專利名稱：用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法,用于該方法的襯底和以該方法獲得的有機(jī)電致 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中將層的布置應(yīng)用于襯底使得導(dǎo)體在第一方向和第二方向延伸，并且在導(dǎo)體的交叉點(diǎn)之間，提供有機(jī)電致發(fā)光連接，其在電壓的影響下發(fā)射光線。
本發(fā)明還涉及適于和意在用于根據(jù)本發(fā)明的用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法的襯底。
通過用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的現(xiàn)有方法，開始點(diǎn)是從玻璃制造的襯底，在該襯底上通過光刻膠的輔助來應(yīng)用該結(jié)構(gòu)，例如，通過旋轉(zhuǎn)涂覆提供，將該光刻膠局部曝光并因此以沖洗技術(shù)局部移去。這些處理是費(fèi)力的，需要很多時(shí)間并因此很昂貴。另外，在顯示器的制造中，顯示設(shè)備的提供占成本很大的部分，因此，這種用于制造顯示設(shè)備的“濕”化學(xué)步驟被省略將具有很大優(yōu)勢(shì)。
到此為止，根據(jù)本發(fā)明，在開始段落所述的方法的特征在于以塑料制造襯底并且向其提供形成至少一些被應(yīng)用的層的邊界的表面結(jié)構(gòu)。
這種被設(shè)置有表面結(jié)構(gòu)的塑料襯底可以以基本上公知的塑料設(shè)計(jì)處理，諸如，注射模制、緩沖(emboss)、光聚合復(fù)制等來制造。例如，在US-A-4 659 407中描述了緩沖，在WO87/02934中描述了光聚合復(fù)制。例如，對(duì)于CD的制造，通過熟知的注入模制技術(shù)可以以塑料襯底用相對(duì)非常低的成本來制造非常精細(xì)的子微(submicronstructure)結(jié)構(gòu)。由此消除了使用具有所有相關(guān)優(yōu)勢(shì)的濕化學(xué)技術(shù)形成襯底的需要。這種精細(xì)的表面結(jié)構(gòu)還可以在膜上應(yīng)用，例如，如WO99/12160或EP-A-0 408 283所述。
根據(jù)本方法的進(jìn)一步詳細(xì)描述，通過諸如濺射處理的層應(yīng)用處理的方式應(yīng)用第一導(dǎo)電層，其中塑料襯底的表面結(jié)構(gòu)設(shè)置有陰影結(jié)構(gòu)，使得通過層應(yīng)用處理，幾乎不以各個(gè)導(dǎo)電層覆蓋這些陰影處理的一部分(如果有的話，也只是一點(diǎn)點(diǎn))。
陰影結(jié)構(gòu)必須使得在那里主要的電阻相對(duì)于導(dǎo)電層剩余部分的電阻更大。
根據(jù)本發(fā)明的再進(jìn)一步的詳細(xì)描述，該陰影結(jié)構(gòu)可以包括很多平行的、窄的和深的溝槽，而且溝槽的寬度和深度使得在層應(yīng)用處理中，幾乎不以第一導(dǎo)電層覆蓋這些溝槽的側(cè)壁和/或底壁的至少一部分(如果有的話，也只是一點(diǎn)點(diǎn))。
能夠這樣設(shè)計(jì)這種溝槽結(jié)構(gòu)，使得其能以釋放方式，從其形成塑料襯底的模制中獲得。在塑料襯底的設(shè)計(jì)處理中，目前為止，提供陰影結(jié)構(gòu)而不具有塑料襯底需要的一個(gè)單一修整步驟。基本上，當(dāng)模型具有正確形狀時(shí)，在塑料襯底的設(shè)計(jì)處理中能實(shí)際上獲得陰影結(jié)構(gòu)而不需要任何費(fèi)用。
根據(jù)本發(fā)明的再進(jìn)一步的詳細(xì)描述，通過借助于諸如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷印刷、靜電印刷技術(shù)和熱轉(zhuǎn)換印刷的印刷操作來施加該層。為了在某種程度上簡(jiǎn)化印刷處理，優(yōu)選地，能設(shè)計(jì)襯底的表面結(jié)構(gòu)使得好像在這里設(shè)置其中通過印刷處理散布的液體能夠沉積的溝道。各個(gè)溝道的壁形成以印刷處理在溝道中沉積的液體的邊界。
