用線3流到陰極一側(cè)電源(VLcath)的電流值Id。因此，該圖3所示的特性與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的Id-Vgs特性(漏電流-柵、源間電壓的特性)變得大致相同。
再有，經(jīng)檢查用線3流過的上述電流Id未特意在圖中表示出來(lái)，但可用在檢查用線3與陰極一側(cè)電源(VLcath)之間插入的電流測(cè)定裝置得到。因此，在電流與數(shù)據(jù)線電壓(Vdata)無(wú)關(guān)地流到檢查用線3中，同時(shí)反過來(lái)電流流到檢查用線3而被原樣保持的狀態(tài)的情況下，判斷上述TFT(Tr1、Tr2)或電容器C1中何者為不良。另外，如果是流過規(guī)定的Id值的Vgs值(＝Vth閾值電壓)超過規(guī)定的電壓的狀態(tài)，則判定驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)為不良。
如上所述，對(duì)各像素進(jìn)行評(píng)價(jià)，如1塊面板內(nèi)的不良像素在規(guī)定數(shù)目以內(nèi)則判定為合格品，如超過規(guī)定數(shù)目則判定為不合格品。這樣一來(lái)，如果檢查結(jié)束，則與各驅(qū)動(dòng)用TFT連接的虛擬負(fù)載W被處理成處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。即，由于在使EL元件成膜以形成發(fā)光顯示面板時(shí)，上述虛擬負(fù)載W在電學(xué)上引起短路狀態(tài)，所以通過進(jìn)行上述處理，進(jìn)行使該虛擬負(fù)載變?yōu)闊o(wú)效的處置。
作為將上述虛擬負(fù)載W處理成為高阻抗?fàn)顟B(tài)的一個(gè)例子，考慮用激光束破壞(燒斷)檢查用虛擬負(fù)載。由此，各驅(qū)動(dòng)用TFT的漏與檢查用線3的電連接開路。另外，雖然在后面將要說明的實(shí)施例中進(jìn)行詳述，但通過將規(guī)定的電流流到檢查用虛擬負(fù)載W，也可恰當(dāng)?shù)夭捎萌蹟嘣摍z查用虛擬負(fù)載的裝置。另一方面，上述檢查用虛擬負(fù)載W除了單純?yōu)榧?xì)絲或電阻體外，還可以有具備了與在流過規(guī)定電流以上值時(shí)即熔斷的所謂熔絲同樣的功能的元件及TFT或二極管之類的元件。
再有，在以上說明過的第1實(shí)施例的檢查方法中，通過使數(shù)據(jù)線2a的電位Vdata改變，換言之，使驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵電壓改變，測(cè)定流到虛擬負(fù)載W中的電流Id，即流到檢查用線3中的電流Id。然而，即使單獨(dú)改變施加到檢查用線3的線電壓(VLcath)或供給驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的源的驅(qū)動(dòng)電壓(VHanod)，或者相對(duì)地改變上述2個(gè)以上電壓，也可得到如圖3所示的驅(qū)動(dòng)用TFT的I-V(電流-電壓)特性，由此，與上述一樣，也可檢查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或電容器C1的功能是否正常。
接著，圖4是示出了本發(fā)明的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的第2實(shí)施例的圖。與該圖4所示的形態(tài)同樣地示出了稱之為電導(dǎo)控制方式的電路結(jié)構(gòu)。而且，與圖4所示的狀態(tài)同樣地示出了使有機(jī)EL元件E1成膜前的半成品的狀態(tài)。在該第2實(shí)施例中，檢查用虛擬負(fù)載W的一端與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的電流輸出端子即漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載的另一端與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵連接。
而且，在數(shù)據(jù)線2a與對(duì)該數(shù)據(jù)線2a供給數(shù)據(jù)線電壓(Vdata)的未圖示的電壓源(代替圖1所示的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器2)之間插入電流測(cè)定裝置，測(cè)定流過數(shù)據(jù)線2a的電流值。這時(shí)的數(shù)據(jù)線電流是驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏電流Id經(jīng)虛擬負(fù)載W和控制用TFT(Tr1)得到的電流，上述數(shù)據(jù)線電流作為結(jié)果大致對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏電流Id。
在圖4所示的像素結(jié)構(gòu)中，為了進(jìn)行對(duì)其所作的檢查，與圖2所示的第1實(shí)施例一樣，將控制用TFT(Tr1)可形成導(dǎo)通狀態(tài)的電壓，例如12V施加于掃描線1a。在該狀態(tài)下，使數(shù)據(jù)線2a的電壓依次變?yōu)閂1、V2、V3。即，上述V1、V2、V3的各值在比驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)成為關(guān)斷狀態(tài)的10V(＝VHanod)低的電平的范圍內(nèi)，該電壓電平按依次降低的方式變更，圖5示出這時(shí)的數(shù)據(jù)線電流(驅(qū)動(dòng)用TFT的漏電流Id)的變化狀態(tài)。再有，該特性與已說明過的圖3所示的特性相同。
