專利名稱：靜電放電保護(hù)元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種靜電放電保護(hù)(Electrostatic Discharge，ESD)元件及其制造方法，且特別涉及一種能夠提高電容耦合率，以使靜電放電保護(hù)元件夠快速啟動(dòng)的靜電放電保護(hù)元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著信號(hào)電路以及驅(qū)動(dòng)電路直接制造在液晶顯示面板(Liquid crystaldisplay panel，LCD panel)上，這些電路亦會(huì)如同互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)的集成電路(IntegratedCircuit，IC)那樣面臨靜電放電而損傷的問(wèn)題，尤其是薄膜晶體管(Thin FilmTransistor)元件制造在絕緣的玻璃基板上，當(dāng)靜電放電發(fā)生時(shí)瞬間(約為10ns)的所產(chǎn)生的高熱不易經(jīng)由絕緣的玻璃基板散熱，因而更容易燒毀薄膜晶體管元件。當(dāng)玻璃基板上的任一控制電路或驅(qū)動(dòng)電路遭受靜電放電而損害時(shí)，即使顯示像素仍然完好，然而整塊液晶顯示面板就會(huì)變得無(wú)法使用。因此，對(duì)于將液晶顯示器所需的信號(hào)控制電路以及驅(qū)動(dòng)電路制作在玻璃基板上的系統(tǒng)而言，薄膜晶體管的靜電放電防護(hù)設(shè)計(jì)變得更加重要。
圖1所示為現(xiàn)有一種頂柵式(Top gate)低溫多晶硅(low temperaturepolysilicon，LTPS)薄膜晶體管所構(gòu)成的靜電放電保護(hù)元件的上視圖。在頂柵式低溫多晶硅薄膜晶體管的架構(gòu)中，藉由準(zhǔn)分子激光熱退火工藝(ELAprocess)所形成的島狀多晶硅(Poly-island)可作為溝道層112的材料，而溝道層112兩側(cè)的多晶硅在經(jīng)過(guò)離子摻雜之后即形成源極摻雜區(qū)域108與漏極摻雜區(qū)域110。柵極102配置于溝道區(qū)112上，而源極金屬104、漏極金屬106則分別經(jīng)由接觸窗開(kāi)口114、116電連接于源極摻雜區(qū)域118與漏極摻雜區(qū)域110。值得注意的是，在柵極102與溝道層112之間通常配置有柵介電層(Gate Insulator，GI)，而在源極金屬104、漏極金屬106與源極摻雜區(qū)域108、漏極摻雜區(qū)域110之間通常配置有層間介電層(Inter-layer Dielectric，ILD)，為了方便說(shuō)明，未將柵介電層與層間介電層顯示于本圖中。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1，一般而言，頂柵式低溫多晶硅薄膜晶體管會(huì)使用柵極當(dāng)掩模以形成如圖所示的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，此處的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)是指源極摻雜區(qū)域108與漏極摻雜區(qū)域110會(huì)與柵極102的邊緣切齊。
圖2所示為現(xiàn)有使用圖1的靜電放電保護(hù)元件所構(gòu)成的一種靜電放電防護(hù)電路的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，當(dāng)靜電進(jìn)入電路中時(shí)，靜電會(huì)藉由漏極耦合到柵極以將金屬氧化物半導(dǎo)體二極管(MOS diode)打開(kāi)，然后由金屬氧化物半導(dǎo)體二極管將靜電導(dǎo)出。然而，由圖1所示的結(jié)構(gòu)可知，柵極與漏極之間的耦合電容Cgd或是柵極與源極之間的耦合電容Cgs的值并不大，原因在于源極金屬104、漏極金屬106在布局上并未與柵極102重疊(overlap)。也因此，金屬氧化物半導(dǎo)體二極管開(kāi)啟的速度太慢，造成靜電無(wú)法有效地從金屬氧化物半導(dǎo)體二極管導(dǎo)出，使得面板整體的靜電放電防護(hù)效果不佳。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就是提供一種靜電放電保護(hù)元件及其制造方法，其能夠加快開(kāi)啟靜電放電保護(hù)元件的反應(yīng)速度，使得靜電放電經(jīng)由靜電放電保護(hù)元件導(dǎo)出，進(jìn)而提供較佳的靜電放電防護(hù)效果。