之后，通過印刷處理，借助于諸如濺射、CVD和PECVD技術(shù)的層應(yīng)用技術(shù)，通過提供層圖形來構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。這種層和層圖形包括(例如)在像素凹坑或子像素凹坑中的PDOT和PPV層，用于覆蓋第一導(dǎo)體的絕緣層和用于形成許多第二導(dǎo)體的導(dǎo)電層。
根據(jù)本發(fā)明的再進(jìn)一步的說明，可選地，通過固化漆(curingvarnish)，可以將另外的緩沖(relief)結(jié)構(gòu)應(yīng)用于已經(jīng)設(shè)置了很多層的襯底，以形成應(yīng)用下面的層需要的緩沖結(jié)構(gòu)。例如，以簡(jiǎn)單的方式，形成很多新的溝道，其中沉積形成第二導(dǎo)體的液體。例如，這個(gè)固化漆可以是以噴墨印刷操作局部沉積的UV固化漆。以這種方式，例如，還可以通過以UV固化漆填充相對(duì)窄和深的溝槽來移去上述的陰影結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的另外的進(jìn)一步的說明，在應(yīng)用至少一層之后，可以通過變換技術(shù)，例如，局部熱處理來調(diào)整表面結(jié)構(gòu)的形狀。例如，這種熱處理可以是經(jīng)紅外輻射或激光輻射的無接觸或接觸處理。因此，例如，可以融掉溝槽形狀的應(yīng)用結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，在上面段落上所述的襯底的特征在于它由塑料制造，并且設(shè)置有形成至少一些被應(yīng)用的層的邊界的表面結(jié)構(gòu)。
設(shè)置有表面結(jié)構(gòu)的這種塑料襯底可以在一個(gè)單一操作以注射模制處理制造。這意味著襯底的成本可以特別低。這和迄今為止的使用玻璃的襯底相反，其中，通過光化學(xué)技術(shù)的輔助可以應(yīng)用該結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步說明，表面結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)像素凹坑或子像素凹坑。這種凹坑使得通過簡(jiǎn)單且更可控制的噴墨處理的輔助在其中沉積液體，諸如PDOT或PPV。
另外，該表面結(jié)構(gòu)可以包括陰影結(jié)構(gòu)，其使得通過濺射處理、間接濺射和/或蒸發(fā)，不以各個(gè)導(dǎo)電層覆蓋這個(gè)陰影結(jié)構(gòu)的一部分，使得陰影結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電層中的絕緣軌跡。根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步說明，可以通過多個(gè)平行的窄的和深的溝槽來形成陰影結(jié)構(gòu)，同時(shí)溝槽的寬度和深度使得在濺射處理中，這些溝槽的至少部分側(cè)壁和/或底部不被第一導(dǎo)電層覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明的再進(jìn)一步的說明，在像素凹坑或子像素凹坑中，能夠設(shè)置一結(jié)構(gòu)，其影響通過該結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生的光線。還可以在襯底遠(yuǎn)離像素凹坑或子像素凹坑的一側(cè)設(shè)置這種結(jié)構(gòu)。例如，可以考慮以菲涅棱鏡的形式的結(jié)構(gòu)，其對(duì)通過該結(jié)構(gòu)的光線具有會(huì)聚或發(fā)散效果。
另外，根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步說明，在像素凹坑或子像素凹坑中，能設(shè)置一種結(jié)構(gòu)，其被設(shè)計(jì)用于改進(jìn)用于形成在像素凹坑或子像素凹坑中應(yīng)用的層的液體的分布的結(jié)構(gòu)。注意到這種改進(jìn)液體分布的結(jié)構(gòu)還可以被設(shè)置在其中通過印刷技術(shù)沉積液體用于液體的更好分布的溝道中。