如圖5所示，測(cè)定施加V1作為數(shù)據(jù)線2a的電壓時(shí)的電流值Id1的值和施加V2作為數(shù)據(jù)線2a的電壓時(shí)的電流值Id2的值，如果這些電流值Id1、Id2分別在規(guī)定的范圍內(nèi)，則判定TFT(Tr1、Tr2)和電容器C1的功能為正常。再有，在本實(shí)施例中，作為上述虛擬負(fù)載W采用在流過規(guī)定的電流值Idx以上的電流時(shí)熔斷的具備與所謂熔絲同樣的功能的元件。
而且，如圖5所示，對(duì)數(shù)據(jù)線2a施加電壓V3。用該V3所示的電位作為驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵偏壓而被施加，這時(shí)的漏電流被設(shè)定為流過上述Idx以上的電流的值。因此，上述虛擬負(fù)載W靠驅(qū)動(dòng)用TFT的漏電流熔斷。這時(shí)，經(jīng)數(shù)據(jù)線2a確認(rèn)上述漏電流Id是否大致為零，借助于以上的工序判定各像素是否合格。而且，每塊面板的是否合格的判斷與根據(jù)圖2和圖3說明過的實(shí)施例同樣地進(jìn)行。
再有，在以上說明過的第2實(shí)施例的檢查方法中，通過改變數(shù)據(jù)線2a的電位Vdata，換言之，通過改變驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵電壓，在數(shù)據(jù)線2a中測(cè)定流過虛擬負(fù)載W的電流Id。然而，在本實(shí)施例中，即使改變供給驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的源的驅(qū)動(dòng)電壓VHanod，或者相對(duì)地改變上述數(shù)據(jù)線2a的電位Vdata與驅(qū)動(dòng)電壓VHanod雙方，也可取得如圖5所示那樣的驅(qū)動(dòng)用TFT的I-V(電流-電壓)特性。因此，即使采用這樣的裝置也可與上述同樣地檢查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或電容器C1的功能是否正常。
圖6是示出了本發(fā)明的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的第3實(shí)施例的圖。該圖6所示的實(shí)施例也同樣地示出了被稱之為電導(dǎo)控制方式的電路結(jié)構(gòu)。而且，圖6所示的狀態(tài)同樣地示出了使有機(jī)EL元件E1成膜前的半成品的狀態(tài)。在該第3實(shí)施例中，檢查用虛擬負(fù)載W的一端與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的電流輸出端子即漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載的另一端與控制用TFT(Tr1)的源連接。
在本例中，也與圖4所示的例子同樣地，在數(shù)據(jù)線2a與對(duì)該數(shù)據(jù)線2a供給數(shù)據(jù)線電壓Vdata的未圖示的電壓源之間插入電流測(cè)定裝置，測(cè)定與施加到數(shù)據(jù)線2a上的電壓Vdata對(duì)應(yīng)的流過數(shù)據(jù)線2a的電流值。即，流過數(shù)據(jù)線2a的電流值與圖4所示的例子同樣地，是與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏電流Id對(duì)應(yīng)的電流值，通過對(duì)比數(shù)據(jù)電壓Vdata與漏電流Id的關(guān)系，可檢查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或電容器C1的功能是否正常。
而且，在上述的測(cè)定結(jié)束時(shí)，利用檢查用虛擬負(fù)載W被激光束破壞(燒斷)，或以規(guī)定的電流流過虛擬負(fù)載，來(lái)熔斷該檢查用虛擬負(fù)載。在該圖6所示的形態(tài)中，通過改變驅(qū)動(dòng)電壓VHanod，也可取得驅(qū)動(dòng)用TFT的I-V(電流-電壓)特性。因此，即使采用這樣的裝置也可與上述同樣地檢查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或電容器C1的功能是否正常。
再有，按照?qǐng)D6所示的實(shí)施例，與圖4所示的實(shí)施例進(jìn)行比較，不經(jīng)控制用TFT(Tr1)即可在數(shù)據(jù)線2a中實(shí)質(zhì)上得到驅(qū)動(dòng)用TFT的漏電流Id。因此，按照該圖6所示的實(shí)施例，取得無(wú)需形成電流容量格外高的TFT作為控制用TFT(Tr1)這樣的優(yōu)點(diǎn)。
圖7是示出了本發(fā)明的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的第4實(shí)施例的圖。該圖7所示的形態(tài)也同樣地示出了被稱之為電導(dǎo)控制方式的電路結(jié)構(gòu)。而且，圖7所示的狀態(tài)同樣地示出了使有機(jī)EL元件E1成膜前的半成品的狀態(tài)。在本第4實(shí)施例中，檢查用虛擬負(fù)載W的一端與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的電流輸出端子即漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載的另一端與控制用TFT(Tr1)的柵連接。
