專利名稱:一種中留邊薄膜電容器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種中留邊薄膜電容器，屬于電子【技術(shù)領(lǐng)域】，它解決了現(xiàn)有技術(shù)中的電容器無法承受其大電流沖擊的問題。本中留邊薄膜電容器包括電容殼體和電容芯子，電容芯子包括依次間隔設(shè)置的第一金屬化膜和第二金屬化膜以及第一金屬化層和第二金屬化層，第二金屬化膜中部設(shè)有中留邊，第一金屬化層與第一金屬化膜的兩側(cè)之間還設(shè)有錯(cuò)邊。本中留邊薄膜電容器，通過在將第二金屬化層設(shè)為中留邊和第一金屬化層的雙留邊形成兩個(gè)串聯(lián)而成的電容，提高了電容的抗大電流沖擊能力，同時(shí)，噴金層采用鋅錫合金，提升了焊接強(qiáng)度，降低了焊接處的電阻和電感，在保證電容體積小、抗高壓的情況下，進(jìn)一步保證了其過大電流能力。
【專利說明】 一種中留邊薄膜電容器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型電子屬于【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種電容器，特別是一種薄膜型電容器。

【背景技術(shù)】
[0002]電容器做為基本原器件在電路中有不可替代的作用；特別是金屬化薄膜電容器以體積小、無極性、容量大耐溫度高、自愈性好，介電強(qiáng)度高，低介電損耗、高絕緣強(qiáng)度等廣泛用于濾波、旁路、藕合、諧振以及隔直等電路中。
[0003]金屬化薄膜電容器是利用聚酯薄膜或聚丙烯薄膜作為介質(zhì)，鋅鋁合金通過真空蒸鍍方式將其附著在薄膜表面，形成電極金屬化薄膜電容器具有耐壓高，高絕緣電阻，阻抗頻率特性好(較小的寄生電感)，較低的ESR，高容量穩(wěn)定性，低損耗角正切。電力電子領(lǐng)域是電容器應(yīng)用比較特殊的領(lǐng)域，在電力電子電路中，如高壓IGBT吸收保護(hù)的電容，要求電容器應(yīng)具極高的可靠性，因此電力電子用電容器往往要承受較大的有效值電流或較高峰值脈沖電流，低ESRdS ESL、以及較高的溫度等?，F(xiàn)有的普通型金屬化聚丙烯電容器，雖然具有良好的自愈特性，但使用在電力電子電路高壓IGBT中不能滿足小體積、高性能的要求，無法承受其大電流沖擊。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有的技術(shù)存在上述問題，提出了一種可承受大電流沖擊的中留邊薄膜電容器。
[0005]本實(shí)用新型的目的可通過下列技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):一種中留邊薄膜電容器，包括電容殼體，密封在電容殼體內(nèi)的電容芯子，所述的電容芯子兩端通過噴金并焊接有電極，所述的電容芯子包括第一金屬化膜和第二金屬化膜以及分別噴涂于第一金屬化膜和第二金屬化膜上的第一金屬化層和第二金屬化層，所述的第一金屬化膜、第一金屬化層、第二金屬化膜、第二金屬化層間隔設(shè)置，其特征在于，所述的第二金屬化膜中部設(shè)有留邊，所述的留邊使得第二金屬化膜上的形成兩個(gè)不相通的金屬化層，所述的第一金屬化層與第一金屬化膜的兩側(cè)之間還設(shè)有錯(cuò)邊。
[0006]通過在第二金屬化膜上設(shè)置中留邊，使得第二金屬化膜上的金屬化層分為兩層，第一金屬化膜兩側(cè)與第一金屬化層之間設(shè)有兩個(gè)錯(cuò)邊，從而使得電容器形成兩層串聯(lián)結(jié)構(gòu)，通過兩層串聯(lián)結(jié)構(gòu)，起到分散電流的作用，使得電容兩端可承受大電流沖擊。
[0007]在上述的中留邊薄膜電容器中，所述的電容芯子兩端的噴金采用鋅錫合金。鋅錫合金的過電流能力強(qiáng)、損耗小，電感小。噴金采用鋅錫合金，兩頭引出時(shí)需要噴金，方便焊接，與導(dǎo)線熔接更牢固，電感小，電阻小，減少電容發(fā)熱，進(jìn)一步提高其承受大電流能力。
[0008]在上述的中留邊薄膜電容器中，所述的中留邊寬度為2?5mm。
[0009]在上述的中留邊薄膜電容器中，所述的中留邊寬度為3mm。
[0010]在上述的中留邊薄膜電容器中，所述的錯(cuò)邊寬度為I?3mm。
[0011]在上述的中留邊薄膜電容器中，所述的錯(cuò)邊寬度為2mm。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本薄膜電容器，通過在將第二金屬化層設(shè)為中留邊和第一金屬化層的雙留邊形成兩個(gè)串聯(lián)而成的電容，提高了電容的抗大電流沖擊能力，同時(shí)，噴金層采用鋅錫合金，提升了焊接強(qiáng)度，降低了焊接處的電阻和電感，在保證電容體積小、抗高壓的情況下，進(jìn)一步保證了其過大電流能力。