本發(fā)明的再一目的就是提供一種靜電放電保護(hù)元件及其制造方法，此靜電放電保護(hù)元件的工藝能夠完全相容于現(xiàn)行的工藝，而不會(huì)增加工藝的復(fù)雜度。
本發(fā)明提出一種靜電放電保護(hù)元件，至少具有一源極端、一漏極端與一柵極端，其特征在于部分源極端與部分漏極端重疊于柵極端。
而且，于本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，源極端更包括一源極摻雜區(qū)域與一源極金屬，且漏極端更包括一漏極摻雜區(qū)域與一漏極金屬，而靜電放電保護(hù)元件更包括一溝道層、一柵絕緣層、一層間介電層，其中溝道層設(shè)置于一基板上，源極摻雜區(qū)域與漏極摻雜區(qū)域分別設(shè)置于溝道層兩側(cè)的基板上且與溝道層電連接，柵絕緣層設(shè)置于溝道層上，柵極端設(shè)置于柵絕緣層上，層間介電層設(shè)置于基板上并覆蓋柵極端、源極摻雜區(qū)域與漏極摻雜區(qū)域，源極金屬設(shè)置層間介電層上，并藉由層間介電層中的一源極接觸窗電連接至源極摻雜區(qū)域，并且漏極金屬設(shè)置于層間介電層上，并藉由層間介電層中的一漏極接觸窗電連接至源極摻雜區(qū)域，其中源極金屬與漏極金屬是間隔層間介電層重疊于柵極端的上方。
本發(fā)明提出一種靜電放電保護(hù)元件的制造方法，此方法包括一柵極端，以及一源極端與一漏極端的形成步驟，其特征在于依照漏極端與源極端的形成步驟所形成的部分漏極端與部分源極端重疊于柵極端。
并且，在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，源極端更包括一源極摻雜區(qū)域與一源極金屬，且漏極端更包括一漏極摻雜區(qū)域與一漏極金屬，而此靜電放電保護(hù)元件的制造方法是在一基板上形成一島狀多晶硅層，再于島狀多晶硅層上形成一柵絕緣層，接著于柵絕緣層上形成一柵極端，再于柵極端兩側(cè)的島狀多晶硅層中形成源極摻雜區(qū)域與漏極摻雜區(qū)域，然后于基板上形成一層間介電層以覆蓋柵極端、源極摻雜區(qū)域與漏極摻雜區(qū)域，再于層間介電層中形成一源極接觸窗開(kāi)口與一漏極接觸窗開(kāi)口，并于源極接觸窗開(kāi)口與漏極接觸窗開(kāi)口底部分別暴露出源極摻雜區(qū)域表面與漏極摻雜表面，其后于層間介電層上與源極接觸窗開(kāi)口中形成一源極金屬，并同時(shí)于層間介電層上與漏極接觸窗開(kāi)口中形成一漏極金屬，其中源極金屬與漏極金屬間隔層間介電層重疊于柵極端的上方。
而且，于上述靜電放電保護(hù)元件及其制造方法中，亦可以僅以源極端與漏極端其中之一重疊于柵極端。
由上述可知，由于所形成的源極金屬與漏極金屬是間隔著層間介電層而重疊于部分柵極端的上方，因而使得靜電放電保護(hù)元件的耦合電容值Cgd得以提高，當(dāng)產(chǎn)生靜電時(shí)，能夠藉由較高的耦合電容值Cgd而較快地打開(kāi)柵極端，進(jìn)而將靜電完全由靜電放電保護(hù)元件導(dǎo)出，進(jìn)而提高靜電放電防護(hù)的效能。
而且，由于本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件是和信號(hào)控制電路以及驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管以相同的工藝一起制造出來(lái)的，因此，本發(fā)明僅需要對(duì)定義源極金屬與漏極金屬的光掩模，在形成靜電放電保護(hù)元件的區(qū)域進(jìn)行適當(dāng)?shù)男薷模恍桀~外的光掩模就能形成本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件，因而此靜電放電保護(hù)元件的工藝與現(xiàn)行工藝完全相容，不會(huì)增加工藝的復(fù)雜度。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下圖1所示為現(xiàn)有一種頂柵式低溫多晶硅薄膜晶體管所構(gòu)成的靜電放電保護(hù)元件的上視圖；圖2所示為現(xiàn)有使用圖1的靜電放電保護(hù)元件所構(gòu)成的一種靜電放電防護(hù)電路的示意圖；圖3所示為依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種靜電放電保護(hù)元件的上視圖；以及圖4所示為圖3中沿著A-A切線的剖面示意圖。