根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步說明，可以在像素凹坑或子像素凹坑中設(shè)置接觸表面擴(kuò)大結(jié)構(gòu)。首先，這種接觸表面擴(kuò)大結(jié)構(gòu)產(chǎn)生較大的導(dǎo)電表面，以便減少橫跨像素的電阻。另外，創(chuàng)建較大的電致發(fā)光表面使得可以獲得每像素的更大的光強(qiáng)度?？蛇x地，可以組合改進(jìn)液體分布的結(jié)構(gòu)和接觸表面擴(kuò)大結(jié)構(gòu)。例如，該結(jié)構(gòu)可以包括許多毛細(xì)(capillary)溝槽。
本發(fā)明還提供制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，同時(shí)使用根據(jù)權(quán)利要求1-30任意一個(gè)的方法，從根據(jù)權(quán)利要求31-44任意一個(gè)的襯底開始。


圖1-18示出了根據(jù)本發(fā)明建立顯示設(shè)備的第一實(shí)施例的多個(gè)步驟，其中具有奇數(shù)附圖號(hào)的附圖示出了截面圖，而具有偶數(shù)附圖號(hào)的附圖示出了俯視圖；
圖19-36示出了根據(jù)本發(fā)明建立顯示設(shè)備的第二實(shí)施例的多個(gè)步驟，其中具有奇數(shù)附圖號(hào)的附圖示出了截面圖，并且具有偶數(shù)附圖號(hào)的附圖示出了俯視圖；圖37示出了襯底的俯視圖，其中示出了在像素凹坑中應(yīng)用的第一結(jié)構(gòu)；圖38示出了襯底的俯視圖，其中示出了在像素凹坑中應(yīng)用的第二結(jié)構(gòu)；圖39a示出了具有在其中設(shè)置有的陰影結(jié)構(gòu)的襯底；以及圖39b示出了其中通過熱激光操作局部移去這個(gè)陰影結(jié)構(gòu)的方式。
具體實(shí)施例方式
圖1和2示出了塑料襯底1的一部分的截面正視圖和俯視圖，在其上還沒有設(shè)置用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的層。在制造該襯底期間，例如，通過注入模制操作的輔助，向襯底設(shè)置形成至少一些被應(yīng)用的層的邊界的表面結(jié)構(gòu)。例如，像素凹坑2清楚地可見，其由像素凹坑邊界3所限制。該表面結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括陰影結(jié)構(gòu)4。在本示例性實(shí)施例中，該陰影結(jié)構(gòu)被設(shè)計(jì)為每次多個(gè)平行的深的和窄的溝槽4’、4”、4。這種陰影結(jié)構(gòu)是這樣的，使得通過層應(yīng)用處理例如濺射處理施加的層幾乎不覆蓋陰影結(jié)構(gòu)的部分(如果有的話，也只是一點(diǎn)點(diǎn))。
圖3和4示出了設(shè)置有透明封裝層5(例如，氮化物-氧化物-氮化物或NON層)的相同襯底。而且，防水、氧氣和其它不需要的物質(zhì)的其它透明層也是可能的。例如，可以以諸如PVD、CVD或PECVD處理的沉積技術(shù)來應(yīng)用透明封裝層。
圖5和6示出了在施加第一導(dǎo)電層6之后的襯底。可以通過(例如)濺射處理來施加這種層。在本示例性實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層通過TCO層(透明導(dǎo)電氧化物)來形成。而且，也可以施加其它導(dǎo)電層。可以清楚地看出溝槽4’、4”、4的深的部分幾乎不被第一導(dǎo)電層6覆蓋(如果有的話，也只是一點(diǎn)點(diǎn))。因此以這個(gè)方式，可以獲得彼此絕緣并且在第一方向延伸的平行導(dǎo)電路徑。附圖還清楚地示出第一導(dǎo)體的一部分在襯底1的表面結(jié)構(gòu)的像素凹坑或子像素凹坑2中延伸。第一導(dǎo)電層還可以是所謂的PDOT層。但是，還可以將空穴注入層7，例如PDOT層排他的施加在像素凹坑或子像素凹坑2中。通過在圖7和8中表示的這個(gè)上述選擇，例如，可以通過印刷操作，諸如噴墨操作在像素凹坑或子像素凹坑中沉積層。因?yàn)橄袼匕伎踊蜃酉袼匕伎?被像素凹坑邊界3所限制，形成PDOT層的液體流到像素凹坑或子像素凹坑2外的危險(xiǎn)被減小到最小。
因此，在圖9和10中，示出在像素凹坑或子像素凹坑2中進(jìn)一步沉積光發(fā)射層8，例如，PPV層。該層也可以通過(例如)噴墨印刷的輔助來設(shè)置。
圖11和12示出了陰影結(jié)構(gòu)4，并且更為具體地說，以絕緣覆蓋物9填充的深的、窄的溝槽4’、4”、4。例如，這個(gè)覆蓋物可以由UV固化漆來形成，該固化漆能通過噴墨印刷操作的輔助精確地施加固化漆。因此，替代的，還可以使用如圖39b所示的方法。