在本例中，在掃描線1a與對(duì)該掃描線1a供給控制(選擇)電壓的未圖示的電壓源(代替圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)器1)之間插入未圖示的電流測(cè)定裝置，測(cè)定流過掃描線1a的電流值。這時(shí)流過掃描線1a的電流是驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏電流Id經(jīng)虛擬負(fù)載W得到的電流，上述在掃描線1a中得到的電流作為結(jié)果大致對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏電流Id。
再有，在該圖7所示的實(shí)施例中，通過測(cè)定流過與施加于數(shù)據(jù)線2a的數(shù)據(jù)電壓Vdata對(duì)應(yīng)的掃描線1a的電流值(實(shí)質(zhì)上是驅(qū)動(dòng)用TFT的漏電流Id)，對(duì)比數(shù)據(jù)電壓Vdata與漏電流Id的關(guān)系，檢查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或電容器C1的功能是否正常。
這時(shí)，在常時(shí)地將控制用TFT(Tr1)成為導(dǎo)通狀態(tài)的電壓，例如上述的12V施加到掃描線1a的情況下，靠電位差的關(guān)系不可能在掃描線1a中檢測(cè)出驅(qū)動(dòng)用TFT的漏電流Id。因此，必須對(duì)經(jīng)掃描線1a施加到控制用TFT(Tr1)的柵上的導(dǎo)通電壓進(jìn)行控制，使得該導(dǎo)通電壓與施加到數(shù)據(jù)線2a上的數(shù)據(jù)電壓Vdata相對(duì)應(yīng)并且可變。
而且，在上述的測(cè)定結(jié)束時(shí)，利用檢查用虛擬負(fù)載W被激光束破壞(燒斷)，或以規(guī)定的電流流過虛擬負(fù)載，來(lái)熔斷該檢查用虛擬負(fù)載。在該圖7所示的實(shí)施例中，通過改變驅(qū)動(dòng)電壓VHanod，也可取得驅(qū)動(dòng)用TFT的I-V(電流-電壓)特性。因此，即使采用這樣的裝置也可與上述同樣地檢查各像素的TFT(Tr1、Tr2)或電容器C1的功能是否正常。
再有，按照?qǐng)D7所示的實(shí)施例，與圖4所示的實(shí)施例進(jìn)行比較，不經(jīng)控制用TFT(Tr1)即可在數(shù)據(jù)線2a中實(shí)質(zhì)上得到驅(qū)動(dòng)用TFT的漏電流Id。因此，在該圖7所示的實(shí)施例中，也可取得無(wú)需形成電流容量格外高的TFT作為控制用TFT(Tr1)這樣的優(yōu)點(diǎn)。
下面，圖8是在圖7所示的結(jié)構(gòu)中進(jìn)而將二極管元件并聯(lián)連接在驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的源、漏之間的圖。即，如上所述，對(duì)通過將二極管元件并聯(lián)連接，可將反向偏置電壓有效地施加于EL元件E1上的結(jié)構(gòu)，示出采用了本發(fā)明的例子。再有，在圖8所示的例子中，使用TFT(Tr3)作為二極管元件，通過將它的柵與源短路，等效地形成二極管元件。
這樣，通過配置二極管元件，在規(guī)定的時(shí)刻，改換例如驅(qū)動(dòng)電壓源VHanod、VLcath，即可經(jīng)上述二極管元件將反向偏置電壓有效地施加于EL元件E1上，由此，可延長(zhǎng)EL元件的壽命。再有，該圖8所示的反向偏置的施加裝置由本案申請(qǐng)人在特愿2002-230072中提出申請(qǐng)。因此，在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，也可得到與圖7所示的結(jié)構(gòu)例同樣的本案發(fā)明的作用效果。
圖9示出了將本發(fā)明應(yīng)用于使數(shù)字灰度得以實(shí)現(xiàn)的3TFT方式的像素結(jié)構(gòu)的例子。該驅(qū)動(dòng)方式也稱之為SES(同時(shí)-擦除-掃描＝同時(shí)擦除法)，除了控制用TFT(Tr1)和驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)外，還配備了擦除用TFT(Tr4)。該擦除用TFT(Tr4)在EL元件E1點(diǎn)亮期間的中途，通過使該擦除用TFT(Tr4)導(dǎo)通工作，可使電容器C1的電荷放電，由此可實(shí)現(xiàn)控制EL元件E1的點(diǎn)亮期間的灰度驅(qū)動(dòng)。
在該圖9所示的結(jié)構(gòu)中，與圖6所示的例子同樣地，檢查用虛擬負(fù)載W的一端與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的電流輸出端子即漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載的另一端與控制用TFT(Tr1)的源連接。因此，在該圖9所示的結(jié)構(gòu)中，也可得到與根據(jù)圖6所作說明的作用效果同樣的作用效果。
圖10示出了將本發(fā)明應(yīng)用于電流編程方式的像素結(jié)構(gòu)的例子。在該電流編程方式中，開關(guān)用TFT(Tr5)與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏連接，在該開關(guān)用TFT(Tr5)的漏上形成EL元件E1。而且，將電荷保持用電容器C1連接在驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的源與柵之間，將控制用TFT(Tr1)連接在驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵與漏之間。