附圖中的附圖標(biāo)記說(shuō)明如下102、212柵極 104、218源極金屬106、220漏極金屬 108、206源極摻雜區(qū)域110、208漏極摻雜區(qū)域 112、204溝道層114、116接觸窗開(kāi)口118金屬端緣200基板 202緩沖層210柵絕緣層 213層間介電層214源極接觸窗開(kāi)口 216漏極接觸窗開(kāi)口Cgd柵極與漏極之間的耦合電容值Cgs柵極與源極之間的耦合電容值R1、R2、R3、R4、R5電阻VDD電源線具體實(shí)施方式
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3與圖4，圖3所示為依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種靜電放電保護(hù)元件之上視圖，圖4所示為圖3中沿著A-A切線的剖面示意圖。本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件的制造方法是首先提供一基板200，其中基板200例如是一玻璃基板。接著在基板200上形成一緩沖層202，其中緩沖層202的材料例如是氮化硅，形成緩沖層的目的是用以防止基板200中的雜質(zhì)(例如鈉離子)擴(kuò)散進(jìn)入后續(xù)形成的靜電放電保護(hù)元件中。
接著，在擴(kuò)散層202上形成島狀多晶硅層，其中此島狀多晶硅層例如是藉由準(zhǔn)分子激光熱退火工藝(ELA process)所形成，用以作為溝道層的材料。且此島狀多晶硅層用以在后續(xù)的工藝中經(jīng)摻雜而形成薄膜晶體管的源極摻雜區(qū)域206、漏極摻雜區(qū)域208與溝道層204(亦即是此島狀多晶硅層由圖4中的溝道層204、源極摻雜區(qū)域206、漏極摻雜區(qū)域208所組成)。
然后在基板200上依序形成柵絕緣層210以及柵極212，于本實(shí)施例中，柵極212可視為靜電放電保護(hù)元件的柵極端，其中形成柵絕緣層210與柵極212的方法，例如是在基板200上依序形成絕緣層(未顯示)與導(dǎo)體層(未顯示)，然后再構(gòu)圖此導(dǎo)體層與絕緣層以形成柵絕緣層210及柵極212，并且柵絕緣層210的材料例如是氧化硅或是氮化硅，并且柵極212的材料例如是鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)或是合金等金屬材料。
接著，以柵極212為掩模，對(duì)基板200進(jìn)行摻雜劑的摻雜步驟，以使柵極212下方之外的島狀多晶硅層形成源極摻雜區(qū)域206以及漏極摻雜區(qū)域208，并且位于柵極212下方的島狀多晶硅層成為溝道層204。
其后，在基板200上覆蓋一層層間介電層213，其中層間介電層213的材料例如是氧化硅或是氮化硅。之后，在層間介電層213中形成分別暴露出源極摻雜區(qū)域206與漏極摻雜區(qū)域208表面的接觸窗開(kāi)口214與接觸窗開(kāi)口216。
此后，在層間介電層213上形成填滿接觸窗開(kāi)口214、216的金屬層(未顯示)，然后再圖案化金屬層，以同時(shí)形成分別電連接源極摻雜區(qū)域208與漏極摻雜區(qū)域210的源極金屬218與漏極金屬220。而且，于本實(shí)施例中，源極摻雜區(qū)域206與源極金屬218構(gòu)成靜電放電保護(hù)元件的源極端，且漏極摻雜區(qū)域208與漏極金屬220構(gòu)成靜電放電保護(hù)元件的漏極端。而且，源極金屬218與漏極金屬220間隔著層間介電層213，由圖1與圖4所顯示的以往的端緣118(僅顯示漏極金屬側(cè))，重疊(overlap)至柵極212的上方。