然后，如圖13和14所示，以鋇層10覆蓋整個(gè)襯底1，因此，如圖15和16所示，施加第二導(dǎo)電層11以便設(shè)置多個(gè)平行導(dǎo)體12以第二方向延伸，并且其彼此互相絕緣。該第二導(dǎo)體12的部分在襯底1的表面結(jié)構(gòu)的像素凹坑或子像素凹坑2中延伸。在本示例性實(shí)施例中，第二導(dǎo)體12垂直于在平行的陰影結(jié)構(gòu)4之間延伸的第一導(dǎo)體而延伸?？梢酝ㄟ^印刷處理，諸如噴墨印刷操作來選擇性地施加第二導(dǎo)電層11。
最后，圖17和18示出了在整個(gè)襯底上施加第二封裝層。這個(gè)層也是隔離不需要的物質(zhì)，諸如水、氧氣等。
圖19和20示出了襯底21的第二實(shí)施例。和第一示例性實(shí)施例相反，這個(gè)襯底沒有設(shè)置如上所述的陰影結(jié)構(gòu)。替代的，存在具有溝道邊界24’的溝道結(jié)構(gòu)24，以用于可印刷的第一導(dǎo)電層。而且，具有像素凹坑邊界23的像素凹坑或子像素凹坑22清楚地可見。另外，已經(jīng)部分存在分隔結(jié)構(gòu)25用于可印刷的第二導(dǎo)電層。這個(gè)分隔結(jié)構(gòu)25在其中印刷第一導(dǎo)電層27的溝道24的位置仍然被中斷。
圖21和22示出了用透明封裝層26，諸如，氮化物-氧化物-氮化物，或NON層的相同襯底。而且，隔離水、氧氣和其它不需要的物質(zhì)的其它透明層也是可能的。例如，可以通過蒸發(fā)技術(shù)，諸如CVD或PECVD處理來施加透明封裝層26。
圖23和24示出了印刷的第一導(dǎo)電層27?？梢郧宄乜吹?，第一導(dǎo)電層27在將要到那里的溝道結(jié)構(gòu)24中延伸，并且在像素凹坑或子像素凹坑12中延伸。在本示例性實(shí)施例中，由PDOT層形成的第一導(dǎo)電層27已經(jīng)通過噴墨印刷操作的輔助設(shè)置在所需的位置上。溝道結(jié)構(gòu)邊界24’和像素凹坑邊界23保證了液體不流到所需區(qū)域外。
圖25和26示出了在像素凹坑或子像素凹坑22中，另外沉積光發(fā)射層28，例如，PPV層。這個(gè)層28也能利用例如噴墨印刷來設(shè)置。
在圖27和28中，示出了在溝道結(jié)構(gòu)24兩端，已經(jīng)設(shè)置了絕緣覆蓋物29。例如，絕緣覆蓋物29可以由UV漆或光阻漆來形成。
圖29和30示出了通過在其中提供門限30來在溝道結(jié)構(gòu)24中設(shè)置隔離結(jié)構(gòu)25。因此，在已經(jīng)提供有用于形成應(yīng)用下面的層需要的緩沖結(jié)構(gòu)的許多層的襯底上提供這個(gè)附加的緩沖結(jié)構(gòu)。在本示例性實(shí)施例中，利用印刷操作來設(shè)置附加的緩沖結(jié)構(gòu)30，而且使用固化漆，例如UV固化漆。因此，形成彼此平行延伸的溝道31，而且溝道方向垂直于提到的其中第一導(dǎo)體27延伸的第一方向。
因此，圖31和32示出了整個(gè)襯底覆蓋有諸如，鈣、鎂、氟化鋰或鋇層的電子注入層32。
然后，圖33和34示出了在溝道31中，例如通過注入噴墨操作的輔助提供的第二導(dǎo)體層33。該第二導(dǎo)體層33設(shè)置多個(gè)彼此互相絕緣、并且以第二方向延伸的多個(gè)平行導(dǎo)體，而且第二導(dǎo)體的部分在襯底21的表面結(jié)構(gòu)的像素凹坑或子像素凹坑22中延伸。
最后，圖35和36示出了在應(yīng)用第二導(dǎo)體層之后，基本上在襯底的整個(gè)表面上施加封裝層34。這個(gè)層隔離了不需要的物質(zhì)，諸如水、氧氣等。該層可以包括(例如)氮化物-金屬-氮化物層、NONON層或NDLCN層(氮化物鉆石狀碳氮化物)。
圖37示出了襯底的俯視圖，在像素凹坑或子像素凹坑中，已經(jīng)設(shè)置了結(jié)構(gòu)35，其影響通過該結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生的光線。在圖37中，該結(jié)構(gòu)形成具有會(huì)聚、發(fā)散或者相反的平行效果的菲涅耳棱鏡。注意到這種結(jié)構(gòu)可以在幾個(gè)像素上延伸，使得在最終顯示的一部分中，光學(xué)影響發(fā)出的光線。還可以在遠(yuǎn)離像素凹坑的襯底的一側(cè)設(shè)置這種結(jié)構(gòu)。