進(jìn)而，寫入用電流源Is與控制用TFT(Tr1)的源連接。此外，控制用TFT(Tr1)和開關(guān)用TFT(Tr5)的各柵具有與掃描線1a連接的功能，上述寫入用電流源Is具有控制數(shù)據(jù)線2a中的電流的功能。
在圖10所示的結(jié)構(gòu)中，檢查用虛擬負(fù)載W的一端與開關(guān)用TFT(Tr5)的漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載的另一端與控制用TFT(Tr1)的柵連接。因此，按照該結(jié)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏電流Id經(jīng)開關(guān)用TFT(Tr5)流到虛擬負(fù)載W中，該漏電流Id可用掃描線1a進(jìn)行測(cè)定。因此，在該圖10所示的結(jié)構(gòu)中，也可得到與根據(jù)圖7所作說明的作用效果同樣的作用效果。
下面，圖11示出了稱之為閾值電壓校正方式的并將本發(fā)明應(yīng)用于該閾值電壓校正方式的像素結(jié)構(gòu)的例子。該圖11所示的閾值電壓校正方式的基本結(jié)構(gòu)與圖7所示的電導(dǎo)控制方式一樣，在與電導(dǎo)控制方式進(jìn)行比較時(shí)，TFT(Tr6)與二極管D1的并聯(lián)連接體被插入控制用TFT(Tr1)與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)之間。再有，上述TFT(Tr6)被構(gòu)成為它的柵、漏之間處于短路狀態(tài)，因此，它具有作為從控制用TFT(Tr1)朝向驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵賦予閾值特性的元件的功能。
按照該結(jié)構(gòu)，利用由TFT(Tr6)所生成的閾值特性可有效地去除驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)中的閾值特性。而且，在該實(shí)施例中，檢查用虛擬負(fù)載W的一端與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載的另一端與控制用TFT(Tr1)的柵連接。
因此，在該圖11所示的結(jié)構(gòu)中，驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)中的漏電流Id可用掃描線1a進(jìn)行測(cè)定。因此，在該圖11所示的結(jié)構(gòu)中，也可得到與根據(jù)圖7所作說明的作用效果同樣的作用效果。
圖12示出了將本發(fā)明應(yīng)用于電壓編程方式的像素結(jié)構(gòu)的例子。在該電壓編程方式中，開關(guān)用TFT(Tr7)與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏連接，而且，開關(guān)用TFT(Tr8)被連接在驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏與柵之間。
此外，在該電壓編程方式中，被構(gòu)成為從數(shù)據(jù)線2a經(jīng)控制用TFT(Tr1)和電容器C2將數(shù)據(jù)信號(hào)供給驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵。
在上述電壓編程方式中，TFT(Tr7)和TFT(Tr8)導(dǎo)通，與此同時(shí)，還確保驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)處于導(dǎo)通狀態(tài)。在下一個(gè)瞬間，依靠TFT(Tr7)被關(guān)斷，驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏電流Id經(jīng)TFT(Tr8)回到驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵。由此，在驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的柵、源間電壓變得與驅(qū)動(dòng)用TFT的閾值電壓相等以前，柵、源間電壓被提升，在該時(shí)刻驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)關(guān)斷。
而且，這時(shí)的柵、源間電壓被保持在電容器C1上，利用該電容器電壓控制驅(qū)動(dòng)用TFT的漏電流。即，在該電壓編程方式中，其作用在于補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)中的閾值電壓的分散度。
在上述圖12所示的結(jié)構(gòu)中，檢查用虛擬負(fù)載W的一端與TFT(Tr7)的漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載的另一端與控制用TFT(Tr1)的源連接。因此，驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏電流Id可經(jīng)TFT(Tr7)和虛擬負(fù)載W在數(shù)據(jù)線2a中被檢測(cè)出來(lái)。因此，在該圖12所示的結(jié)構(gòu)中，也可得到與根據(jù)圖6所作說明的作用效果同樣的作用效果。