在本發(fā)明上述優(yōu)選實(shí)施例的靜電放電保護(hù)元件的制造方法中，由于所形成的源極金屬218與漏極金屬220間隔著層間介電層213而分別重疊于部分柵極212的上方，因而使得柵極對(duì)漏極的耦合電容Cgd得以提高，當(dāng)產(chǎn)生靜電時(shí)(請(qǐng)同樣參照?qǐng)D2)，本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件能夠藉由較高的耦合電容值Cgd而開(kāi)啟柵極，進(jìn)而將靜電完全由靜電放電保護(hù)元件導(dǎo)出，提高靜電放電防護(hù)的效能。
另一方面，由于本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件是和信號(hào)控制電路以及驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管以相同的工藝一起制造出來(lái)的，因此，本發(fā)明僅需要對(duì)定義源極金屬與漏極金屬的光掩模，在形成靜電放電保護(hù)元件的區(qū)域進(jìn)行適當(dāng)?shù)男薷模恍桀~外的光掩模就能形成本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件，因此并不會(huì)增加工藝的復(fù)雜度。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D4以說(shuō)明本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的靜電放電保護(hù)元件的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件適于設(shè)置在面板上的非顯示區(qū)以連接信號(hào)源與顯示區(qū)，包括一溝道層204、一源極摻雜區(qū)域206、一漏極摻雜區(qū)域208、一柵絕緣層210、一柵極212、一層間介電層213、一源極金屬218與一漏極金屬220。
其中溝道層204設(shè)置于一基板200上，源極206與漏極208分別設(shè)置于溝道層204兩側(cè)的基板200上，并且源極206與漏極208分別與溝道層210電連接。
柵絕緣層210設(shè)置于溝道層204上，柵極(亦即是柵極端)212設(shè)置于柵絕緣層210上。
層間介電層213設(shè)置于基板200上，以覆蓋基板200、源極摻雜區(qū)域206、漏極摻雜區(qū)域208以及柵極212。而且，在層間介電層213中具有源極接觸窗開(kāi)口214與漏極接觸窗開(kāi)口216，且在源極接觸窗開(kāi)口214與漏極接觸窗開(kāi)口216的底部分別暴露出源極摻雜區(qū)域206與漏極摻雜區(qū)域208的表面。
源極金屬218設(shè)置于層間介電層213上與源極接觸窗開(kāi)口214中，此源極金屬218藉由填入源極接觸窗開(kāi)口214的部分與源極206電連接，且源極摻雜區(qū)域206與源極金屬218構(gòu)成靜電放電保護(hù)元件的源極端。而且，于本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，源極金屬218間隔著層間介電層213重疊于部分柵極212的上方。
漏極金屬220設(shè)置于層間介電層213上與漏極接觸窗開(kāi)口216中，此漏極金屬220藉由填入源極接觸窗開(kāi)口216的部分與漏極208電連接，且漏極摻雜區(qū)域208與漏極金屬220構(gòu)成靜電放電保護(hù)元件的漏極端。而且，于本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，漏極金屬220間隔著層間介電層213重疊于部分柵極212的上方。
此外，在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，還可以在基板200以及溝道層204、源極摻雜區(qū)域206、漏極摻雜區(qū)域208、層間介電層213之間配設(shè)一緩沖層202。配設(shè)此緩沖層202的目的是用以阻擋基板200中的一些雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入靜電放電保護(hù)元件中。