圖38示出了在像素凹坑或子像素凹坑2、22中設(shè)置的另一結(jié)構(gòu)36，設(shè)計(jì)其以改進(jìn)用于形成在像素凹坑或子像素凹坑中設(shè)置的層的液體的分布。優(yōu)選地，這個(gè)結(jié)構(gòu)36還具有接觸表面擴(kuò)大效果。例如，這可以影響設(shè)置有毛細(xì)溝槽的結(jié)構(gòu)。這種較大的接觸表面不僅減少了電阻，而且設(shè)置了較大的光發(fā)射表面，使得產(chǎn)生更多的光線。
圖39a以橫截面再一次示出了具有陰影結(jié)構(gòu)4的襯底1。在圖39b中，示出了怎樣通過引導(dǎo)通過棱鏡37的激光束或紅外束(其局部地加熱陰影結(jié)構(gòu)4使得其溶解)的輔助局部地融掉這個(gè)結(jié)構(gòu)，使得陰影結(jié)構(gòu)4消失。
很清楚本發(fā)明不限于所述的示例性實(shí)施例，而是可以在本發(fā)明如權(quán)利要求定義的范圍中做出多種修改。
權(quán)利要求
1.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中將層的布置應(yīng)用于襯底使得第一導(dǎo)體在第一方向和第二方向延伸，并且在導(dǎo)體的交叉點(diǎn)之間，提供有機(jī)電致發(fā)光連接，其在電壓的影響下發(fā)射光線，從塑料制造襯底并且將其設(shè)置形成用于至少一些被應(yīng)用的層的邊界。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該襯底的制造是利用注入模制處理來進(jìn)行的。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，在該注射模制處理中使用向其提供襯底的所需表面結(jié)構(gòu)的負(fù)像的注射模制模子。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該襯底的制造是通過緩沖、光聚合復(fù)制或類似的塑料設(shè)計(jì)處理來進(jìn)行的。
5.如先前任意一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中，在制造塑料襯底之后，將第一透明封裝層施加到襯底。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，該第一透明封裝層是氮化物-氧化物-氮化物層(NON層)。
7.如權(quán)利要求5或6所述的方法，其中，這個(gè)第一透明封裝層是通過沉積技術(shù)，諸如PVD、CVD或PECVD處理施加的。
8.如權(quán)利要求5-7中任意一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中，在應(yīng)用第一透明封裝層之后，施加第一導(dǎo)電層使得設(shè)置彼此互相絕緣的在第一方向延伸的多個(gè)平行導(dǎo)體，而且第一導(dǎo)體的一部分在襯底的表面結(jié)構(gòu)的像素凹坑或子像素凹坑中延伸。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，該第一導(dǎo)電層是通過層應(yīng)用處理，例如，濺射處理的方式施加的，而且塑料襯底的表面結(jié)構(gòu)被設(shè)置有陰影結(jié)構(gòu)，使得通過層應(yīng)用處理，這個(gè)陰影結(jié)構(gòu)的一部分不被各個(gè)導(dǎo)電層所覆蓋。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該陰影結(jié)構(gòu)包括多個(gè)平行的、窄的和深的溝槽，該溝槽的寬度和深度使得這些溝槽的至少部分側(cè)壁和/或底部在濺射處理中幾乎不被第一導(dǎo)電層覆蓋，有的話，也只是一點(diǎn)點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，該第一導(dǎo)電層是通過印刷操作，例如，噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、靜電印刷或熱轉(zhuǎn)換印刷的輔助來施加的。
12.如權(quán)利要求8-11的任意一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中，在應(yīng)用第一導(dǎo)電層之后，至少在像素凹坑或子像素凹坑中，施加例如PDOT層的空穴注入層。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，該第一導(dǎo)電層還在像素凹坑或子像素凹坑中形成例如PDOT層的空穴注入層。