圖13示出了將本發(fā)明應(yīng)用于電流鏡方式的像素結(jié)構(gòu)的例子。在該電流鏡方式中，柵被共同連接到P溝道的驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)上，同樣地，P溝道的TFT(Tr9)被對(duì)稱地配置，電荷保持用的電容器C1被連接在兩TFT(Tr2、Tr9)的柵與源之間。
另外，控制用TFT(Tr1)被連接在上述TFT(Tr9)的柵與漏之間，依靠該控制用TFT(Tr1)的導(dǎo)通工作，TFT(Tr2、Tr9)具有作為電流鏡的功能。即，被構(gòu)成為與控制用TFT(Tr1)導(dǎo)通工作的同時(shí)，由N溝道構(gòu)成的開關(guān)用TFT(Tr10)也導(dǎo)通工作，由此被構(gòu)成為寫入用電流源Is經(jīng)開關(guān)用TFT(Tr10)而被連接。
由此，在地址期間，形成從VHanod的電源開始經(jīng)TFT(Tr9)、TFT(Tr10)流到寫入用電流源Is中的電流路徑，另外，依靠電流鏡的作用，與流到電流源Is的電流對(duì)應(yīng)的電流作為驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的漏電流Id而被生成。
利用這樣的工作，與流到寫入用電流源Is中的電流值對(duì)應(yīng)的TFT(Tr9)的柵電壓被寫入電容器C1中。而且，在規(guī)定的電壓值被寫入電容器C1中以后，控制用TFT(Tr1)的作用在于成為關(guān)斷狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的作用在于根據(jù)蓄積到電容器C1中的電荷供給規(guī)定的漏電流Id。
而且，在圖13所示的實(shí)施例中，檢查用虛擬負(fù)載W的一端與驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)的輸出端子即漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載的另一端與控制用TFT(Tr1)的柵連接。因此，在該圖13所示的結(jié)構(gòu)中，驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)中的漏電流Id可用掃描線1a進(jìn)行測(cè)定。因此，在該圖13所示的結(jié)構(gòu)中，也可得到與根據(jù)圖7所作說明的作用效果同樣的作用效果。
權(quán)利要求
1.一種有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)，它至少包括了根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與檢查用線連接。
2.一種有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)，它至少包括了根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵連接。
3.一種有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)，它至少包括了根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)，其特征在于檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與上述控制用TFT的源或柵連接。
4.一種有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，這是至少包括了根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器，檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與檢查用線連接而成的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于執(zhí)行使上述控制用TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)的步驟；以及既使上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵電壓、源電壓、檢查用線的線電壓中的某一種或2種以上相對(duì)地發(fā)生變化、又測(cè)定流過上述檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于上述檢查用虛擬負(fù)載被處理成在執(zhí)行測(cè)定流到該檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟后，形成高阻抗的狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求5所述的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于作為將上述檢查用虛擬負(fù)載處理為形成高阻抗?fàn)顟B(tài)的裝置，采用以激光束破壞檢查用虛擬負(fù)載的裝置。
7.如權(quán)利要求5所述的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于作為將上述檢查用虛擬負(fù)載處理為形成高阻抗?fàn)顟B(tài)的裝置，采用通過將規(guī)定的電流流到檢查用虛擬負(fù)載以熔斷該虛擬負(fù)載的裝置。