在本發(fā)明上述優(yōu)選實(shí)施例所揭示的靜電放電保護(hù)元件及其制造方法中，靜電放電保護(hù)元件應(yīng)用于頂柵式低溫多晶硅薄膜晶體管顯示面板，然而，本發(fā)明也可以應(yīng)用于底柵(bottom gate)式薄膜晶體管顯示面板，其例如是依序在基板上形成柵極、柵絕緣層、溝道層以及源極、漏極，以在面板上的顯示區(qū)與信號(hào)來(lái)源之間形成靜電放電保護(hù)元件，其中在定義源極與漏極時(shí)，將源極以及漏極定義為部分重疊于柵極上，如此就能夠增加?xùn)艠O與源極、漏極之間的耦合電容，加快靜電保護(hù)放電元件的開(kāi)啟速度。
因此，由上述所舉的頂柵式低溫多晶硅薄膜晶體管顯示面板與底柵式薄膜晶體管顯示面板的范例可知，本發(fā)明對(duì)于靜電放電保護(hù)元件的形式并沒(méi)有特別的限定，只要是靜電放電保護(hù)元件具有一源極端(例如在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中，是由源極摻雜區(qū)域206與源極金屬218所組成)、一漏極端(由漏極摻雜區(qū)域208與漏極金屬210所組成)與一柵極端(亦即是柵極212)，其中只要源極端與漏極端形成步驟所形成的部分源極端和部分漏極端與柵極端重疊，就包含在本發(fā)明的技術(shù)特征之中。
而且在本發(fā)明上述優(yōu)選實(shí)施例中，源極金屬與漏極金屬都與部分的柵極重疊，使用此設(shè)計(jì)，將具有無(wú)論靜電放電保護(hù)電元件無(wú)論正接或反接，靜電放電保護(hù)電元件都具有提高耦合電容值的效果，因此在電路的設(shè)計(jì)上具有較大的彈性。然而，本發(fā)明并不限定于此，依本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例為例，請(qǐng)參照?qǐng)D2，由于僅會(huì)影響到一側(cè)的耦合電容Cgd，因此亦可以僅將漏極金屬形成為重疊于部分柵極的上方，而源極金屬則未重疊于柵極的上方。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列特征在本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件中，由于所形成的部分源極端(源極金屬)與部分漏極端(漏極金屬)間隔著層間介電層而重疊于柵極端，因而使得靜電放電保護(hù)元件的耦合電容值(Cgd)得以提高，當(dāng)產(chǎn)生靜電放電時(shí)，能夠藉由較高的耦合電容Cgd值而打開(kāi)柵極，以將靜電放電完全由靜電放電保護(hù)元件導(dǎo)出，進(jìn)而提高靜電放電防護(hù)的效能。
而且，由于本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件是和信號(hào)控制電路以及驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管以相同的工藝一起制造出來(lái)的，因此，本發(fā)明僅需要對(duì)定義源極金屬與漏極金屬的光掩模，在形成靜電放電保護(hù)元件的區(qū)域進(jìn)行適當(dāng)?shù)男薷模恍桀~外的光掩模就能形成本發(fā)明的靜電放電保護(hù)元件，因而此靜電放電保護(hù)元件的工藝與現(xiàn)行工藝完全相容，不會(huì)增加工藝的復(fù)雜度。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例公開(kāi)如上，但是其并非用以限定本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可對(duì)其作些許更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以所附的權(quán)利要求所確定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種靜電放電保護(hù)元件，至少具有一源極端、一漏極端與一柵極端，其特征在于部分該源極端與部分該漏極端其中之一重疊于該柵極端。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)元件，其中部分該源極端與部分該漏極端中的另一個(gè)重疊于該柵極端。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)元件，其中該源極端更包括一源極摻雜區(qū)域與一源極金屬，且該漏極端更包括一漏極摻雜區(qū)域與一漏極金屬。