14.如權(quán)利要求12或13的任意一個(gè)所述的方法，其中，在應(yīng)用空穴注入層之后，至少在像素凹坑或子像素凹坑中局部地設(shè)置諸如PPV層的光發(fā)射層。
15.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，該第一導(dǎo)電層的至少那些沒有被光發(fā)射層覆蓋并且在下面的處理步驟中將由第二導(dǎo)電層覆蓋的部分被在所述下面的處理步驟之前設(shè)置有絕緣覆蓋。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，該絕緣覆蓋被以印刷操作，例如，通過噴墨印刷的方式施加。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，該絕緣層是由UV固化漆形成的。
18.如權(quán)利要求10和16或權(quán)利要求10和17所述的方法，其中，該形成有陰影結(jié)構(gòu)的深的溝槽是以絕緣覆蓋來填充的。
19.如先前任意一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中，該表面結(jié)構(gòu)的形狀被在應(yīng)用至少一個(gè)層之后由轉(zhuǎn)換技術(shù)，例如本地?zé)崽幚韥碚{(diào)整。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，該局部熱處理是利用激光操作或利用局部紅外輻射來實(shí)現(xiàn)的。
21.如先前任意一個(gè)權(quán)利要求所述的方法，其中，在已經(jīng)設(shè)置有多個(gè)層的襯底上設(shè)置附加的緩沖結(jié)構(gòu)，用于形成應(yīng)用下面的層需要的緩沖結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，該附加的緩沖結(jié)構(gòu)借助于印刷操作，同時(shí)使用固化漆、優(yōu)選地使用UV固化漆來設(shè)置。
23.如權(quán)利要求8和21或權(quán)利要求8和22所述的方法，其中，在應(yīng)用絕緣體之后，設(shè)置緩沖結(jié)構(gòu)用于形成彼此平行延伸的溝道，而且該溝道方向垂直于其中第一導(dǎo)體延伸的所述第一方向。
24.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，在應(yīng)用絕緣覆蓋之后，設(shè)置第二導(dǎo)電層使得以簡(jiǎn)單的方式，設(shè)置多個(gè)平行導(dǎo)體以在第二方向延伸并且彼此互相絕緣，而且第二導(dǎo)體的部分在襯底的表面結(jié)構(gòu)的像素凹坑或子像素凹坑中延伸。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，該第二方向垂直于第一方向。
26.如權(quán)利要求24或25所述的方法，其中，該第二導(dǎo)電層通過印刷處理，例如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、靜電印刷或熱轉(zhuǎn)換印刷來施加。
27.如權(quán)利要求23或權(quán)利要求24-26中任意一個(gè)所述的方法，其中，該第二導(dǎo)電層被在所述彼此平行延伸的溝道中施加。
28.如權(quán)利要求24-27中任意一個(gè)所述的方法，其中，在應(yīng)用該第二導(dǎo)電層之前和在應(yīng)用絕緣覆蓋之后，將諸如鈣、鎂、氟化鋰或鋇層的電子注入層施加到襯底。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中，該鋇層通過PVD處理來施加。
30.如權(quán)利要求24-27中任意一個(gè)所述的方法，其中，在應(yīng)用第二導(dǎo)電層之后，施加至少一個(gè)封裝層。
31.一種適于和要用于根據(jù)先前任意一個(gè)權(quán)利要求所述的方法的襯底，用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其中襯底由塑料制造并且設(shè)置有形成用于至少一些被應(yīng)用的層的邊界的表面結(jié)構(gòu)。