【附圖說明】

[0013]圖1是本中留邊薄膜電容器的主視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2是本中留邊薄膜電容器的芯子內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖中，1、殼體；2、電極；3、第一金屬化膜；4、第二金屬化膜；5、第一金屬化層；51、錯(cuò)邊；6、第二金屬化層；61、留邊。

【具體實(shí)施方式】
[0016]以下是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步的描述，但本實(shí)用新型并不限于這些實(shí)施例。
[0017]如圖1和圖2所示，本中留邊薄膜電容器，包括電容殼體1，密封在電容殼體I內(nèi)的電容芯子，所述的電容芯子兩端通過噴金并焊接有電極2，所述的電容芯子包括第一金屬化膜3和第二金屬化膜4以及分別噴涂于第一金屬化膜3和第二金屬化膜4上的第一金屬化層5和第二金屬化層6，所述的第一金屬化膜3、第一金屬化層5、第二金屬化膜4、第二金屬化層6間隔設(shè)置，其特征在于，所述的第二金屬化膜4中部設(shè)有留邊61，所述的留邊61使得第二金屬化膜4上的形成兩個(gè)不相通的金屬化層，所述的第一金屬化層5與第一金屬化膜3的兩側(cè)之間還設(shè)有錯(cuò)邊51，所述的中留邊61寬度為3mm，所述的錯(cuò)邊51寬度為2mm，所述的電容芯子兩端的噴金采用鋅錫合金。鋅錫合金的過電流能力強(qiáng)、損耗小，電感小。
[0018]通過在第二金屬化膜4上設(shè)置中留邊61，使得第二金屬化膜4上的金屬化層分為兩層，第一金屬化膜3兩側(cè)與第一金屬化層5之間設(shè)有兩個(gè)錯(cuò)邊51，從而使得電容器形成兩層串聯(lián)結(jié)構(gòu)，通過兩層串聯(lián)結(jié)構(gòu)，起到分散電流的作用，使得電容兩端可承受大電流沖擊。噴金采用鋅錫合金，兩頭引出時(shí)需要噴金，方便焊接，與導(dǎo)線熔接更牢固，電感小，電阻小，減少電容發(fā)熱，進(jìn)一步提尚其承受大電流能力。
[0019]本薄膜電容器，通過在將第二金屬化層6設(shè)為中留邊61和第一金屬化層5的雙留邊61形成兩個(gè)串聯(lián)而成的電容，提高了電容的抗大電流沖擊能力，同時(shí)，噴金層采用鋅錫合金，提升了焊接強(qiáng)度，降低了焊接處的電阻和電感，在保證電容體積小、抗高壓的情況下，進(jìn)一步保證了其過大電流能力。
[0020]本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對本實(shí)用新型精神作舉例說明。本實(shí)用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本實(shí)用新型的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種中留邊薄膜電容器，包括電容殼體，密封在電容殼體內(nèi)的電容芯子，所述的電容芯子兩端通過噴金并焊接有電極，所述的電容芯子包括第一金屬化膜和第二金屬化膜以及分別噴涂于第一金屬化膜和第二金屬化膜上的第一金屬化層和第二金屬化層，所述的第一金屬化膜、第一金屬化層、第二金屬化膜、第二金屬化層間隔設(shè)置，其特征在于，所述的第二金屬化膜中部設(shè)有留邊，所述的留邊使得第二金屬化膜上的形成兩個(gè)不相通的金屬化層，所述的第一金屬化層與第一金屬化膜的兩側(cè)之間還設(shè)有錯(cuò)邊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中留邊薄膜電容器，其特征在于:中留邊薄膜電容器中，所述的電容芯子兩端的噴金采用鋅錫合金。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的中留邊薄膜電容器，其特征在于:所述的中留邊薄膜電容器中，所述的中留邊寬度為2?5mm。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的中留邊薄膜電容器，其特征在于:所述的中留邊寬度為3mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的中留邊薄膜電容器，其特征在于:所述的錯(cuò)邊寬度為I?3mm ο6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中留邊薄膜電容器，其特征在于:所述的中留邊薄膜電容器中，所述的錯(cuò)邊寬度為2mm。
【文檔編號】H01G4-228GK204270883SQ201420770699
【發(fā)明者】俞海軍 [申請人]上虞宏佳電子科技有限公司