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電放電保護(hù)元件，更具有一溝道層、一柵絕緣層、一層間介電層，其中該溝道層設(shè)置于一基板上；該源極摻雜區(qū)域與該漏極摻雜區(qū)域分別設(shè)置于該溝道層兩側(cè)的該基板且與該溝道層電連接；該柵絕緣層設(shè)置于該溝道層上；該柵極端設(shè)置于該柵絕緣層上；該層間介電層設(shè)置于該基板上并覆蓋該柵極端、該源極摻雜區(qū)域與該漏極摻雜區(qū)域；該源極金屬設(shè)置于該層間介電層上，并藉由該層間介電層中的一源極接觸窗電連接至該源極摻雜區(qū)域；以及該漏極金屬設(shè)置于該層間介電層上，并藉由該層間介電層中的一漏極接觸窗電連接至該源極摻雜區(qū)域；其中該源極金屬與該漏極金屬的其中之一間隔該層間介電層重疊于該柵極端的上方。
5.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護(hù)元件，其中該源極金屬與該漏極金屬中的另一個(gè)間隔該層間介電層重疊于該柵極端的上方。
6.一種靜電放電保護(hù)元件的制造方法，包括一柵極端，以及一源極端與一漏極端的形成步驟，其特征在于依照該漏極端與該源極端的形成步驟所形成的部分該漏極端、部分該源極端其中之一重疊于該柵極端。
7.如權(quán)利要求6所述的靜電放電保護(hù)元件的制造方法，其中部分該源極端與部分該漏極端中的另一個(gè)重疊于該柵極端。
8.如權(quán)利要求6所述的靜電放電保護(hù)元件的制造方法，其中該源極端更包括一源極摻雜區(qū)域與一源極金屬，且該漏極端更包括一漏極摻雜區(qū)域與一漏極金屬。
9.如權(quán)利要求8所述的靜電放電保護(hù)元件的制造方法，其中該柵極端以及該源極端與該漏極端的形成步驟更包括于一基板上形成一島狀多晶硅層；于該島狀多晶硅層上形成一柵絕緣層；于該柵絕緣層上形成該柵極端；于該柵極端兩側(cè)的該島狀多晶硅層中形成該源極摻雜區(qū)域與該漏極摻雜區(qū)域；于該基板上形成一層間介電層，以覆蓋該柵極端、該源極摻雜區(qū)域與該漏極摻雜區(qū)域；于該層間介電層中形成一源極接觸窗開(kāi)口與一漏極接觸窗開(kāi)口，并于該源極接觸窗開(kāi)口與該漏極接觸窗開(kāi)口底部分別暴露出該源極摻雜區(qū)域表面與該漏極摻雜區(qū)域表面；于該層間介電層上與該源極接觸窗開(kāi)口中形成該源極金屬，并同時(shí)于該層間介電層上與該漏極接觸窗開(kāi)口中形成該漏極金屬；其中該源極金屬與該漏極金屬的其中之一間隔該層間介電層重疊于該柵極端的上方。
10.如權(quán)利要求9所述的靜電放電保護(hù)元件的制造方法，其中該源極金屬與該漏極金屬中的另一個(gè)間隔該層間介電層重疊于該柵極端的上方。
11.如權(quán)利要求9所述的靜電放電保護(hù)元件的制造方法，其中于該柵極端兩側(cè)的該導(dǎo)體層中形成該源極摻雜區(qū)域與該漏極摻雜區(qū)域的方法，包括以該柵極端為掩模，對(duì)該島狀多晶硅層進(jìn)行摻雜劑的摻雜。
12.如權(quán)利要求9所述的靜電放電保護(hù)元件的制造方法，其中于該層間介電層上與該源極接觸窗開(kāi)口中形成該源極金屬，并同時(shí)于該層間介電層上與該漏極接觸窗開(kāi)口中形成該漏極金屬的方法，包括于該源極接觸窗、該漏極接觸窗中與該層間介電層上形成一金屬層；以及圖案化該金屬層以同時(shí)形成該源極金屬以及該漏極金屬。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種靜電放電保護(hù)元件及其制造方法，至少具有一源極端、一漏極端與一柵極端，其特征在于部分源極端與部分漏極端重疊于柵極端，以提高柵極對(duì)漏極以及柵極對(duì)漏極的耦合電容值，進(jìn)而能夠使靜電放電保護(hù)元件快速啟動(dòng)。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1549344SQ03131479
公開(kāi)日2004年11月24日 申請(qǐng)日期2003年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月15日
發(fā)明者石安, 石 安 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司