8.一種有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，這是至少包括了根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器，檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵連接而成的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于執(zhí)行使上述控制用TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)的步驟；以及既使上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵電壓或源電壓中的某一種或2種相對(duì)地發(fā)生變化、又測(cè)定流過上述檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟。
9.如權(quán)利要求8所述的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于上述檢查用虛擬負(fù)載被處理成在執(zhí)行測(cè)定流到該檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟后，形成高阻抗的狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求9所述的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于作為將上述檢查用虛擬負(fù)載處理為形成高阻抗?fàn)顟B(tài)的裝置，采用以激光束破壞檢查用虛擬負(fù)載的裝置。
11.如權(quán)利要求9所述的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于作為將上述檢查用虛擬負(fù)載處理為形成高阻抗?fàn)顟B(tài)的裝置，采用通過將規(guī)定的電流流到檢查用虛擬負(fù)載以熔斷該虛擬負(fù)載的裝置。
12.一種有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，這是至少包括了根據(jù)數(shù)據(jù)線的電位以生成控制輸出信號(hào)的控制用TFT、根據(jù)上述控制輸出信號(hào)以控制驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用TFT和暫時(shí)保持上述控制輸出信號(hào)的電荷保持用電容器，檢查用虛擬負(fù)載的一端與上述驅(qū)動(dòng)用TFT的電流輸出端子連接，同時(shí)該檢查用虛擬負(fù)載的另一端與上述控制用TFT的源或柵連接而成的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于執(zhí)行使上述控制用TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)的步驟；以及既使上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵電壓、源電壓或檢查用虛擬負(fù)載的另一端的電壓中的某一種或2種以上相對(duì)地發(fā)生變化、又測(cè)定流過上述檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟。
13.如權(quán)利要求12所述的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于上述檢查用虛擬負(fù)載被處理成在執(zhí)行測(cè)定流到該檢查用虛擬負(fù)載的電流值的步驟后，形成高阻抗的狀態(tài)。
14.如權(quán)利要求13所述的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于作為將上述檢查用虛擬負(fù)載處理為形成高阻抗?fàn)顟B(tài)的裝置，采用以激光束破壞檢查用虛擬負(fù)載的裝置。
15.如權(quán)利要求13所述的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)的檢查方法，其特征在于作為將上述檢查用虛擬負(fù)載處理為形成高阻抗?fàn)顟B(tài)的裝置，采用通過將規(guī)定的電流流到檢查用虛擬負(fù)載以熔斷該虛擬負(fù)載的裝置。
全文摘要
本發(fā)明的課題是在至少包括了控制用TFT、驅(qū)動(dòng)用TFT以及電荷保持用電容器的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)中，能夠容易地檢查各TFT和電容器的功能是否正常。在包括了控制用TFT(Tr1)、驅(qū)動(dòng)用TFT(Tr2)以及電荷保持用電容器C1的有源驅(qū)動(dòng)型像素結(jié)構(gòu)中，檢查用虛擬負(fù)載W的一端與驅(qū)動(dòng)用TFT的漏連接，同時(shí)該虛擬負(fù)載的另一端與檢查用線3連接。通過既使施加到數(shù)據(jù)線2a上的電壓可變，又測(cè)定在檢查用線3中得到的電流Id，可檢查TFT和電容器的功能是否正常。在檢查結(jié)束后，上述虛擬負(fù)載W或用激光束燒斷，或通過將規(guī)定的電流流到虛擬負(fù)載W中使之熔融切斷。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1519809SQ20041000254
公開日2004年8月11日 申請(qǐng)日期2004年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月31日
發(fā)明者吉田孝義, 坂口正三郎, 三郎 申請(qǐng)人:東北先鋒電子股份有限公司