專利名稱：罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于記憶體檢驗(yàn)方法，特別是一種罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的光罩只讀記憶體(mask read only memory；MROM)的光罩驗(yàn)證方法系在每一記憶體晶片制成后的記憶胞上隨意的植入“0”或“1”的雙態(tài)隨意碼。
如圖1所示，記憶體晶片10具有多個(gè)植入“0”或“1”碼的記憶胞、埋藏?cái)U(kuò)散(buried diffusion；BD)層12及多晶矽(poly)層14。其中由虛線圈起來的部分為有缺陷的記憶胞16，如圖1所示有缺陷記憶胞16的隨意碼為“1”，此實(shí)施例中僅在胞元中植入碼為“1”時(shí)才能測出其是否異常，亦即僅在胞元植入碼為“1”時(shí)，記憶胞16的缺陷可被測試出，進(jìn)而得知用以制程的光罩有缺陷。然而，若此實(shí)施例中，僅在胞元植入碼為“0”時(shí)才能測出記憶胞是否異常，則無法測出有缺陷記憶胞16的缺陷，亦無法得知用以制作晶片10的光罩具有缺陷。
由于傳統(tǒng)的測試方法無法完整測試每一記憶胞是異常，所以不能準(zhǔn)確地驗(yàn)證制程使用的光罩是否有缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能完整驗(yàn)證罩幕式只讀記憶體光罩的罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法。
本發(fā)明包括選取晶片步驟、植入隨意碼步驟及測試晶片步驟；選取晶片步驟系選取數(shù)個(gè)相同光罩制程的數(shù)個(gè)晶片；植入隨意碼步驟系在數(shù)個(gè)晶片上分別植入彼此互斥的數(shù)態(tài)隨意碼；測試晶片步驟系分別測試數(shù)個(gè)晶片以產(chǎn)生驗(yàn)證光罩是否有缺陷的數(shù)個(gè)測試結(jié)果。
其中選取的第一、二晶片由不同的晶圓上選取。
選取的第一、二晶片由單一晶圓中同一制程的兩個(gè)區(qū)塊中選取。
一種罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法，它包括選取晶片步驟、植入隨意碼步驟及測試晶片步驟；選取晶片步驟系選取數(shù)個(gè)相同光罩制程的數(shù)個(gè)晶片；植入隨意碼步驟系在數(shù)個(gè)晶片上分別植入彼此互斥的數(shù)態(tài)隨意碼；測試晶片步驟系分別測試數(shù)個(gè)晶片以產(chǎn)生驗(yàn)證光罩是否有缺陷的數(shù)個(gè)測試結(jié)果。
選取的數(shù)個(gè)晶片由不同的晶圓上選取。
選取的數(shù)個(gè)晶片由單一晶圓中同一制程的數(shù)個(gè)區(qū)塊中選取。
由于本發(fā)明包括選取晶片步驟、植入隨意碼步驟及測試晶片步驟；選取晶片步驟系選取數(shù)個(gè)相同光罩制程的數(shù)個(gè)晶片；植入隨意碼步驟系在數(shù)個(gè)晶片上分別植入彼此互斥的數(shù)態(tài)隨意碼；測試晶片步驟系分別測試數(shù)個(gè)晶片以產(chǎn)生驗(yàn)證光罩是否有缺陷的數(shù)個(gè)測試結(jié)果。由于數(shù)個(gè)晶片為同一制程的四個(gè)晶片，而數(shù)態(tài)隨意碼為彼此互斥的隨意碼，故可以根據(jù)數(shù)測試結(jié)果驗(yàn)證用以制作數(shù)個(gè)晶片的光罩是否有缺陷。能完整驗(yàn)證罩幕式只讀記憶體光罩，從而達(dá)到本發(fā)明的目的。
圖1、為植入隨意碼的記憶體晶片的記憶胞陣列結(jié)構(gòu)示意俯視圖。
圖2、為本發(fā)明實(shí)施例一植入雙態(tài)隨意碼的記憶體晶片結(jié)構(gòu)示意俯視圖。
圖3、為本發(fā)明實(shí)施例一植入雙態(tài)反調(diào)性碼的記憶體晶片結(jié)構(gòu)示意俯視圖。
圖4、為本發(fā)明實(shí)施例二植入四態(tài)隨意碼的記憶體晶片結(jié)構(gòu)示意俯視圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例一本發(fā)明包括如下步驟
步驟一選取晶片如圖2、圖3所示，選取兩個(gè)以同一光罩制程的第一、二晶片20、30；由于第一、二晶片20、30系同一制程，故其結(jié)構(gòu)相同，其包括埋藏?cái)U(kuò)散層22及多晶矽層24，而每一記憶胞位于相鄰兩個(gè)埋藏?cái)U(kuò)散層22之間的多晶矽層24上，其中由虛線圈起來的部分為具有缺陷的記憶胞26、28。
選取的第一、二晶片20、30可以分別由兩個(gè)以相同光罩制程的晶圓中選取或者由單一晶圓中兩個(gè)以相同光罩制程的區(qū)塊中選取。
步驟二植入隨意碼第一、二晶片20、30上分別植入雙態(tài)隨意碼，如圖2所示，在第一晶片20上植入第一雙態(tài)隨意碼；如圖3所示，在第二晶片30上植入第二雙態(tài)隨意碼；第二雙態(tài)隨意碼為與第一雙態(tài)隨意碼具有相反的調(diào)性的反轉(zhuǎn)調(diào)性碼(reverse tone code)。
此外，并不一定在植入隨意碼及反轉(zhuǎn)調(diào)性碼為“1”時(shí)才可偵測出異常，而在植入隨意碼及反轉(zhuǎn)調(diào)性碼為“0”時(shí)偵測不出異常；亦可設(shè)定為植入隨意碼及反轉(zhuǎn)調(diào)性碼為“0”時(shí)才可偵測出異常，而在植入隨意碼及反轉(zhuǎn)調(diào)性碼為“1”時(shí)偵測不出異常。