32.如權(quán)利要求31所述的襯底，其中，該表面結(jié)構(gòu)包括多個(gè)像素凹坑或子像素凹坑。
33.如權(quán)利要求31或32所述的襯底，其中，該表面結(jié)構(gòu)包括陰影結(jié)構(gòu)，使得通過濺射處理，這些陰影結(jié)構(gòu)的部分不被各個(gè)導(dǎo)電層所覆蓋。
34.如權(quán)利要求33所述的襯底，其中，該陰影結(jié)構(gòu)包括多個(gè)平行的、窄的和深的溝槽，其中該溝槽的寬度和深度是這樣的，使得這些溝槽的至少部分側(cè)壁和/或底部在濺射處理中不被第一導(dǎo)電層所覆蓋。
35.如權(quán)利要求31-34中任意一個(gè)所述的襯底，其中，該表面結(jié)構(gòu)被釋放使得其能從設(shè)置有表面結(jié)構(gòu)的負(fù)像的模型中獲得該表面結(jié)構(gòu)。
36.如權(quán)利要求31-35中任意一個(gè)所述的襯底，其中，該襯底是注射模制產(chǎn)品。
37.如權(quán)利要求31-36中任意一個(gè)所述的襯底，其中，在像素凹坑或子像素凹坑中，設(shè)置影響通過該結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生的光線的結(jié)構(gòu)。
38.如權(quán)利要求31-36中任意一個(gè)所述的襯底，其中，在襯底遠(yuǎn)離像素凹坑或子像素凹坑的一側(cè)，設(shè)置影響通過該結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生的光線的結(jié)構(gòu)。
39.如權(quán)利要求37或38所述的襯底，其中，該結(jié)構(gòu)包括菲涅耳透鏡。
40.如權(quán)利要求37-39中任意一個(gè)所述的襯底，其中，該結(jié)構(gòu)在通過該結(jié)構(gòu)發(fā)出的光線上具有會(huì)聚效果。
41.如權(quán)利要求37-39中任意一個(gè)所述的襯底，其中，該結(jié)構(gòu)在通過該結(jié)構(gòu)發(fā)出的光線上具有發(fā)散效果。
42.如權(quán)利要求31-41中任意一個(gè)所述的襯底，其中，在像素凹坑或子像素凹坑中設(shè)置被設(shè)計(jì)用于改進(jìn)形成在像素凹坑或子像素凹坑中設(shè)置的層的液體的分布的結(jié)構(gòu)。
43.如權(quán)利要求31-42中任意一個(gè)所述的襯底，其中，在像素凹坑或子像素凹坑中設(shè)置接觸表面擴(kuò)大結(jié)構(gòu)。
44.如權(quán)利要求42或43中任意一個(gè)所述的襯底，其中，該結(jié)構(gòu)包括毛細(xì)溝槽。
45.一種使用如權(quán)利要求1-30的任意一個(gè)所述的方法制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，其從權(quán)利要求31-44中任意一個(gè)所述的襯底開始。
全文摘要
一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中將層的布置應(yīng)施加于襯底使得第一導(dǎo)體在第一方向和第二方向延伸，并且在導(dǎo)體的交叉點(diǎn)之間，提供有機(jī)電致發(fā)光連接，其在電壓的影響下發(fā)射光線。從塑料制造襯底并且向其設(shè)置形成用于至少一些被應(yīng)用的層的邊界。本發(fā)明還提供意在用于根據(jù)本發(fā)明的用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法的襯底，其中從塑料制造襯底并且向其提供形成用于至少一些被應(yīng)用的層的表面結(jié)構(gòu)。本發(fā)明進(jìn)一步提供以本發(fā)明獲得的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備。
文檔編號(hào)H01L51/52GK1732569SQ200380107608
公開日2006年2月8日 申請(qǐng)日期2003年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月24日
發(fā)明者彼得·布列爾, 馬里納斯·弗朗西斯庫斯·約翰努斯·埃弗斯 申請(qǐng)人:Otb集團(tuán)有限公司