步驟三測試晶片如圖2、圖3所示，測試第一、二晶片20、30；如圖2所示，測試第一晶片20，由于在記憶胞28的隨意碼為“1”可偵測出異常，而在記憶胞26的隨意碼為“0”無法測出記憶胞的異常，因此，可得到隨意碼為“1”的記憶胞28異常的第一個(gè)測試結(jié)果；如圖3所示，測試第二晶片30，由于在記憶胞26的為反轉(zhuǎn)調(diào)性碼的隨意碼為“1”可偵測出異常，而在記憶胞28的為反轉(zhuǎn)調(diào)性碼的隨意碼為“0”無法測出記憶胞異常，因此，可得到為反轉(zhuǎn)調(diào)性碼的隨意碼為“1”的記憶胞26異常的第二個(gè)測試結(jié)果。最后根據(jù)對(duì)第一、二晶片20、30的測試結(jié)果可得知用以制作第一、二晶片20、30的光罩具有兩個(gè)缺陷。
實(shí)施例二本發(fā)明包括如下步驟步驟一選取晶片如圖4所示，選取四個(gè)以同一光罩制程的第一、二、三、四晶片40、42、44、46；由于第一、二、三、四晶片40、42、44、46系同一制程，故其結(jié)構(gòu)相同，其包括埋藏?cái)U(kuò)散層及多晶矽層，而每一記憶胞位于相鄰兩個(gè)埋藏?cái)U(kuò)散層之間的多晶矽層上。
選取第一、二、三、四晶片40、42、44、46可以分別由四個(gè)以相同光罩制程的晶圓中選取或者由單一晶圓中四個(gè)以相同光罩制程的區(qū)塊中選取。
步驟二植入隨意碼如圖3所示，亦可在第一、二、三、四晶片40、42、44、46上分別植入四態(tài)隨意碼，其系將四個(gè)彼此互斥的四態(tài)隨意碼分別植入四個(gè)具有胞元陣列的第一、二、三、四晶片40、42、44、46，即將第一隨意碼植入第一晶片40、將第一隨意碼變化調(diào)性而成的第二隨意碼植入第二晶片42、將第二隨意碼變化調(diào)性而成的第三隨意碼植入第三晶片44及將第三隨意碼變化調(diào)性而成的第四隨意碼植入第四晶片46。
步驟三測試晶片如圖4所示，分別測試第一、二、三、四晶片40、42、44、46，以分別得到第一、二、三及四個(gè)測試結(jié)果。
由于第一、二、三、四晶片40、42、44、46為同一制程的四個(gè)晶片，而第一、二、三、四隨意碼為彼此互斥的隨意碼，故可以根據(jù)第一、二、三、四測試結(jié)果驗(yàn)證用以制作第一、二、三、四晶片40、42、44、46的光罩是否有缺陷。
權(quán)利要求
1.一種罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法，它包括選取晶片步驟、植入隨意碼步驟及測試晶片步驟；其特征在于所述的選取晶片步驟系選取兩個(gè)相同光罩制程的第一、二晶片；植入隨意碼步驟系分別在第一晶片上植入第一雙態(tài)隨意碼及在第二晶片上植入為與第一雙態(tài)隨意碼具有相反的調(diào)性的反轉(zhuǎn)調(diào)性碼的第二雙態(tài)隨意碼；測試晶片步驟系分別測試第一、二晶片以產(chǎn)生驗(yàn)證光罩是否有缺陷的第一、二測試結(jié)果。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法，其特征在于所述的選取的第一、二晶片由不同的晶圓上選取。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法，其特征在于所述的選取的第一、二晶片由單一晶圓中同一制程的兩個(gè)區(qū)塊中選取。
4.一種罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法，它包括選取晶片步驟、植入隨意碼步驟及測試晶片步驟；其特征在于所述的選取晶片步驟系選取數(shù)個(gè)相同光罩制程的數(shù)個(gè)晶片；植入隨意碼步驟系在數(shù)個(gè)晶片上分別植入彼此互斥的數(shù)態(tài)隨意碼；測試晶片步驟系分別測試數(shù)個(gè)晶片以產(chǎn)生驗(yàn)證光罩是否有缺陷的數(shù)個(gè)測試結(jié)果。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法，其特征在于所述的選取的數(shù)個(gè)晶片由不同的晶圓上選取。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法，其特征在于所述的選取的數(shù)個(gè)晶片由單一晶圓中同一制程的數(shù)個(gè)區(qū)塊中選取。
全文摘要
一種罩幕式只讀記憶體的光罩檢驗(yàn)方法。為提供一種能完整驗(yàn)證罩幕式只讀記憶體光罩的記憶體檢驗(yàn)方法，提出本發(fā)明，它包括選取晶片步驟、植入隨意碼步驟及測試晶片步驟；選取晶片步驟系選取數(shù)個(gè)相同光罩制程的數(shù)個(gè)晶片；植入隨意碼步驟系在數(shù)個(gè)晶片上分別植入彼此互斥的數(shù)態(tài)隨意碼；測試晶片步驟系分別測試數(shù)個(gè)晶片以產(chǎn)生驗(yàn)證光罩是否有缺陷的數(shù)個(gè)測試結(jié)果。
文檔編號(hào)H01L21/66GK1571134SQ0314646
公開日2005年1月26日 申請(qǐng)日期2003年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月15日
發(fā)明者何濂澤, 林明裕, 鐘久華 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司